Global Gallium Oxide Materials Market Size, Share, and Trends Analysis Report – Industry Overview and Forecast to 2033

¿Cuál es el tamaño del mercado de materiales de óxido de calcio y tasa de crecimiento

• Según el análisis de Data Bridge Market Research, el mercado de materiales de óxido de gas se valoró en182,46 millones de dólares en 2025y se prevé que alcanceUSD 470.82 million by 2033, creciendo en unCAGR of 12.58% from 2026 to 2033.
• El mercado está experimentando un crecimiento sólido impulsado por la creciente demanda de materiales semiconductores de bandagap ultra a nivel mundial, los rápidos avances en electrónica de energía y dispositivos optoelectrónicos profundos, y la ampliación de la adopción a través de vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable, aeroespacial y infraestructura de comunicación de próxima generación.
• La creciente necesidad de dispositivos semiconductores de alta tensión, alta temperatura y alta frecuencia, combinados con inversiones continuas en el crecimiento de cristal de óxido de gasio, tecnologías epitaxiales y fabricación avanzada de onda, está acelerando la adopción comercial de materiales de óxido de gaslio. β-Ga2O3 se está explorando cada vez más como un reemplazo de materiales semiconductores convencionales debido a su bandagap ultra ancho y alto campo eléctrico de descomposición crítica, lo que lo hace altamente adecuado para dispositivos de energía de próxima generación y detectores ultravioletas solares ciegos

Tamaño del mercado

• Valor mundial del mercado (2025): 182,46 millones de dólares
• Valor de mercado esperado (2033): USD 470,82 millones
• CAGR prefabricado (2026-2033): 12,58%
• Región líder en 2025: América del Norte
• Región de crecimiento más rápida: Asia-Pacífico

¿Cuáles son los principales Takeaways del mercado de materiales de óxido de calcio

• América del Norte dominaba el mercado de materiales de óxido de gas con la mayor cuota de ingresos de 38.2% en 2025, apoyada por capacidades avanzadas de fabricación semiconductores, y demanda creciente de electrónica de potencia de alto rendimiento a través de aplicaciones automotriz, defensa y centro de datos.
• Se espera que Asia-Pacífico sea la región de más rápido crecimiento en una CAGR de 16,8% de 2026 a 2033, alimentada por la expansión de la fabricación semiconductora, el liderazgo tecnológico y las inversiones gubernamentales sustanciales en materiales avanzados e infraestructura de energía renovable.
• El segmento beta gallium oxide (β-Ga2O3) lideró el mercado con una cuota de 63,4% en 2025, impulsada por su bandagap ultra-wide (~4.8 eV), campo eléctrico descomposición crítica excepcionalmente alto y estabilidad térmica y química superior.
• El óxido de gallium Epsilon (ε-Ga2O3) es el tipo de producto de mayor crecimiento, proyectado para registrar una CAGR de 16,9%, reflejando el aumento de las propiedades de polarización intrínseca y el potencial creciente para los transistores de alta movilidad eléctrica (HEMTs) y dispositivos RF.
• El segmento epitaxi de haz molecular (MBE) dominaba la categoría de tecnología con una cuota de ingresos del 42,8% en 2025, liderada por su capacidad de producir capas de óxido de galio epitaxial de alta calidad con un control preciso del espesor y la composición.
• Los dispositivos de potencia y alta tensión representaron el 56,7% de la cuota de mercado en 2025, preferida por aumentar la demanda de materiales semiconductores capaces de operar a alta tensión, altas temperaturas y altas frecuencias de conmutación.
• El segmento de sensores de gas es la categoría de aplicación de mayor crecimiento, con un CAGR de 16,2%, impulsado por la creciente demanda de monitoreo ambiental en tiempo real y soluciones de seguridad industrial.

Report Scope and Gallium Oxide Materials Market Segmentation

¿Cuál es la tendencia clave en el mercado de materiales de óxido de calcio

• Se está acelerando la comercialización de materiales semiconductores de óxido de galio de banda ultra amplia para permitir dispositivos de energía de mayor tensión, baja pérdida y mayor temperatura para vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable, aeroespacial y electrónicos industriales.
• Por ejemplo, en agosto de 2025, Kyma Technologies y Novel Crystal Technology anunciaron una colaboración estratégica para desarrollar wafers epitaxiales de óxido de 150 mm para la electrónica de potencia multikV, apoyando la comercialización de dispositivos Ga2O3 de próxima generación.
• Los avances continuos en el crecimiento de cristales a granel, la fabricación epitaxial de ondas y la reducción de defectos están mejorando la calidad de los materiales y acelerando la transición de la investigación a escala de laboratorio a la fabricación de semiconductores comerciales.
• Los fabricantes de semiconductores están invirtiendo cada vez más en sustratos nativos de óxido de galio y tecnologías epitaxiales para mejorar la eficiencia de los dispositivos, el voltaje de descomposición y la confiabilidad de la electrónica de potencia de banda ultra-anchap.
• Por ejemplo, en agosto de 2024, un estudio publicado en Advanced Materials Interfaces demostró la fabricación controlada de heteroestructuras de óxido de ultrathin para dispositivos ReRAM de baja potencia, destacando el potencial de aplicación en expansión del óxido de galio más allá de la electrónica convencional de alta potencia.
• A medida que la demanda de materiales semiconductores de alta tensión de próxima generación sigue aumentando en las industrias automotriz, renovable, aeroespacial y de defensa, se espera que la comercialización de materiales de óxido de galio se acelere significativamente.

¿Cuáles son los controladores clave del mercado de materiales de óxido de calcio

• El aumento de la demanda de materiales semiconductores de banda ultra amplia para el desarrollo de materiales de alto voltaje, alta frecuencia y electrónica de alta temperatura está aumentando significativamente la inversión en el desarrollo de materiales de óxido de galio y la comercialización de dispositivos.
• Por ejemplo, en febrero de 2025, los investigadores publicaron un estudio en Nature Communications demostrando un proceso de impresión líquida-metal de baja temperatura para transistores de fibra fina β-Ga2O3, lo que permite una fabricación rentable de dispositivos de óxido de galio de alto rendimiento para electrónica de energía, optoelectrónica profunda-ultravioleta, aceleración de materiales utilizables y aplicaciones de óxido de dinamismo comercial.
• Los fabricantes de vehículos eléctricos, los desarrolladores de energía renovable y los proveedores de equipos de energía industrial están evaluando cada vez más dispositivos de óxido de gas para mejorar la eficiencia de conmutación, reducir las pérdidas energéticas y soportar mayores voltajes operativos.
• Por ejemplo, en octubre de 2024, investigadores reportaron β-Ga2O3 MIS Schottky Barrier Diodes con una capa interfacial AlN en las transacciones IEEE en dispositivos electrones, demostrando la tecnología adecuada para aplicaciones de potencia de alto voltaje, reforzando el potencial comercial de óxido de galio en el siguiente-
• Con las industrias que priorizan una mayor eficiencia, conversión compacta de energía y tecnologías semiconductoras fiables de alto voltaje, se espera que los materiales de óxido de gas se conviertan en una plataforma crítica para los dispositivos electrónicos de energía de próxima generación.

¿Qué factores están reforzando el crecimiento del mercado de materiales de óxido de calcio

• Los materiales de óxido de calcio se enfrentan a retos de comercialización debido a la disponibilidad limitada de sustratos a granel sin defectos, procesos complejos de crecimiento epitaxial y el alto costo de producir waferes semiconductores de grado dispositivo.
• Estas limitaciones de fabricación restringen la capacidad de producción a gran escala y retrasan una adopción más amplia en la electrónica de energía comercial y aplicaciones semiconductoras.
• Por ejemplo, un artículo publicado en septiembre de 2024 en Applied Physics Express informó de que, aunque los tamaños de la vafer β-Ga2O3 se han expandido a 4–6 pulgadas, los elevados costes epi-wafer, los defectos asesinos y los problemas de pureza de capa epitaxial siguen siendo obstáculos importantes para la comercialización práctica y la adopción industrial a gran escala.
• Las altas necesidades de capital asociadas con el crecimiento de cristales, el procesamiento de ondas y la deposición epitaxial avanzada siguen limitando la entrada de mercado para los fabricantes emergentes y las organizaciones de investigación.
• Por ejemplo, en octubre de 2025 un artículo publicado en Materials Today Advances identificó altos costos de fabricación, baja conductividad térmica, costosos crisols iridium para el crecimiento de cristales a granel, y disponibilidad limitada de gaslio de alta pureza como principales barreras que impiden la comercialización a gran escala de dispositivos de energía de óxido de gasio.
• Los elevados costos de producción y la disponibilidad restringida de sustratos siguen disminuyendo la comercialización, limitando el despliegue generalizado de materiales de óxido de galio, a pesar de la demanda cada vez mayor de tecnologías de semiconductores de bandas ultrarurales.

¿Cómo se aumenta el mercado de materiales de óxido de calcio

El mercado de materiales de óxido de galio se segmenta sobre la base del tipo de producto, la tecnología, la aplicación y el usuario final.

• Por tipo de producto

Sobre la base del tipo de producto, el mercado de materiales de óxido de galio se segmenta en óxido de alfa de gallium (α-Ga2O3), óxido de beta de gallium (β-Ga2O3), óxido de gamma de gallium (γ-Ga2O3), óxido de gallium delta (δ-Ga2O3) y óxido de gallium epsilon (ε-Ga2O3). El segmento beta gallium oxide (β-Ga2O3) dominó el mercado con una proporción estimada de 63,4% en 2025, debido a su bandagap ultra-wide (~4.8 eV), campo eléctrico de descomposición crítica excepcionalmente alto y estabilidad térmica y química superior. Es el óxido de gallium más maduro y comercialmente disponible polimorfo, lo que lo convierte en el material preferido para la electrónica de potencia de alta tensión y dispositivos optoelectrónicos profundos. Los sustratos β-Ga2O3 se pueden producir utilizando técnicas rentables de derretimiento, lo que permite la fabricación escalable. El material es ampliamente adoptado para diodos de barrera Schottky, MOSFETs y fotodetecdores UV. Las fuertes inversiones de fabricantes de semiconductores e institutos de investigación siguen fortaleciendo su liderazgo en el mercado. Su combinación de rendimiento y preparación comercial hace de β-Ga2O3 el segmento de producto dominante.

Se proyecta que el óxido de gallium epsilon (ε-Ga2O3) registrará el crecimiento más rápido en un CAGR estimado del 16,9% de 2026 a 2033, impulsado por sus propiedades de polarización intrínseca y el potencial creciente de transistores de alta movilidad eléctrica (HEMTs) y dispositivos RF. Los investigadores están explorando cada vez más ε-Ga2O3 para aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas avanzadas que requieren una alta movilidad de transporte. El progreso en las técnicas de crecimiento epitaxial está mejorando la calidad del cristal y permitiendo una adopción más amplia. Aumentar la demanda de sistemas de comunicación de próxima generación está creando nuevas oportunidades. Los programas de investigación semiconductores financiados por el Gobierno están acelerando la innovación. A medida que avanza la comercialización, se espera que el segmento obtenga un impulso significativo.

• By Technology

Sobre la base de la tecnología, el mercado de materiales de óxido de gasio se segmenta en epitaxi de haz molecular (mbe), deposición de vapor químico (cvd), síntesis química, vaporización térmica y sublimación, y otros. El segmento epitaxi de haz molecular (MBE) dominaba el mercado con una proporción estimada de 42,8% en 2025, debido a su capacidad de producir capas de óxido de galio epitaxial de alta calidad con un control preciso del espesor y la composición. MBE permite la fabricación de estructuras semiconductoras de bajo defecto requeridas para dispositivos avanzados de potencia y optoelectrónica de bajo rendimiento. La tecnología es ampliamente utilizada en laboratorios de investigación y programas de desarrollo semiconductores debido a su pureza material excepcional. También es compatible con el control preciso de dopaje esencial para dispositivos electrónicos de próxima generación. Las inversiones continuas en la fabricación de semiconductores están fortaleciendo la adopción. Su precisión y calidad de material siguen haciéndolo la tecnología líder de la deposición.

Se espera que el segmento de la deposición de vapor químico (CVD) sea testigo del crecimiento más rápido estimado en un CAGR estimado del 15,8% entre 2026 y 2033, impulsado por la creciente demanda de fabricación de ondas escalables y rentables. CVD permite la deposición uniforme a través de sustratos de gran superficie adecuados para la producción comercial de semiconductores. Las mejoras en la química precursora y el diseño de reactores están mejorando la calidad de la película y la eficiencia del proceso. La tecnología se adopta cada vez más para la fabricación de electrónica de energía comercial. El aumento de las inversiones en los fondos avanzados de semiconductores contribuye aún más al crecimiento. Se espera que su escalabilidad acelere la expansión del mercado.

• By Application

Sobre la base de la aplicación, el mercado de materiales de óxido de gas se segmenta en dispositivos de potencia y alta tensión, dispositivos electroluminiscentes, sensores de gas y otros. El segmento de dispositivos de potencia y alta tensión dominaba el mercado con una proporción estimada del 56,7% en 2025, impulsada por la creciente demanda de materiales semiconductores capaces de operar a alta tensión, altas temperaturas y frecuencias de conmutación altas. El óxido de calcio permite dispositivos de potencia más pequeños y más eficientes en energía que muchos materiales convencionales. El material se utiliza cada vez más en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable, suministros de energía industrial e infraestructura de red inteligente. La creciente inversión en tecnologías de conversión de energía eficiente está acelerando la adopción comercial. La innovación continua en el diseño semiconductor de energía fortalece el liderazgo de este segmento. Su rendimiento eléctrico superior lo convierte en el segmento de aplicación más grande.

Se prevé que el segmento de sensores de gas registrará el crecimiento más rápido en un CAGR estimado del 16,2% entre 2026 y 2033, apoyado por la creciente demanda de soluciones de vigilancia ambiental en tiempo real y seguridad industrial. El óxido de calcio presenta una excelente sensibilidad hacia los gases combustibles y tóxicos, lo que lo hace adecuado para aplicaciones avanzadas de detección. El aumento de la aplicación de las normas de vigilancia de las emisiones está impulsando la adopción en las industrias manufactureras y energéticas. La investigación sobre sensores de óxido de galio nanoestructurados está mejorando la precisión de detección y el tiempo de respuesta. La creciente inversión en ciudades inteligentes y la automatización industrial están creando oportunidades adicionales. Se espera que estos factores impulsen la rápida expansión.

• Por Usuario final

Sobre la base del usuario final, el mercado de materiales de óxido de gasio se segmenta en electrónica de consumo, telecomunicaciones, electrónica automotriz, electrónica industrial, defensa aeroespacial e institutos de investigación. El segmento de electrónica industrial dominaba el mercado con una proporción estimada del 34,9% en 2025, debido al aumento del despliegue de dispositivos de alta tensión en automatización industrial, sistemas de distribución de energía eléctrica, infraestructura de energía renovable y equipo eléctrico pesado. Los usuarios industriales requieren materiales semiconductores capaces de ofrecer una alta eficiencia y un funcionamiento fiable en condiciones extremas. El óxido de calcio cumple estos requisitos mediante una tensión de descomposición superior y estabilidad térmica. El aumento de las inversiones en electrificación industrial sigue respaldando la demanda. La modernización de la infraestructura eléctrica está fortaleciendo la adopción. Estos factores hacen de la electrónica industrial el segmento de usuario final líder.

Se espera que el segmento de electrónica automotriz sea testigo del crecimiento más rápido en un CAGR estimado del 17,1% entre 2026 y 2033, impulsado por la creciente electrificación de vehículos y la ampliación de la adopción de dispositivos semiconductores de alta eficiencia. Los vehículos eléctricos requieren componentes compactos y de alta tensión capaces de mejorar la eficiencia de la batería y reducir las pérdidas energéticas. El óxido de calcio está adquiriendo atención para inversores de tracción, cargadores a bordo y sistemas de gestión de energía. Las inversiones continuas de fabricantes de automóviles están acelerando la investigación y la comercialización. Las iniciativas gubernamentales que apoyan la movilidad eléctrica están impulsando aún más la demanda. Se espera que estas tendencias posicionen la electrónica automotriz como el segmento de usuarios finales de mayor crecimiento.

¿Qué región posee la mayor parte del mercado de materiales de óxido de calcio

• América del Norte dominaba el mercado de materiales de óxido de gas con la mayor cuota de ingresos de 38.2% en 2025, apoyada por capacidades avanzadas de fabricación semiconductores, y demanda creciente de electrónica de potencia de alto rendimiento en aplicaciones automotrices, de defensa y centros de datos.
• La región también se beneficia de la fuerte financiación gubernamental para la fabricación nacional de semiconductores, el aumento de la demanda de electrónica de energía de alta tensión y la ampliación de la adopción de materiales de óxido de gas en vehículos eléctricos, defensa aeroespacial, energía renovable y aplicaciones de electrónica industrial. Las inversiones continuas en tecnologías semiconductoras de próxima generación y las iniciativas de comercialización siguen fortaleciendo la posición de liderazgo de América del Norte en el mercado mundial.

U.S. Gallium Oxide Materials Market Insight

El mercado de materiales de óxido de gasoil de EE.UU. está presenciando un fuerte crecimiento debido al aumento de las inversiones en la investigación semiconductora de bandas ultra-longas, fabricación de semiconductores domésticos y electrónica de energía de próxima generación. El robusto ecosistema semiconductor del país, junto con la creciente adopción de óxido de galio para vehículos eléctricos, aeroespaciales, defensas y aplicaciones de energía renovable, impulsa el interés comercial. In addition, federal initiatives under the CHIPS and Science Act are accelerating advanced materials research and semiconductor supply chain localization. En agosto de 2025, Kyma Technologies se asoció con la Novel Crystal Technology de Japón para comercializar epiwafers de óxido de 150 mm para dispositivos de energía de próxima generación, fortaleciendo aún más la posición del mercado estadounidense.

Asia-Pacific Gallium Oxide Materials Market Insight

Se espera que el mercado de materiales de óxido de gasoil en Asia y el Pacífico sea testigo de un rápido crecimiento, impulsado por la ampliación de la capacidad de fabricación de semiconductores, el aumento de la producción de vehículos eléctricos y las importantes inversiones en materiales electrónicos avanzados en China, Japón, Corea del Sur y Taiwán. El aumento del apoyo gubernamental a la autosuficiencia semiconductora, junto con la creciente demanda de dispositivos de alta eficiencia, está apoyando la expansión del mercado regional. Además, la región alberga varios principales desarrolladores de cristal de óxido de gasio y sustrato, lo que acelera las actividades de comercialización. La Novel Crystal Technology de Japón sigue siendo uno de los pioneros mundiales en la producción comercial de sustratos β-Ga2O3, apoyando el liderazgo tecnológico regional.

Japón Gallium Oxide Materials Market Insight

El mercado de materiales de óxido de gasoil de Japón es testigo de un crecimiento constante debido a las inversiones continuas en tecnologías de semiconductores de banda ancha, el crecimiento avanzado del cristal y la investigación electrónica de energía. Las empresas japonesas y los institutos de investigación son líderes mundiales en desarrollo de sustratos β-Ga2O3, fabricación epitaxial de wafer y comercialización semiconductora de próxima generación. Además, las iniciativas semiconductoras respaldadas por el Gobierno y la colaboración sólida entre el mundo académico y la industria siguen acelerando la innovación. Novel Crystal Technology es reconocida mundialmente para la fabricación comercial de sustrato de óxido de óxido y continúa expandiendo las capacidades de producción para aplicaciones de semiconductores de energía.

China Gallium Oxide Materials Market Insight

El mercado de materiales de óxido de gas de China está creciendo rápidamente, impulsado por la expansión de la fabricación nacional de semiconductores, el aumento de las inversiones en tecnologías de semiconductores de energía y el fuerte apoyo gubernamental para la localización de semiconductores. El aumento de la producción de vehículos eléctricos, equipo de energía renovable y electrónica de energía industrial está aumentando significativamente la demanda de materiales de banda ultra-ancha. Además, el dominio de China en la producción mundial de gasio proporciona un suministro estable de materias primas para la fabricación de óxido de gasio. Según la Encuesta Geológica de los Estados Unidos (USGS), China sigue siendo el mayor productor mundial de gasio primario, reforzando su posición estratégica en la cadena de valor del óxido de gasio.

U.K. Gallium Oxide Materials Market Insight

El mercado de materiales de óxido de gallium está experimentando un crecimiento constante, apoyado por el aumento de las inversiones en investigación de semiconductores compuestos, innovación avanzada de materiales y desarrollo de electrónica de energía. Universidades y organizaciones de investigación están investigando activamente el óxido de galio para dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de próxima generación. Además, el apoyo del Gobierno a través de la Estrategia Nacional de Semiconductores del Reino Unido está fortaleciendo las capacidades semiconductores R pactoD y fomentando la colaboración entre el mundo académico y la industria. Estas iniciativas están posicionando al Reino Unido como un nuevo centro de innovación para materiales semiconductores avanzados.

Alemania Gallium Oxide Materials Market Insight

El mercado de materiales de óxido de gas de Alemania se está expandiendo constantemente debido a la fuerte industria de electrónica de energía del país, la infraestructura avanzada de investigación de semiconductores y el creciente enfoque en tecnologías industriales eficientes en la energía. Los institutos de investigación y las empresas semiconductoras alemanas están desarrollando activamente dispositivos semiconductores de banda ultra amplia para la movilidad eléctrica y los sistemas de energía renovable. Las inversiones continuas bajo la Ley Europea de Chips y los programas de investigación colaborativa están acelerando aún más la innovación del óxido de galio. Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF) continúa realizando investigaciones sobre materiales semiconductores de banda ancha de próxima generación, apoyando el liderazgo de Alemania en innovación semiconductora.

¿Cuáles son las mejores empresas del mercado de materiales de óxido de galio

La industria de los materiales de óxido de galio está dirigida principalmente por empresas bien establecidas, incluyendo:

• Novel Crystal Technology, Inc. (Japón)
• Kyma Technologies(U.S.)
• FLOSFIA, Inc.(Japón)
• AGC Inc.(Japón)
• Mitsubishi Electric Corporation(Japón)
• ROHM Co., Ltd. (Japón)
• Taiyo Nippon Sanso Corporation (Japón)
• JX Advanced Metals Corporation (Japón)
• Torex Semiconductor Ltd. (Japón)
• YASKAWA ELECTRIC CORPORATION (Japón)
• SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. (Japón)
• Sojitz Machinery Corporation (Japón)
• CBC Co., Ltd.
• Iwatani Corporation (Japón)
• AIXTRON SE (Alemania)
• Veeco Instruments Inc. (U.S.)
• Oxford Instruments plc (U.K.)
• CreaTec Fischer & Co. GmbH (Alemania)
• Ferrotec Holdings Corporation (Japón)

¿Cuáles son los últimos avances en el mercado de materiales de óxido de galio

• En agosto de 2025, Kyma Technologies y Novel Crystal Technology anunciaron una colaboración estratégica para desarrollar óxido de gallium comercial de 150 mm (Ga2O3) para la electrónica de potencia de próxima generación. La asociación combina la experiencia de sustratos β-Ga2O3 a granel de Novel Crystal Technology con las capacidades de crecimiento epitaxial de Kyma para acelerar la comercialización de epiwafers de alta calidad para vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable, aplicaciones aeroespaciales y potencias industriales, al tiempo que fortalece la cadena global de suministro de óxido de gasio
• En abril de 2025, Novel Crystal Technology anunció el desarrollo del transistor de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de óxido de biliar. El avance mejora la viabilidad comercial de semiconductores β-Ga2O3 y apoya su adopción en vehículos eléctricos, sistemas de energía industrial, infraestructura de energía renovable y tecnologías de conversión de energía de próxima generación.
• En marzo de 2024, Novel Crystal Technology anunció un avance en la tecnología de crecimiento de cristal β-Ga2O3, lo que permitió la producción de sustratos de óxido de galio de mayor calidad con mayor uniformidad en el cristal. Se espera que el desarrollo mejore el rendimiento de la ola, mejore la fiabilidad de los dispositivos y apoye la fabricación a gran escala de semiconductores de potencia de óxido de galio para aplicaciones comerciales.
• En marzo de 2022, Novel Crystal Technology, en colaboración con Taiyo Nippon Sanso, Tokyo University of Agriculture and Technology, y NEDO, demostró con éxito la primera deposición epitaxial del mundo de β-Ga2O3 sobre un wafer de 6 pulgadas utilizando el método HVPE. El gran avance permite la producción de oxido de óxido de gallium de alto coste y representa un hito significativo para la comercialización de dispositivos de alta tensión para vehículos eléctricos y sistemas de energía industrial.
• En diciembre de 2021, Novel Crystal Technology anunció el primer diodo de barrera Schottky de clase ampere-class 1200 V, lo que demuestra una operación estable de alta corriente con la tecnología β-Ga2O3 de banda ultra-ancha. El logro marcó un paso importante hacia la comercialización práctica de dispositivos de energía de óxido de galio para la conversión de potencia de alta eficiencia, vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y electrónica industrial.

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