글로벌 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 규모, 점유율 및 추세 분석 보고서 – 산업 개요 및 2032년까지의 예측

GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 분석

GAN 에피택셜 웨이퍼 시장은 전력 전자, 광전자, RF 전자와 같은 다양한 응용 분야에서 고성능 반도체 소재에 대한 수요가 증가함에 따라 빠르게 발전했습니다. GAN(질화 갈륨) 에피택셜 웨이퍼는 뛰어난 열 전도성, 높은 파괴 전압, 고주파에서의 효율성으로 널리 알려져 있어 전력 장치, LED, RF 구성 요소에 사용하기에 이상적입니다. 이로 인해 전기 자동차(EV), 재생 에너지 시스템, 5G 통신 인프라, LED 조명과 같은 응용 분야에서 GAN 웨이퍼가 빠르게 채택되었습니다. 산업 전반에 걸쳐 소형화 및 전력 효율성에 대한 추세가 커지면서 GAN 에피택셜 웨이퍼에 대한 수요도 증가하고 있습니다.

GAN 에피택셜 웨이퍼 시장에서 가장 중요한 발전 중 하나는 MOCVD(금속 유기 화학 기상 증착) 및 HVPE(수소화물 기상 에피택시)를 포함한 웨이퍼 성장 기술의 지속적인 개선으로, 결함이 적은 고품질 웨이퍼를 생산하게 되었습니다. 이러한 혁신으로 인해 GAN 웨이퍼는 더 비용 효율적이며 더 광범위한 응용 분야에 사용할 수 있게 되었습니다.

 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 규모

글로벌 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 규모는 2024년에 12억 달러로 평가되었으며, 2032년까지 53억 달러에 도달할 것으로 예상되며, 2025년에서 2032년까지의 예측 기간 동안 CAGR은 20.60%입니다. Data Bridge Market Research에서 큐레이팅한 시장 보고서에는 시장 가치, 성장률, 세분화, 지리적 범위, 주요 업체와 같은 시장 시나리오에 대한 통찰력 외에도 심층적인 전문가 분석, 지리적으로 표현된 회사별 생산 및 용량, 유통업체 및 파트너의 네트워크 레이아웃, 자세하고 업데이트된 가격 추세 분석, 공급망 및 수요의 적자 분석이 포함됩니다.

 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 동향

“전력 전자 및 5G 애플리케이션의 성장”

GAN 에피택셜 웨이퍼 시장의 성장을 주도하는 한 가지 중요한 추세는 전기 자동차(EV)와 재생 에너지 시스템에 대한 수요 증가입니다. GaN은 고전압에서 뛰어난 전력 변환 효율을 자랑하기 때문에 EV 충전기 및 태양광 인버터와 같은 전력 전자 장치에 사용하기에 이상적입니다. 예를 들어, Tesla 와 같은 회사 는 GaN 기반 전력 트랜지스터를 사용하여 EV 충전 시스템의 성능을 개선하여 충전 시간을 단축하고 효율성을 높입니다. 재생 에너지 부문에서 SolarEdge는 태양광 인버터에 GaN 기술을 사용하여 에너지 변환 효율을 높이고 태양광 에너지 채택 증가에 기여하고 있습니다. 또한 5G 네트워크의 출시로 GaN 기반 반도체가 더 높은 주파수에서 작동하고 5G 기지국 및 모바일 기기에 향상된 성능을 제공할 수 있기 때문에 GaN 소재에 대한 수요가 크게 증가하고 있습니다. Qualcomm 및 Qorvo 와 같은 회사는 5G RF 전력 증폭기에 GaN 기술을 통합하여 더 빠르고 안정적인 연결을 보장하고 5G 네트워크의 글로벌 배포를 용이하게 하고 있습니다. 이러한 추세는 전력 전자 장치와 5G 인프라의 효율성, 소형화, 성능을 향상시키는 데 필수적인 GaN 에피택셜 웨이퍼에 대한 수요를 촉진하고 있습니다.

보고서 범위 및 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 세분화        

 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 정의

GaN(질화갈륨) 에피택셜 웨이퍼는 고성능 장치를 제조하는 데 사용되는 반도체 소재입니다. 이는 에피택시라는 정밀한 공정을 통해 생산되며, 여기서 얇은 GaN 층이 기판 웨이퍼에 성장합니다. 이러한 웨이퍼는 전력 전자, 고주파 응용 분야, 광전자 및 통신에 필수적입니다. GaN의 넓은 밴드갭과 높은 전자 이동성은 5G, LED 및 전기 자동차와 같은 고효율, 고전력 응용 분야에 이상적입니다.

GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 동향

운전자

• 고성능 전력 장치에 대한 수요

전기 자동차(EV)와 태양광과 같은 재생 에너지원의 채택이 증가함에 따라 GaN 에피택셜 웨이퍼에 대한 수요가 크게 증가하고 있습니다. 전력 변환에서 GaN의 뛰어난 효율성은 전기 자동차에 사용되는 인버터 및 충전기와 같은 고성능 전력 장치에 이상적인 소재입니다. 지속 가능한 에너지 솔루션으로의 글로벌 전환이 심화됨에 따라 GaN 기반 구성 요소는 전력 전자 장치의 에너지 효율성을 향상시키는 데 필수적이 되고 있습니다. GaN의 뛰어난 스위칭 기능은 에너지 손실을 줄이고 전력 장치의 수명을 늘려 EV 부문과 태양광 인버터를 포함한 재생 에너지 응용 분야에서 증가하는 수요에 더욱 기여합니다. 이러한 추세는 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장의 지속적인 확장을 지원할 것으로 예상됩니다.

• 5G 인프라 개발

5G 네트워크의 글로벌 출시는 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장의 또 다른 주요 원동력입니다. 더 빠르고 안정적인 무선 통신 시스템에 대한 필요성으로 인해 GaN 기반 RF 구성 요소는 실리콘과 같은 기존 소재에 비해 더 높은 주파수에서 작동하고 더 높은 전력 효율성을 제공할 수 있는 능력으로 인해 상당한 인기를 얻고 있습니다. GaN의 뛰어난 열 전도성과 높은 파괴 전압은 5G 기지국 및 모바일 기기의 전력 증폭기 및 기타 RF 구성 요소에 이상적인 선택입니다. 5G 인프라에 대한 수요가 전 세계적으로 확대됨에 따라 GaN 에피택셜 웨이퍼는 차세대 무선 통신 기술의 중요한 지원 요소가 되어 시장 성장을 촉진하고 있습니다. 5G 애플리케이션에서 GaN이 제공하는 향상된 성능, 에너지 효율성 및 안정성의 조합은 통신 산업 전반에 걸쳐 채택을 촉진할 것입니다.

기회

• 5G 네트워크로의 통합

GaN 에피택셜 웨이퍼는 고주파에서 작동하고 RF 구성 요소에서 뛰어난 성능을 제공할 수 있는 능력으로 5G 인프라의 효율적인 운영에 필수적입니다. 5G 네트워크가 전 세계적으로 계속 출시됨에 따라 GaN 웨이퍼에 대한 수요는 기하급수적으로 증가할 것으로 예상됩니다. 더 빠른 데이터 전송 속도, 향상된 연결성 및 향상된 네트워크 안정성을 위한 5G 기술에 대한 의존도가 증가함에 따라 GaN 에피택셜 웨이퍼가 기지국, 모바일 기기 및 네트워크 인프라를 포함한 광범위한 애플리케이션에 통합될 수 있는 상당한 기회가 제공됩니다. 이러한 통합은 5G 기술의 고급 기능을 구현하는 데 중요한 역할을 하며 GaN 웨이퍼 제조업체에 유망한 성장 기회를 제공합니다.

• 웨이퍼 생산의 발전

금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 및 수소화물 기상 에피택시(HVPE) 기술과 같은 GaN 웨이퍼 생산의 기술적 발전은 시장에서 새로운 기회를 열어주고 있습니다. 이러한 혁신은 더 나은 웨이퍼 품질, 개선된 결정 구조, 감소된 생산 비용을 가능하게 하며, 이는 차례로 더 광범위한 응용 분야에서 GaN의 경제성과 접근성을 향상시킵니다. GaN 생산 공정의 향상된 수율과 확장성은 통신, 전력 전자, 재생 에너지를 포함한 다양한 분야에서 채택을 촉진할 것으로 예상됩니다. 제조 기술의 지속적인 발전은 또한 차세대 GaN 장치의 상용화를 위한 길을 열어 시장 성장을 더욱 촉진할 것입니다.

제약/도전

• 높은 제조 비용

GaN 에피택셜 웨이퍼 시장이 직면한 중요한 과제 중 하나는 제조 비용이 높다는 것입니다. 특수 장비와 고품질 원자재 사용을 포함한 복잡한 생산 공정은 GaN 웨이퍼의 높은 비용에 기여합니다. 이러한 요인은 실리콘과 같은 대체 소재를 선호하는 예산 제약이 있는 비용에 민감한 응용 분야 및 산업에서 채택을 제한할 수 있습니다. GaN은 전력 효율 및 열 전도도 측면에서 우수한 성능을 제공하지만 GaN 웨이퍼의 높은 초기 비용은 특히 신흥 시장이나 예산이 부족한 부문에서 광범위한 채택에 대한 장벽이 될 수 있습니다. 따라서 생산 비용을 줄이는 것은 GaN 기반 기술 시장을 확대하려는 제조업체에게 여전히 중요한 과제입니다.

• 공급망 제약

GaN 에피택셜 웨이퍼 시장은 또한 공급망 제약으로 인해 방해를 받고 있으며, 이는 GaN 웨이퍼의 가용성과 적시 납품에 영향을 미칠 수 있습니다. 통신, 자동차, 재생 에너지와 같은 분야에서 GaN 웨이퍼에 대한 수요가 증가함에 따라, 제한된 수의 공급업체와 이러한 소재에 대한 높은 수요는 공급 부족이나 지연으로 이어질 수 있습니다. 이러한 공급망 중단은 가격 상승과 리드 타임 연장으로 이어질 수 있으며, 궁극적으로 시장 성장에 영향을 미칩니다. 제조업체와 최종 사용자는 이러한 과제에 맞서야 하며, 이는 특히 고품질 웨이퍼의 지속적이고 안정적인 공급에 의존하는 산업에서 GaN 기술의 광범위한 채택을 지연시킬 수 있습니다.

이 시장 보고서는 최근의 새로운 개발, 무역 규정, 수출입 분석, 생산 분석, 가치 사슬 최적화, 시장 점유율, 국내 및 지역 시장 참여자의 영향, 새로운 수익 창출처, 시장 규정의 변화, 전략적 시장 성장 분석, 시장 규모, 범주 시장 성장, 응용 분야 틈새 시장 및 지배력, 제품 승인, 제품 출시, 지리적 확장, 시장의 기술 혁신에 대한 분석 기회를 제공합니다. 시장에 대한 자세한 정보를 얻으려면 Data Bridge Market Research에 연락하여 분석가 브리핑을 받으세요. 저희 팀은 시장 성장을 달성하기 위한 정보에 입각한 시장 결정을 내리는 데 도움을 드립니다.

 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 범위

시장은 제품 유형, 웨이퍼 크기, 애플리케이션 및 최종 사용자를 기준으로 세분화됩니다. 이러한 세그먼트 간의 성장은 산업의 빈약한 성장 세그먼트를 분석하고 사용자에게 핵심 시장 애플리케이션을 식별하기 위한 전략적 결정을 내리는 데 도움이 되는 귀중한 시장 개요와 시장 통찰력을 제공하는 데 도움이 됩니다.

   제품 유형

• GaN 호모에피택셜 에피택셜 웨이퍼
• GaN 헤테로에피택셜 에피택셜 웨이퍼

    웨이퍼 크기

• 2 인치
• 4 인치
• 6인치
• 8 인치

     애플리케이션

• 광전자 장치
• 전력 전자
• 고 전자 이동도 트랜지스터
• 무선 주파수 장치
• 이미지 센서

최종 사용자

• 통신
• 조명 및 디스플레이
• 전력 전자
• 자동차
• 항공우주 및 방위

 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 지역 분석

위에 언급된 대로 국가, 제품 유형, 웨이퍼 크기, 응용 분야 및 최종 사용자별로 시장을 분석하고 시장 규모에 대한 통찰력과 추세를 제공합니다.

시장 보고서에서 다루는 국가는 북미의 미국, 캐나다 및 멕시코, 유럽의 독일, 프랑스, ​​영국, 네덜란드, 스위스, 벨기에, 러시아, 이탈리아, 스페인, 터키, 유럽의 기타 유럽, 중국, 일본, 인도, 한국, 싱가포르, 말레이시아, 호주, 태국, 인도네시아, 필리핀, 아시아 태평양(APAC)의 기타 아시아 태평양(APAC), 사우디 아라비아, UAE, 남아프리카, 이집트, 이스라엘, 중동 및 아프리카(MEA)의 일부인 기타 중동 및 아프리카(MEA), 남미의 일부인 기타 남미, 브라질, 아르헨티나입니다.

아시아 태평양 지역은 통신, 자동차, 재생 에너지와 같은 핵심 산업에서 GaN 기술 채택이 증가함에 따라 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장을 지배할 것으로 예상됩니다. 이 지역은 빠른 기술 발전, 대규모 제조 역량, 반도체 개발을 지원하는 정부 이니셔티브의 혜택을 받고 있습니다. 또한 중국, 일본, 한국과 같은 국가에서 5G 인프라와 전기 자동차에 대한 수요가 증가함에 따라 시장 성장에 기여하고 있습니다. 선도적인 제조업체와 강력한 공급망의 존재는 시장에서 아시아 태평양 지역의 지배력을 더욱 강화합니다.

북미는 전력 전자, 5G 인프라, 재생 에너지 기술 등 연구 개발에 대한 투자가 증가함에 따라 예측 기간 동안 GaN 에피택셜 웨이퍼 시장에서 가장 높은 성장률을 보일 것으로 예상됩니다. 이 지역은 강력한 정부 이니셔티브, 기술 발전, 견고한 반도체 산업의 혜택을 받고 있습니다. 또한 주요 시장 참여자의 존재와 GaN 기반 장치의 지속적인 발전으로 인해 GaN 에피택셜 웨이퍼에 대한 수요가 증가하여 북미의 빠른 시장 성장에 기여하고 있습니다.

보고서의 국가 섹션은 또한 개별 시장 영향 요인과 국내 시장의 현재 및 미래 트렌드에 영향을 미치는 규제 변화를 제공합니다. 다운스트림 및 업스트림 가치 사슬 분석, 기술 트렌드 및 포터의 5가지 힘 분석, 사례 연구와 같은 데이터 포인트는 개별 국가의 시장 시나리오를 예측하는 데 사용되는 몇 가지 포인터입니다. 또한 글로벌 브랜드의 존재 및 가용성과 지역 및 국내 브랜드와의 대규모 또는 희소한 경쟁으로 인해 직면한 과제, 국내 관세 및 무역 경로의 영향이 국가 데이터에 대한 예측 분석을 제공하는 동안 고려됩니다.

 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 점유율

시장 경쟁 구도는 경쟁자별 세부 정보를 제공합니다. 포함된 세부 정보는 회사 개요, 회사 재무, 창출된 수익, 시장 잠재력, 연구 개발 투자, 새로운 시장 이니셔티브, 글로벌 입지, 생산 현장 및 시설, 생산 용량, 회사의 강점과 약점, 제품 출시, 제품 폭과 범위, 애플리케이션 우세입니다. 위에 제공된 데이터 포인트는 시장과 관련된 회사의 초점에만 관련이 있습니다.

 시장에서 운영되는 GAN 에피택셜 웨이퍼 시장 리더는 다음과 같습니다.

• 로옴 세미컨덕터(일본)
• GaN 시스템(캐나다)
• ASE 그룹(대만)
• 에피스타 주식회사(대만)
• 인피니언 테크놀로지스(독일)
• 알레그로 마이크로시스템즈(미국)
• 코르보(미국)
• 도쿄 일렉트론(일본)
• 니치아 주식회사(일본)
• 유나이티드 실리콘 카바이드(US)
• 크리(미국)
• 소니 주식회사(일본)
• 미쓰비시 전기(일본)
• NXP 반도체(네덜란드)
• 인피니언 테크놀로지스(독일)
• 토시바 주식회사(일본)
• 파나소닉 주식회사(일본)
• 넥스젠 파워 시스템(미국)
• Efficient Power Conversion Corporation (미국)
• STMicroelectronics(스위스/프랑스)
• 나비타스 반도체 주식회사(미국)

GAN 에피택셜 웨이퍼 시장의 최신 동향

• 2024년 11월, 스미토모 케미칼의 전력 전자용 대구경 GaN-on-GaN 웨이퍼 개발을 가속화하는 프로젝트가 NEDO에 의해 2024 회계연도에 선정되었습니다. 이 이니셔티브는 전기 인프라, 데이터 센터, 전기 자동차와 같은 분야에서 에너지 효율적인 전력 전자 애플리케이션을 타겟으로 6인치 GaN-on-GaN 웨이퍼에 대한 양산 기술을 발전시키는 것을 목표로 합니다.
• 2024년 9월, Infineon Technologies AG는 세계 최초의 300mm 전력 질화 갈륨(GaN) 웨이퍼 기술을 성공적으로 개발하여 200mm 웨이퍼보다 웨이퍼당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있게 되었습니다. 이 획기적인 기술은 상당한 효율성 향상과 비용 절감을 제공하여 자동차, 가전제품, 통신과 같은 산업에서 GaN의 광범위한 채택을 촉진합니다. GaN과 실리콘 간의 응력 및 격자 불일치와 같은 과제에도 불구하고 Infineon은 특히 GaN EPI를 위한 역량 센터에서 혁신적인 솔루션을 활용하여 대량 생산을 위한 GaN 기술을 확장했습니다.
• 2024년 8월, MassPhoton Ltd는 홍콩 과학기술단지공사(HKSTP)와 협력하여 InnoPark에서 홍콩 최초의 GaN 에피택셜 웨이퍼 파일럿 라인을 시작합니다. 2억 홍콩달러를 투자한 이 이니셔티브는 이 지역의 반도체 산업을 발전시키고 250개 이상의 일자리를 창출하는 것을 목표로 합니다.
• 2024년 8월, SweGaN AB는 2024년 상반기에 실리콘 카바이드(GaN-on-SiC) 에피택셜 웨이퍼에 대한 17MSEK 주문을 보고했으며, 이는 100% 증가를 의미합니다. 이 회사는 주요 통신 및 방위 계약을 확보하고, 새로운 시설에서 배송을 시작했으며, QuanFINE 에피웨이퍼에 대한 성공적인 고객 자격을 완료했습니다.
• 2022년 1월, 한국에 본사를 둔 IVWorks Co Ltd는 프랑스 소재 회사인 Saint-Gobain으로부터 GaN 웨이퍼 사업을 인수했습니다. 이 인수는 EV 파워트레인 및 방위 레이더를 포함한 전력 장치용 4~12인치 GaN 에피웨이퍼를 대량 생산하는 IVWorks의 역량을 강화합니다.

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