Globaler Marktbericht zu Größe, Anteil und Trends von Feldeffekttransistoren – Branchenüberblick und Prognose bis 2032

Wie groß ist der globale Markt für Feldeffekttransistoren und wie hoch ist seine Wachstumsrate?

• Der globale Markt für Feldeffekttransistoren wurde im Jahr 2024 auf 4,92 Milliarden US-Dollar geschätzt  und soll  bis 2032 21,31 Milliarden US-Dollar erreichen , bei einer CAGR von 7,30 % im Prognosezeitraum.
• Die wachsende Nachfrage nach FETs aufgrund ihrer Temperaturstabilität und ihres geringeren Platzbedarfs, die zunehmende Zahl von Initiativen der Regierung hinsichtlich der Nutzung von Transistoren für maximale Anwendungen, Fusionen und Übernahmen verschiedener Marktteilnehmer sowie die steigende Nachfrage nach dem Produkt aufgrund der niedrigen Kosten sind einige der wichtigsten und entscheidenden Faktoren, die das Wachstum des Marktes für Feldeffekttransistoren im prognostizierten Zeitraum steigern werden.

Was sind die wichtigsten Erkenntnisse des Feldeffekttransistor-Marktes?

• Steigende Anzahl von Anwendungen des Produkts in der Unterhaltungselektronik zusammen mit Feldeffekttransistoren ist weniger von Strahlung betroffen als andere Transistoren, was weiter dazu beitragen wird, indem enorme Möglichkeiten geschaffen werden, die zum Wachstum des Marktes für Feldeffekttransistoren im oben genannten prognostizierten Zeitrahmen führen werden
• Das komplexe Produktdesign und die leichte Verfügbarkeit des Ersatzprodukts auf dem Markt werden das Wachstum des Feldeffekttransistors im oben genannten Prognosezeitraum bremsen. Der Mangel an Fachkräften für die Installation von Transistoren wird die größte Herausforderung für das Marktwachstum darstellen.
• Der asiatisch-pazifische Raum dominierte den Markt für Feldeffekttransistoren (FET) mit dem größten Umsatzanteil von 37,2 % im Jahr 2024, getrieben durch die schnelle Industrialisierung der Region, die starke Halbleiterproduktionsbasis und die zunehmende Verbreitung fortschrittlicher elektronischer Geräte.
• Der nordamerikanische Markt für Feldeffekttransistoren (FET) wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 mit einer CAGR von 11,68 % am schnellsten wachsen, angetrieben durch die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und fortschrittlicher Kommunikationsinfrastruktur.
• Das MOSFET-Segment dominierte den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 52,4 % im Jahr 2024, was auf seine weit verbreitete Verwendung in der Leistungselektronik, in digitalen Schaltungen und in Automobilsystemen aufgrund hoher Effizienz, geringer Leistungsverluste und Skalierbarkeit zurückzuführen ist.

Berichtsumfang und Marktsegmentierung für Feldeffekttransistoren       

Was ist der wichtigste Trend auf dem Markt für Feldeffekttransistoren?

Steigende Akzeptanz von GaN- und SiC-basierten Transistoren für hocheffiziente Anwendungen

• Ein wichtiger Trend auf dem globalen Markt für Feldeffekttransistoren (FET) ist die zunehmende Verwendung von Galliumnitrid- (GaN) und Siliziumkarbid- (SiC) Transistoren. Diese bieten im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Bauelementen höhere Effizienz, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und ein besseres thermisches Verhalten. Diese fortschrittlichen Materialien ermöglichen die Miniaturisierung elektronischer Komponenten und verbessern die Gesamtenergieeffizienz in verschiedenen Anwendungen.
  • So haben beispielsweise Infineon Technologies AG und STMicroelectronics SiC-MOSFETs auf den Markt gebracht, die für Hochleistungsanwendungen in der Automobil- und Industrieindustrie entwickelt wurden, wie etwa in Elektrofahrzeugen , erneuerbaren Energiesystemen und der 5G-Infrastruktur. Diese Transistoren unterstützen höhere Nennspannungen und reduzieren gleichzeitig Energieverluste und Wärmeentwicklung.
• Der zunehmende Trend zu energieeffizientem Energiemanagement und Hochfrequenzgeräten treibt die Forschung und Investitionen in Feldeffekttransistoren auf GaN- und SiC-Basis voran . Unternehmen integrieren diese Materialien, um die Leistungsanforderungen der nächsten Elektronikgeneration zu erfüllen, bei der kleinere Abmessungen und höhere Leistungsdichte entscheidend sind.
• Darüber hinaus machen Fortschritte in der Waferherstellung und der kostengünstigen Fertigung Wide-Bandgap-Halbleiter für ein breiteres Branchenspektrum zugänglich. Diese technologische Entwicklung beschleunigt den Übergang vom konventionellen Silizium- Feldeffekttransistor zu GaN- und SiC-Lösungen.
• Dieser Trend dürfte die Leistungselektroniklandschaft grundlegend verändern, da die Industrie auf hocheffiziente, verlustarme Transistortechnologien setzt, insbesondere in den Bereichen Automobil, Unterhaltungselektronik und erneuerbare Energien.

Was sind die Haupttreiber des Feldeffekttransistor-Marktes?

• Das rasante Wachstum der Unterhaltungselektronik und die steigende Nachfrage nach energieeffizienten und leistungsstarken Leistungsbauelementen sind wichtige Treiber für den Markt für Feldeffekttransistoren. Feldeffekttransistoren sind integraler Bestandteil von Smartphones, Netzteilen, Verstärkern und Elektrofahrzeugantrieben, bei denen Leistung und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
  • So stellte die Mitsubishi Electric Corporation im März 2024 eine neue Serie von SiC-Leistungsmodulen für Elektrofahrzeuge vor, um die Effizienz der Stromumwandlung zu verbessern und die Ladezeiten zu verkürzen. Solche Innovationen erweitern die Anwendungsmöglichkeiten von Feldeffekttransistoren in der Automobilindustrie und im Bereich der erneuerbaren Energien.
• Der globale Ausbau von 5G-Netzen, Rechenzentren und IoT-Ökosystemen treibt die Nachfrage nach hochfrequenten und rauscharmen Feldeffekttransistoren für HF- und Mikrowellenkommunikationssysteme weiter voran. Diese Komponenten ermöglichen eine schnellere Datenübertragung und verbesserte Konnektivität in der digitalen Infrastruktur.
• Darüber hinaus hat der zunehmende Fokus auf Elektrifizierung und den Einsatz erneuerbarer Energien – einschließlich Solarwechselrichtern und Windkraftanlagen – den Einsatz von Feldeffekttransistoren zur effizienten Energieumwandlung und -steuerung beschleunigt. Die Betonung grüner Technologien durch die Regierungen verstärkt diese Nachfrage weiter.
• Da die Industrie nach miniaturisierten und schnellen Komponenten strebt, werden Innovationen bei Halbleitermaterialien und Transistorarchitekturen weiterhin von zentraler Bedeutung für das anhaltende Wachstum des Marktes für Feldeffekttransistoren sein.

Welcher Faktor behindert das Wachstum des Feldeffekttransistor-Marktes?

• Die hohen Herstellungskosten moderner Feldeffekttransistoren , insbesondere solcher auf Basis von GaN- und SiC-Materialien, stellen eine große Herausforderung für das Marktwachstum dar. Diese Materialien erfordern spezielle Fertigungsanlagen und -prozesse, was die Produktionskosten im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen auf Siliziumbasis erhöht.
  • So waren beispielsweise ROHM Co., Ltd. und Fuji Electric Co., Ltd. bei der Ausweitung der SiC-Transistorproduktion mit Kostenbeschränkungen konfrontiert, da die Substratmaterialien teuer waren und die Ausbeute bei der Waferherstellung niedrig war.
• Eine weitere Herausforderung ist die begrenzte Verfügbarkeit von Rohstoffen und qualifizierten Arbeitskräften. Dies beeinträchtigt die Lieferkette und verzögert die Kommerzialisierung fortschrittlicher Transistortechnologien. Dieser Mangel kann die Erschwinglichkeit und Verfügbarkeit von Produkten beeinträchtigen, insbesondere in kostensensiblen Märkten.
• Darüber hinaus können Bedenken hinsichtlich des Wärmemanagements und der Zuverlässigkeit bei Hochspannungsanwendungen die Einführung in bestimmten Endverbrauchsbranchen behindern. Kontinuierliche Investitionen in Forschung und Entwicklung sind notwendig, um die Gerätestabilität und die langfristige Leistung unter rauen Bedingungen zu verbessern.
• Die Überwindung dieser Barrieren durch Kostenoptimierung, Materialinnovation und strategische Fertigungspartnerschaften wird für die Gewährleistung eines nachhaltigen Wachstums und einer breiten Einführung fortschrittlicher Feldeffekttransistor- Technologien weltweit von entscheidender Bedeutung sein.

Wie ist der Markt für Feldeffekttransistoren segmentiert?

Der Markt ist nach Typ, Kommunikationsprotokoll, Entsperrmechanismus und Anwendung segmentiert.

• Nach Typ

Der Markt für Feldeffekttransistoren ist nach Typ in JFET (Junction Field Effect Transistor), MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor), HEMT (High Electron Mobility Transistor) und MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) unterteilt. Das MOSFET-Segment dominierte den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 52,4 % im Jahr 2024, was auf seine weit verbreitete Verwendung in Leistungselektronik, digitalen Schaltungen und Automobilsystemen aufgrund hoher Effizienz, geringer Verlustleistung und Skalierbarkeit zurückzuführen ist. MOSFETs werden bevorzugt zur Spannungsregelung, Schaltung und Verstärkung sowohl in Verbraucher- als auch in Industrieanwendungen eingesetzt.

Das HEMT-Segment dürfte zwischen 2025 und 2032 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate aufweisen, was auf die überlegene Elektronenmobilität und Hochfrequenzleistung zurückzuführen ist, die es ideal für 5G-Basisstationen, Radarsysteme und fortschrittliche HF-Kommunikationsgeräte macht.

• Nach Anwendung

Der Markt für Feldeffekttransistoren ist je nach Anwendung in Analogschalter, Verstärker, Phasenschieberoszillatoren, Strombegrenzer, digitale Schaltungen und Sonstiges unterteilt. Das Segment Verstärker hielt im Jahr 2024 mit 38,6 % den größten Marktanteil, was auf den weit verbreiteten Einsatz von FETs in Audio-, HF- und Mikrowellenverstärkungssystemen zurückzuführen ist, bei denen eine hohe Eingangsimpedanz und geringes Rauschen entscheidend sind. Verstärkerschaltungen mit FETs gewährleisten Signalgenauigkeit und Effizienz in der Kommunikations- und Unterhaltungselektronik.

Das Segment Digitalschaltungen wird zwischen 2025 und 2032 voraussichtlich die höchste jährliche Wachstumsrate aufweisen. Dies wird durch die zunehmende Integration von FETs in Logikgattern, Mikroprozessoren und Schaltkreisen in Computer- und Halbleiterbauelementen vorangetrieben. Der Trend zur Miniaturisierung und zu stromsparender Elektronik unterstützt dieses Wachstum zusätzlich.

• Nach Vertriebskanal

Basierend auf den Vertriebskanälen ist der Markt in E-Commerce, Einzelhandel und Sonstiges unterteilt. Das E-Commerce-Segment dominierte den Markt mit einem Umsatzanteil von 49,3 % im Jahr 2024, da Hersteller und Händler zunehmend Online-Plattformen aufgrund ihrer globalen Reichweite, transparenten Preise und breiten Produktverfügbarkeit bevorzugen. Der Komfort digitaler Kataloge und schneller Lieferoptionen fördert den Kauf von Groß- und Sonderkomponenten durch OEMs und Kleinbetriebe.

Das Segment Einzelhandelsgeschäfte wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate verzeichnen. Dies ist auf die starke Nachfrage lokaler Elektronikreparaturwerkstätten und kleiner Hersteller zurückzuführen, die sofortigen Zugriff auf Komponenten benötigen. Physische Einzelhandelsgeschäfte spielen weiterhin eine wichtige Rolle bei der Bereitstellung von technischem Support und der Produktvalidierung.

• Nach Endbenutzer

Der Markt für Feldeffekttransistoren ist nach Endverbrauchern in die Bereiche Unterhaltungselektronik, Wechselrichter und USV, Elektrofahrzeuge, Industriesysteme und Sonstige unterteilt. Das Segment Unterhaltungselektronik dominierte den Markt mit dem größten Anteil von 41,8 % im Jahr 2024, bedingt durch die hohe FET-Auslastung in Smartphones, Tablets, Laptops und Energiemanagementschaltungen. Der Anstieg kompakter und energieeffizienter elektronischer Geräte treibt die Nachfrage nach Hochleistungstransistoren weiter an.

Das Segment Elektrofahrzeuge (EV) wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2032 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate verzeichnen, unterstützt durch die weltweite Umstellung auf Elektrifizierung des Transportwesens. FETs, insbesondere SiC- und GaN-basierte Typen, sind in Wechselrichtern, Bordladegeräten und Batteriemanagementsystemen von Elektrofahrzeugen von entscheidender Bedeutung, um die Energieeffizienz zu verbessern und Energieverluste zu reduzieren.

Welche Region hält den größten Anteil am Markt für Feldeffekttransistoren?

• Der asiatisch-pazifische Raum dominierte den Markt für Feldeffekttransistoren (FET) mit dem größten Umsatzanteil von 37,2 % im Jahr 2024. Dies ist auf die schnelle Industrialisierung der Region, die starke Halbleiterproduktion und die zunehmende Verbreitung fortschrittlicher elektronischer Geräte zurückzuführen. Länder wie China, Japan, Südkorea und Taiwan sind globale Zentren für die Produktion elektronischer Komponenten und unterstützen die hohe Nachfrage nach FETs in der Unterhaltungselektronik, der Automobilindustrie und in industriellen Anwendungen.
• Der weit verbreitete Einsatz von FETs in Energiemanagementsystemen, Kommunikationsinfrastruktur und Elektrofahrzeugen sowie steigende Investitionen in 5G- und erneuerbare Energietechnologien treiben das regionale Wachstum weiter voran. Darüber hinaus stärken unterstützende staatliche Initiativen zur Förderung der Halbleiterautarkie und energieeffizienter Systeme die Marktexpansion.
• Die Dominanz des asiatisch-pazifischen Raums wird zusätzlich durch sein kosteneffizientes Fertigungsökosystem, robuste Investitionen in Forschung und Entwicklung sowie die Präsenz wichtiger Branchenakteure wie Infineon Technologies AG, STMicroelectronics und ROHM Co., Ltd. unterstützt, die in der Region starke Liefernetzwerke und Produktionsstätten aufgebaut haben.

Markteinblick in China für Feldeffekttransistoren

Der chinesische Markt für Feldeffekttransistoren hatte 2024 den größten Marktanteil im asiatisch-pazifischen Raum. Dies ist auf die dominierende Stellung des Landes in der globalen Halbleiterproduktion und die zunehmende Verbreitung von FETs in den Bereichen Unterhaltungselektronik, Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien zurückzuführen. Chinas anhaltender Vorstoß in Richtung intelligenter Fertigung und Elektromobilität beschleunigt die Nachfrage nach FETs, insbesondere nach Hochleistungs- und Hocheffizienzgeräten. Regierungsinitiativen wie „Made in China 2025“ und umfangreiche Investitionen in die Halbleiterautarkie fördern die heimische Produktion und Innovation. Darüber hinaus verbessern Kooperationen zwischen lokalen Herstellern und internationalen Akteuren die Produktqualität und die globale Wettbewerbsfähigkeit. Chinas wachsendes Ökosystem aus Fertigungsbetrieben und Chipdesign-Unternehmen gewährleistet die stetige Verfügbarkeit und Erschwinglichkeit von FET-Komponenten.

Markteinblick für Feldeffekttransistoren in Japan

Der japanische Markt für Feldeffekttransistoren wächst weiterhin stetig, unterstützt durch die fortschrittliche Elektronikindustrie des Landes und den Fokus auf Hochleistungskomponenten. Japans starker Fokus auf Energieeffizienz und Miniaturisierung fördert den Einsatz von FETs in der Automobilelektronik, der industriellen Automatisierung und Kommunikationssystemen. Japanische Hersteller wie Mitsubishi Electric Corporation und Fuji Electric Co., Ltd. investieren massiv in GaN- und SiC-basierte FETs, um die steigende Nachfrage nach Hochfrequenz- und Hocheffizienzanwendungen zu decken. Darüber hinaus steigert Japans führende Rolle in den Bereichen Robotik, erneuerbare Energien und 5G-Infrastruktur weiterhin die Nachfrage nach fortschrittlichen Transistortechnologien.

Markteinblick für Feldeffekttransistoren in Indien

Der indische Markt für Feldeffekttransistoren verzeichnet aufgrund steigender Investitionen in die Elektronikfertigung und der steigenden Nachfrage nach Unterhaltungs- und Automobilelektronik ein robustes Wachstum. Die staatlichen Förderprogramme „Make in India“ und „PLI“ (Production Linked Incentive) fördern die Halbleiterfertigung und kurbeln die inländische FET-Produktion an. Die zunehmende Urbanisierung und die steigende Beliebtheit von Elektrofahrzeugen, Smartphones und IoT-fähigen Geräten führen zu einer verstärkten Nutzung von FETs in verschiedenen Endverbraucherbranchen. Darüber hinaus dürfte die Gründung neuer Halbleiterfertigungsstätten und Designzentren Indiens Position als aufstrebendes Elektronikzentrum im asiatisch-pazifischen Raum stärken.

Welche Region ist die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt für Feldeffekttransistoren (FET)?

Der nordamerikanische Markt für Feldeffekttransistoren (FET) wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2032 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 11,68 % das höchste Wachstum verzeichnen. Treiber hierfür sind die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und fortschrittlicher Kommunikationsinfrastruktur. Der Fokus der Region auf technologische Innovation und die Präsenz führender Halbleiterunternehmen treiben das Wachstum weiter voran. Die zunehmende Integration von GaN- und SiC-FETs in Anwendungen in der Automobilindustrie, der Luft- und Raumfahrt sowie der Verteidigung beschleunigt die Akzeptanz. Darüber hinaus fördern intensive F&E-Aktivitäten und die starke Unterstützung von Initiativen für saubere Energie in den USA und Kanada das Marktwachstum. Nordamerikas Dominanz in den Bereichen Hochleistungsrechnen, Rechenzentren und 5G-Einsatz trägt ebenfalls zur steigenden Nachfrage nach FETs bei, die für ein schnelles und energieeffizientes Energiemanagement entwickelt wurden. Der anhaltende Übergang der Region zu nachhaltigen und digitalen Technologien gewährleistet starke Wachstumsaussichten für die FET-Akzeptanz in Industrie- und Verbrauchersektoren.

Markteinblicke für Feldeffekttransistoren in den USA

Der US-Markt für Feldeffekttransistoren erzielte 2024 den größten Umsatzanteil innerhalb Nordamerikas, angetrieben von der starken Nachfrage aus den Bereichen Automobil, Verteidigung und erneuerbare Energien. Der Schwerpunkt des Landes auf technologischer Innovation und autarker Halbleiterproduktion hat Investitionen in Wide-Bandgap-Materialien und fortschrittliche Transistordesigns beschleunigt. Wichtige Akteure wie Vishay Intertechnology, Inc. und Diodes Incorporated erweitern ihre Produktportfolios, um den wachsenden Bedarf an Leistungselektronik zu decken. Darüber hinaus dürften staatlich geförderte Initiativen zur Förderung der heimischen Halbleiterproduktion im Rahmen des CHIPS and Science Act die Führungsrolle der USA in der FET-Entwicklung und -Innovation in den kommenden Jahren stärken.

Welches sind die Top-Unternehmen auf dem Markt für Feldeffekttransistoren?

Die Feldeffekttransistor-Branche wird hauptsächlich von etablierten Unternehmen angeführt, darunter:

• Mouser Electronics, Inc. (USA)
• Sensitron Semiconductor (USA)
• SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. (Japan)
• Semiconductor Components Industries, LLC (USA)
• Solitron Devices Inc. (USA)
• Vishay Intertechnology, Inc. (USA)
• NTE Electronics, Inc. (USA)
• Infineon Technologies AG (Deutschland)
• Avago Technologies, Limited. (Singapur)
• NEC Corporation (Japan)
• STMicroelectronics (Schweiz)
• TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)
• ROHM CO., LTD. (Japan)
• NXP Semiconductors (Niederlande)
• Diodes Incorporated (USA)
• IXYS Corporation (USA)
• Micro Commercial Components Corp. (USA)
• M/A-COM Technology Solutions Inc. (USA)

Was sind die jüngsten Entwicklungen auf dem globalen Markt für Feldeffekttransistoren?

• Im Juni 2022 kündigte TSMC die Einführung von Nanosheets an, einer Art Gate-All-Around-Feldeffekttransistor (GAAFET), bei dem ein Gate schwebende Transistorrippen umgibt. Die Produktion soll 2025 in seinem 2-nm-Prozess erfolgen. Ziel dieser Entwicklung ist die Entwicklung innovativer Transistorlayouts, die den Energieverbrauch in Hochleistungsrechnern (HPC) wie Rechenzentren senken, die erheblich zur globalen Erwärmung beitragen. Diese Initiative soll die Energieeffizienz und Nachhaltigkeit in der Halbleiterfertigung der nächsten Generation verbessern.
• Im März 2022 stellte NXP Semiconductors eine neue diskrete 32T32R-Lösung vor, um den Einsatz von 5G-Funkgeräten in städtischen und vorstädtischen Regionen zu beschleunigen. Dabei nutzte das Unternehmen seine neueste Galliumnitrid-Technologie (GaN) für aktive Antennensysteme und ergänzte damit sein bestehendes GaN-Leistungsverstärker-Sortiment. Darüber hinaus liefern die 32T32R-Lösungen die doppelte Leistung von 64T64R-Lösungen, wodurch das gesamte 5G-Netzwerk leichter und kompakter wird und gleichzeitig durch Pin-Kompatibilität eine schnelle Skalierung ermöglicht wird. Diese Weiterentwicklung soll die Effizienz und Anpassungsfähigkeit der 5G-Infrastruktur weltweit steigern.
• Im März 2022 erweiterten Transphorm, Inc. und TDK-Lambda (ein Unternehmen der TDK-Gruppe) die AC-DC-GaN-basierte Produktlinie PFH500F um die Modelle PFH500F-12 und PFH500F-48 mit 500-Watt-Stromversorgung. In dieser Produktlinie werden Transphorms TP65H070LDG, 8x8 PQFN-GaN-FETs, für eine hohe Leistungsdichte eingesetzt, wodurch TDK dünne Grundplatten für eine effiziente Kühlung verwenden kann. Diese Innovation führte wiederum zu einem kompakten und langlebigen Leistungsmodul, das für anspruchsvolle Industrieanwendungen geeignet ist, darunter lüfterlose Stromversorgungen, Laser, 5G-Kommunikation und Digital Signage. Diese Zusammenarbeit fördert die Entwicklung hocheffizienter GaN-basierter Stromversorgungssysteme in verschiedenen Branchen
• Im Juli 2021 brachte STMicroelectronics eine neue Reihe von STPOWER RF LDMOS-Leistungstransistoren auf den Markt und ergänzte damit sein Angebot um drei Produktserien, die speziell auf HF-Leistungsverstärker für industrielle und kommerzielle Anwendungen zugeschnitten sind. Bei dieser Erweiterung konzentrierte sich das Unternehmen auf die Verbesserung von Leistung, Zuverlässigkeit und Ausgangsleistung, um der wachsenden Marktnachfrage nach fortschrittlichen HF-Komponenten gerecht zu werden. Die neue Serie trägt insbesondere dem steigenden Bedarf an hocheffizienten HF-Leistungslösungen in Kommunikations- und Industriesystemen Rechnung. Diese Markteinführung stärkt die Präsenz von STMicroelectronics im Segment der HF-Leistungstransistoren und unterstützt umfassendere industrielle Innovationen.

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