Global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Rapport d'analyse de la taille, de la part et des tendances des semi-conducteurs discrets – Aperçu de l'industrie et prévisions jusqu'en 2033

Qu'est-ce que le Transistor Bipolaire de Porte Isolée (IGBT) Taille et taux de croissance du marché des semi-conducteurs discrets

• Selon l'analyse de Data Bridge Market Research, le marché des semi-conducteurs bipolaires à porte isolée (IGBT) a été évalué à19,28 milliards de dollars en 2025et devrait atteindre45,40 milliards de dollars en 2033, croissance à unTCAC de 11,30 % entre 2026 et 2033.
• Le marché connaît une croissance constante due à l'augmentation de la demande d'électronique à haut rendement énergétique, à l'adoption rapide de véhicules électriques, à l'expansion des installations d'énergie renouvelable et à l'automatisation industrielle dans les principales industries d'utilisation finale.
• La nécessité croissante d'une conversion et d'une commutation efficaces de l'énergie, conjuguée à des investissements dans la mobilité électrique, l'énergie solaire et éolienne et la fabrication avancée, encourage l'adoption de mesures visant à réduire les émissions de gaz à effet de serre.discretIGBT dans les onduleurs automobiles, les moteurs industriels, les alimentations non interruptibles et les appareils de consommation. Les progrès continus dans la conception de semi-conducteurs améliorent également l'efficacité de commutation, les performances thermiques et la fiabilité des appareils, soutenant des applications plus larges dans l'industrie de l'électronique de puissance.

Taille du marché et prévisions

• Valeur du marché mondial (2025): 19,28 milliards de dollars
• Valeur marchande prévue (2033) : USD 45,40 milliards
• Prévisions CAGR (2026-2033): 11,30%
• Région phare en 2025 : Amérique du Nord
• Région de croissance la plus rapide: Asie Pacifique

Quels sont les principaux débouchés du marché des transistors bipolaires (IGBT) à porte isolée

• L'Amérique du Nord a dominé le marché des semi-conducteurs bipolaires à porte isolée (IGBT) avec la plus grande part des revenus de 37,28 % en 2025, appuyé par l'adoption de véhicules électriques, l'automatisation industrielle, les investissements dans les énergies renouvelables et la demande d'énergie avancée.puissanceélectronique.
• La région Asie-Pacifique devrait connaître la croissance la plus rapide avec un TCAC de 6,0 % entre 2026 et 2033, alimenté par la production de véhicules électriques, l'automatisation industrielle, les investissements dans les énergies renouvelables et l'expansion de la fabrication de semi-conducteurs en Chine, au Japon, en Corée du Sud et en Inde.
• Le segment modulaire IGBT a dominé le marché avec une part de 62,4 % en 2025, grâce à sa capacité à gérer des courants et des tensions élevés dans les applications électroniques de puissance exigeantes
• L'IBBT discret est le type qui connaît la croissance la plus rapide et qui devrait enregistrer un TCAC de 8,9 %, ce qui reflète l'augmentation de la demande de composants compacts, rentables et économes en énergie pour les véhicules électriques, les moteurs industriels, les systèmes d'énergie renouvelable et les appareils grand public.
• Le segment de haute puissance a dominé la catégorie de la puissance nominale avec une part des revenus de 48,1 % en 2025, sous l'impulsion de la demande d'équipements de conversion et de commutation de haute capacité.
• Les moteurs industriels représentaient 32,3% de la part de marché en 2025, préféré par l'augmentation de l'automatisation et de la demande pour un contrôle moteur efficace.
• Le segment des systèmes d'onduleurs et d'UPS est la catégorie d'application qui connaît la croissance la plus rapide, avec un TCAC de 13,0%, entraîné par la demande croissante de puissance de secours fiable et l'adoption croissante de systèmes de conversion de puissance efficaces pour les applications industrielles et commerciales.

Portée du rapport et segmentation du marché du transistor bipolaire isolé (GIBT)

Quelle est la tendance clé dans le marché discret des semi-conducteurs bipolaires (IGBT) de porte isolée

• Les fabricants améliorent de plus en plus les conceptions IGBT discrètes pour améliorer l'efficacité de commutation, les performances thermiques et la densité de puissance dans les applications automobiles, industrielles et renouvelables.
• Par exemple, en mars 2025, Magnachip Semiconductor a lancé deux IGBT de 650 V de sixième génération pour les onduleurs solaires. Un dispositif a réduit les pertes de conduction d'environ 25 % et amélioré l'efficacité du système d'environ 15 % dans les onduleurs solaires de 15 kW par rapport à son prédécesseur
• Le passage à l'électronique compacte à haute efficacité favorise le développement de structures de puces de pointe et de technologies d'emballage améliorées qui réduisent les pertes d'énergie et améliorent la fiabilité des appareils.
• Les IGBT discrets demeurent importants dans les systèmes de conversion de puissance à moyenne fréquence sensibles aux coûts, tandis que les dispositifs de carbure de silicium (SiC) et de nitride de gallium (GaN) gagnent du terrain dans les applications nécessitant un changement plus rapide et des températures de fonctionnement plus élevées.
• Par exemple, en mars 2025, Infineon Technologies a avancé son TRENCHSTOP 7 H7 IGBT avec un nouveau paquet DTO247 qui supporte les cotes actuelles jusqu'à 350 A. La conception vise les onduleurs solaires, les alimentations non interruptibles et les systèmes de stockage d'énergie, en soutenant une plus grande densité de puissance et une intégration flexible du système.
• À mesure que la demande pour une conversion efficace de l'énergie continue de croître, on s'attend à ce que les fabricants accordent la priorité à l'amélioration de l'architecture des puces, de la gestion thermique et des conceptions spécifiques aux applications afin de maintenir la compétitivité des IGBT discrets dans les applications électroniques de puissance établies.

Quels sont les principaux moteurs du marché des transistors bipolaires isolés (IGBT) discrets de semiconducteurs

• L'expansion rapide des véhicules électriques et des transports électrifiés augmente la demande pour les IGBT discrets utilisés dans les systèmes d'alimentation auxiliaires, les équipements de recharge embarqués et certaines applications de conversion de puissance automobile.
• Par exemple, en avril 2025, Infineon Technologies a introduit une nouvelle génération de puces EDT3 et IGBT à commande inversée pour véhicules électriques, conçues pour les systèmes 400 V et 800 V. Les puces EDT3 produisent jusqu'à 20 % de pertes totales inférieures aux charges élevées, ce qui permet d'améliorer l'efficacité du groupe motopropulseur électrique et de réduire la consommation d'énergie du véhicule.
• Les investissements croissants dans les infrastructures d'énergies renouvelables accélèrent l'adoption d'IBBT dans les onduleurs solaires, les systèmes de stockage d'énergie et les équipements de conversion d'énergie qui favorisent une production efficace d'électricité et l'intégration du réseau.
• Les fabricants industriels intègrent les IGBT dans les moteurs, les alimentations non interruptibles et les équipements d'automatisation pour améliorer le contrôle de l'énergie, la fiabilité opérationnelle et l'efficacité énergétique dans toutes les installations de production.
• Par exemple, en juin 2024, onsemi a introduit ses modules d'alimentation IGBT de 1 200 V QDual3 pour les énergies renouvelables et les applications industrielles. Le module 800 A offre jusqu'à 10% de puissance de sortie supplémentaire dans le même facteur de forme et réduit les pertes de puissance de 200 watts dans un onduleur de 150 kW par rapport au produit concurrent le plus proche, soutenant la demande pour des onduleurs solaires efficaces, des systèmes de stockage d'énergie et des moteurs industriels.
• Au fur et à mesure que l'électrification, le déploiement des énergies renouvelables et l'automatisation industrielle continuent de se développer, les IGBT discrets devraient demeurer des composants importants dans les systèmes de conversion d'énergie nécessitant des performances de commutation fiables et un fonctionnement rentable.

Quels sont les facteurs qui contestent la croissance du marché discret des semi-conducteurs bipolaires de la porte isolée

• Les fabricants IGBT discrets font face à une concurrence croissante des semi-conducteurs au silicium-carbure (SiC) et au nitride de gallium (GaN), qui peuvent offrir des pertes de commutation plus faibles et des performances améliorées dans certaines applications à haute fréquence et à haute température
• Par exemple, en octobre 2023, McKinsey & Company a signalé que les semi-conducteurs de puissance au silicium-carbure (SiC) offrent des fréquences de commutation plus élevées, une meilleure performance thermique et des tensions de panne plus élevées que les IGBT classiques au silicium dans les groupes motopropulseurs de véhicules électriques. Ces avantages augmentent la pression concurrentielle sur les fabricants IGBT discrets dans les applications automobiles à haut rendement.
• La mise au point d'appareils à semi-conducteurs de puissance de pointe exige des investissements considérables dans la recherche, les procédés de fabrication, la qualification des produits et les essais de fiabilité, ce qui accroît les coûts pour les fabricants qui font concurrence à l'efficacité et aux performances.
• La pression des prix, les perturbations de la chaîne d'approvisionnement des semi-conducteurs et la nécessité de satisfaire aux exigences thermiques et électriques exigeantes peuvent encore plus défier les fabricants, en particulier dans les applications automobiles et industrielles sensibles aux coûts.
• Par exemple, en septembre 2024, SEMI a souligné les défis de fabrication qui affectent la production de semi-conducteurs au silicium-carbide, notamment les difficultés de traitement des plaquettes, la fragilité des matériaux et les procédés de fabrication à haute température exigeants. Bien que SiC offre des avantages de performance par rapport aux dispositifs en silicium, ces défis et les coûts associés compliquent la concurrence et l'adoption de technologies dans l'industrie des semi-conducteurs électriques.
• La concurrence des technologies à semi-conducteurs alternatives et l'augmentation des coûts de développement continuent de faire pression sur les fabricants IGBT discrets pour qu'ils améliorent l'efficacité, la fiabilité et les prix, ce qui pourrait limiter l'adoption dans les applications où la vitesse de commutation et les performances thermiques l'emportent sur le coût initial de l'appareil.

Comment le marché du transistor bipolaire (IGBT) discret des semiconducteurs est-il segmenté

Le marché des semi-conducteurs bipolaires à porte isolée (IGBT) est segmenté en fonction du type, de la puissance nominale, de l'application et de l'utilisateur final.

• Par type

Sur la base du type, le marché est segmenté en IGBT discret et IGBT modulaire. Le segment modulaire de l'IBBT a dominé le marché de l'IBBT avec 62,4 % de parts en 2025, soutenu par sa capacité à gérer des courants et des tensions élevés dans les applications d'électronique de puissance exigeantes. Les modules IGBT intègrent plusieurs puces semi-conducteurs dans un paquet commun. Ils sont largement utilisés dans les moteurs industriels, les motorisations électriques et les systèmes de conversion d'énergie renouvelable. Leur emballage intégré supporte la gestion thermique et simplifie l'assemblage du système. La demande croissante de solutions de commutation haute puissance continue de soutenir l'adoption de modules.

Le segment distinct de l'IBBT devrait enregistrer la croissance la plus rapide, avec un TCAC de 8,9 % entre 2026 et 2033. Des dispositifs discrets offrent une flexibilité aux concepteurs de circuits qui ont besoin de composants de commutation individuels. Ils sont largement utilisés dans les onduleurs compacts, les systèmes UPS, les appareils ménagers et les équipements industriels de faible à moyenne puissance. Leur intégration relativement simple peut réduire la complexité du système dans les applications appropriées. L'augmentation de la demande d'électroniques de puissance rentables favorise leur adoption. L'amélioration des performances d'emballage et de commutation renforce encore leur adéquation à diverses applications.

• Par catégorie de pouvoir

Sur la base de la notation de puissance, le marché est segmenté en IGBT de haute puissance, de moyenne puissance et de faible puissance. Le segment de haute puissance a dominé le marché élargi de l'IBBT avec 48,1 % de parts en 2025, sous l'impulsion de la demande d'équipements de conversion et de commutation de puissance à haute capacité. Les dispositifs de haute puissance sont conçus pour gérer les niveaux élevés de courant et de tension. Ils sont largement utilisés dans les systèmes d'énergie industrielle, la traction ferroviaire, les gros moteurs et les installations d'énergie renouvelable. Leur robuste performance électrique soutient des environnements de fonctionnement exigeants. Les investissements croissants dans les infrastructures énergétiques et l'électrification industrielle continuent de soutenir la demande. La gestion thermique et l'efficacité du système demeurent des considérations importantes dans leur déploiement.

On prévoit que le segment de puissance moyenne sera la catégorie de puissance qui connaîtra la plus forte croissance, avec un TCAC de 9,6 % entre 2026 et 2033. Les IGBT de moyenne puissance équilibrent la capacité de commutation, l'efficacité d'exploitation et le coût des composants. Ils sont couramment utilisés dans les moteurs industriels, les onduleurs de taille moyenne et l'électronique de puissance automobile sélectionnée. L'automatisation croissante des usines favorise le déploiement de systèmes de commande à vitesse variable. La croissance des installations solaires distribuées crée une nouvelle demande d'équipements de conversion de moyenne puissance. L'amélioration de la conception des appareils et des performances thermiques favorise l'adoption. Leur polyvalence entre les applications industrielles et énergétiques devrait soutenir la croissance du marché.

• Par demande

Sur la base de l'application, le marché est segmenté en électronique de l'énergie automobile, moteurs industriels, onduleurs et systèmes d'alimentation non interruptible (UPS), systèmes d'énergie renouvelable, électronique grand public et appareils ménagers, équipement de soudage, systèmes de conversion et de commutation d'énergie, et systèmes ferroviaires et de traction. Le segment des moteurs industriels a dominé le marché discret de l'IBBT avec une part de 32,3% en 2025, soutenue par une augmentation de l'automatisation et de la demande pour un contrôle moteur efficace. Les IGBT régulent l'énergie électrique fournie aux moteurs industriels. Ils sont utilisés dans les pompes, les ventilateurs, les convoyeurs, les compresseurs et les machines de fabrication. Les entraînements à vitesse variable aident à améliorer le contrôle des processus et l'efficacité énergétique. La demande de composants de commutation fiables augmente à mesure que les usines modernisent leur équipement. L'électrification industrielle et l'investissement dans les systèmes de production automatisés continuent de soutenir ce segment.

Le segment des onduleurs et des systèmes UPS devrait connaître une forte croissance, avec un TCAC de 13,0 % de 2026 à 2033 dans la classification plus large des applications IGBT. Ces systèmes reposent sur des semi-conducteurs électriques pour réguler et convertir l'énergie électrique. Les IGBT sont utilisés dans les équipements de secours, les onduleurs solaires et certains systèmes de conversion de puissance industrielle. La demande croissante d'électricité fiable soutient le déploiement d'UPS dans les installations commerciales et les centres de données. L'expansion de la capacité d'énergie renouvelable crée une demande supplémentaire de technologies d'inverseur. Amélioration de l'efficacité de commutation et du développement de produits de soutien aux performances thermiques.

• Par Utilisateur final

Sur la base de l'utilisateur final, le marché est segmenté en automobiles, électronique grand public, communication, industrie et autres verticales d'utilisation finale. Le segment industriel est une grande catégorie d'utilisateurs finals, avec une part de 34 % en 2025. Les utilisateurs industriels emploient des IGBT dans les moteurs, les équipements de soudage, les alimentations électriques et les machines d'automatisation. Ces dispositifs supportent la commutation contrôlée et la conversion de puissance dans les systèmes électriques. L'augmentation des investissements dans l'automatisation manufacturière renforce la demande de composants semi-conducteurs. La modernisation de l'équipement industriel encourage également le remplacement de systèmes moins efficaces.

On s'attend à ce que le segment de l'automobile soit la catégorie de l'utilisateur final qui connaît la plus forte croissance, avec un TCAC de 10,2 % entre 2026 et 2033. L'adoption de véhicules électriques et hybrides augmente la demande de composants de conversion de puissance. Les IGBT discrets peuvent servir des systèmes d'alimentation auxiliaires sélectionnés, des équipements de recharge et d'autres applications électriques automobiles. Les constructeurs automobiles privilégient la gestion fiable de l'énergie et l'efficacité énergétique. Les investissements dans l'infrastructure de tarification soutiennent davantage la demande d'électronique électrique. Les exigences de qualification de qualité automobile favorisent l'amélioration de la fiabilité et des performances thermiques des appareils.

Quelle est la région qui détient la plus grande part du marché des transistors bipolaires isolés (IGBT)

• L'Amérique du Nord a dominé le marché des semi-conducteurs bipolaires à porte isolée (IGBT) avec la plus grande part de revenus de 37,28 % en 2025, appuyée par l'adoption de véhicules électriques, l'automatisation industrielle, les investissements dans les énergies renouvelables et la demande d'électronique de pointe.
• La région bénéficie également d'investissements dans les centres de données, l'automatisation industrielle, la modernisation du réseau et l'infrastructure de recharge des véhicules électriques. La demande croissante de systèmes de conversion d'énergie économes en énergie et de composants à semi-conducteurs fiables pour les applications automobiles, industrielles et énergétiques continue de renforcer la position de l'Amérique du Nord sur le marché mondial.

Porte isolée américaine Transistor bipolaire (IGBT) Discrète Semiconductor Market Insight

Le marché des semi-conducteurs IGBT aux États-Unis connaît une croissance constante en raison de l'augmentation des investissements dans les technologies des véhicules électriques, les infrastructures d'énergie renouvelable et l'automatisation industrielle. L'industrie automobile établie au pays, l'expansion de l'infrastructure des centres de données et la demande croissante de systèmes efficaces de conversion de l'énergie stimulent l'adoption dans toutes les applications industrielles et énergétiques. De plus, l'augmentation des investissements dans la modernisation du réseau, l'infrastructure de recharge des véhicules électriques et la fabrication avancée soutiennent la demande de composants semi-conducteurs d'énergie fiables.

Portail isolé Asie-Pacifique Transistor bipolaire (IGBT) Aperçu du marché

Le marché discret des semi-conducteurs IGBT en Asie et dans le Pacifique devrait connaître une croissance rapide, en raison de l'expansion de la fabrication d'électronique, de l'augmentation de la production de véhicules électriques et de l'augmentation des investissements dans les infrastructures d'énergie renouvelable en Chine, au Japon, en Inde et en Corée du Sud. L'industrialisation croissante, l'accroissement de la capacité de production et la demande croissante d'électronique électrique à haut rendement énergétique appuient l'expansion du marché régional. De plus, la forte présence des fabricants de semi-conducteurs, l'adoption croissante des moteurs industriels et le déploiement croissant des onduleurs solaires accélèrent la demande dans les applications automobiles, industrielles et énergétiques.

Japon Porte isolée Bipolaire Transistor (IGBT) Discrète Semiconductor Aperçu du marché

Le marché japonais discret des semi-conducteurs IGBT connaît une croissance constante en raison de l'augmentation des investissements dans l'électrification automobile, l'automatisation industrielle et l'électronique de pointe. Les fabricants d'automobiles et les producteurs d'équipements industriels adoptent de plus en plus des IGBT dans les systèmes de commande automobile, les équipements de conversion de puissance et certaines applications de véhicules électriques. En outre, les capacités de fabrication de semi-conducteurs établies par le Japon, l'accent mis sur l'efficacité énergétique et les progrès continus dans la conception des appareils électriques contribuent davantage à la croissance du marché.

Chine Porte isolée Bipolaire Transistor (IGBT) Discrète Semiconductor Aperçu du marché

Le marché chinois discret des semi-conducteurs IGBT se développe rapidement, grâce à l'expansion de la production de véhicules électriques, à l'augmentation des installations d'énergie renouvelable et à l'augmentation de la demande d'électronique industrielle. L'aide gouvernementale à la fabrication et à l'électrification de semi-conducteurs au pays encourage les investissements dans le développement de semi-conducteurs électriques et la capacité de production. En outre, le déploiement croissant d'onduleurs solaires, de moteurs industriels et d'infrastructures de recharge de véhicules électriques stimule la demande d'IBBT discrets, plaçant la Chine comme un marché important pour les technologies de semi-conducteurs électriques.

Royaume-Uni Porte isolée Bipolaire Transistor (IGBT) Discrète Semiconductor Market Insight

Le marché des semi-conducteurs IGBT au Royaume-Uni connaît une croissance régulière, soutenue par des investissements dans les énergies renouvelables, la mobilité électrique et l'électrification industrielle. La demande croissante de composants efficaces de conversion d'énergie à travers les systèmes d'énergie solaire, les infrastructures de recharge des véhicules électriques et les équipements industriels contribue à l'expansion du marché. En outre, l'accent mis par le pays sur la décarbonisation, la modernisation du réseau et la fabrication de pointe appuie l'adoption de technologies de semi-conducteurs d'énergie fiables pour les applications énergétiques et industrielles.

Allemagne Porte isolée Bipolaire Transistor (IGBT) Discrète Semiconductor Aperçu du marché

Le marché des semi-conducteurs IGBT en Allemagne ne cesse de croître en raison de la forte base de production automobile du pays, de l'infrastructure industrielle avancée et de l'adoption croissante d'électroniques à haut rendement énergétique. Les fournisseurs d'automobiles et les fabricants industriels intègrent des IGBT dans certains systèmes de véhicules électriques, moteurs, onduleurs et équipements de conversion de puissance. Les investissements continus dans les énergies renouvelables, l'automatisation des usines et la mobilité électrique, combinés aux progrès de l'emballage des semi-conducteurs et de la gestion thermique, contribuent à la croissance du marché en Allemagne.

Quelles sont les meilleures entreprises du marché discret des semi-conducteurs de porte bipolaire (IGBT)

L'industrie des semi-conducteurs bipolaires isolés (IGBT) est principalement dirigée par des entreprises bien établies, notamment :

• Infineon Technologies AG(Allemagne)
• Société d'assurance-vie(Japon)
• STMicroélectronique N.V.. (Suisse)
• Mitsubishi Electric Corporation(Japon)
• Onsemi(États-Unis)
• Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
• Littelfuse, Inc. (États-Unis)
• Silan Microelectronics Co., Ltd. (Chine)
• ROHM Co., Ltd. (Japon)
• Renesas Electronics Corporation (Japon)
• Microchip Technology Incorporated (États-Unis)
• Magnachip Semiconductor Corporation (Corée du Sud)
• Bourns, Inc. (États-Unis)
• Vishay Intertechnology, Inc. (États-Unis)
• Nexperia B.V. (Pays-Bas)
• Semikron Danfoss (Allemagne)
• Sanken Electric Co., Ltd. (Japon)
• IXYS Corporation (États-Unis)
• Alpha et Omega Semiconductor Limited (États-Unis)
• En semi-conducteurs (Singapour)

Quels sont les derniers développements dans le marché discret des semi-conducteurs bipolaires de porte isolée (IGBT)

• En mars 2025, Magnachip Semiconductor Corporation a lancé deux nouveaux transistors bipolaires à portail isotherme 650V de sixième génération, conçus spécifiquement pour les onduleurs solaires. Les appareils offrent des performances de conduction et de commutation améliorées, des diodes de récupération rapide intégrées et une fiabilité accrue dans des conditions de haute température et d'humidité élevée. L'un des nouveaux produits réduit les pertes de conduction d'environ 25% par rapport à son prédécesseur, soutenant l'amélioration de l'efficacité de l'onduleur solaire et renforçant le portefeuille de semi-conducteurs à puissance discrète de Magnachipe
• En mars 2025, Infineon Technologies AG a annoncé le développement de ses IGBT TRENCHSTOP 7 H7 dans un nouveau paquet DTO247, ciblant les onduleurs solaires, les alimentations non interruptibles et les systèmes de stockage d'énergie. Le nouveau package prend en charge les cotes actuelles jusqu'à 350A et permet à un seul IGBT à courant élevé de remplacer plusieurs dispositifs à courant inférieur connectés en parallèle. Ce développement est conçu pour améliorer la densité de puissance, simplifier la conception du système et réduire la complexité de l'intégration des composants dans les applications de haute puissance.
• En juillet 2024, Magnachip Semiconductor Corporation a annoncé l'achèvement du développement d'un IGBT 1200V, 75A dans un ensemble TO-247PLUS pour les onduleurs solaires et autres applications de conversion d'énergie. Le nouvel appareil intègre un répartiteur de chaleur plus large pour améliorer la dissipation de chaleur et réduit les pertes de conduction de plus de 14 % par rapport à la génération précédente. Il est également conçu pour des applications telles que les convertisseurs, les alimentations non interruptibles et les onduleurs à usage général, permettant une gestion de l'énergie plus efficace et fiable.
• En mars 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé la GT30J65MRB, un IGBT discret de 650V, 60A conçu pour les circuits de correction des facteurs de puissance dans les climatiseurs, les appareils ménagers et les alimentations industrielles. Construit à l'aide d'une structure de tranchée optimisée, l'appareil améliore les performances de commutation et réduit les pertes de commutation d'au moins 40% par rapport à la génération précédente. Le lancement permet d'augmenter les fréquences de commutation et d'améliorer l'efficacité énergétique dans les applications électroniques de puissance.
• En août 2022, Bourns, Inc. est entrée sur le marché distinct de l'IBBT avec sa première gamme de produits haute efficacité de la série 600V et 650V BID. Les cinq nouveaux appareils utilisent la technologie d'arrêt de champ de tranchées et intègrent des diodes de récupération rapide pour fournir une tension de conduction plus faible et réduire les pertes de commutation par rapport aux IGBT antérieurs non-punch-through. Cette introduction de produit a élargi la gamme de semi-conducteurs de puissance Bourns et fourni aux concepteurs des options supplémentaires pour la commutation écoénergétique dans les systèmes industriels et de conversion de puissance.

SKU-55913