Bericht zur Marktgröße, Marktanteil und Trendanalyse für Siliziumkarbid (SiC) in Indien – Branchenüberblick und Prognose bis 2032

Siliziumkarbid (SiC) Marktgröße in Indien

• Der indische Siliziumkarbid-Markt (SiC) hatte im Jahr 2024 ein Volumen von 45,81 Millionen US-Dollar  und dürfte  bis 2032 einen Wert von 104,07 Millionen US-Dollar erreichen , was einer jährlichen Wachstumsrate von 10,8 % im Prognosezeitraum entspricht.
• Das Marktwachstum wird maßgeblich durch die steigende Nachfrage nach energieeffizienter Leistungselektronik, den Ausbau des Elektrofahrzeugsektors und die zunehmende Nutzung erneuerbarer Energietechnologien vorangetrieben.
• Die laufenden Fortschritte in der Halbleiterfertigung und die zunehmende Präsenz globaler und inländischer Akteure auf dem indischen Markt für Leistungselektronik beschleunigen die Einführung von SiC-Materialien in der Automobil-, Luft- und Raumfahrt sowie in industriellen Anwendungen weiter.

Marktanalyse für Siliziumkarbid (SiC) in Indien

• Die zunehmende staatliche Förderung der Elektromobilität, einschließlich Subventionen und Anreizen im Rahmen von Programmen wie FAME II, trägt erheblich zum verstärkten Einsatz von SiC-Komponenten in Automobilanwendungen bei.
• Der Industriesektor in Indien erlebt einen stetigen Übergang zu Hochleistungshalbleitern, wobei SiC in Anwendungen mit hoher Spannung, hohen Temperaturen und hoher Frequenz an Bedeutung gewinnt.
• Das Segment schwarzes SiC hatte im Jahr 2024 den größten Marktanteil, was auf seine weit verbreitete Verwendung in industriellen Anwendungen wie Schleifen, Schneiden und Läppen aufgrund seiner hohen Härte und Kosteneffizienz zurückzuführen ist. Es wird häufig in der Schleifmittel-, Metallurgie- und Feuerfestindustrie eingesetzt, wo die Leistung unter Hochtemperaturbedingungen entscheidend ist. Die starke Nachfrage wird durch den stetigen Verbrauch in den Bereichen Infrastruktur und Stahlherstellung zusätzlich unterstützt.

Berichtsumfang und Marktsegmentierung für Siliziumkarbid (SiC) in Indien  

Markttrends für Siliziumkarbid (SiC) in Indien

„Steigende Nachfrage nach SiC-Leistungsbauelementen in Projekten für erneuerbare Energien“

• Die steigende Nachfrage nach hocheffizienter Leistungselektronik im indischen Sektor für erneuerbare Energien fördert die Einführung von Siliziumkarbid-Komponenten, da diese im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis eine bessere Wärmeleitfähigkeit, Spannungsfestigkeit und Schalteffizienz bieten.
• Netzgroße Solarparks, Windkraftanlagen und Hybridenergiesysteme setzen zunehmend auf SiC-basierte Wechselrichter und Leistungsmodule, um Umwandlungsverluste zu reduzieren, die thermische Leistung zu verbessern und selbst im rauen indischen Klima eine konstante Leistung zu liefern.
• Technologische Fortschritte in der SiC-Herstellung senken die Kosten und verbessern die Skalierbarkeit. Dadurch wird die Technologie für Entwickler von Projekten im Bereich erneuerbare Energien attraktiver, die die Dekarbonisierungsziele des Landes erreichen und die Systemeffizienz optimieren wollen.
  • So wurde beispielsweise beim Rewa Ultra Mega Solar-Projekt in Madhya Pradesh eine fortschrittliche Wechselrichtertechnologie auf SiC-Basis integriert, um eine höhere Energieausbeute, eine verbesserte Systemstabilität und geringere Ausfallzeiten bei einer riesigen Anlage mit einer Kapazität von 750 MW zu erreichen.
• Diese Fortschritte positionieren SiC als Schlüsselfaktor für Indiens saubere Energiezukunft. Eine weitere Verbreitung wird erwartet, da staatliche Subventionen, Infrastrukturinvestitionen und Netto-Null-Verpflichtungen den Ausbau der Infrastruktur für erneuerbare Energien vorantreiben.

Marktdynamik für Siliziumkarbid (SiC) in Indien

Treiber

„Zunehmender Einsatz von SiC in Elektrofahrzeugen und der EV-Infrastruktur“

• Indiens Vorstoß in Richtung Elektromobilität beschleunigt die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Halbleitern, da Hersteller von Elektrofahrzeugen SiC-basierte Geräte einsetzen, um die Energieeffizienz zu verbessern, den Wärmeverlust zu reduzieren und die Batteriereichweite sowohl bei Zwei- als auch bei Vierrädern zu verlängern

• Hochleistungsladestationen, insbesondere entlang von Nationalstraßen und in städtischen Zentren, nutzen zunehmend SiC-basierte Konverter und Wechselrichter, um Ladezeit und Energieverbrauch zu minimieren und gleichzeitig eine langfristige Betriebsstabilität zu gewährleisten

• Fördernde Initiativen wie FAME II und staatliche Elektrofahrzeugrichtlinien fördern die Integration der SiC-Technologie in öffentliche und private Transportflotten, insbesondere in Hochleistungsantriebssystemen und Schnellladeanwendungen.

• Beispielsweise arbeitet der indische Elektrorollerhersteller Ather Energy daran, in seinen zukünftigen Modellen SiC-Komponenten einzusetzen, um die Wärmeleistung und Energieumwandlung zu verbessern und so längere Fahrten und geringere Energieverluste unter realen Bedingungen zu ermöglichen.

• Der Aufstieg von SiC im indischen EV-Ökosystem unterstreicht seine Rolle als leistungssteigernde, kostenoptimierende Lösung, die nationale Nachhaltigkeitsziele unterstützt und gleichzeitig OEMs hilft, auf dem schnell wachsenden Markt für Elektromobilität wettbewerbsfähig zu bleiben

Einschränkung/Herausforderung

„Hohe Herstellungskosten und begrenzte inländische Fertigungskapazitäten“

• Die kostenintensive Herstellung von Siliziumkarbid-Wafern, die spezielle Geräte, Hochtemperaturverarbeitung und fehlerfreies Kristallwachstum erfordert, stellt eine große Herausforderung für indische Hersteller dar, die in die SiC-Wertschöpfungskette einsteigen oder diese erweitern möchten.

• Der eingeschränkte Zugang zu inländischen Fertigungsanlagen und Fachkräften verschärft das Problem zusätzlich und macht indische Firmen stark abhängig von importierten Substraten und Geräten aus Ländern wie den USA, Japan und Deutschland, was sich auf Kosten und Lieferzeiten auswirkt.

• Regierungsinitiativen zur Lokalisierung der Halbleiterproduktion befinden sich noch in einem frühen Stadium, und Verzögerungen beim Landerwerb, bei der Umsetzung von Richtlinien oder bei Technologietransfervereinbarungen haben mehrere potenzielle SiC-Fertigungsvorhaben im ganzen Land zum Stillstand gebracht.

• So sind beispielsweise geplante SiC-Fertigungsanlagen in Gujarat und Tamil Nadu auf Hindernisse im Zusammenhang mit der Genehmigung ausländischer Direktinvestitionen, der Umweltverträglichkeitsprüfung und der Bereitschaft der Lieferkette gestoßen, was die einheimischen Entwicklungsbemühungen verlangsamt.

• Diese strukturellen Einschränkungen stellen einen Engpass für Indiens Bestreben dar, ein eigenständiges SiC-Zentrum zu werden. Dies unterstreicht den dringenden Bedarf an Kapitalinvestitionen, F&E-Unterstützung und Ökosystemzusammenarbeit, um die Importabhängigkeit zu verringern und die inländische Produktion zu skalieren.

Marktumfang für Siliziumkarbid (SiC) in Indien

Der Markt ist nach Produkt, Gerät, Wafergröße, Anwendung und Endverbrauch segmentiert.

• Nach Produkt

Der indische Markt für Siliziumkarbid (SiC) ist produktbezogen in Schwarz und Grün unterteilt. Das Segment Schwarz-SiC hatte 2024 den größten Marktanteil, was auf seine weit verbreitete Verwendung in industriellen Anwendungen wie Schleifen, Schneiden und Läppen aufgrund seiner hohen Härte und Kosteneffizienz zurückzuführen ist. Es wird häufig in der Schleifmittel-, Metallurgie- und Feuerfestindustrie eingesetzt, wo die Leistung unter Hochtemperaturbedingungen entscheidend ist. Die starke Nachfrage wird durch den stetigen Verbrauch in den Bereichen Infrastruktur und Stahlherstellung zusätzlich unterstützt.

Das Segment grünes SiC wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2032 die schnellste Wachstumsrate verzeichnen, angetrieben durch die steigende Nachfrage nach hochreinen Anwendungen. Grünes SiC wird aufgrund seiner schärferen Kanten und seiner überlegenen Wärmeleitfähigkeit bevorzugt im Präzisionsschleifen und in der Elektronik eingesetzt. Seine Rolle in der Halbleiterverarbeitung und Spezialkeramik gewinnt an Bedeutung, insbesondere da Indien verstärkt in die Elektronikfertigung investiert.

• Nach Gerät

Auf der Grundlage des Geräts ist der Markt in diskrete SiC-Bauteile, SiC-Bare-Dies und SiC-Module unterteilt. Das diskrete SiC-Segment erzielte im Jahr 2024 den größten Umsatzanteil, da es in der Leistungselektronik und in energieeffizienten Systemen stark eingesetzt wird. Diese Bauelemente werden häufig in Wechselrichtern, Konvertern und Motorantrieben im Automobil- und Industriebereich eingesetzt, wo kompakte Größe und thermische Leistung im Vordergrund stehen.

Das Segment der SiC-Module dürfte zwischen 2025 und 2032 die höchste Wachstumsrate verzeichnen, was auf die zunehmende Anwendung in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen zurückzuführen ist. SiC-Module bieten integrierte Lösungen mit verbesserter Effizienz und Leistungsdichte und sind daher für den Hochspannungs- und Hochstrombetrieb in kritischen Sektoren attraktiv.

• Nach Wafergröße

Basierend auf der Wafergröße ist der Markt in 2-Zoll-, 4-Zoll- und 6-Zoll-Wafer segmentiert. Das 4-Zoll-Wafer-Segment dominierte den Markt im Jahr 2024, getrieben durch seine ausgewogene Produktionseffizienz und sein gutes Preis-Leistungs-Verhältnis. Es bleibt eine Standardgröße für viele etablierte Fertigungslinien in Indien, insbesondere in der Forschung, der Industrieelektronik und der Schleifmittelproduktion.

Das 6-Zoll-Wafer-Segment dürfte zwischen 2025 und 2032 die höchste Wachstumsrate aufweisen, da die SiC-Fabriken der nächsten Generation in Indien auf größere Waferformate umsteigen, um die Nachfrage nach kosteneffizienter Massenproduktion zu decken. Dieser Trend wird durch die rasante Verbreitung von SiC in Automobilantrieben, der industriellen Automatisierung und Energiespeichersystemen vorangetrieben.

• Nach Anwendung

Der Markt ist nach Anwendungsbereichen in Metallurgie, Schleifmittel, Feuerfestmaterialien, Elektro- und Elektronikindustrie und andere Branchen unterteilt. Der Metallurgiesektor hatte 2024 den größten Umsatzanteil, da SiC in großem Umfang als Desoxidationsmittel und bei der Herstellung von Eisen- und Nichteisenlegierungen eingesetzt wird. Es spielt eine wichtige Rolle in Gießereien und Stahlwerken, wo hohe Wärmebeständigkeit und chemische Inertheit entscheidend sind.

Der Elektro- und Elektroniksektor wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2032 die höchste Wachstumsrate verzeichnen, unterstützt durch die steigende Nachfrage nach SiC-basierten Leistungshalbleitern in Elektrofahrzeugen, Stromversorgungen und Smart-Grid-Anwendungen. Dieses Wachstum wird durch die Förderung der indischen Elektronikfertigung im Rahmen der Initiative „Make in India“ weiter beschleunigt.

• Nach Endverwendung

Der Markt ist nach Endverbrauch in die Bereiche Automobil, Luft- und Raumfahrt, Militär und Verteidigung, Schwerindustrie, Unterhaltungselektronik, Gesundheitswesen und andere segmentiert. Das Automobilsegment dominierte den Markt im Jahr 2024, angetrieben von der starken Nachfrage nach SiC-Komponenten in elektrischen Antriebssträngen, Bordladegeräten und Schnellladeinfrastruktur. Automobilhersteller setzen SiC aufgrund seiner Effizienz, seines geringen Gewichts und seiner thermischen Stabilität aktiv ein.

Die Luft- und Raumfahrtbranche dürfte zwischen 2025 und 2032 das höchste Wachstum verzeichnen, angetrieben durch die zunehmende Bedeutung von SiC in Hochtemperatur-Strukturwerkstoffen und fortschrittlicher Avionik. Angesichts steigender Investitionen in Indiens Verteidigungs- und kommerzielle Luft- und Raumfahrtindustrie wird SiC zunehmend für Hitzeschilde, Sensorgehäuse und Antriebsanwendungen genutzt.

Marktanteil von Siliziumkarbid (SiC) in Indien

Die indische Siliziumkarbid-Industrie (SiC) wird hauptsächlich von etablierten Unternehmen angeführt, darunter:

• Ascatron India Pvt. Ltd. (Indien)
• CUMI (Carborundum Universal Limited) (Indien)
• Saint-Gobain India Pvt. Ltd. (Indien)
• Grindwell Norton Ltd. (Indien)
• Navratan Speciality Chemicals LLP (Indien)
• Industrial Mineral Company (IMC) (Indien)
• Orient Abrasives Ltd. (Indien)
• Vishay Intertechnology India Pvt. Ltd. (Indien)
• SS Refractory and Minerals Pvt. Ltd. (Indien)
• Hi-Tech Abrasives Ltd. (Indien)

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