Global Gate Driver Ic Market
시장 규모 (USD 10억)
연평균 성장률 :
%
USD
2.03 Billion
USD
3.34 Billion
2024
2032
| 2025 –2032 | |
| USD 2.03 Billion | |
| USD 3.34 Billion | |
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트랜지스터 유형(MOSFET 및 IGBT), 반도체 소재(SiC 및 GaN), 부착 모드(온칩 및 이산), 절연 기술(자기 절연, 용량 절연 및 광학 절연), 응용 분야(주거용, 산업용 및 상업용)별 글로벌 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장 세분화 - 2032년까지의 산업 동향 및 전망
글로벌 게이트 드라이버 IC(집적 회로) 시장 규모와 성장률은 어떻습니까?
- 글로벌 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장 규모는 2024년에 20억 3천만 달러 로 평가되었으며 예측 기간 동안 6.42%의 CAGR 로 2032년까지 33억 4천만 달러에 도달할 것으로 예상됩니다 .
- 시장 확장은 주로 전기 자동차(EV), 재생 에너지 시스템, 산업 자동화와 같은 응용 분야에서 에너지 효율적인 전력 전자 제품에 대한 수요 증가에 의해 주도됩니다.
- 또한 고속 스위칭, 향상된 열 성능, 전력 시스템 소형화에 대한 요구가 증가함에 따라 다양한 고전압 및 고주파 애플리케이션에서 게이트 드라이버 IC의 통합이 가속화되고 있습니다.
게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장의 주요 내용은 무엇입니까?
- 게이트 드라이버 집적 회로(IC)는 모터 드라이브, EV 인버터, 전원 공급 장치, 태양광 인버터를 포함한 고성능 시스템에서 전력 트랜지스터의 효율적이고 안정적인 제어를 가능하게 하는 데 중요한 역할을 합니다.
- SiC 및 GaN 기반 반도체로의 전환이 확대됨에 따라 더 빠른 스위칭 속도와 더 높은 전압을 처리할 수 있는 차세대 게이트 드라이버에 대한 수요가 증가하고 있습니다.
- 스마트 그리드 , 전기 이동성 및 자동화 공장 에 대한 투자 증가로 게이트 드라이버 IC의 적용 범위가 확장되어 현대 전력 전자 기술의 발전에 필수적인 구성 요소로서의 역할이 더욱 강화되고 있습니다.
- 북미는 2024년 EV, 산업 자동화, 스마트 그리드 기술의 광범위한 도입에 힘입어 38.21%의 가장 큰 수익 점유율을 기록하며 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장을 장악했습니다.
- 아시아 태평양 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장은 급속한 산업화, 도시화, 전자 및 자동차 부문의 확장에 힘입어 2025년부터 2032년까지 7.8%의 가장 빠른 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
- MOSFET 부문은 2024년에 58.4%의 가장 큰 시장 수익 점유율로 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장을 장악했으며, 이는 가전제품 , 전원 공급 장치, 자동차 시스템을 포함한 저전압~중전압 애플리케이션에서의 광범위한 사용에 기인합니다.
보고서 범위 및 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장 세분화
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속성 |
게이트 드라이버 집적 회로(IC) 주요 시장 통찰력 |
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다루는 세그먼트 |
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포함 국가 |
북아메리카
유럽
아시아 태평양
중동 및 아프리카
남아메리카
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주요 시장 참여자 |
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시장 기회 |
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부가가치 데이터 정보 세트 |
Data Bridge Market Research에서 큐레이팅한 시장 보고서에는 시장 가치, 성장률, 세분화, 지리적 적용 범위, 주요 기업 등 시장 시나리오에 대한 통찰력 외에도 심층적인 전문가 분석, 가격 분석, 브랜드 점유율 분석, 소비자 설문 조사, 인구 통계 분석, 공급망 분석, 가치 사슬 분석, 원자재/소모품 개요, 공급업체 선택 기준, PESTLE 분석, Porter 분석 및 규제 프레임워크가 포함되어 있습니다. |
게이트 드라이버 IC(집적회로) 시장의 주요 추세는 무엇입니까?
“ 효율성 향상을 위한 와이드 밴드갭 반도체 통합 ”
- 게이트 드라이버 IC 시장의 주요 트렌드는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)과 같은 와이드 밴드갭(WBG) 반도체의 집적도 증가입니다. 이러한 소재는 전력 전자 시스템의 스위칭 주파수 향상, 열 성능 향상, 에너지 손실 감소를 가능하게 합니다.
- WBG 반도체에 최적화된 게이트 드라이버 IC는 이제 전기차 (EV), 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브 와 같은 고효율 애플리케이션에 필수적입니다 . 예를 들어, 인피니언 테크놀로지스는 SiC MOSFET에 최적화된 전용 게이트 드라이버를 제공하여 전반적인 시스템 성능을 향상시킵니다.
- 이러한 고급 IC는 고전압 절연, 빠른 스위칭, 짧은 전파 지연을 지원하여 SiC 및 GaN 소자의 최적 작동을 보장합니다. 산업이 경량, 소형, 에너지 효율적인 솔루션으로 전환됨에 따라 특수 게이트 드라이버 IC에 대한 수요가 급증하고 있습니다.
- Texas Instruments 및 ON Semiconductor와 같은 제조업체는 WBG 통합을 지원하기 위해 포트폴리오를 확장하여 모든 분야에서 보다 효율적이고 안정적인 고전력 설계를 촉진하고 있습니다.
- 이러한 추세는 녹색 에너지와 전기화에 대한 보다 광범위한 산업 변화를 반영하며, 게이트 드라이버 IC를 차세대 전력 시스템 및 지속 가능한 인프라의 핵심 지원 요소로 자리매김합니다.
게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장의 주요 동인은 무엇입니까?
- 전기 자동차(EV)와 재생 에너지 시스템의 도입이 가속화됨에 따라 게이트 드라이버 IC 수요가 크게 증가하고 있습니다. 이러한 시스템은 고전력 트랜지스터에 대한 정밀한 제어를 필요로 하므로, 게이트 드라이버는 운영 효율 향상에 필수적입니다.
- 2024년 2월, ST마이크로일렉트로닉스는 SiC MOSFET과 호환되는 새로운 자동차용 게이트 드라이버 제품군을 출시하여 EV 트랙션 인버터 시장을 공략했습니다. 이러한 혁신은 시장 모멘텀을 강화하고 있습니다.
- 고전압 시스템에서 에너지 효율성과 열 관리에 대한 관심이 높아지고 산업 분야에서 자동화가 확대됨에 따라 모터 제어, 로봇 공학 및 전원 공급 시스템에서 게이트 드라이버 IC의 배포가 더욱 활발해지고 있습니다.
- 또한 전체 구성 요소 수를 줄이고 시스템 안정성을 향상시킬 수 있는 소형 통합 솔루션에 대한 필요성으로 인해 가전 제품, 통신 인프라 및 항공우주 분야에서 게이트 드라이버 IC 채택이 증가하고 있습니다.
게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장 성장을 저해하는 요인은 무엇입니까?
- 게이트 드라이버 IC 시장의 주요 과제 중 하나는 SiC 및 GaN과 같은 차세대 반도체 설계의 복잡성입니다. 이러한 소재는 정밀한 타이밍, 높은 잡음 내성, 그리고 견고한 보호 메커니즘을 갖춘 게이트 드라이버를 요구합니다.
- 이러한 고성능 트랜지스터의 잘못된 구동은 효율성 손실, EMI 문제 또는 심지어 장치 고장으로 이어질 수 있으며, 이로 인해 설계 및 통합이 기술적으로 더욱 까다로워집니다.
- 예를 들어, 엔지니어들은 기생 인덕턴스를 관리하고 고속 스위칭 환경에서 안전한 켜짐/꺼짐 조건을 보장하는 데 상당한 어려움을 겪습니다. 이를 극복하기 위해 파워 인테그레이션스(Power Integrations)와 로옴 세미컨덕터(ROHM Semiconductor)와 같은 기업들은 고집적 드라이버 솔루션을 제공하고 있지만, 필요한 전문 지식은 소규모 업체에게는 여전히 장벽으로 남아 있습니다.
- 또한, 특수 IC 구성 요소에 대한 공급망 제약과 차세대 애플리케이션을 지원하기 위한 높은 R&D 비용은 특히 비용에 민감한 시장에서 도입을 제한할 수 있습니다.
- 이러한 과제를 해결하려면 드라이버 아키텍처의 지속적인 혁신, 설계 도구 및 참조 플랫폼에 대한 더 큰 접근성, WBG 시스템에서 게이트 드라이버를 구현하기 위한 모범 사례에 대한 엔지니어 교육을 위한 집중적인 노력이 필요합니다.
게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장은 어떻게 세분화되어 있습니까?
시장은 트랜지스터 유형, 반도체 소재, 부착 모드, 절연 기술 및 응용 분야를 기준으로 세분화됩니다.
• 트랜지스터 유형별
트랜지스터 유형을 기준으로 게이트 드라이버 IC 시장은 MOSFET과 IGBT로 구분됩니다. MOSFET 부문은 2024년 게이트 드라이버 IC 시장에서 58.4%의 시장 점유율을 기록하며 가장 큰 시장 점유율을 기록했습니다. 이는 가전제품, 전원 공급 장치, 자동차 시스템 등 저전압 및 중전압 애플리케이션에서 널리 사용되고 있기 때문입니다. MOSFET은 빠른 스위칭 속도, 높은 효율, 낮은 비용을 제공하여 고주파 및 고효율 설계에서 게이트 드라이버 IC와 통합하기에 이상적입니다.
IGBT 부문은 모터 드라이브, 재생 에너지 시스템, 전기 자동차와 같은 고전력 산업 분야에서의 채택 증가에 힘입어 2025년부터 2032년까지 가장 빠른 성장을 보일 것으로 예상됩니다. IGBT는 높은 전압 내성과 에너지 효율적인 성능으로 특히 강력한 전력 처리가 요구되는 분야에서 선호됩니다.
• 반도체 소재별
반도체 소재를 기준으로 시장은 SiC와 GaN으로 구분됩니다. SiC(탄화규소) 부문은 2024년 65.1%의 시장 점유율로 가장 큰 비중을 차지했으며, 이는 EV 및 전력망과 같은 고전압 및 고온 환경에서 탁월한 성능을 발휘하기 때문입니다. SiC 소자용으로 설계된 게이트 드라이버 IC는 다양한 까다로운 애플리케이션에서 정밀한 제어와 향상된 에너지 효율을 제공합니다.
GaN 기술은 데이터 센터, 통신, 소형 전원 공급 장치 등 고속 스위칭 애플리케이션에서 점점 더 각광받으면서 2025년부터 2032년까지 가장 빠른 연평균 성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상됩니다. 더 높은 주파수와 더 작은 풋프린트에서 작동할 수 있는 GaN 호환 게이트 드라이버는 차세대 전력 전자 장치에 필수적인 요소입니다.
• 부착 모드별
게이트 드라이버 IC 시장은 부착 방식에 따라 온칩(on-chip)과 디스크리트(discrete)로 구분됩니다. 디스크리트 부문은 설계 유연성과 열 관리가 더욱 중요한 산업 시스템에서 널리 사용됨에 따라 2024년 시장 점유율 61.7%로 가장 큰 비중을 차지했습니다. 디스크리트 게이트 드라이버는 고전압 절연, 냉각 및 고장 보호가 필수적인 산업 및 자동차 애플리케이션에 널리 사용됩니다.
온칩(on-chip) 부문은 소형화 및 집적회로(IC) 설계 추세에 힘입어 2025년부터 2032년까지 가장 빠른 연평균 성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상됩니다. 온칩 게이트 드라이버는 소형 크기, 낮은 기생 성분, 그리고 시스템온칩(SoC) 플랫폼 통합 용이성 등의 장점을 제공하여 가전제품 및 휴대용 기기에서 점차 주목을 받고 있습니다.
• 격리 기술에 의해
절연 기술을 기준으로 시장은 자기 절연, 용량성 절연, 그리고 광 절연으로 구분됩니다. 자기 절연 부문은 2024년 45.6%의 시장 점유율로 시장을 선도했으며, 산업 및 자동차 애플리케이션에서의 뛰어난 신뢰성과 성능에 힘입어 높은 시장 점유율을 기록했습니다. 자기 절연기는 낮은 지연 시간과 높은 전압 성능을 제공하여 자동차 및 모터 제어 애플리케이션에 널리 사용됩니다.
용량성 절연 분야는 저전력 소비로 고속 신호 전송을 가능하게 하므로 2025년부터 2032년까지 가장 빠른 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 용량성 절연은 데이터 센터 및 소형 전력 시스템을 포함한 고주파 스위칭 애플리케이션에서 점점 더 인기를 얻고 있습니다.
• 응용 프로그램별
게이트 드라이버 IC 시장은 응용 분야별로 주거용, 산업용, 상업용으로 구분됩니다. 산업용 부문은 공장 자동화, 모터 제어 시스템, 전력 변환 장치에서 게이트 드라이버 사용 증가에 힘입어 2024년 시장 매출 점유율 47.9%로 가장 큰 비중을 차지했습니다. 산업 분야에서는 미션 크리티컬 전력 인프라에 고효율 및 신뢰성 높은 게이트 드라이버를 요구하기 때문에 이 부문이 가장 큰 비중을 차지합니다.
데이터 센터, 통신, 소매업 등의 분야에서 에너지 효율적인 전력 시스템을 점점 더 많이 도입함에 따라 상업 부문은 2025년부터 2032년까지 가장 빠른 연평균 성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상됩니다. 게이트 드라이버 IC는 이러한 환경에서 전력 효율을 향상시키고 디지털 제어를 구현하는 데 중요한 역할을 합니다.
게이트 드라이버 IC(집적회로) 시장에서 가장 큰 점유율을 차지하는 지역은 어디입니까?
- 북미는 2024년 EV, 산업 자동화, 스마트 그리드 기술의 광범위한 도입에 힘입어 38.21%의 가장 큰 수익 점유율을 기록하며 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장을 장악했습니다.
- 에너지 효율적인 전력 전자 제품에 대한 이 지역의 강력한 집중과 선도적인 반도체 회사의 존재는 이 지역이 시장을 선도하는 데 기여합니다.
- R&D에 대한 높은 투자, 국내 반도체 제조를 지원하는 유리한 정책, 자동차 및 재생 에너지 부문에서 고급 드라이버 IC에 대한 수요 증가로 북미의 입지가 더욱 공고해졌습니다.
미국 게이트 드라이버 IC(집적 회로) 시장 통찰력
미국은 전기차 시장의 급속한 성장과 산업 디지털화에 힘입어 2024년 북미 게이트 드라이버 IC 매출을 주도했습니다. 주요 미국 기업들은 고성능 애플리케이션을 위한 GaN 및 SiC 드라이버 개발에 박차를 가하고 있습니다. CHIPS 법과 같은 연방 정부의 정책은 국내 생산 및 혁신을 촉진하고 있으며, 청정 에너지 전환 추세는 효율적인 게이트 드라이버 IC에 대한 수요 증가를 뒷받침하고 있습니다.
캐나다 게이트 드라이버 IC(집적 회로) 시장 통찰력
캐나다 시장은 청정 에너지 인프라와 전기 자동차에 대한 투자 증가로 주목을 받고 있습니다. 게이트 드라이버 IC는 스마트 그리드 시스템, 태양광 인버터, 전기차 충전소 등에 사용되고 있습니다. 캐나다 정부는 친환경 기술과 산업 자동화에 중점을 두고 있으며, 스타트업, OEM, 연구 기관이 참여하는 협력 생태계를 통해 꾸준한 성장을 이룰 것으로 예상됩니다.
게이트 드라이버 IC(집적회로) 시장에서 가장 빠르게 성장하는 지역은 어디인가요?
아시아 태평양 지역의 게이트 드라이버 IC 시장은 급속한 산업화, 도시화, 그리고 전자 및 자동차 산업의 성장에 힘입어 2025년부터 2032년까지 연평균 성장률 7.8%로 가장 빠르게 성장할 것으로 전망됩니다. 중국, 일본, 한국과 같은 국가들은 전기차, 전동 공구, 가전제품 분야에서 게이트 드라이버 IC 도입을 선도하고 있습니다. 탄탄한 제조 역량, SiC/GaN 소자 기술 발전, 그리고 전기 자동차 및 재생 에너지를 장려하는 정부 정책이 이러한 지역 성장을 뒷받침하고 있습니다.
중국 게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장 통찰력
중국은 2024년 아시아 태평양 지역에서 가장 큰 매출 점유율을 차지했는데, 이는 반도체 제조 분야의 지배력과 전기차 및 태양광 인버터용 게이트 드라이버 IC에 대한 강력한 수요에 힘입은 것입니다. 스마트 시티 및 에너지 효율을 위한 정부 지원 사업과 탄탄한 현지 공급망은 시장 확장을 가속화하고 있습니다.
일본 게이트 드라이버 IC(집적 회로) 시장 통찰력
일본 시장은 산업 자동화, 하이브리드 자동차, 가전제품 등 다양한 분야에서 게이트 드라이버 IC의 채택이 활발하게 이루어지고 있습니다. 일본의 소형 고효율 솔루션에 대한 집중적인 관심은 게이트 드라이버 IC 애플리케이션과도 잘 부합합니다. OEM과 기술 혁신 기업 간의 협력은 차세대 드라이버 기술의 연구 개발 및 상용화를 촉진하고 있습니다.
한국 게이트 드라이버 IC 시장 분석
한국은 첨단 전자 산업과 AI, 5G, 전기차에 대한 투자 확대에 힘입어 중요한 기여국으로 부상하고 있습니다. 주요 한국 기업들은 고전력 애플리케이션을 위한 SiC 기반 드라이버를 적극적으로 개발하고 있으며, 정부의 인센티브 정책은 전력 전자 및 스마트 모빌리티 시스템 혁신을 촉진하고 있습니다.
게이트 드라이버 집적 회로(IC) 시장의 상위 기업은 어디인가요?
게이트 드라이버 집적 회로(IC) 산업은 주로 다음을 포함한 기존 기업들이 주도하고 있습니다.
- Infineon Technologies AG(독일)
- 미쓰비시 전기 주식회사(일본)
- NXP 반도체(네덜란드)
- 반도체 부품 산업, LLC(onsemi)(미국)
- ROHM CO., LTD. (일본)
- 르네사스 일렉트로닉스 주식회사(일본)
- STMicroelectronics(스위스)
- 텍사스 인스트루먼트(미국)
- 셈텍(미국)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION(일본)
- 히타치 파워 반도체 디바이스 주식회사(일본)
- 전자 부문 부사장(인도)
- PERFECT OPTRONICS LIMITED(홍콩)
- 프린스턴 테크놀로지 코퍼레이션(대만)
글로벌 게이트 드라이버 IC(집적회로) 시장의 최근 동향은 무엇입니까?
- 2024년 7월, 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments)는 5G 인프라 및 첨단 산업 로봇을 포함한 고주파 애플리케이션을 겨냥한 차세대 GaN 게이트 드라이버 IC 시리즈를 출시했습니다. 최신 시리즈는 스위칭 손실을 15% 줄여 전반적인 전력 효율을 향상시킵니다. 이러한 개발은 고성능 전자 제품 시장에서 텍사스 인스트루먼트의 입지를 더욱 강화할 것입니다.
- 2024년 6월, ST마이크로일렉트로닉스는 태양광 인버터 애플리케이션용 맞춤형 게이트 드라이버 IC를 제공하기 위해 선도적인 재생 에너지 기업과 전략적 협력을 체결했습니다. 이 IC는 전력 변환 효율을 18% 향상시켜 태양광 발전소의 에너지 생산량 증대에 기여하도록 설계되었습니다. 이번 파트너십은 깨끗하고 지속 가능한 에너지 기술 발전에 대한 ST마이크로일렉트로닉스의 헌신을 보여줍니다.
- 2024년 4월, 인피니언 테크놀로지스는 자동차 분야의 24/48V 브러시리스 DC 모터 애플리케이션용으로 설계된 MOTIX TLE9140EQW 게이트 드라이버 IC를 출시했습니다. 최대 72V의 전압 요구 사항을 지원하는 TLE9140은 향상된 시스템 신뢰성과 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 이 제품은 자동차 전력 전자 분야 혁신에 대한 인피니언의 집중을 보여줍니다.
- 2024년 3월, 도시바 일렉트로닉 디바이스 & 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)는 마이크로컨트롤러 기능이 통합된 SmartMCD 시리즈 게이트 드라이버 IC의 양산을 시작했습니다. 플래그십 모델인 TB9M003FG는 자동차용 워터 펌프, 오일 펌프, 블로워, 팬 등 3상 브러시리스 DC 모터의 센서리스 제어를 위해 설계되었습니다. 이러한 통합을 통해 부품 수와 시스템 크기를 줄여, 도시바의 소형화 및 효율적인 모터 제어 솔루션에 대한 노력을 다시 한번 입증합니다.
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- 최신 뉴스, 업데이트 및 추세 분석
- 포괄적인 경쟁자 추적을 위한 벤치마크 분석의 힘 활용
목차
1 INTRODUCTION
1.1 OBJECTIVES OF THE STUDY
1.2 MARKET DEFINITION
1.3 OVERVIEW OF GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET
1.4 CURRENCY AND PRICING
1.5 LIMITATION
1.6 MARKETS COVERED
2 MARKET SEGMENTATION
2.1 KEY TAKEAWAYS
2.2 ARRIVING AT THE GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET
2.2.1 VENDOR POSITIONING GRID
2.2.2 TECHNOLOGY LIFE LINE CURVE
2.2.3 MARKET GUIDE
2.2.4 COMPANY POSITIONING GRID
2.2.5 COMPANY MARKET SHARE ANALYSIS
2.2.6 MULTIVARIATE MODELLING
2.2.7 TOP TO BOTTOM ANALYSIS
2.2.8 STANDARDS OF MEASUREMENT
2.2.9 VENDOR SHARE ANALYSIS
2.2.10 DATA POINTS FROM KEY PRIMARY INTERVIEWS
2.2.11 DATA POINTS FROM KEY SECONDARY DATABASES
2.3 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET: RESEARCH SNAPSHOT
2.4 ASSUMPTIONS
3 MARKET OVERVIEW
3.1 DRIVERS
3.2 RESTRAINTS
3.3 OPPORTUNITIES
3.4 CHALLENGES
4 EXECUTIVE SUMMARY
5 PREMIUM INSIGHT
5.1 INDUSTRY ANALYSIS & FUTURISTIC SCENARIO
5.2 PENETRATION AND GROWTH POSPECT MAPPING
5.3 COMPETITOR KEY PRICING STRATEGIES
5.4 TECHNOLOGY ANALYSIS
5.4.1 KEY TECHNOLOGIES
5.4.2 COMPLEMENTARY TECHNOLOGIES
5.4.3 ADJACENT TECHNOLOGIES
5.5 COMPANY COMPETITIVE ANALYSIS
5.5.1 STRATEGIC DEVELOPMENT
5.5.2 TECHNOLOGY IMPLEMENTATION PROCESS
5.5.2.1. CHALLENGES
5.5.2.2. INHOUSE IMPLEMENTATION/OUTSOURCED (THIRD PARTY) IMPLEMENTATION
5.5.3 TECHNOLOGY SPEND OF COMPANY
5.5.4 CUSTOMER BASE
5.5.5 SERVICE POSITIONING
5.5.6 CUSTOMER FEEDBACK/RATING (B2B OR B2C)
5.5.7 APPLICATION REACH
5.5.8 SERVICE PLATFORM MATRIX
5.6 FUNDING DETAILS—INVESTOR DETAILS , REASON OF INVESTMENT FROM INVESTOR
5.7 USED CASES & ITS ANALYSIS
6 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, BY TRANSISTOR TYPE
6.1 OVERVIEW
6.2 MOSFET
6.3 IGBT
7 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, BY SEMICONDUCTOR MATERIAL
7.1 OVERVIEW
7.2 SIC
7.3 GAN
8 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, BY MODE OF ATTACHMENT
8.1 OVERVIEW
8.2 ON-CHIP
8.3 DISCRETE
9 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, BY ISOLATION TECHNIQUE
9.1 OVERVIEW
9.2 MAGNETIC ISOLATION
9.2.1 BY MODE OF ATTACHMENT
9.2.1.1. ON-CHIP
9.2.1.2. DISCRETE
9.3 CAPACITIVE ISOLATION
9.3.1 BY MODE OF ATTACHMENT
9.3.1.1. ON-CHIP
9.3.1.2. DISCRETE
9.4 OPTICAL ISOLATION
9.4.1 BY MODE OF ATTACHMENT
9.4.1.1. ON-CHIP
9.4.1.2. DISCRETE
10 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, BY SALES CHANNEL
10.1 OVERVIEW
10.2 B2B
10.3 B2C
11 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, BY APPLICATION
11.1 OVERVIEW
11.2 RESIDENTIAL
11.2.1 BY TRANSISTOR TYPE
11.2.1.1. MOSFET
11.2.1.2. IGBT
11.2.2 BY SEMICONDUCTOR MATERIAL
11.2.2.1. SIC
11.2.2.2. GAN
11.3 INDUSTRIAL
11.3.1 BY TRANSISTOR TYPE
11.3.1.1. MOSFET
11.3.1.2. IGBT
11.3.2 BY SEMICONDUCTOR MATERIAL
11.3.2.1. SIC
11.3.2.2. GAN
11.4 COMMERCIAL
11.4.1 BY TRANSISTOR TYPE
11.4.1.1. MOSFET
11.4.1.2. IGBT
11.4.2 BY SEMICONDUCTOR MATERIAL
11.4.2.1. SIC
11.4.2.2. GAN
12 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, BY REGION
GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, (ALL SEGMENTATION PROVIDED ABOVE IS REPRESENTED IN THIS CHAPTER BY COUNTRY)
12.1 NORTH AMERICA
12.1.1 U.S.
12.1.2 CANADA
12.1.3 MEXICO
12.2 EUROPE
12.2.1 GERMANY
12.2.2 FRANCE
12.2.3 U.K.
12.2.4 ITALY
12.2.5 SPAIN
12.2.6 RUSSIA
12.2.7 TURKEY
12.2.8 BELGIUM
12.2.9 NETHERLANDS
12.2.10 SWITZERLAND
12.2.11 DENMARK
12.2.12 POLAND
12.2.13 SWEDEN
12.2.14 NORWAY
12.2.15 FINLAND
12.2.16 REST OF EUROPE
12.3 ASIA-PACIFIC
12.3.1 CHINA
12.3.2 JAPAN
12.3.3 INDIA
12.3.4 SOUTH KOREA
12.3.5 AUSTRALIA
12.3.6 SINGAPORE
12.3.7 MALAYSIA
12.3.8 THAILAND
12.3.9 INDONESIA
12.3.10 PHILIPPINES
12.3.11 NEW ZEALAND
12.3.12 TAIWAN
12.3.13 VIETNAM
12.3.14 REST OF ASIA-PACIFIC
12.4 SOUTH AMERICA
12.4.1 BRAZIL
12.4.2 ARGENTINA
12.4.3 REST OF SOUTH AMERICA
12.5 MIDDLE EAST AND AFRICA
12.5.1 SOUTH AFRICA
12.5.2 EGYPT
12.5.3 SAUDI ARABIA
12.5.4 U.A.E
12.5.5 ISRAEL
12.5.6 KUWAIT
12.5.7 OMAN
12.5.8 QATAR
12.5.9 BAHRAIN
12.5.10 REST OF MIDDLE EAST AND AFRICA
12.6 KEY PRIMARY INSIGHTS: BY MAJOR COUNTRIES
13 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET,COMPANY LANDSCAPE
13.1 COMPANY SHARE ANALYSIS: GLOBAL
13.2 COMPANY SHARE ANALYSIS: EUROPE
13.3 COMPANY SHARE ANALYSIS: NORTH AMERICA
13.4 COMPANY SHARE ANALYSIS: ASIA-PACIFIC
13.5 MERGERS & ACQUISITIONS
13.6 NEW PRODUCT DEVELOPMENT AND APPROVALS
13.7 EXPANSIONS
13.8 REGULATORY CHANGES
13.9 PARTNERSHIP AND OTHER STRATEGIC DEVELOPMENTS
14 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, SWOT & DBMR ANALYSIS
15 GLOBAL GATE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT MARKET, COMPANY PROFILE
15.1 INFINEON TECHNOLOGIES AG
15.1.1 COMPANY SNAPSHOT
15.1.2 REVENUE ANALYSIS
15.1.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.1.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.1.5 RECENT DEVELOPMENT
15.2 NOVOSENSE
15.2.1 COMPANY SNAPSHOT
15.2.2 REVENUE ANALYSIS
15.2.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.2.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.2.5 RECENT DEVELOPMENT
15.3 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
15.3.1 COMPANY SNAPSHOT
15.3.2 REVENUE ANALYSIS
15.3.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.3.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.3.5 RECENT DEVELOPMENT
15.4 NXP SEMICONDUCTOR
15.4.1 COMPANY SNAPSHOT
15.4.2 REVENUE ANALYSIS
15.4.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.4.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.4.5 RECENT DEVELOPMENT
15.5 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
15.5.1 COMPANY SNAPSHOT
15.5.2 REVENUE ANALYSIS
15.5.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.5.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.5.5 RECENT DEVELOPMENT
15.6 ROHM CO., LTD.
15.6.1 COMPANY SNAPSHOT
15.6.2 REVENUE ANALYSIS
15.6.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.6.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.6.5 RECENT DEVELOPMENT
15.7 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
15.7.1 COMPANY SNAPSHOT
15.7.2 REVENUE ANALYSIS
15.7.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.7.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.7.5 RECENT DEVELOPMENT
15.8 STMICROELECTRONICS
15.8.1 COMPANY SNAPSHOT
15.8.2 REVENUE ANALYSIS
15.8.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.8.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.8.5 RECENT DEVELOPMENT
15.9 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
15.9.1 COMPANY SNAPSHOT
15.9.2 REVENUE ANALYSIS
15.9.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.9.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.9.5 RECENT DEVELOPMENT
15.1 MOUSER ELECTRONICS INC.
15.10.1 COMPANY SNAPSHOT
15.10.2 REVENUE ANALYSIS
15.10.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.10.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.10.5 RECENT DEVELOPMENT
15.11 TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION
15.11.1 COMPANY SNAPSHOT
15.11.2 REVENUE ANALYSIS
15.11.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.11.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.11.5 RECENT DEVELOPMENT
15.12 HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD
15.12.1 COMPANY SNAPSHOT
15.12.2 REVENUE ANALYSIS
15.12.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.12.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.12.5 RECENT DEVELOPMENT
15.13 V. P. ELECTRONICS
15.13.1 COMPANY SNAPSHOT
15.13.2 REVENUE ANALYSIS
15.13.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.13.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.13.5 RECENT DEVELOPMENT
15.14 PERFECT OPTRONICS LIMITED
15.14.1 COMPANY SNAPSHOT
15.14.2 REVENUE ANALYSIS
15.14.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.14.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.14.5 RECENT DEVELOPMENT
15.15 PRINCETON TECHNOLOGY CORPORATION
15.15.1 COMPANY SNAPSHOT
15.15.2 REVENUE ANALYSIS
15.15.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.15.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.15.5 RECENT DEVELOPMENT
15.16 DIODES INCORPORATED
15.16.1 COMPANY SNAPSHOT
15.16.2 REVENUE ANALYSIS
15.16.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.16.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.16.5 RECENT DEVELOPMENT
15.17 ALLEGRO MICROSYSTEMS INC.
15.17.1 COMPANY SNAPSHOT
15.17.2 REVENUE ANALYSIS
15.17.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.17.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.17.5 RECENT DEVELOPMENT
15.18 ANALOG DEVICES INC.
15.18.1 COMPANY SNAPSHOT
15.18.2 REVENUE ANALYSIS
15.18.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.18.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.18.5 RECENT DEVELOPMENT
15.19 BROADCOM INC.
15.19.1 COMPANY SNAPSHOT
15.19.2 REVENUE ANALYSIS
15.19.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.19.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.19.5 RECENT DEVELOPMENT
15.2 FUJI ELECTRIC CO.
15.20.1 COMPANY SNAPSHOT
15.20.2 REVENUE ANALYSIS
15.20.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.20.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.20.5 RECENT DEVELOPMENT
15.21 LITTEL FUSE INC.
15.21.1 COMPANY SNAPSHOT
15.21.2 REVENUE ANALYSIS
15.21.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.21.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.21.5 RECENT DEVELOPMENT
15.22 VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
15.22.1 COMPANY SNAPSHOT
15.22.2 REVENUE ANALYSIS
15.22.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.22.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.22.5 RECENT DEVELOPMENT
NOTE: THE COMPANIES PROFILED IS NOT EXHAUSTIVE LIST AND IS AS PER OUR PREVIOUS CLIENT REQUIREMENT. WE PROFILE MORE THAN 100 COMPANIES IN OUR STUDY AND HENCE THE LIST OF COMPANIES CAN BE MODIFIED OR REPLACED ON REQUEST
16 CONCLUSION
17 QUESTIONNAIRE
18 RELATED REPORTS
19 ABOUT DATA BRIDGE MARKET RESEARCH
연구 방법론
데이터 수집 및 기준 연도 분석은 대규모 샘플 크기의 데이터 수집 모듈을 사용하여 수행됩니다. 이 단계에는 다양한 소스와 전략을 통해 시장 정보 또는 관련 데이터를 얻는 것이 포함됩니다. 여기에는 과거에 수집한 모든 데이터를 미리 검토하고 계획하는 것이 포함됩니다. 또한 다양한 정보 소스에서 발견되는 정보 불일치를 검토하는 것도 포함됩니다. 시장 데이터는 시장 통계 및 일관된 모델을 사용하여 분석하고 추정합니다. 또한 시장 점유율 분석 및 주요 추세 분석은 시장 보고서의 주요 성공 요인입니다. 자세한 내용은 분석가에게 전화를 요청하거나 문의 사항을 드롭하세요.
DBMR 연구팀에서 사용하는 주요 연구 방법론은 데이터 마이닝, 시장에 대한 데이터 변수의 영향 분석 및 주요(산업 전문가) 검증을 포함하는 데이터 삼각 측량입니다. 데이터 모델에는 공급업체 포지셔닝 그리드, 시장 타임라인 분석, 시장 개요 및 가이드, 회사 포지셔닝 그리드, 특허 분석, 가격 분석, 회사 시장 점유율 분석, 측정 기준, 글로벌 대 지역 및 공급업체 점유율 분석이 포함됩니다. 연구 방법론에 대해 자세히 알아보려면 문의를 통해 업계 전문가에게 문의하세요.
사용자 정의 가능
Data Bridge Market Research는 고급 형성 연구 분야의 선두 주자입니다. 저희는 기존 및 신규 고객에게 목표에 맞는 데이터와 분석을 제공하는 데 자부심을 느낍니다. 보고서는 추가 국가에 대한 시장 이해(국가 목록 요청), 임상 시험 결과 데이터, 문헌 검토, 재생 시장 및 제품 기반 분석을 포함하도록 사용자 정의할 수 있습니다. 기술 기반 분석에서 시장 포트폴리오 전략에 이르기까지 타겟 경쟁업체의 시장 분석을 분석할 수 있습니다. 귀하가 원하는 형식과 데이터 스타일로 필요한 만큼 많은 경쟁자를 추가할 수 있습니다. 저희 분석가 팀은 또한 원시 엑셀 파일 피벗 테이블(팩트북)로 데이터를 제공하거나 보고서에서 사용 가능한 데이터 세트에서 프레젠테이션을 만드는 데 도움을 줄 수 있습니다.

