世界の SiC パワー半導体市場、タイプ別 (MOSFET、ハイブリッド モジュール、ショットキー バリア ダイオード (SBDS)、IGBT、バイポーラ接合トランジスタ (BJT)、ピン ダイオード、接合 FET (JFET)、その他)、電圧範囲別 (301 ～ 900 V、901 ～ 1700 V、1701 V 以上)、ウェハー サイズ (6 インチ、4 インチ、2 インチ、6 インチ以上)、ウェハー タイプ別 (SiC エピタキシャル ウェハー、ブランク SiC ウェハー)、アプリケーション別 (電気自動車 (EV)、太陽光発電、電源、産業用モーター ドライブ、EV 充電インフラストラクチャ、RF デバイス、その他)、垂直分野別 (自動車、公共事業およびエネルギー、産業、輸送、IT および通信、民生用電子機器、航空宇宙および防衛、商業、その他) の 2030 年までの業界動向および予測。
SiCパワー半導体市場の分析と規模
SiCパワー半導体は最も普及している半導体であり、電子機器に最適な選択肢と考えられています。これらのSiCパワー半導体は、家庭、商業、産業部門、およびその他のさまざまな分野に適用されています。SiCパワー半導体には、SiCディスクリートデバイスとSiCベアダイの2種類のデバイスがあります。技術の進歩により、SiCディスクリートデバイスの普及は急速に進んでいます。SiCパワー半導体の重要な特性は、電気を効率的に使用するさまざまな特性とともに、高い熱伝導性です。SiCパワー半導体は、通信、エネルギーと電力、再生可能発電、およびその他のさまざまな場所で使用されています。SiCパワー半導体は、個人の間で普及しつつあるパワーエレクトロニクスで使用されています。世界のSiCパワー半導体市場におけるSiCパワー半導体の需要は、より高い割合で増加しています。このため、さまざまな市場プレーヤーが新製品を導入し、パートナーシップを形成して、世界のSiCパワー半導体市場でのビジネスを拡大しています。
Data Bridge Market Research の分析によると、世界の SiC パワー半導体市場は、予測期間中に 26.0% の CAGR で成長し、2030 年までに 7,030,515.23 千米ドルに達すると予想されています。世界の SiC パワー半導体市場レポートでは、価格分析、特許分析、技術進歩についても包括的に取り上げています。
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レポートメトリック |
詳細 |
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予測期間 |
2023年から2030年 |
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基準年 |
2022 |
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歴史的な年 |
2021 (2020～2016年にカスタマイズ可能) |
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定量単位 |
売上高は千米ドル、販売数量は個数、価格は米ドル |
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対象セグメント |
タイプ別（MOSFET、ハイブリッドモジュール、ショットキーバリアダイオード（SBDS）、IGBT、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）、ピンダイオード、接合FET（JFET）、その他）、電圧範囲（301～900 V、901～1700 V、1701 V以上）、ウェハサイズ（6インチ、4インチ、2インチ、6インチ以上）、ウェハタイプ（SiCエピタキシャルウェハ、ブランクSiCウェハ）、アプリケーション（電気自動車（EV）、 太陽光発電、電源、産業用モータードライブ、EV充電インフラ、RFデバイス、その他）、垂直（自動車、公共事業およびエネルギー、産業、輸送、ITおよび通信、 家電、航空宇宙および防衛、商業、その他）。 |
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対象地域 |
米国、カナダ、メキシコ、ドイツ、英国、イタリア、フランス、スペイン、スイス、オランダ、ベルギー、ロシア、トルコ、ポーランド、スウェーデン、デンマーク、その他のヨーロッパ諸国、日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、ニュージーランド、香港、台湾、シンガポール、タイ、インドネシア、マレーシア、フィリピン、ベトナム、その他のアジア太平洋諸国、南アフリカ、アラブ首長国連邦、イスラエル、エジプト、カタール、サウジアラビア、クウェート、その他の中東およびアフリカ諸国、ブラジル、アルゼンチン、その他の南米諸国。 |
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対象となる市場プレーヤー |
WOLFSPEED, INC.、STMicroelectronics、ローム株式会社、富士電機株式会社、三菱電機株式会社、Texas Instruments Incorporated、Infineon Technologies AG、Semikron Danfoss、Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.、ルネサス エレクトロニクス株式会社、東芝デバイス＆ストレージ株式会社、Microchip Technology Inc.、Semiconductor Components Industries, LLC、NXP Semiconductors、UnitedSiC、SemiQ Inc.、Littlefuse, Inc.、Allegro MicroSystems, Inc.、日立パワーデバイス株式会社（日立グループ子会社）、GeneSiC Semiconductor Inc. など。 |
市場の定義
SiC パワー半導体とは、炭素とシリコンを含み、非常に高い電圧と温度で動作する半導体の一種を指します。SiC パワー半導体は、強度と硬度に優れた材料の製造に使用できます。SiC パワー半導体は、通信、エネルギーと電力、自動車、再生可能発電など、さまざまな分野で使用できます。基本的に、最大熱伝導率が高く、応用範囲が広がるためと考えられています。SiC パワー半導体は、主に無線通信に適用される高周波パワーデバイスと見なされるデバイスです。SiC 半導体は、シリコン半導体と比較して、絶縁破壊電界強度が 10 倍、熱伝導率が 3 倍、バンドギャップが 3 倍です。SiC 半導体は、その高い性能と効率性により市場を席巻しています。SiC パワー半導体は、高電圧と高電流で動作し、高温でも効率的であるだけでなく、オン抵抗が低いという特徴があります。したがって、シリコンカーバイドとの組み合わせは、半導体のより優れた最適な選択肢であることが証明されています。
世界のSiCパワー半導体市場の動向
このセクションでは、市場の推進要因、利点、機会、制約、課題について理解します。これらについては、以下で詳しく説明します。
運転手
- SiCパワー半導体の登場
SiC は半導体材料として非常に有用な特性を持っています。インバータ、モーター ドライブ、バッテリー チャージャーなどのアプリケーションでは、シリコン カーバイド (SiC) デバイスは、電力密度の向上、冷却要件の軽減、システム全体のコスト削減など、多くの利点を提供します。これらの利点は、SiC パワー半導体を高効率段階にするには十分です。
逆回復フェーズ中に SiC が失うエネルギーは、シリコンが失うエネルギーのわずか 1% で、材料の効率に大きな違いを生み出します。テール電流が実質的に存在しないため、ターンオフが速くなり、損失が少なくなります。消費されるエネルギーが少ないため、SiC デバイスはより高い周波数でスイッチングして効率を向上させることができます。他の材料と比較して、SiC はより効率的で、サイズが小さく、重量が軽いため、定格の高いソリューションや、冷却要件が少ない小型設計を作成できます。したがって、SiC パワー半導体の出現は、世界の SiC パワー半導体市場の成長を促進すると予想される主要な要因です。
- 電気自動車の普及率上昇
世界は急速に変化しており、再生可能エネルギーへと向かっています。すべてのセクター、市場関係者、政府機関は、電気自動車のインフラを構築し、電気自動車の需要をさらに生み出すことに注力しています。
国際エネルギー機関（IEA）の情報によると、2021年には1,650万台の電気自動車が路上を走っており、わずか3年で3倍に増加しており、これは2020年と比較して大きな数字です。電気自動車の販売台数は中国で増加して倍増し、ヨーロッパでも増加を続け、2021年には米国でも回復しました。このデータは、市場におけるEVの浸透が大幅に増加していることを示しており、環境だけでなく世界のSiCパワー半導体市場にも良い影響を与える可能性があります。SiCは高電圧で非常に効率的であるため、従来の車両のタンクを満タンにするのと同等の高速バッテリー充電時間を実現します。シリコンカーバイドパワーエレクトロニクスにより、800ボルト駆動システムの急増が可能になり、より軽量で航続距離の長いEVへの道が開かれています。
機会
- SiCメーカーによる戦略的提携と買収
さまざまな組織や市場プレーヤーが戦略的な提携や買収を行っています。この提携は、世界の SiC パワー半導体市場の成長に多大なプラスの影響をもたらします。このコラボレーションは協力関係につながり、新しい競合企業が技術と市場へのアクセスを獲得するための低コストのルートとなります。
合弁事業では、2 社以上の企業がそれぞれのリソースと専門知識を結集して特定の目標を達成します。相互に協力し合い、世界の SiC パワー半導体市場の成長にプラスの影響を与える組織は数多くあります。
抑制/挑戦
- SiCウェハ製造に関する問題
SiC ウェーハは、優れた電気的特性と熱的特性を持つ半導体材料です。これは、さまざまなアプリケーションに最適な高性能半導体です。高い耐熱性に加えて、非常に高い硬度も備えています。 SiC ウェーハメーカーが直面している製造上の課題は数多くあります。 SiC 基板の製造中に発生する可能性のある主な欠陥は、結晶積層欠陥、マイクロパイプ、ピット、傷、汚れ、表面パーティクルです。 これらの要因は、100 mm ウェーハよりも 150 mm ウェーハでより頻繁に検出される SiC デバイスのパフォーマンスに悪影響を及ぼしています。 これは、SiC が世界で 3 番目に硬い複合材料であり、非常に壊れやすく、その製造にはサイクル時間、コスト、ダイシング性能に関連する複雑な課題があるためです。 200 mm ウェーハへの切り替えでさえ、大きな問題を伴うと予測するのが効果的です。 実際、必然的に欠陥密度が高くなるにもかかわらず、同じ基板品質を保証する必要があります。
COVID-19後の世界のSiCパワー半導体市場への影響
SiCパワー半導体業界では、ロックダウンとCOVID-19関連の政府法によって製造施設やサービスが閉鎖され、需要が徐々に減少していることがわかりました。民間および公共の開発でさえ中止されました。さらに、業界はサプライチェーンの停止、特にSiCパワー半導体の製造プロセスで使用される原材料の停止の影響も受けました。さまざまな業界に対する厳格な政府規制や貿易および輸送の制限は、2020年と2021年の最初の2四半期に世界中のSiCパワー半導体市場の成長に打撃を与えた主な要因の一部でした。世界中の政府による制限によりSiCパワー半導体の生産が減速したため、2020年の最初の3四半期は生産が需要を満たしていませんでした。さらに、自動車および防衛産業、医療分野、油圧アプリケーションでSiCパワー半導体製品に対する高い需要/要件が見られました。石油・ガス産業と自動車の生産再開は、世界中でSiCパワー半導体の需要の高まりをさらに後押ししました。そのため、需要が増加するだけでなく、製品のコストも増加しました。
最近の動向
- 2022年12月、STマイクロエレクトロニクスとSoitec（ユーロネクスト・パリ）は、革新的な半導体材料の設計と製造において、シリコンカーバイド（SiC）基板に関する協力の次の段階を発表しました。今後18か月以内にSTがSoitecのSiC基板技術の認定を取得する予定です。この協力の目標は、STが将来の200mm基板製造にSoitecのSmartSiC技術を採用し、デバイスおよびモジュール製造事業に役立てることです。中期的には量産が見込まれています。このコラボレーションは、同社の財務状況の向上と世界のSiCパワー半導体市場の成長に役立ちます。
- 2022年7月、セミミクロン・ダンフォスと京都に本社を置くローム・セミコンダクターは、パワーモジュール内のシリコンカーバイド（SiC）の実装に関して10年以上協力してきました。最近、ロームの最新の第4世代SiC MOSFETが、自動車用セミクロンのeMPackモジュールで完全に認定されました。したがって、両社は世界中の顧客のニーズに応えています。このコラボレーションにより、同社の財務状況は向上し、世界のSiCパワー半導体市場の成長にプラスの影響を及ぼしました。
世界のSiCパワー半導体市場の範囲
世界の SiC パワー半導体市場は、タイプ、電圧範囲、ウェーハ サイズ、ウェーハ タイプ、アプリケーション、および垂直に基づいてセグメント化されています。これらのセグメント間の成長は、業界のわずかな成長セグメントを分析するのに役立ち、ユーザーに貴重な市場の概要と市場の洞察を提供し、コア市場アプリケーションを特定するための戦略的決定を下すのに役立ちます。
タイプ別
- MOSFET
- ハイブリッドモジュール
- ショットキーバリアダイオード (SBDS)
- IGBT
- バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
- ピンダイオード
- 接合型FET (JFET)
- その他
タイプ別に見ると、世界の SiC パワー半導体市場は、MOSFET、ハイブリッド モジュール、ショットキー バリア ダイオード (SBDS)、IGBT、バイポーラ接合トランジスタ (BJT)、ピン ダイオード、接合 FET (JFET) などに分類されます。
電圧範囲別
- 301-900V
- 901-1700V
- 1701V以上
電圧範囲に基づいて、世界の SiC パワー半導体市場は、301 ～ 900 V、901 ～ 1700 V、および 1701 V 以上に分類されます。
ウェーハサイズ別
- 6インチ
- 4インチ
- 2インチ
- 6インチ以上
ウェーハサイズに基づいて、世界の SiC パワー半導体市場は、6 インチ、4 インチ、2 インチ、および 6 インチ以上に分割されます。
ウェーハタイプ別
- SiCエピタキシャルウエハ
- ブランクSiCウェハー
ウェーハの種類に基づいて、世界の SiC パワー半導体市場は、SiC エピタキシャル ウェーハとブランク SiC ウェーハに分類されます。
アプリケーション別
- 電気自動車（EV）
- 太陽光発電
- 電源
- 産業用モータードライブ
- EV充電インフラ
- RFデバイス
- その他
アプリケーションに基づいて、世界の IC パワー半導体市場は、電気自動車 (EV)、太陽光発電、電源、産業用モーター ドライブ、EV 充電インフラストラクチャ、RF デバイスなどに分類されます。
垂直方向
- 自動車
- 公共事業とエネルギー
- 産業
- 交通機関
- ITと通信
- 家電
- 航空宇宙および防衛
- コマーシャル
- その他
垂直に基づいて、世界の SiC パワー半導体市場は、自動車、公共事業およびエネルギー、産業、輸送、IT および通信、民生用電子機器、航空宇宙および防衛、商業、その他に分類されます。
世界のSiCパワー半導体市場の地域分析/洞察
世界の SiC パワー半導体市場が分析され、上記のように地域、タイプ、電圧範囲、ウェーハ サイズ、ウェーハ タイプ、アプリケーション、および垂直別に市場規模の洞察と傾向が提供されます。
世界の SiC パワー半導体市場レポートで取り上げられている国は、米国、カナダ、メキシコ、ドイツ、英国、イタリア、フランス、スペイン、スイス、オランダ、ベルギー、ロシア、トルコ、ポーランド、スウェーデン、デンマーク、その他のヨーロッパ諸国、日本、中国、韓国、インド、オーストラリア、ニュージーランド、香港、台湾、シンガポール、タイ、インドネシア、マレーシア、フィリピン、ベトナム、その他のアジア太平洋諸国、南アフリカ、UAE、イスラエル、エジプト、カタール、サウジアラビア、クウェート、その他の中東およびアフリカ諸国、ブラジル、アルゼンチン、その他の南米諸国です。
2023年には、SiCパワー半導体の需要が高いため、アジア太平洋地域が世界のSiCパワー半導体市場を支配すると予想されています。さらに、パワーモジュールと関連デバイスへの高い需要が、市場の成長の原動力となることが期待されています。
レポートの地域セクションでは、市場の現在および将来の傾向に影響を与える個々の市場影響要因と市場規制の変更も提供しています。下流および上流のバリュー チェーン分析、技術動向、ポーターの 5 つの力の分析、ケース スタディなどのデータ ポイントは、個々の国の市場シナリオを予測するために使用される指標の一部です。また、地域データの予測分析を提供する際には、グローバル ブランドの存在と可用性、および地元および国内ブランドとの競争が激しいか少ないために直面する課題、国内関税の影響、貿易ルートも考慮されます。
競争環境と世界のSiCパワー半導体市場シェア分析
世界の SiC パワー半導体市場の競争状況は、競合他社の詳細を提供します。含まれる詳細には、会社概要、会社の財務状況、収益、市場の可能性、研究開発への投資、新しい市場への取り組み、世界的なプレゼンス、生産拠点と施設、生産能力、会社の強みと弱み、製品の発売、製品の幅と広さ、アプリケーションの優位性などがあります。提供されている上記のデータ ポイントは、世界の SiC パワー半導体市場に関連する企業の焦点にのみ関連しています。
世界の SiC パワー半導体市場で活動している主要企業としては、WOLFSPEED、INC.、STMicroelectronics、ローム株式会社、富士電機株式会社、三菱電機株式会社、Texas Instruments Incorporated、インフィニオン テクノロジーズ AG、セミクロン ダンフォス、厦門電力威先進材料有限公司、ルネサス エレクトロニクス株式会社、東芝デバイス＆ストレージ株式会社、Microchip Technology Inc.、Semiconductor Components Industries, LLC、NXP Semiconductors、UnitedSiC、SemiQ Inc.、Littlefuse, Inc.、Allegro MicroSystems, Inc.、日立パワーデバイス株式会社（日立グループの子会社）、GeneSiC Semiconductor Inc. などがあります。
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