Globaler Bericht zur Marktgröße, Marktanteil und Trendanalyse für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente – Branchenüberblick und Prognose bis 2032

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Globaler Bericht zur Marktgröße, Marktanteil und Trendanalyse für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente – Branchenüberblick und Prognose bis 2032

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Reports
  • Jun 2021
  • Global
  • 350 Seiten
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Die Analyse des Supply-Chain-Ökosystems ist jetzt Teil der DBMR-Berichte

Global Wide Bandgap Wbg Power Semiconductor Devices Market

Marktgröße in Milliarden USD

CAGR :  % Diagram

Chart Image USD 3.63 Billion USD 11.84 Billion 2024 2032
Diagramm Prognosezeitraum
2025 –2032
Diagramm Marktgröße (Basisjahr)
USD 3.63 Billion
Diagramm Marktgröße (Prognosejahr)
USD 11.84 Billion
Diagramm CAGR
%
Diagramm Wichtige Marktteilnehmer
  • Qorvo Inc.
  • United Silicon Carbide Inc.
  • GaN Systems
  • STMicroelectronics
  • ROHM CO. LTD.

Globale Marktsegmentierung für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente nach Material (Diamantsubstrat, Siliziumkarbid (SIC), Zinkoxid, Galliumnitrid (GAN), Sonstige), Anwendung (Erneuerbare Energien, Automobilindustrie, unterbrechungsfreie Stromversorgung, Industrielle Motorantriebe, Leistungsfaktorkorrektur, Sonstige), Endverbrauchsbranche (Automobilindustrie, Energie- und Versorgungswirtschaft, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Sonstige) – Branchentrends und Prognose bis 2032

 Markt für Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG)

Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiter Marktgröße

  • Der globale Markt für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente hatte im Jahr 2024 ein Volumen von 3,63 Milliarden US-Dollar und dürfte bis 2032 ein Volumen von 11,84 Milliarden US-Dollar  erreichen  ,  was einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 15,92 % im Prognosezeitraum entspricht.
  • Das robuste Wachstum des Marktes wird vor allem durch die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und hocheffizienten Energieumwandlungstechnologien vorangetrieben, bei denen WBG-Geräte wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) herkömmliche Halbleiter auf Siliziumbasis in puncto Effizienz, Größe und Wärmemanagement übertreffen.
  • Darüber hinaus veranlasst der weltweit wachsende Druck zur CO2-Neutralität und zu höheren Energieeffizienzstandards die Hersteller dazu, in WBG-basierte Leistungselektronik zu investieren, insbesondere in Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter, Rechenzentren und industrielle Motorantriebe, was die Nachfrage weiter ankurbelt.

Marktanalyse für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiterbauelemente (WBG)

  • Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG), wie etwa Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid- (GaN) Komponenten, entwickeln sich zu entscheidenden Voraussetzungen für moderne Leistungselektronik und ermöglichen Verbesserungen bei Effizienz, Wärmeverhalten und Schaltgeschwindigkeit in einem breiten Anwendungsspektrum, darunter Elektrofahrzeuge, Systeme für erneuerbare Energien und industrielle Automatisierung.
  • Die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen, erneuerbarer Energieinfrastruktur und digitalisierten Industrieprozessen treibt die Nachfrage nach WBG-Leistungshalbleitern deutlich an. Diese Bauelemente ermöglichen eine höhere Leistungsdichte und bessere Energieeffizienz, die für die nächste Generation von Energieumwandlungs- und -managementlösungen unerlässlich sind.
  • Nordamerika hält mit 33,01 % im Jahr 2024 den größten Umsatzanteil und ist damit der weltweit dominierende Markt. Diese Führungsposition ist auf die rasante Verbreitung von Elektrofahrzeugen, die Integration erneuerbarer Energien und die industrielle Automatisierung zurückzuführen. Der Übergang zu saubereren Energiequellen und der verstärkte Fokus auf energieeffiziente Technologien steigern die Nachfrage nach WBG-Leistungshalbleitern wie Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid- (GaN) Transistoren und Dioden. 
  • Die Region Asien-Pazifik wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2032 die höchste jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 18,77 % verzeichnen. Dies ist auf die beschleunigte Industrialisierung, steigende verfügbare Einkommen und die wachsende Stadtbevölkerung in Ländern wie China, Japan, Indien und Südkorea zurückzuführen. Regierungen in der gesamten Region fördern aktiv Digitalisierung und grüne Energie durch Smart-City-Initiativen und Ziele für erneuerbare Energien, was die Nachfrage nach WBG-Leistungshalbleitern deutlich steigert.
  • Das Segment Siliziumkarbid (SiC) dominiert den Markt und wird im Jahr 2024 den größten Umsatzanteil aufweisen, was auf die überlegene Wärmeleitfähigkeit, das hohe elektrische Durchbruchfeld und die hervorragende Effizienz bei Leistungselektronikanwendungen zurückzuführen ist.

Berichtsumfang und Marktsegmentierung für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente

Eigenschaften

Wichtige Markteinblicke zu Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelementen

Abgedeckte Segmente

  • Nach Material  (Diamantsubstrat, Siliziumkarbid (SIC), Zinkoxid, Galliumnitrid (GAN), Sonstiges)
  • Nach Anwendung  (Erneuerbare Energien, Automobilindustrie, unterbrechungsfreie Stromversorgung, industrielle Motorantriebe, Leistungsfaktorkorrektur, Sonstiges)
  • Nach Endverbrauchsbranche  (Automobilindustrie, Energie- und Versorgungswirtschaft, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Sonstige)

Abgedeckte Länder

Nordamerika

  • UNS
  • Kanada
  • Mexiko

Europa

  • Deutschland
  • Frankreich
  • Vereinigtes Königreich
  • Niederlande
  • Schweiz
  • Belgien
  • Russland
  • Italien
  • Spanien
  • Truthahn
  • Restliches Europa

Asien-Pazifik

  • China
  • Japan
  • Indien
  • Südkorea
  • Singapur
  • Malaysia
  • Australien
  • Thailand
  • Indonesien
  • Philippinen
  • Restlicher Asien-Pazifik-Raum

Naher Osten und Afrika

  • Saudi-Arabien
  • Vereinigte Arabische Emirate
  • Südafrika
  • Ägypten
  • Israel
  • Rest des Nahen Ostens und Afrikas

Südamerika

  • Brasilien
  • Argentinien
  • Restliches Südamerika

Wichtige Marktteilnehmer

  • Qorvo, Inc. (Vereinigte Staaten)
  • United Silicon Carbide Inc. (Vereinigte Staaten)
  • GaN-Systeme (Kanada)
  • STMicroelectronics (Schweiz)
  • ROHM CO., LTD. (Japan)
  • Transphorm Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Cree Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Infineon Technologies AG (Deutschland)
  • Ceramicforum Co., Ltd. (Japan)
  • KEMET (Vereinigte Staaten)
  • Keysight Technologies (Vereinigte Staaten)
  • AKHAN Semiconductor Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Alpha and Omega Semiconductor (USA)
  • Reedholm Systems (USA)
  • Texas Instruments Incorporated (Vereinigte Staaten)
  • Toshiba Corporation (Japan)
  • Exagan (Frankreich)
  • Semiconductor Components Industries, LLC (ON Semiconductor) (USA)
  • Microchip Technology Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Hitachi Ltd. (Japan)

Marktchancen

  • Zunehmende Akzeptanz in den Bereichen Automobil und erneuerbare Energien
  • Schwellenländer mit zunehmender Urbanisierung und Industrialisierung

Wertschöpfungsdaten-Infosets

Zusätzlich zu den Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und wichtige Akteure enthalten die von Data Bridge Market Research kuratierten Marktberichte auch ausführliche Expertenanalysen, Preisanalysen, Markenanteilsanalysen, Verbraucherumfragen, demografische Analysen, Lieferkettenanalysen, Wertschöpfungskettenanalysen, eine Übersicht über Rohstoffe/Verbrauchsmaterialien, Kriterien für die Lieferantenauswahl, PESTLE-Analysen, Porter-Analysen und regulatorische Rahmenbedingungen.

Markttrends für Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG)

Steigende Nachfrage durch rasante Digitalisierung und Smart-Home-Integration

  • Die beschleunigte digitale Transformation im Wohn- und Gewerbebereich ist ein wichtiger Treiber für den Markt für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiterbauelemente (WBG), da diese Bauelemente erweiterte Konnektivität, Fernzugriff und Automatisierungsfunktionen in intelligenten Häusern und Gebäuden ermöglichen.
  • So fördern beispielsweise wachsende Investitionen in IoT-fähige Smart-Home-Ökosysteme durch Technologieführer die Integration von WBG-Leistungshalbleitern in Zugangskontroll-, Energiemanagement- und Sicherheitssysteme.
  • Da immer mehr Verbraucher eine nahtlose Konnektivität und Steuerung mehrerer Heimgeräte über zentrale Plattformen wünschen, bieten WBG-Leistungshalbleiterbauelemente im Vergleich zu herkömmlichen Komponenten auf Siliziumbasis eine bessere Leistung und Energieeffizienz.
  • Dieser Trend ist besonders stark in technologisch fortgeschrittenen Regionen wie Nordamerika und Europa ausgeprägt, wo die Verbreitung von Smart Homes weiter zunimmt.

Marktdynamik für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiterbauelemente (WBG)

Treiber

„Technologische Fortschritte bei Wide-Bandgap-Materialien treiben das Marktwachstum an“

  • Kontinuierliche Innovationen bei Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) treiben den Markt voran, da diese Wide-Bandgap-Halbleiter im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauelementen eine höhere Wärmeleitfähigkeit, Effizienz und Schaltgeschwindigkeit bieten.
  • Die Akteure der Branche investieren massiv in Forschung und Entwicklung, um die Leistung der Geräte zu verbessern und die Herstellungskosten zu senken. Dadurch dürften die Anwendungen von WBG-Halbleitern in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und der industriellen Automatisierung weiter zunehmen.
  • Die überlegenen Eigenschaften von WBG-Geräten ermöglichen kleinere, leichtere und langlebigere elektronische Komponenten, was sie für den Einsatz in der Leistungselektronik und in Hochfrequenzanwendungen attraktiv macht.

Einschränkung/Herausforderung

Hohe Herstellungs- und Materialkosten

  • Trotz ihrer überlegenen Leistung stehen Wide-Bandgap-Halbleiterbauelemente derzeit vor Herausforderungen, die auf den hohen Kosten von Rohstoffen wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid sowie auf komplexen und kostspieligen Herstellungsprozessen beruhen.
  • Diese Kostenfaktoren können die Akzeptanz insbesondere in preissensiblen Märkten und Anwendungen einschränken, bei denen die Kosteneffizienz weiterhin ein Hauptanliegen ist.
  • Darüber hinaus schränkt der Bedarf an speziellen Fertigungsanlagen und -prozessen die Zahl der Hersteller ein, die in der Lage sind, qualitativ hochwertige WBG-Geräte in großem Maßstab herzustellen, was sich auf die Stabilität der Lieferkette und die Preisgestaltung auswirkt.

Marktumfang für Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG)

Der Markt für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiterbauelemente (WBG) ist nach Typ, Anwendung und Endbenutzerbranche segmentiert.

  • Nach Material

Der Markt für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente ist nach Materialien segmentiert in Diamantsubstrat, Siliziumkarbid (SiC), Zinkoxid, Galliumnitrid (GaN) und weitere. Das Siliziumkarbid-Segment (SiC) dominiert den Markt mit dem größten Umsatzanteil im Jahr 2024, angetrieben von seiner überlegenen Wärmeleitfähigkeit, seinem hohen Durchbruchfeld und seiner hervorragenden Effizienz in Leistungselektronikanwendungen. SiC-Bauelemente werden aufgrund ihrer Robustheit und Effizienz in Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen zunehmend in der Automobil- und erneuerbaren Energiebranche bevorzugt.

Das Galliumnitrid-Segment (GaN) wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate verzeichnen, angetrieben durch die rasanten Fortschritte in der GaN-Technologie, die miniaturisierte Hochfrequenz-Leistungsbauelemente ermöglicht. Die Anwendung von GaN in Schnellladegeräten, Rechenzentren und der 5G-Infrastruktur unterstreicht seine wachsende Bedeutung im Markt für Leistungshalbleiter.

  • Nach Anwendung

Der Markt für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente ist nach Anwendung in die Bereiche erneuerbare Energien, Automobilindustrie, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV), industrielle Motorantriebe, Leistungsfaktorkorrektur und weitere segmentiert. Das Segment erneuerbare Energien hält 2024 den größten Marktanteil, da Solar- und Windkraftanlagen, die eine effiziente Energieumwandlung und -steuerung erfordern, weit verbreitet sind. WBG-Halbleiter ermöglichen höhere Effizienz und Zuverlässigkeit in Wechselrichtern und Konvertern, die für erneuerbare Energiesysteme entscheidend sind.

Das Automobilsegment dürfte von 2025 bis 2032 die höchste Wachstumsrate verzeichnen, angetrieben durch die Elektrifizierung von Fahrzeugen, einschließlich Elektro- und Hybridfahrzeugen. WBG-Bauelemente, insbesondere SiC, werden aufgrund ihrer hohen Effizienz, ihres geringen Gewichts und ihrer Vorteile beim Wärmemanagement bevorzugt für Wechselrichter, Bordladegeräte und Antriebsstranganwendungen in Elektrofahrzeugen eingesetzt.

  • Nach Endverbrauchsbranche

Der Markt für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente ist nach Endverbrauchsbranchen segmentiert in die Bereiche Automobil, Energie und Versorgung, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung sowie weitere. Die Automobilindustrie wird 2024 den höchsten Marktumsatz erzielen, da sich die Umstellung der Automobilbranche auf Elektrofahrzeuge intensiviert. Der Einsatz von WBG-Leistungshalbleitern hilft Herstellern, die Energieeffizienz, Reichweite und Leistung ihrer Elektrofahrzeuge zu verbessern. Auch das Energie- und Versorgungssegment ist von Bedeutung, da steigende Investitionen in intelligente Stromnetze, Energiespeichersysteme und Infrastruktur für erneuerbare Energien die Nachfrage antreiben. Der Industriesektor wird voraussichtlich stetig wachsen und WBG-Bauelemente für effiziente Motorantriebe und Stromversorgungen nutzen.

Der Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungssektor verzeichnet aufgrund des Bedarfs an hochzuverlässiger, leichter und energieeffizienter Leistungselektronik in Flugzeugsystemen und Verteidigungsanwendungen eine zunehmende Nachfrage.

Regionale Marktanalyse für Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG)

  • Nordamerika hält mit 33,01 % im Jahr 2024 den größten Umsatzanteil und ist damit der weltweit dominierende Markt. Diese Führungsposition ist auf die rasante Verbreitung von Elektrofahrzeugen, die Integration erneuerbarer Energien und die industrielle Automatisierung zurückzuführen. Der Übergang zu saubereren Energiequellen und der verstärkte Fokus auf energieeffiziente Technologien steigern die Nachfrage nach WBG-Leistungshalbleitern wie Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid- (GaN) Transistoren und Dioden.
  • Die USA leisten den größten Beitrag in der Region und profitieren von starken staatlichen Anreizen für die Einführung von Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und Energiespeicherprojekten. Das starke Forschungs- und Entwicklungs-Ökosystem des Landes und die Präsenz führender Halbleiterhersteller beschleunigen die Innovation und Kommerzialisierung von WBG-Technologien. Darüber hinaus trägt Nordamerikas zunehmender Fokus auf die Modernisierung intelligenter Stromnetze und leistungsstarke Industrieanlagen erheblich zum Marktwachstum bei.
  • Die Nachfrage der Verbraucher nach energieeffizienter Elektronik und steigende Investitionen in die digitale Infrastruktur verstärken die Ausweitung der Anwendungen von WBG-Geräten im privaten, gewerblichen und industriellen Bereich weiter.

Markteinblick in die US-amerikanischen Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente

In den USA machte der Markt für WBG-Leistungshalbleiter im Jahr 2024 74,22 % des nordamerikanischen Umsatzes aus. Das Wachstum wird durch die rasante Elektrifizierung der Automobilindustrie vorangetrieben. Mehrere große Automobilhersteller erweitern ihr Elektrofahrzeugportfolio und benötigen dafür fortschrittliche Leistungsbauelemente. Staatliche Maßnahmen wie Steuererleichterungen für Fahrzeuge mit sauberer Energie und Infrastrukturinvestitionen unterstützen die breite Akzeptanz. Darüber hinaus ermöglichen Fortschritte bei GaN- und SiC-Bauelementen eine höhere Effizienz und Langlebigkeit von Leistungselektronik in der Luft- und Raumfahrt, im Militär und in der Industrie. Der wachsende Trend zur Smart-Home-Automatisierung und zur IoT-Integration fördert ebenfalls die Nachfrage nach effizienten Leistungssteuerungsgeräten. Die USA profitieren zudem von der intensiven Zusammenarbeit zwischen Halbleiterherstellern, Automobilherstellern und Forschungseinrichtungen, die schnellere Innovationszyklen ermöglicht.  

Markteinblick in Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG) in Europa

Der europäische Markt wird voraussichtlich stetig wachsen, wobei Nachhaltigkeit und Energieeffizienz im Vordergrund stehen. Die strengen Umweltvorschriften der Region, darunter Emissionsreduktionsziele und Energieverbrauchsstandards, zwingen die Industrie dazu, WBG-Halbleiterbauelemente für umweltfreundlichere Energielösungen einzusetzen. Länder wie Deutschland, Frankreich und Großbritannien sind führend in der Region. Die zunehmende Urbanisierung und die digitale Transformation fördern den Einsatz in intelligenten Stromnetzen, im Elektrotransport und in der industriellen Automatisierung. Die zunehmende Verbreitung erneuerbarer Energiequellen wie Wind- und Solarenergie sowie staatliche Subventionen für energieeffiziente Infrastruktur treiben die Nachfrage nach WBG-Bauelementen weiter an. Europäische Verbraucher und Industrien schätzen die Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern, insbesondere in Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und thermische Stabilität erfordern.

Markteinblicke für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente in Großbritannien

Der britische Markt wird von einem steigenden Trend in den Bereichen Hausautomation, Sicherheit und Energieeffizienz angetrieben. Investitionen in die Infrastruktur für Elektrofahrzeuge und Smart-City-Projekte tragen zur steigenden Nachfrage bei. Sicherheits- und Komfortbedenken fördern den Einsatz energieeffizienter, zuverlässiger WBG-basierter Leistungselektronik im Wohn- und Gewerbebereich. Der gut entwickelte E-Commerce- und Einzelhandelssektor des Landes fördert die Verfügbarkeit innovativer Smart-Geräte mit WBG-Leistungshalbleitern.  

Markteinblick in Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG) in Deutschland

Die deutsche Automobilindustrie ist angesichts der zunehmenden Elektromobilität und der industriellen Digitalisierung ein wichtiger Treiber. Die Energiewende der Bundesregierung zur Umstellung auf erneuerbare Energien und zur Reduzierung des CO2-Fußabdrucks unterstützt das Marktwachstum. Deutsche Verbraucher und Hersteller verlangen zunehmend energieeffiziente, umweltfreundliche Halbleiterlösungen, was auch der starken Nachhaltigkeitsagenda Deutschlands entspricht. Die Integration von WBG-Geräten in die Hausautomation und intelligente Fertigungssysteme nimmt zu, wobei Datenschutz und -sicherheit große Bedeutung zukommt.  

Markteinblicke für Wide-Bandgap-Leistungshalbleiterbauelemente (WBG) im asiatisch-pazifischen Raum

Die Region Asien-Pazifik wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2032 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 18,77 % verzeichnen. Dies ist auf die beschleunigte Industrialisierung, steigende verfügbare Einkommen und die wachsende Stadtbevölkerung in Ländern wie China, Japan, Indien und Südkorea zurückzuführen. Regierungen in der gesamten Region fördern aktiv Digitalisierung und grüne Energie durch Smart-City-Initiativen und Ziele für erneuerbare Energien, was die Nachfrage nach WBG-Leistungshalbleitern deutlich steigert. Die Region ist zudem ein globales Produktionszentrum für Halbleiterkomponenten, was zur Kostensenkung und Erhöhung der Verfügbarkeit für den Inlands- und Exportmarkt beiträgt. Der Ausbau der Produktion und Infrastruktur für Elektrofahrzeuge sowie das zunehmende Interesse der Verbraucher an Smart Homes beschleunigen die Marktdurchdringung zusätzlich.  

Markteinblick in Leistungshalbleiterbauelemente mit großer Bandlücke (WBG) in Japan

Japans Hightech-Industrielandschaft, die alternde Bevölkerung und die städtische Dichte tragen zu einer starken Nachfrage nach energieeffizienten und benutzerfreundlichen WBG-Halbleiterbauelementen bei. Die Integration dieser Bauelemente in IoT-Plattformen und Hausautomationssysteme, wie beispielsweise intelligente Beleuchtung und Überwachungskameras, treibt das Marktwachstum voran. Der Fokus japanischer Hersteller auf Innovation und Präzision fördert die Verbreitung von GaN- und SiC-Technologien in der Automobilindustrie, der Unterhaltungselektronik und in industriellen Anwendungen.  

Markteinblick in China für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente

China hält den größten Marktanteil in der Region Asien-Pazifik aufgrund der rasanten Urbanisierung, der wachsenden Mittelschicht und der zunehmenden Verbreitung von Smart-Home- und Elektrofahrzeugtechnologien. Staatliche Programme zur Förderung von Smart Cities, erneuerbaren Energieprojekten und der Halbleiterautarkie beeinflussen das Marktwachstum stark. Die Präsenz zahlreicher inländischer Hersteller kostengünstiger WBG-Leistungshalbleiter macht diese Lösungen einem breiteren Verbraucherkreis zugänglich. Chinas großflächiger Einsatz von Elektrofahrzeugen, Infrastruktur für erneuerbare Energien und digitaler Industrieausrüstung treibt weiterhin die starke Nachfrage an.

Marktanteil von Leistungshalbleiterbauelementen mit großer Bandlücke (WBG)

Die Branche der Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente wird hauptsächlich von etablierten Unternehmen angeführt, darunter:

  • Qorvo, Inc. (Vereinigte Staaten)
  • United Silicon Carbide Inc. (Vereinigte Staaten)
  • GaN-Systeme (Kanada)
  • STMicroelectronics (Schweiz)
  • ROHM CO., LTD. (Japan)
  • Transphorm Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Cree Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Infineon Technologies AG (Deutschland)
  • Ceramicforum Co., Ltd. (Japan)
  • KEMET (Vereinigte Staaten)
  • Keysight Technologies (Vereinigte Staaten)
  • AKHAN Semiconductor Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Alpha and Omega Semiconductor (USA)
  • Reedholm Systems (USA)
  • Texas Instruments Incorporated (Vereinigte Staaten)
  • Toshiba Corporation (Japan)
  • Exagan (Frankreich)
  • Semiconductor Components Industries, LLC (ON Semiconductor) (USA)
  • Microchip Technology Inc. (Vereinigte Staaten)
  • Hitachi Ltd. (Japan)

Neueste Entwicklungen auf dem globalen Markt für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente

  • Im April 2024 gab die Infineon Technologies AG den Ausbau ihrer SiC-Produktionskapazität (Siliziumkarbid) in ihrem Werk in Kulim, Malaysia, bekannt, um der weltweit steigenden Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien gerecht zu werden. Dieser strategische Schritt unterstreicht Infineons Engagement, den beschleunigten Wandel hin zu sauberer Energie und Elektromobilität durch die Sicherstellung einer zuverlässigen Versorgung mit hocheffizienten Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern zu unterstützen.
  • Im März 2024 stellte STMicroelectronics seine 1200-V-SiC-MOSFETs der dritten Generation für Hochleistungsanwendungen in Industrie und Automobil vor. Diese neuen Bausteine ​​bieten verbesserte Energieeffizienz und Systemkompaktheit und stärken damit die Führungsposition von ST im SiC-WBG-Segment. Die Markteinführung unterstützt die steigende Nachfrage nach energieeffizienten Lösungen für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe.
  • Im Februar 2024 stellte ROHM Co., Ltd. seine GaN-Leistungsbauelemente (Galliumnitrid) der nächsten Generation mit integrierten Gate-Treibern vor, die für kompakte und hocheffiziente Stromversorgungseinheiten entwickelt wurden. Diese Bauelemente sind für Hochfrequenzschaltungen optimiert und unterstützen Anwendungen wie Rechenzentren und Telekommunikationsstromversorgungssysteme. Sie erweitern ROHMs WBG-Produktportfolio.
  • Im Januar 2024 kündigte Transphorm Inc. die Serienproduktion seiner GaN-FETs in Automobilqualität an und markierte damit einen wichtigen Schritt hin zur breiten Akzeptanz von GaN-basierten Wide-Bandgap-Bauelementen in Elektrofahrzeugen. Die Bauelemente sind nach AEC-Q101-Standard qualifiziert und für den Einsatz in Bordladegeräten und DC/DC-Wandlern von Elektrofahrzeugen konzipiert. Sie bieten eine höhere Leistungsdichte und bessere thermische Leistung.
  • Im Dezember 2023 brachte Qorvo, Inc. eine neue Produktlinie GaN-basierter Leistungstransistoren auf den Markt, die speziell für 5G-Basisstationen und Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt entwickelt wurden. Diese Produkte bieten überlegene Frequenzverarbeitung und Energieeffizienz und zielen darauf ab, den steigenden Leistungsanforderungen hochzuverlässiger Kommunikationssysteme gerecht zu werden. Dieser Schritt unterstreicht Qorvos strategischen Fokus auf die Ausweitung seines WBG-Halbleiterangebots auf die Märkte für fortschrittliche HF- und Energietechnik.


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Die Datenerfassung und Basisjahresanalyse werden mithilfe von Datenerfassungsmodulen mit großen Stichprobengrößen durchgeführt. Die Phase umfasst das Erhalten von Marktinformationen oder verwandten Daten aus verschiedenen Quellen und Strategien. Sie umfasst die Prüfung und Planung aller aus der Vergangenheit im Voraus erfassten Daten. Sie umfasst auch die Prüfung von Informationsinkonsistenzen, die in verschiedenen Informationsquellen auftreten. Die Marktdaten werden mithilfe von marktstatistischen und kohärenten Modellen analysiert und geschätzt. Darüber hinaus sind Marktanteilsanalyse und Schlüsseltrendanalyse die wichtigsten Erfolgsfaktoren im Marktbericht. Um mehr zu erfahren, fordern Sie bitte einen Analystenanruf an oder geben Sie Ihre Anfrage ein.

Die wichtigste Forschungsmethodik, die vom DBMR-Forschungsteam verwendet wird, ist die Datentriangulation, die Data Mining, die Analyse der Auswirkungen von Datenvariablen auf den Markt und die primäre (Branchenexperten-)Validierung umfasst. Zu den Datenmodellen gehören ein Lieferantenpositionierungsraster, eine Marktzeitlinienanalyse, ein Marktüberblick und -leitfaden, ein Firmenpositionierungsraster, eine Patentanalyse, eine Preisanalyse, eine Firmenmarktanteilsanalyse, Messstandards, eine globale versus eine regionale und Lieferantenanteilsanalyse. Um mehr über die Forschungsmethodik zu erfahren, senden Sie eine Anfrage an unsere Branchenexperten.

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Data Bridge Market Research ist ein führendes Unternehmen in der fortgeschrittenen formativen Forschung. Wir sind stolz darauf, unseren bestehenden und neuen Kunden Daten und Analysen zu bieten, die zu ihren Zielen passen. Der Bericht kann angepasst werden, um Preistrendanalysen von Zielmarken, Marktverständnis für zusätzliche Länder (fordern Sie die Länderliste an), Daten zu klinischen Studienergebnissen, Literaturübersicht, Analysen des Marktes für aufgearbeitete Produkte und Produktbasis einzuschließen. Marktanalysen von Zielkonkurrenten können von technologiebasierten Analysen bis hin zu Marktportfoliostrategien analysiert werden. Wir können so viele Wettbewerber hinzufügen, wie Sie Daten in dem von Ihnen gewünschten Format und Datenstil benötigen. Unser Analystenteam kann Ihnen auch Daten in groben Excel-Rohdateien und Pivot-Tabellen (Fact Book) bereitstellen oder Sie bei der Erstellung von Präsentationen aus den im Bericht verfügbaren Datensätzen unterstützen.

Häufig gestellte Fragen

Der Markt ist basierend auf Globale Marktsegmentierung für Wide-Bandgap (WBG)-Leistungshalbleiterbauelemente nach Material (Diamantsubstrat, Siliziumkarbid (SIC), Zinkoxid, Galliumnitrid (GAN), Sonstige), Anwendung (Erneuerbare Energien, Automobilindustrie, unterbrechungsfreie Stromversorgung, Industrielle Motorantriebe, Leistungsfaktorkorrektur, Sonstige), Endverbrauchsbranche (Automobilindustrie, Energie- und Versorgungswirtschaft, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Sonstige) – Branchentrends und Prognose bis 2032 segmentiert.
Die Größe des Globaler Bericht zur Markt wurde im Jahr 2024 auf 3.63 USD Billion USD geschätzt.
Der Globaler Bericht zur Markt wird voraussichtlich mit einer CAGR von 15.92% im Prognosezeitraum 2025 bis 2032 wachsen.
Die Hauptakteure auf dem Markt sind Qorvo Inc., United Silicon Carbide Inc., GaN Systems, STMicroelectronics, ROHM CO. LTD. .
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