تقرير تحليل حجم السوق العالمية لتكنولوجيا FinFET، وحصتها، واتجاهاتها - نظرة عامة على الصناعة وتوقعاتها حتى عام 2032

حجم سوق تقنية FinFET

• تم تقييم حجم سوق تكنولوجيا Finfet العالمية بـ 98.13 مليار دولار أمريكي في عام 2024  ومن المتوقع أن يصل إلى  1520.05 مليار دولار أمريكي بحلول عام 2032 ، بمعدل نمو سنوي مركب قدره 40.85٪ خلال الفترة المتوقعة
• ينشأ نمو السوق في المقام الأول من خلال الطلب المتزايد على أجهزة أشباه الموصلات عالية الأداء والكفاءة في استخدام الطاقة، إلى جانب التقدم في عمليات تصنيع الرقائق لأحجام العقد الأصغر
• إن الاعتماد المتزايد على تقنية FinFET في تطبيقات مثل أجهزة الذكاء الاصطناعي وشبكات الجيل الخامس وإنترنت الأشياء، إلى جانب الحاجة إلى شرائح مدمجة وكفاءة في استخدام الطاقة، يساهم بشكل كبير في توسيع السوق

تحليل سوق تقنية FinFET

• تُعد تقنية FinFET (ترانزستور تأثير المجال الزعنفي) ابتكارًا بالغ الأهمية في تصنيع أشباه الموصلات، مما يتيح إنتاج شرائح أصغر وأسرع وأكثر كفاءة في استخدام الطاقة لمجموعة واسعة من التطبيقات، من الأجهزة المحمولة إلى الحوسبة عالية الأداء
• يتم دفع السوق من خلال الحاجة المتزايدة للمعالجات المتقدمة في الهواتف الذكية ومراكز البيانات والإلكترونيات الخاصة بالسيارات، إلى جانب زيادة الاستثمارات في البنية التحتية لشبكات الجيل الخامس والتقنيات التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي.
• سيطرت منطقة آسيا والمحيط الهادئ على سوق تكنولوجيا FinFET بأكبر حصة إيرادات بلغت 45.3٪ في عام 2024، مدفوعة بوجود مصانع أشباه الموصلات الرئيسية، وحجم الإنتاج المرتفع، والدعم الحكومي لتصنيع الرقائق في دول مثل الصين وكوريا الجنوبية وتايوان.
• من المتوقع أن تكون أمريكا الشمالية أسرع منطقة نموًا خلال فترة التوقعات، مدعومة باستثمارات كبيرة في البحث والتطوير، ووجود شركات رائدة في تصميم الرقائق، والطلب المتزايد على حلول الحوسبة المتقدمة في الولايات المتحدة وكندا.
• سيطرت شريحة 7nm على أكبر حصة من إيرادات السوق بنسبة 30% في عام 2024، مدفوعة باعتمادها على نطاق واسع في الهواتف الذكية المتميزة والحوسبة عالية الأداء ومعجلات الذكاء الاصطناعي

نطاق التقرير وتقسيم سوق تقنية FinFET 

اتجاهات سوق تقنية FinFET

"زيادة تكامل الذكاء الاصطناعي وعقد أشباه الموصلات المتقدمة"

• يشهد سوق تقنية FinFET العالمي اتجاهًا بارزًا لدمج الذكاء الاصطناعي (AI) مع عقد أشباه الموصلات المتقدمة مثل 3nm و 5nm و 7nm
• تتيح هذه التقنيات قدرات معالجة محسنة، مما يسمح بمعالجة أسرع وأكثر كفاءة للعمليات الحسابية المعقدة في تطبيقات مثل الخوارزميات التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي، والتعلم الآلي، وتحليلات البيانات في الوقت الفعلي
• تسهل حلول FinFET المدعومة بالذكاء الاصطناعي تحسين أداء الشريحة، وتحديد الاختناقات وتحسين كفاءة الطاقة لمهام الحوسبة عالية الأداء
  • على سبيل المثال، تستفيد الشركات من تصميمات FinFET التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي لتطوير معالجات للسيارات ذاتية القيادة، وتحسين اندماج أجهزة الاستشعار في الوقت الفعلي، وإنشاء شرائح موفرة للطاقة لأجهزة إنترنت الأشياء والأجهزة القابلة للارتداء.
• يؤدي هذا الاتجاه إلى زيادة جاذبية تقنية FinFET عبر مختلف الصناعات، مما يعزز اعتمادها في تطبيقات الأجهزة المحمولة والسيارات والحوسبة السحابية
• تقوم خوارزميات الذكاء الاصطناعي المتكاملة مع شرائح FinFET بتحليل مجموعات البيانات الضخمة، مثل تلك الموجودة في شبكات إنترنت الأشياء أو أنظمة السيارات، لتحسين مقاييس الأداء مثل زمن الوصول والإنتاجية واستهلاك الطاقة

ديناميكيات سوق تقنية FinFET

سائق

"الطلب المتزايد على الحوسبة عالية الأداء والأجهزة المتصلة"

• الطلب المتزايد من المستهلكين والشركات على الحوسبة عالية الأداء، مدفوعًا بتطبيقات مثل الذكاء الاصطناعي و5G وإنترنت الأشياء، هو المحرك الرئيسي لسوق تقنية FinFET العالمية
• تعمل تقنية FinFET على تعزيز أداء الشريحة من خلال توفير كفاءة طاقة فائقة وتقليل تسرب التيار، وهو أمر بالغ الأهمية للتطبيقات في وحدات المعالجة المركزية (CPUs) والأنظمة على الشرائح (SoCs) ووحدات معالجة الرسومات (GPUs).
• إن المبادرات الحكومية والمعايير الصناعية التي تروج لأشباه الموصلات الموفرة للطاقة، وخاصة في منطقة آسيا والمحيط الهادئ، تعمل على تسريع اعتماد تقنية FinFET
• إن انتشار شبكات الجيل الخامس وأنظمة إنترنت الأشياء، إلى جانب التقدم في عقد 3 نانومتر و5 نانومتر و7 نانومتر، يتيح معالجة البيانات بشكل أسرع واتصالات منخفضة الكمون للأجهزة المتصلة مثل الهواتف الذكية والأجهزة القابلة للارتداء والمركبات ذاتية القيادة.
• تقوم شركات تصنيع أشباه الموصلات الكبرى بشكل متزايد بدمج تقنية FinFET كمعيار في عمليات الصب الخاصة بها لتلبية متطلبات الأداء لخوادم السحابة والشبكات المتطورة والإلكترونيات الاستهلاكية

ضبط النفس/التحدي

"تكاليف التصنيع المرتفعة وتعقيد التصميم"

• يشكل الاستثمار الأولي المرتفع المطلوب لتطوير وتصنيع تقنية FinFET، وخاصة للعقد المتقدمة مثل 3nm و5nm، عائقًا كبيرًا أمام شركات أشباه الموصلات الأصغر حجمًا، وخاصة في الأسواق الناشئة
• إن تعقيد تصميم وتصنيع الرقائق القائمة على FinFET، بما في ذلك التحديات مثل التسخين الذاتي واختلافات العملية، يزيد من تكاليف الإنتاج ويمكن أن يخفض معدلات العائد
• تشكل مخاوف أمن البيانات المتعلقة بدمج شرائح FinFET في إنترنت الأشياء والأجهزة المتصلة تحديًا كبيرًا، حيث تتعامل هذه الشرائح مع بيانات حساسة، مما يزيد من مخاطر الخروقات وقضايا الامتثال للوائح حماية البيانات العالمية
• إن المشهد التنظيمي المجزأ عبر المناطق، وخاصة في منطقة آسيا والمحيط الهادئ وأمريكا الشمالية، فيما يتعلق بمعايير تصنيع أشباه الموصلات وخصوصية البيانات، يعقد العمليات بالنسبة للمصانع العالمية ومصممي الرقائق.
• قد تؤدي هذه العوامل إلى إبطاء نمو السوق في المناطق الحساسة للتكلفة وتردع التبني في التطبيقات التي تُعطى فيها الأولوية لبساطة التصميم أو انخفاض التكاليف

نطاق سوق تقنية FinFET

يتم تقسيم السوق على أساس التكنولوجيا والتطبيق والمستخدم النهائي والنوع.

• حسب التكنولوجيا

بناءً على التكنولوجيا، يُقسّم سوق تقنية FinFET إلى 3 نانومتر، و5 نانومتر، و7 نانومتر، و10 نانومتر، و14 نانومتر، و16 نانومتر، و20 نانومتر، و22 نانومتر. وسيستحوذ قطاع 7 نانومتر على أكبر حصة من إيرادات السوق بنسبة 30% في عام 2024، بفضل انتشاره الواسع في الهواتف الذكية الفاخرة، والحوسبة عالية الأداء، ومسرعات الذكاء الاصطناعي. كما أن توازنه بين الأداء، وكفاءة الطاقة، وقابلية التوسع يجعله الخيار الأمثل لكبرى شركات تصنيع أشباه الموصلات مثل TSMC وSamsung.

من المتوقع أن يشهد قطاع 3 نانومتر أسرع معدل نمو بين عامي 2025 و2032، مدفوعًا بالتطورات في كثافة الترانزستورات وكفاءة الطاقة، مما يلبي الطلب المتزايد على الإلكترونيات المتطورة، وتقنية الجيل الخامس، وتطبيقات الذكاء الاصطناعي. كما تدعم الابتكارات في الطباعة فوق البنفسجية القصوى (EUV) الانتقال إلى عُقد أصغر، مما يُحسّن الأداء ويُقلل استهلاك الطاقة.

• حسب الطلب

بناءً على التطبيق، يُقسّم سوق تقنية FinFET إلى وحدات المعالجة المركزية (CPU)، والنظام على الشريحة (SoC)، ومصفوفة البوابات القابلة للبرمجة ميدانيًا (FPGA)، ووحدات معالجة الرسومات (GPU)، ومعالجات الشبكات. هيمن قطاع أنظمة SoC على السوق بحصة سوقية بلغت 35% في عام 2024، مدفوعًا بدوره المحوري في الهواتف الذكية، وأجهزة إنترنت الأشياء، وأنظمة السيارات، حيث تُعدّ الرقائق المدمجة الموفرة للطاقة أساسية. تستفيد شركات مثل Apple وQualcomm من أنظمة SoC لتحسين الأداء في الإلكترونيات الاستهلاكية.

من المتوقع أن يشهد قطاع وحدات معالجة الرسومات (GPU) أسرع معدل نمو بين عامي 2025 و2032، مدفوعًا بالطلب المتزايد على الحوسبة عالية الأداء في تطبيقات الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي والألعاب. إن قدرة FinFET على تقليل التسرب وتحسين كفاءة الطاقة تجعلها مثالية لتطورات وحدات معالجة الرسومات، وخاصةً في مراكز البيانات والمركبات ذاتية القيادة.

• حسب المستخدم النهائي

بناءً على المستخدم النهائي، يُقسّم سوق تقنية FinFET إلى: الأجهزة المحمولة، وخوادم السحابة/الشبكات المتطورة، وإنترنت الأشياء/الإلكترونيات الاستهلاكية، والسيارات، والحواسيب والأجهزة اللوحية، والأجهزة القابلة للارتداء، وغيرها. وقد استحوذ قطاع الأجهزة المحمولة على أكبر حصة من إيرادات السوق بنسبة 40% في عام 2024، مدفوعًا بالانتشار العالمي للهواتف الذكية والطلب المتزايد على المعالجات عالية الأداء والموفرة للطاقة. وقد قامت شركات مثل سامسونج وميديا ​​تيك بدمج تقنية FinFET في شرائح الأجهزة المحمولة، مما حسّن الوظائف وعمر البطارية.

من المتوقع أن يشهد قطاع السيارات أسرع معدل نمو بنحو 22% بين عامي 2025 و2032، مدفوعًا بظهور أنظمة مساعدة السائق المتقدمة (ADAS)، والقيادة الذاتية، والاتصال بين المركبات (V2X). تُمكّن الرقائق القائمة على FinFET من معالجة البيانات في الوقت الفعلي لأغراض الملاحة، ودمج أجهزة الاستشعار، والاتصال، وهي أمور بالغة الأهمية للمركبات الحديثة.

• حسب النوع

يُقسّم سوق تقنية FinFET، حسب نوعها، إلى: بوابات قصيرة (SG)، وبوابات مستقلة (IG)، وFinFETS مجمعة، وFinFETS السيليكونية العازلة (SOI). وقد استحوذ قطاع FinFETS السيليكونية العازلة على أكبر حصة من إيرادات السوق بنسبة 55% في عام 2024، بفضل أدائها المتفوق في التطبيقات منخفضة الطاقة وتكاملها السلس مع أنظمة إنترنت الأشياء. وتُستخدم تقنية FinFETS السيليكونية العازلة على نطاق واسع في الحوسبة عالية الأداء والأجهزة المحمولة بفضل انخفاض تسربها وكفاءتها العالية.

من المتوقع أن يشهد قطاع البوابات المستقلة (IG)، بما في ذلك FinFETs ثنائية البوابة وثلاثية البوابة ومتعددة البوابات، نموًا كبيرًا في الفترة من 2025 إلى 2032. ويعود هذا النمو إلى مرونته في التطبيقات عالية الأداء، وخاصة في مسرعات الذكاء الاصطناعي ومعالجات السيارات، حيث يعد التحكم الدقيق في تدفق التيار أمرًا بالغ الأهمية.

تحليل إقليمي لسوق تقنية FinFET

• سيطرت منطقة آسيا والمحيط الهادئ على سوق تكنولوجيا FinFET بأكبر حصة إيرادات بلغت 45.3٪ في عام 2024، مدفوعة بوجود مصانع أشباه الموصلات الرئيسية، وحجم الإنتاج المرتفع، والدعم الحكومي لتصنيع الرقائق في دول مثل الصين وكوريا الجنوبية وتايوان.
• يعطي المستهلكون الأولوية لتقنية FinFET لكفاءتها العالية في استهلاك الطاقة، والأداء المعزز، وانخفاض تيار التسرب، وخاصة في التطبيقات التي تتطلب قدرات معالجة متقدمة عبر الصناعات المتنوعة
• يتم دعم النمو من خلال التقدم في تكنولوجيا أشباه الموصلات، بما في ذلك عقد العمليات الأصغر مثل 3 نانومتر و5 نانومتر، إلى جانب التبني المتزايد في كل من خدمات المسبك وقطاعات أشباه الموصلات بدون مصانع.

نظرة ثاقبة على سوق تكنولوجيا FinFET في الولايات المتحدة

من المتوقع أن يشهد سوق تقنية FinFET في الولايات المتحدة نموًا ملحوظًا، مدفوعًا بالطلب القوي من تطبيقات الحوسبة عالية الأداء والذكاء الاصطناعي. ويعزز التوجه نحو أحجام العقد الأصغر، مثل 5 نانومتر و3 نانومتر، وزيادة الاستثمارات في البحث والتطوير لأشباه الموصلات، توسع السوق. ويلبي تركيز مصانع السبائك وشركات التصنيع بدون مصنع (fables) الرائدة على دمج FinFET في وحدات المعالجة المركزية (CPUs) ووحدات معالجة الرسومات (GPUs) وأنظمة الرقاقات (SoCs) الحاجة المتزايدة إلى تصميمات شرائح متقدمة، مما يخلق بيئة سوقية ديناميكية.

نظرة عامة على سوق تكنولوجيا FinFET في أوروبا

من المتوقع أن يشهد سوق تقنية FinFET في أوروبا نموًا ملحوظًا، مدعومًا بتركيز اللوائح التنظيمية على الإلكترونيات الموفرة للطاقة والتطورات في قطاع السيارات. يسعى المستهلكون والمصنّعون إلى الحصول على رقائق FinFET التي تُحسّن قوة المعالجة مع تقليل استهلاك الطاقة. ويبرز هذا النمو في إنتاج أشباه الموصلات الأصلية (OEM) وتصميم الرقائق ما بعد البيع، حيث تشهد دول مثل ألمانيا وفرنسا إقبالًا كبيرًا نظرًا للطلب المتزايد على تطبيقات الذكاء الاصطناعي وشبكات الجيل الخامس (5G).

نظرة عامة على سوق تكنولوجيا FinFET في المملكة المتحدة

من المتوقع أن يشهد سوق تقنية FinFET في المملكة المتحدة نموًا سريعًا، مدفوعًا بالطلب على حلول أشباه الموصلات المتقدمة في قطاعي الاتصالات والسيارات. ويشجع الاهتمام المتزايد بالرقائق عالية الأداء ومنخفضة استهلاك الطاقة لإنترنت الأشياء والإلكترونيات الاستهلاكية على تبنيها. كما تؤثر اللوائح المتطورة التي تعزز كفاءة الطاقة والابتكار التكنولوجي على خيارات السوق، حيث توازن بين الأداء والامتثال.

نظرة عامة على سوق تكنولوجيا FinFET في ألمانيا

من المتوقع أن تشهد ألمانيا نموًا ملحوظًا في تقنية FinFET، بفضل تطور قطاعي تصنيع أشباه الموصلات والسيارات، وتركيزها الكبير على تصميمات الرقائق الموفرة للطاقة. يُفضل المصنعون الألمان عقد FinFET المتقدمة تكنولوجيًا، مثل 7 نانومتر و5 نانومتر، والتي تُعزز كفاءة الحوسبة وتُسهم في خفض استهلاك الطاقة. يدعم دمج تقنية FinFET في إلكترونيات السيارات الفاخرة وحلول الرقائق ما بعد البيع نموًا مستدامًا في السوق.

نظرة عامة على سوق تكنولوجيا FinFET في منطقة آسيا والمحيط الهادئ

تُهيمن منطقة آسيا والمحيط الهادئ على سوق تقنية FinFET العالمية، مدفوعةً بالإنتاج المكثف لأشباه الموصلات والطلب المتزايد على الرقائق المتطورة في دول مثل الصين وتايوان وكوريا الجنوبية. ويعزز تزايد اعتماد تقنيات الجيل الخامس والذكاء الاصطناعي وإنترنت الأشياء الطلب على المعالجات القائمة على FinFET. كما تُشجع المبادرات الحكومية التي تُعزز الاعتماد على الذات في صناعة أشباه الموصلات والابتكار التكنولوجي على استخدام عُقد FinFET المتقدمة.

نظرة عامة على سوق تكنولوجيا FinFET في اليابان

من المتوقع أن يشهد سوق تقنية FinFET في اليابان نموًا كبيرًا بفضل تفضيل المستهلكين والمصنّعين القوي للرقائق عالية الجودة والمتطورة تقنيًا، والتي تُحسّن الأداء والكفاءة. ويساهم وجود شركات أشباه الموصلات الكبرى ودمج تقنية FinFET في تصميمات رقائق الشركات المصنّعة للمعدات الأصلية (OEM) في تسريع انتشار السوق. كما يُسهم الاهتمام المتزايد بتخصيص رقائق ما بعد البيع للإلكترونيات الاستهلاكية في هذا النمو.

نظرة عامة على سوق تكنولوجيا FinFET في الصين

تستحوذ الصين على الحصة الأكبر من سوق تقنية FinFET في منطقة آسيا والمحيط الهادئ، مدفوعةً بالتوسع الحضري السريع، وتزايد الطلب على الإلكترونيات الاستهلاكية، وتزايد الحاجة إلى حلول الحوسبة عالية الأداء. يدعم نمو صناعة التكنولوجيا في البلاد، والتركيز على إنتاج أشباه الموصلات محليًا، اعتماد عقد FinFET المتقدمة. كما تُعزز قدرات التصنيع القوية والأسعار التنافسية إمكانية الوصول إلى السوق.

حصة سوق تقنية FinFET

إن صناعة تكنولوجيا Finfet يقودها في المقام الأول شركات راسخة، بما في ذلك:

• SAP SE (ألمانيا)
• بلو جاي سوليوشنز، ذ.م.م. (الولايات المتحدة)
• شركة ANSYS، المحدودة (الولايات المتحدة)
• شركة Keysight Technologies (الولايات المتحدة)
• شركة أنالوج ديفايسز (الولايات المتحدة)
• شركة إنفينيون تكنولوجيز إيه جي (ألمانيا)
• شركة NXP لأشباه الموصلات (هولندا)
• شركة رينيساس للإلكترونيات (اليابان)
• شركة روبرت بوش المحدودة (ألمانيا)
• شركة ROHM المحدودة (اليابان)
• صناعات مكونات أشباه الموصلات، ذ.م.م (الولايات المتحدة)
• شركة تكساس إنسترومنتس المحدودة (الولايات المتحدة)
• شركة توشيبا (اليابان)

ما هي التطورات الأخيرة في سوق تكنولوجيا FinFET العالمية؟

• في يوليو 2023، أعلنت شركة Cadence Design Systems, Inc. عن تعاونها مع Intel Foundry Services (IFS) لاعتماد تدفقاتها الرقمية والمخصصة/التناظرية لتقنية معالجة Intel 16 FinFET. كما قدمت هذه الشراكة مجموعات تصميم العمليات (PDKs) لدعم تطوير تطبيقات حوسبة منخفضة الطاقة وعالية الأداء، مما يعزز اعتماد تقنية Intel 16nm FinFET في مختلف الصناعات، بما في ذلك الطيران والحكومة.
• في مايو 2023، تعاونت شركة NXP Semiconductors مع شركة TSMC لإطلاق أول ذاكرة وصول عشوائي مغناطيسية مقاومة (MRAM) مدمجة في قطاع السيارات باستخدام تقنية FinFET بدقة 16 نانومتر. توفر هذه الذاكرة المبتكرة تحديثات أسرع للرموز البرمجية (20 ميجابايت في أقل من ثلاث ثوانٍ) وقوة تحمل أكبر بعشر مرات مقارنةً بذاكرة الفلاش التقليدية، مما يجعلها مناسبة لتطبيقات السيارات المهمة.
• في أبريل 2023، طرحت شركة سامسونج للإلكترونيات المحدودة عقدة معالجة FinFET المتقدمة بدقة 3 نانومتر بتقنية MBCFET متعددة الجسور (Multi-Bridge Channel FET). توفر هذه العقدة من الجيل الثاني بدقة 3 نانومتر أداءً أعلى بنسبة تصل إلى 39% وكفاءة طاقة محسنة بنسبة 49% مقارنةً بالعقد السابقة، مُصممة خصيصًا للحوسبة عالية الأداء وتطبيقات الأجهزة المحمولة.
• في مارس 2023، استحوذت شركة كوالكوم تكنولوجيز على شركة نوفيا، وهي شركة متخصصة في تصميم وحدات المعالجة المركزية والتقنيات، بهدف تعزيز خارطة طريقها لتطوير وحدات المعالجة المركزية بالاستفادة من تقنية FinFET. تُعزز هذه الخطوة الاستراتيجية مكانة كوالكوم في تقديم معالجات عالية الأداء لأنظمة ويندوز وأندرويد وكروم باستخدام عُقد FinFET المتقدمة.
• في أكتوبر 2022، عرضت شركة Avicena تقنية LightBundleTM للربط بين الرقائق بسرعة متعددة تيرابت في الثانية في المؤتمر الأوروبي للاتصالات البصرية (ECOC) 2022. تهدف هذه الدائرة المتكاملة للإرسال والاستقبال القائمة على microLED بسرعة 1 تيرابت في الثانية، والتي تم بناؤها على عملية FinFET CMOS بدقة 16 نانومتر، إلى معالجة قيود النطاق الترددي والقرب في تطبيقات الحوسبة عالية الأداء.

SKU-54979