Global Gallium Nitride Semiconductor Device Market Size, Share, and Trends Analysis Report – Industry Overview and Forecast to 2033

Gallium Nitride Semiconductor Device MarketSinopsis

El mercado de dispositivos semiconductores de Gallium Nitride fue valorado enUSD 4.22 Billón en 2025y se prevé que alcanceUSD 6.77 Billion by 2033, creciendo en unCAGR of 6.10% from 2026 to 2033El mercado está experimentando un crecimiento constante impulsado por el aumento de la adopción de electrónica energéticamente eficiente, el rápido despliegue de vehículos eléctricos y la creciente demanda de dispositivos RF de alta frecuencia en los sistemas de comunicación de 5G y satélite. La creciente integración de las soluciones basadas en GaN en los centros de datos, la carga rápida del consumidor y los sistemas de energía industrial está acelerando aún más el crecimiento del mercado en los ecosistemas semiconductores mundiales.

El creciente enfoque mundial en la eficiencia energética, la electrificación y los sistemas electrónicos de alto rendimiento, combinado con el cambio hacia las tecnologías de semiconductores de banda ancha, está impulsando la rápida sustitución de los dispositivos tradicionales basados en silicio. Los dispositivos semiconductores GaN ofrecen una velocidad de conmutación superior, una mayor densidad de energía y una reducción de las pérdidas energéticas, lo que los hace altamente adecuados para aplicaciones automotrices de próxima generación, telecomunicaciones, aeroespaciales y energías renovables. Además, los avances continuos en las tecnologías de fabricación y el aumento de las inversiones de los principales fabricantes de semiconductores están fortaleciendo aún más las perspectivas de crecimiento a largo plazo del mercado.

Principales tendencias del mercado "

• América del Norte dominaba el Mercado de Dispositivos Gallium Nitride Semiconductor con la mayor proporción de ingresos del 34,8% en 2025, apoyado por una fuerte penetración de la electrónica de energía avanzada, la rápida adopción de vehículos eléctricos y el despliegue generalizado de infraestructuras 5G y centro de datos
• El segmento de 4 pulgadas de wafer llevó al mercado con una cuota de 60,11% en 2025, impulsado por su base de fabricación generalizada y los ecosistemas de producción establecidos
• Se espera que Asia-Pacífico sea la región de mayor crecimiento en una CAGR de 28,85% de 2026 a 2033, alimentada por la rápida industrialización, la fuerte expansión de la fabricación de electrónica de consumo y el despliegue a gran escala de infraestructura EV
• 6 pulgadas y por encima de Wafer son el tipo de wafer de mayor crecimiento, proyectado para registrar un CAGR de 36,12% de 2026 a 2033, soportado por la demanda de escalada para la fabricación de dispositivos GaN de alto volumen
• El segmento del dispositivo semiconductor de potencia dominó la categoría tipo dispositivo con una cuota de ingresos del 55,28% en 2025, liderada por una fuerte adopción en la conversión de potencia de alta eficiencia, sistemas de carga EV y fuentes de alimentación del centro de datos
• Transistor representó el 45% del mercado en 2025, preferido por el uso amplio en aplicaciones de conmutación, amplificación y conversión de alta potencia
• El segmento de dispositivos semiconductores RF es la categoría de mayor crecimiento, con un CAGR de 19,23% de 2026 a 2033, impulsado por el despliegue en infraestructura 5G, comunicación por satélite y sistemas de radar de defensa

Tamaño del mercado

• Valor mundial del mercado (2025): USD 4,22 millones
• Valor de mercado esperado (2033): USD 6.77 millones
• CAGR prefabricado (2026-2033): 6.10%
• Región líder en 2025: América del Norte
• Región de crecimiento más rápida: Asia-Pacífico

Report Scope and Gallium Nitride Semiconductor Device MarketSegmentation

Gallium Nitride Semiconductor Device Market Trends

Tendencia: Uso creciente de GaN en sistemas de potencia de alta frecuencia

Los dispositivos semiconductores Gallium Nitride están presenciando una rápida adopción en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia debido a una eficiencia superior, tamaño compacto y alta velocidad de conmutación. La demanda aumenta en los cargadores rápidos EV, la infraestructura 5G y los sistemas de energía del centro de datos donde los aumentos de eficiencia son críticos.

Empresas como Navitas Semiconductor con su GaNFast power ICs e Infineon Technologies a través de su cartera CoolGaN están acelerando la comercialización a través de electrónicas de consumo y potencia industrial, incluyendo cargadores USB-C de alta potencia utilizados por marcas como Anker y Belkin.

Gallium Nitride Semiconductor Device Market Dynamics

Key Market Driver: Demanda de Electrónica eficiente en energía en EV y 5G

El creciente cambio hacia la electrónica energéticamente eficiente en vehículos eléctricos y redes 5G está impulsando fuertemente la adopción de semiconductores GaN. Los dispositivos GaN permiten una mayor densidad de energía y una menor pérdida de energía, por lo que son adecuados para los cargadores a bordo de EV, estaciones de carga rápida y estaciones de base de telecomunicaciones que requieren una conversión de energía compacta y eficiente.

Los proveedores de equipos de Telecom, como Ericsson y Nokia, integran cada vez más soluciones RF basadas en GaN suministradas por empresas como Qorvo para mejorar el rendimiento de la señal y reducir el consumo de energía en las redes 5G de próxima generación.

Reforzamiento clave: Proceso de fabricación de alto coste y complejo

Un reto importante en el mercado de dispositivos semiconductores Gallium Nitride es el alto costo de producción impulsado por procesos complejos de crecimiento epitaxial, disponibilidad limitada de ondas y problemas de optimización de rendimiento. Los dispositivos GaN suelen depender de sustratos de carburo de silicio o zafiro, lo que aumenta los gastos de material y fabricación en comparación con las tecnologías tradicionales de silicio.

A pesar de los avances de fabricantes como Texas Instruments e Infineon, el aumento de la producción de alto volumen manteniendo la eficiencia de costes sigue siendo una barrera crítica para una mayor comercialización a través de aplicaciones sensibles a los precios.

Oportunidad de mercado clave: Despliegue en estaciones de base 5G y amplificadores de potencia RF

Una importante oportunidad de crecimiento para los dispositivos semiconductores GaN reside en su creciente despliegue en estaciones base 5G y sistemas de amplificación de energía RF. La tecnología GaN ofrece alta potencia, estabilidad térmica y manejo de frecuencias superiores, lo que lo hace ideal para la infraestructura de red 5G densa.

Empresas como Qorvo están ampliando las soluciones GaN RF para operadores de telecomunicaciones mejorando a avanzadas arquitecturas 5G y tempranas de 6G, apoyando mayor ancho de banda y mejora la eficiencia de la red en redes globales de comunicación.

Galio Nitride Semiconductor Device Market Scope

El mercado de dispositivos semiconductores de nitrito de gallium se segmenta sobre la base del tipo de dispositivo, tamaño de onda, componente, aplicación y vertical.

• Por tipo de dispositivo

Sobre la base del tipo de dispositivo, el Gallium Nitride Semiconductor Device Market se segmenta en dispositivo opto-semiconductor, dispositivo semiconductor de potencia y dispositivo semiconductor RF. El segmento Power Semiconductor Device dominaba el mercado con una proporción de 55,28% en 2025, impulsado por una fuerte adopción en la conversión de potencia de alta eficiencia, sistemas de carga EV y fuentes de energía del centro de datos. Los dispositivos de energía basados en GaN ofrecen una mayor velocidad de conmutación y una menor pérdida de energía en comparación con las alternativas de silicio, lo que refuerza su despliegue en sistemas industriales y de automoción. El aumento de la demanda de electrónica de potencia compacta y de alto rendimiento sigue apoyando la integración a gran escala. Los avances continuos en los interruptores GaN de alto voltaje refuerzan su posición líder a través de aplicaciones energéticamente eficientes.

Se proyecta que el segmento RF Semiconductor Device registrará el crecimiento más rápido en un CAGR de 19,23% de 2026 a 2033, impulsado por el despliegue en infraestructura 5G, comunicación por satélite y sistemas de radar de defensa. Los dispositivos de RF GaN proporcionan un manejo de frecuencia superior y estabilidad térmica, haciéndolos adecuados para la transmisión inalámbrica de alta potencia. El aumento de la inversión en las redes de comunicación de próxima generación está acelerando la adopción en las estaciones base y las aplicaciones aeroespaciales. Aumentar la demanda de conectividad de alta ancho de banda y baja latencia apoya aún más la expansión de segmentos a nivel mundial.

• By Wafer Size

Sobre la base del tamaño de la ola, el mercado se segmenta en la ola de 2 pulgadas, la ola de 4 pulgadas y 6 pulgadas y encima de la ola. El segmento de 4 pulgadas de wafer dominaba el mercado con una proporción de 60,11% en 2025, apoyado por su base de fabricación generalizada y los ecosistemas de producción establecidos. Ofrece un equilibrio entre la eficiencia del rendimiento y la eficacia en función de los costos, lo que lo hace ampliamente utilizado en las instalaciones de fabricación GaN existentes. La adopción firme a través de la comercialización temprana y la producción a escala media refuerza aún más su dominio. La compatibilidad del proceso de maduración en varios tipos de dispositivos sigue soportando una demanda constante.

Se proyecta que el segmento de 6 pulgadas y más arriba de wafer registrará el crecimiento más rápido en un CAGR de 36,12% de 2026 a 2033, impulsado por la demanda de escalado para la fabricación de dispositivos GaN de alto volumen. Los tamaños más grandes de wafer permiten una mayor producción de chip por ciclo de fabricación, mejorando la eficiencia de costes y la escalabilidad de producción. Aumentar las inversiones de fabricantes semiconductores en plantas avanzadas de fabricación están acelerando la transición hacia plataformas de 6 pulgadas. El aumento de la demanda de los sectores de automoción y telecomunicaciones está impulsando aún más la adopción de tecnologías de arrastre de alta densidad.

• Por componente

Sobre la base del componente, el mercado se segmenta en transistor, diodo, rectificador, IC de potencia y otros. El segmento Transistor dominaba el mercado con una proporción del 45% en 2025, impulsado por un uso amplio en aplicaciones de conmutación, amplificación y conversión de alta potencia. Los transistores GaN son ampliamente adoptados en electrónica de potencia debido a su alta eficiencia, capacidad de conmutación rápida y ventajas de diseño compacto. La fuerte integración en los sistemas de propulsión EV y automatización industrial refuerza aún más el liderazgo de segmentos. Mejoras continuas en el rendimiento térmico y el manejo de voltaje refuerzan la adopción en entornos de alta potencia.

Se prevé que el segmento Power IC registrará el crecimiento más rápido en una CAGR del 16% entre 2026 y 2033, impulsado por la creciente demanda de soluciones integradas y miniaturizadas de gestión de energía. Los IC de potencia basados en GaN permiten una mayor eficiencia y una menor complejidad del sistema en la electrónica de consumo y la infraestructura de telecomunicaciones. Cada vez más cambios hacia arquitecturas compactas de dispositivos está acelerando la adopción en sistemas electrónicos avanzados. El aumento del despliegue en adaptadores de carga rápida y centros de datos apoya aún más la rápida expansión.

• By Application

Sobre la base de la aplicación, el mercado se segmenta en unidades de potencia, detección de luz y rango, frecuencia de radio, e iluminación y láser. El segmento Power Drives dominaba el mercado con una proporción del 41% en 2025, impulsado por una fuerte adopción en la automatización industrial, el control de motores EV y los sistemas de energía renovable. Los dispositivos GaN aumentan la eficiencia en la conmutación de alta velocidad y reducen las pérdidas energéticas globales en los sistemas de transmisión. El aumento de la atención centrada en la optimización de la energía en las instalaciones manufactureras apoya aún más el despliegue generalizado. Las fuertes tendencias de electrificación industrial siguen fortaleciendo el liderazgo de los segmentos a nivel mundial.

Se proyecta que el segmento Light Detection y Ranging registrará el crecimiento más rápido en una CAGR del 18% entre 2026 y 2033, impulsado por la adopción creciente en vehículos autónomos, robótica y sistemas avanzados de detección. Los componentes basados en GaN permiten la detección de alta resolución con mayor rango y precisión. Ampliar la integración de LiDAR en vehículos equipados con ADAS está acelerando la penetración del mercado. La creciente demanda de mapeo espacial en tiempo real en aplicaciones industriales y de defensa apoya aún más el crecimiento del segmento.

• Por Vertical

Sobre la base de la verticalidad, el mercado se segmenta en telecomunicaciones, industriales, automotrices, renovables, consumidores y empresas, defensa militar y aeroespacial y médica. El segmento de Telecomunicaciones dominaba el mercado con una proporción del 39% en 2025, impulsada por la rápida expansión de las redes 5G y el aumento del despliegue de infraestructuras de estaciones de base de alta eficiencia. Los dispositivos GaN permiten una operación de alta frecuencia y una mayor eficiencia energética en los sistemas de comunicación. El aumento de la demanda de transmisión de datos de alta velocidad y densificación de redes refuerza aún más la adopción. Las continuas mejoras en la infraestructura mundial de telecomunicaciones refuerzan su posición de liderazgo.

Se prevé que el segmento Automotriz registrará el crecimiento más rápido en un CAGR de 20% de 2026 a 2033, impulsado por la aceleración de la adopción de vehículos eléctricos y la creciente demanda de sistemas eléctricos a bordo eficientes. Los dispositivos semiconductores GaN aumentan la eficiencia de la batería, reducen el tiempo de carga y mejoran el rendimiento general del vehículo. Las fuertes inversiones en la fabricación y expansión de infraestructura de carga EV están impulsando la integración. El creciente enfoque en la electrónica de potencia ligera y de alta eficiencia acelera aún más el crecimiento de segmentos en los mercados mundiales de automóviles.

Gallium Nitride Semiconductor Device Market Regional Analysis

América del Norte dominaba el mercado de dispositivos semiconductores de nitrito de galio y representaba la mayor parte de ingresos del 34,8% en 2025, impulsada por una fuerte penetración de electrónica de energía avanzada, la rápida adopción de vehículos eléctricos y el despliegue generalizado de infraestructura 5G y centro de datos. La región se beneficia de un ecosistema semiconductor altamente maduro, fuertes capacidades de Rácidos y la comercialización temprana de dispositivos de energía basados en GaN y RF en aplicaciones industriales y de defensa. Las empresas de los sectores automotriz, telecomunicaciones, aeroespacial y energético están integrando cada vez más los dispositivos GaN para mejorar la eficiencia, reducir las pérdidas de energía y mejorar la minimización del sistema. Además, la fuerte presencia de los principales fabricantes de semiconductores e inversiones continuas en las tecnologías de bandagap de la próxima generación siguen fortaleciendo la posición de liderazgo de Norteamérica en el mercado mundial.

U.S. Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

El mercado de dispositivos de Gallium Nitride Semiconductor está experimentando un fuerte crecimiento impulsado por la rápida expansión de la infraestructura de carga EV, el aumento del despliegue de sistemas de energía de alta eficiencia en centros de datos y la creciente adopción de redes de comunicación por satélite y 5G. Las empresas están invirtiendo fuertemente en soluciones basadas en GaN y RF para lograr una mayor eficiencia energética y un mejor rendimiento térmico en sistemas electrónicos avanzados. El sector de defensa fuerte del país está acelerando aún más la adopción de dispositivos de RF GaN en aplicaciones de radar y guerra electrónica. Además, la innovación continua de las principales empresas semiconductoras y el fuerte apoyo gubernamental para la fabricación de chips nacionales están fortaleciendo aún más la expansión del mercado en Estados Unidos.

Canadá Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

El mercado de Dispositivos de Gallium Nitride Semiconductor de Canadá es testigo de un crecimiento constante apoyado por el aumento de las inversiones en la integración de la energía renovable, el aumento de la adopción de los VE y la ampliación de las mejoras de infraestructura de las telecomunicaciones. Las empresas de los sectores de la automatización industrial, la energía y la comunicación están cambiando gradualmente hacia soluciones basadas en GaN para mejorar la eficiencia y reducir los costos operacionales. El enfoque del país en la transición energética limpia y la modernización inteligente de la red es fomentar la adopción de electrónica de energía avanzada. Además, la creciente colaboración con las empresas semiconductoras mundiales y la creciente demanda de sistemas energéticos de alta eficiencia están contribuyendo aún más al crecimiento del mercado en el Canadá.

Europe Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

El mercado europeo de dispositivos de Gallium Nitride Semiconductor se está expandiendo constantemente debido a un fuerte énfasis en la descarbonización, la rápida adopción de VE y el creciente despliegue de sistemas de energía renovable. La base industrial de la región está integrando cada vez más los dispositivos GaN en unidades de energía, infraestructura de carga y sistemas de optimización de redes para mejorar la eficiencia energética. Las políticas regulatorias estrictas centradas en la reducción del carbono están acelerando la sustitución de los dispositivos tradicionales basados en silicio con semiconductores de banda ancha. Además, las fuertes inversiones en programas de innovación semiconductores y la creciente colaboración entre las industrias automotriz y electrónica siguen apoyando el crecimiento del mercado regional.

U.K. Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

El mercado de dispositivos semiconductores U.K. Gallium Nitride está creciendo constantemente impulsado por la creciente demanda de sistemas energéticos eficientes, la expansión de redes 5G y la adopción creciente de tecnologías EV. Las empresas se centran en la electrónica de energía basada en GaN para mejorar el rendimiento en infraestructuras de telecomunicaciones y aplicaciones industriales. El fuerte sector aeroespacial y de defensa del país está apoyando aún más la adopción de dispositivos de alta frecuencia GaN RF. Además, el aumento de la inversión en energía limpia y soluciones de movilidad inteligente está fortaleciendo la expansión del mercado en el Reino Unido.

Alemania Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

El mercado de Dispositivos Gallium Nitride Semiconductor de Alemania se está expandiendo debido a una fuerte base de fabricación automotriz, aumentando la penetración EV y la rápida adopción de automatización industrial. Los proveedores de OEM automotriz y Tier 1 están integrando dispositivos GaN en cargadores a bordo, inversores y sistemas de control de energía para mejorar la eficiencia y reducir las pérdidas energéticas. El enfoque del país en la industria 4.0 y la fabricación inteligente está acelerando aún más la adopción en los sistemas de energía industrial. Además, el firme apoyo reglamentario a los objetivos de eficiencia energética y neutralidad en el carbono está impulsando el despliegue más amplio de las tecnologías GaN en Alemania.

Asia-Pacific Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

Se espera que el mercado de dispositivos de Gallium Nitride Semiconductor de Asia y el Pacífico registre el crecimiento más rápido con una CAGR de 28,85% de 2026 a 2033, impulsada por la rápida industrialización, la fuerte expansión de la fabricación de electrónica de consumo y el despliegue a gran escala de la infraestructura EV. Países como China, Japón, Corea del Sur e India están invirtiendo en gran medida en la fabricación de semiconductores y las tecnologías de dispositivos de bandagap anchas. El aumento de la demanda de conversión de energía de alta eficiencia en los sectores de telecomunicaciones, automoción y energía renovable está impulsando significativamente la adopción de dispositivos GaN. Además, el firme apoyo gubernamental a la autosuficiencia semiconductora y el aumento de las inversiones extranjeras están acelerando aún más la expansión del mercado regional.

Japón Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

El mercado de dispositivos de Gallium Nitride Semiconductor de Japón es testigo de un fuerte crecimiento apoyado por capacidades avanzadas de fabricación electrónica, una elevada adopción de robótica y automatización, y una creciente demanda de sistemas eficientes en energía. Las empresas japonesas están integrando dispositivos GaN en sistemas de energía industrial, componentes EV e infraestructura de comunicación para mejorar el rendimiento y reducir el consumo energético. El fuerte enfoque del país en la innovación y la minimización de dispositivos electrónicos está impulsando aún más la adopción. Además, las crecientes inversiones en telecomunicaciones de próxima generación y tecnologías automotrices están fortaleciendo el crecimiento del mercado en Japón.

China Gallium Nitride Semiconductor Device Market Insight

El mercado China Gallium Nitride Semiconductor Device está creciendo rápidamente debido a la expansión masiva de la producción EV, fuerte dominio en la fabricación de electrónica de consumo, y el despliegue agresivo de la infraestructura 5G. Las empresas semiconductoras nacionales están escalando cada vez más la producción de GaN para satisfacer la creciente demanda en la electrónica de energía y aplicaciones RF. El firme apoyo gubernamental del país a la autosuficiencia semiconductora está acelerando las inversiones en instalaciones avanzadas de fabricación. Además, el aumento de la adopción de sistemas de energía renovable y soluciones de movilidad eléctrica impulsa aún más el despliegue a gran escala de dispositivos semiconductores GaN en China.

Gallium Nitride Semiconductor Device Market Share

La industria de dispositivos semiconductores de nitrito de gallium está dirigida principalmente por empresas bien establecidas, incluyendo:

• Wolfspeed, Inc. (U.S.)
• Infineon Technologies AG (Alemania)
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (U.S.)
• Microsemi Corporation (Estados Unidos)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japón)
• Efficient Power Conversion Corporation (U.S.)
• VisIC Technologies Ltd. (Israel)
• Integra Technologies, Inc. (U.S.)
• Navitas Semiconductor Corporation (Estados Unidos)
• Samsung Electronics Co., Ltd. (South Korea)
• Analog Devices, Inc. (U.S.)
• Panasonic Corporation (Japón)
• Texas Instruments Incorporated (U.S.)
• Ampleon Netherlands B.V. (Netherlands)
• Sumitomo Electric Device Innovations USA, Inc. (Estados Unidos)
• Northrop Grumman Corporation (Estados Unidos)

Novedades en Gallium Nitride Semiconductor Device Market

• En mayo de 2025, Cambridge GaN Devices introdujo una solución de 100 kW EV para plataformas de próxima generación 800 V, fortaleciendo la adopción de arquitecturas basadas en GaN en sistemas de movilidad eléctrica de alta potencia. Este desarrollo mejora significativamente la eficiencia, la densidad de potencia y el rendimiento térmico en las unidades EV, soportando una carga más rápida y el rango de conducción extendido. También acelera el cambio hacia una amplia integración semiconductora de bandagap en la electrificación automotriz, reforzando el papel de GaN en sistemas de alta tensión de próxima generación y ampliando su relevancia comercial en los ecosistemas OEM EV
• En abril de 2025, Navitas Semiconductor y GigaDevice establecieron un laboratorio conjunto que combina los ICs GaNFast con microcontroladores avanzados para centros de datos AI y aplicaciones de almacenamiento de energía solar, impulsando la innovación en sistemas inteligentes de gestión de energía. Esta colaboración refuerza la adopción de GaN en los sectores de informática y energía renovable de alto crecimiento mejorando la eficiencia energética, cambiando el rendimiento y la integración del sistema. Soporta la creciente demanda de infraestructuras de centros de datos optimizadas de AI y soluciones de almacenamiento de energía híbrida, posicionando la tecnología GaN como un generador básico de ecosistemas de energía inteligente de próxima generación.
• En abril de 2024, Transphorm Inc. y Weltrend Semiconductor introdujeron dos nuevas soluciones de sistema GaN en paquete (SiP), WT7162RHUG24C y WT7162RHUG24B, integrando controladores de PWM de alta frecuencia con los SuperGaN de Transphorm. Este avance mejora la eficiencia compacta de conversión de potencia y simplifica el diseño del sistema para aplicaciones de consumo y potencia industrial. Al permitir una mayor eficiencia de cambio y reducir las pérdidas energéticas en paquetes integrados, este desarrollo acelera la adopción de GaN en mercados de suministro de energía sensibles a los costos y de alta eficiencia y fortalece el ecosistema para el despliegue de GaN basado en SiP escalable
• En marzo de 2024, Efficient Power Conversion Corporation lanzó el EPC2361 100V GaN FET con ultra bajo 1 mΩ en resistencia, entregando uno de los niveles de rendimiento de eficiencia más altos en dispositivos de conmutación de baja tensión. Esta innovación mejora significativamente la densidad de energía y reduce las pérdidas de conducción, lo que lo hace altamente adecuado para centros de datos, robótica y sistemas de computación de alto rendimiento. Su diseño compacto mejorado térmicamente permite módulos de potencia más pequeños y más eficientes, reforzando la ventaja competitiva de GaN en la próxima generación de baja tensión, electrónica de alta eficiencia
• En enero de 2024, Transphorm Inc. presentó dos nuevos 650V SuperGaN FETs, TP65H035G4YS y TP65H050G4YS, con embalaje avanzado TO 247 4L con capacidad de origen Kelvin, mejorando la precisión de conmutación y reduciendo las pérdidas energéticas en aplicaciones de alta tensión. Este desarrollo mejora el rendimiento en sistemas de energía industrial, infraestructura de carga EV y convertidores de energía renovable permitiendo un cambio de alta tensión más eficiente y fiable. Fortalece la posición de GaN en aplicaciones de media a alta potencia, apoyando una adopción más amplia en sectores industriales y de movilidad intensivos en energía

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