Global Gallium Oxide Materials Market Size, Share, and Trends Analysis Report – Visão geral da indústria e previsão para 2033

Qual é o tamanho e a taxa de crescimento do mercado de materiais de óxido de gálio

• De acordo com a análise da Data Bridge Market Research, o mercado de materiais de óxido de gálio foi avaliado em182,46 milhões de USD em 2025e é projetado para alcançar470,82 milhões de USD em 2033, crescendo emCAGR de 12,58% de 2026 a 2033.
• O mercado está experimentando um crescimento robusto impulsionado pela crescente demanda por materiais semicondutores de banda larga, avanços rápidos em eletrônica de energia e dispositivos optoeletrônicos deep-ultraviolet e expansão da adoção em veículos elétricos, sistemas de energia renovável, aeroespacial e infraestrutura de comunicação de última geração.
• A crescente necessidade de dispositivos semicondutores de alta tensão, alta temperatura e alta frequência, combinados com investimentos contínuos em crescimento de cristais de óxido de gálio, tecnologias epitaxiais e fabricação avançada de wafers, está acelerando a adoção comercial de materiais de óxido de gálio. β-Ga2O3 está sendo cada vez mais explorado como substituto de materiais semicondutores convencionais devido à sua faixa ultra-larga e alto campo elétrico de ruptura crítico, tornando-o altamente adequado para dispositivos de energia de próxima geração e detectores ultravioletas solar-cegos

Tamanho e previsão do mercado

• Valor de Mercado Global (2025): USD 182,46 milhões
• Valor de mercado esperado (2033): USD 470,82 milhões
• Previsões CAGR (2026-2033): 12,58%
• Região líder em 2025: América do Norte
• Região de crescimento mais rápido: Ásia-Pacífico

Quais são os principais destinos do mercado de materiais de óxido de gálio

• A América do Norte dominou o mercado de materiais de óxido de gálio com a maior parcela de receita de 38,2% em 2025, apoiada por avançados recursos de fabricação de semicondutores, e crescente demanda por eletrônicos de alto desempenho em aplicações automotivas, de defesa e de data center.
• Espera-se que a Ásia-Pacífico seja a região de crescimento mais rápido em um CAGR de 16,8% de 2026 a 2033, alimentado pela expansão da fabricação de semicondutores, liderança tecnológica e investimentos governamentais substanciais em materiais avançados e infraestrutura de energia renovável.
• O segmento de óxido de gálio beta (β-Ga2O3) liderou o mercado com uma participação de 63,4% em 2025, impulsionado por seu bandgap ultra-larga (~4.8 eV), campo elétrico de ruptura crítica excepcionalmente alta, e estabilidade térmica e química superior.
• O óxido de gálio de epsilon (ε-Ga2O3) é o tipo de produto de crescimento mais rápido, projetado para registrar um CAGR de 16,9%, refletindo o aumento em propriedades de polarização intrínsecas e potencial de crescimento para transistores de alta mobilidade eletrono (HEMTs) e dispositivos de RF.
• O segmento de epitaxia de feixe molecular (MBE) dominou a categoria de tecnologia com uma participação de 42,8% de receita em 2025, liderada por sua capacidade de produzir camadas de óxido de gálio epitaxial de alta qualidade com controle preciso de espessura e composição.
• Os dispositivos de potência e alta tensão representaram 56,7% do market share em 2025, preferidos pelo aumento da demanda por materiais semicondutores capazes de operar em altas tensões, altas temperaturas e altas frequências de comutação.
• O segmento de sensores de gás é a categoria de aplicação de maior crescimento, com um CAGR de 16,2%, impulsionado pela crescente demanda por soluções de monitoramento ambiental e segurança industrial em tempo real.

Segmentação do mercado de materiais de óxido de gálio

Qual é a tendência chave no mercado de materiais de óxido de gálio

• A comercialização de materiais semicondutores de óxido de gálio de banda ultra-larga está acelerando para permitir dispositivos de potência de alta tensão, baixa perda e alta temperatura para veículos elétricos, sistemas de energia renovável, aeroespacial e eletrônica industrial.
• Por exemplo, em agosto de 2025, a Kyma Technologies e a Novel Crystal Technology anunciaram uma colaboração estratégica para desenvolver wafers epitaxiais de óxido de gálio de 150 mm para eletrônica de potência multi-kV, apoiando a comercialização de dispositivos Ga2O3 de última geração.
• Avanços contínuos no crescimento de cristais a granel, fabricação de wafers epitaxiais e redução de defeitos estão melhorando a qualidade do material e acelerando a transição da pesquisa em escala laboratorial para a fabricação de semicondutores comerciais.
• Os fabricantes de semicondutores estão cada vez mais investindo em substratos nativos de óxido de gálio e em tecnologias epitaxiais para melhorar a eficiência do dispositivo, tensão de ruptura e confiabilidade para eletrônica de potência de banda larga.
• Por exemplo, em agosto de 2024, um estudo publicado em Interfaces de Materiais Avançados demonstrou fabricação controlada de heteroestruturas de óxido de gálio ultrafinas para dispositivos ReRAM de baixa potência, destacando o potencial de expansão da aplicação de óxido de gálio além da eletrônica convencional de alta potência.
• Como a demanda por materiais semicondutores de alta tensão de última geração continua a aumentar nas indústrias automotiva, de energia renovável, aeroespacial e de defesa, a comercialização de materiais de óxido de gálio deve acelerar significativamente.

Quais são os principais condutores do mercado de materiais de óxido de gálio

• A crescente demanda de materiais semicondutores de banda larga para alta tensão, alta frequência e eletrônica de potência de alta temperatura está aumentando significativamente o investimento no desenvolvimento de materiais de óxido de gálio e na comercialização de dispositivos.
• Por exemplo, em fevereiro de 2025, pesquisadores publicaram um estudo na Nature Communications demonstrando um processo de impressão de metais líquidos assistidos por pressão de baixa temperatura para transistores de filme fino β-Ga2O3, permitindo a fabricação econômica de dispositivos de óxido de gálio de alto desempenho para eletrônica de potência, optoeletrônica ultravioleta profunda, eletrônica wearable e aplicações de ambiente severo, acelerando ainda mais a adoção comercial de materiais de óxido de gálio.
• Os fabricantes de veículos elétricos, desenvolvedores de energia renovável e fornecedores de equipamentos industriais de energia estão cada vez mais avaliando dispositivos de óxido de gálio para melhorar a eficiência de comutação, reduzir as perdas de energia e suportar tensões operacionais mais elevadas.
• Por exemplo, em outubro de 2024, pesquisadores relataram β-Ga2O3 MIS Schottky Barrier Diodes com uma camada interfacial AlN em Transações IEEE em Dispositivos Eletrônicos, demonstrando tecnologia adequada para aplicações de potência de alta tensão de ruptura, reforçando o potencial comercial do óxido de gálio na próxima-
• Com as indústrias priorizando maior eficiência, conversão de energia compacta e tecnologias confiáveis de semicondutores de alta tensão, os materiais de óxido de gálio devem se tornar uma plataforma crítica para dispositivos eletrônicos de potência de próxima geração.

Que fatores estão desafiando o crescimento do mercado de materiais de óxido de gálio

• Os materiais de óxido de gálio enfrentam desafios de comercialização devido à disponibilidade limitada de substratos de massa livres de defeitos, processos complexos de crescimento epitaxial e ao alto custo de produção de wafers semicondutores de grau de dispositivo.
• Essas limitações de fabricação restringem a capacidade de produção em larga escala e retardam a adoção mais ampla em aplicações comerciais de eletrônica de energia e semicondutores.
• Por exemplo, em setembro de 2024, um artigo no Applied Physics Express relatou que, embora os tamanhos de wafer β-Ga2O3 tenham se expandido para 4-6 polegadas, altos custos de epi-wafer, defeitos assassinos e problemas de pureza da camada epitaxial permanecem significativos obstáculos à comercialização prática e adoção industrial em larga escala.
• Os altos requisitos de capital associados ao crescimento de cristais, processamento de wafers e deposição epitaxial avançada continuam a limitar a entrada no mercado para fabricantes e organizações de pesquisa emergentes.
• Por exemplo, Em outubro de 2025, um artigo publicado em Materials Today Advances identificou altos custos de fabricação, baixa condutividade térmica, cadinhos de irídio caros para o crescimento de cristais a granel, e disponibilidade limitada de gálio de alta pureza como principais barreiras que impedem a comercialização em larga escala de dispositivos de potência de óxido de gálio.
• Altos custos de produção e disponibilidade restrita de substratos continuam a retardar a comercialização, limitando a implantação generalizada de materiais de óxido de gálio, apesar da demanda rapidamente crescente por tecnologias semicondutoras de banda larga.

Como é segmentado o mercado de materiais de óxido de gálio

O mercado de materiais de óxido de gálio é segmentado com base no tipo de produto, tecnologia, aplicação e usuário final.

• Por tipo de produto

Com base no tipo de produto, o mercado de materiais de óxido de gálio é segmentado em óxido de gálio alfa (α-Ga2O3), óxido de gálio beta (β-Ga2O3), óxido de gálio gama (γ-Ga2O3), óxido de gálio delta (δ-Ga2O3) e óxido de gálio epsilon (ε-Ga2O3). O segmento de óxido de gálio beta (β-Ga2O3) dominou o mercado com uma participação estimada de 63,4% em 2025, devido à sua bandagap ultra-larga (~4,8 eV), campo elétrico de ruptura crítica excepcionalmente alta, e estabilidade térmica e química superior. É o polimorfo de óxido de gálio mais maduro e comercialmente disponível, tornando-o o material preferido para eletrônicos de alta tensão e dispositivos optoeletrônicos ultravioletas. Os substratos β-Ga2O3 podem ser produzidos utilizando técnicas de crescimento de fusão eficientes em termos de custo, apoiando a fabricação escalável. O material é amplamente adotado para diodos de barreira Schottky, MOSFETs e fotodetectores UV. Fortes investimentos de fabricantes de semicondutores e institutos de pesquisa continuam a reforçar sua liderança no mercado. Sua combinação de desempenho e prontidão comercial torna β-Ga2O3 o segmento de produto dominante.

O segmento de óxido de gálio de épsilon (ε-Ga2O3) é projetado para registrar o crescimento mais rápido em um CAGR estimado de 16,9% de 2026 a 2033, impulsionado por suas propriedades de polarização intrínseca e potencial crescente para transistores de alta mobilidade eletrono (HEMTs) e dispositivos de RF. Pesquisadores estão cada vez mais explorando ε-Ga2O3 para aplicações eletrônicas avançadas e optoeletrônicas que exigem alta mobilidade dos transportadores. O progresso nas técnicas de crescimento epitaxial está melhorando a qualidade dos cristais e permitindo uma adoção mais ampla. O aumento da procura de sistemas de comunicação da próxima geração está a criar novas oportunidades. Programas de pesquisa de semicondutores financiados pelo governo estão acelerando a inovação. À medida que a comercialização avança, espera-se que o segmento ganhe um impulso significativo.

• Por Tecnologia

Com base na tecnologia, o mercado de materiais de óxido de gálio é segmentado em epitaxia de feixe molecular (mbe), deposição química de vapor (cvd), síntese química, vaporização térmica e sublimação, entre outros. O segmento de epitaxia do feixe molecular (MBE) dominou o mercado com uma participação estimada de 42,8% em 2025, devido à sua capacidade de produzir camadas de óxido de gálio epitaxial de alta qualidade com controle preciso de espessura e composição. O MBE permite a fabricação de estruturas semicondutoras de baixo defeito necessárias para dispositivos avançados de potência e optoeletrônica de UV profundo. A tecnologia é amplamente utilizada em laboratórios de pesquisa e programas de desenvolvimento de semicondutores devido à sua excepcional pureza material. Ele também suporta controle de dopagem preciso essencial para dispositivos eletrônicos de próxima geração. Investimentos contínuos na fabricação de semicondutores estão fortalecendo a adoção. Sua precisão e qualidade do material continuam a torná-lo a principal tecnologia de deposição.

Espera-se que o segmento de deposição de vapor químico (CVD) testemunhe o crescimento mais rápido em um CAGR estimado de 15,8% de 2026 a 2033, impulsionado pelo aumento da demanda pela fabricação de wafer escalável e rentável. As DCV permitem deposição uniforme em substratos de grande área adequados para produção de semicondutores comerciais. Melhorias na química precursora e no projeto de reatores estão melhorando a qualidade do filme e a eficiência do processo. A tecnologia é cada vez mais adotada para a fabricação de eletrônicos de energia comercial. O aumento dos investimentos em produtos semicondutores avançados favorece ainda mais o crescimento. A sua escalabilidade deverá acelerar a expansão do mercado.

• Por Aplicação

Com base na aplicação, o mercado de materiais de óxido de gálio é segmentado em dispositivos de potência e alta tensão, dispositivos eletroluminescentes, sensores de gás, entre outros. O segmento de dispositivos de potência e alta tensão dominou o mercado com uma participação estimada de 56,7% em 2025, impulsionada pelo aumento da demanda por materiais semicondutores capazes de operar em altas tensões, altas temperaturas e altas frequências de comutação. O óxido de gálio permite dispositivos de potência menores e mais eficientes em termos energéticos do que muitos materiais convencionais. O material é cada vez mais utilizado em veículos elétricos, sistemas de energia renovável, fontes de energia industrial e infraestrutura de rede inteligente. Os investimentos crescentes em tecnologias de conversão de energia eficientes estão acelerando a adoção comercial. A inovação contínua no design de semicondutores de potência fortalece a liderança deste segmento. Seu desempenho elétrico superior o torna o maior segmento de aplicação.

O segmento de sensores de gás é projetado para registrar o crescimento mais rápido em um CAGR estimado de 16,2% de 2026 a 2033, apoiado pela crescente demanda por monitoramento ambiental em tempo real e soluções de segurança industrial. O óxido de gálio exibe excelente sensibilidade para gases combustíveis e tóxicos, tornando-o adequado para aplicações avançadas de detecção. O aumento da implementação de regulamentos de monitoramento de emissões está impulsionando a adoção em indústrias de manufatura e energia. Pesquisa em sensores de óxido de gálio nanoestruturados está melhorando a precisão de detecção e tempo de resposta. Os crescentes investimentos em cidades inteligentes e automação industrial estão criando oportunidades adicionais. Esses fatores são esperados para impulsionar a expansão rápida.

• Por Usuário Final

Com base no usuário final, o mercado de materiais de óxido de gálio é segmentado em eletrônicos de consumo, telecomunicações, eletrônicos automotivos, eletrônicos industriais, aeroespacial e de defesa, e institutos de pesquisa. O segmento de eletrônica industrial dominou o mercado com uma participação estimada de 34,9% em 2025, devido ao aumento da implantação de dispositivos de alta tensão na automação industrial, sistemas de distribuição de energia, infraestrutura de energia renovável e equipamentos elétricos pesados. Os usuários industriais exigem materiais semicondutores capazes de fornecer alta eficiência e operação confiável em condições extremas. O óxido de gálio atende a esses requisitos através de tensão de ruptura superior e estabilidade térmica. O aumento dos investimentos em electrificação industrial continua a apoiar a procura. A modernização da infra-estrutura de energia está a reforçar a adopção. Esses fatores fazem da eletrônica industrial o principal segmento de usuário final.

Espera-se que o segmento de eletrônicos automotivos testemunhe o crescimento mais rápido em um CAGR estimado de 17,1% de 2026 a 2033, impulsionado pelo aumento da eletrificação de veículos e ampliação da adoção de dispositivos semicondutores de alta eficiência. Os veículos elétricos requerem componentes compactos de alta tensão capazes de melhorar a eficiência da bateria e reduzir as perdas de energia. O óxido de gálio está ganhando atenção para inversores de tração, carregadores de bordo e sistemas de gerenciamento de energia. Investimentos contínuos por fabricantes automotivos estão acelerando a pesquisa e comercialização. As iniciativas governamentais de apoio à mobilidade eléctrica aumentam ainda mais a procura. Espera-se que essas tendências posicionem a eletrônica automotiva como o segmento de usuário final de crescimento mais rápido.

Qual é a região que detém a maior parte do mercado de materiais de óxido de gálio

• A América do Norte dominou o mercado de materiais de óxido de gálio com a maior quota de receita de 38,2% em 2025, apoiada por capacidades avançadas de fabricação de semicondutores, e crescente demanda por eletrônica de alta performance em aplicações automotivas, de defesa e de data center.
• A região também se beneficia de um forte financiamento governamental para a fabricação de semicondutores domésticos, aumento da demanda por eletrônicos de alta tensão e expansão da adoção de materiais de óxido de gálio em veículos elétricos, aeroespacial e de defesa, energia renovável e aplicações de eletrônicos industriais. Investimentos contínuos em tecnologias semicondutoras de última geração e iniciativas de comercialização continuam a fortalecer a posição de liderança da América do Norte no mercado global.

U.S. Gallium Oxide Materials Market Insight

O mercado de materiais de óxido de gálio dos EUA está testemunhando forte crescimento devido ao aumento dos investimentos em pesquisa de semicondutores de banda larga, fabricação doméstica de semicondutores e eletrônica de energia de próxima geração. O robusto ecossistema semicondutor do país, juntamente com a adoção crescente de óxido de gálio para veículos elétricos, aplicações aeroespacial, de defesa e de energia renovável, está impulsionando o interesse comercial. Além disso, as iniciativas federais ao abrigo do CHIPS e Science Act estão acelerando a pesquisa avançada de materiais e a localização da cadeia de suprimentos de semicondutores. Em agosto de 2025, a Kyma Technologies fez parceria com a Novel Crystal Technology do Japão para comercializar epiwafers de óxido de gálio de 150 mm para dispositivos de energia de última geração, fortalecendo ainda mais a posição do mercado dos EUA.

Visão do mercado de materiais de gálio asiático-pacífico

Espera-se que o mercado de materiais de óxido de gálio Ásia-Pacífico testemunhe rápido crescimento, impulsionado pela expansão da capacidade de fabricação de semicondutores, aumento da produção de veículos elétricos e investimentos significativos em materiais eletrônicos avançados em toda a China, Japão, Coreia do Sul e Taiwan. O crescente apoio governamental à auto-suficiência de semicondutores, juntamente com a crescente demanda por dispositivos de potência de alta eficiência, está apoiando a expansão regional do mercado. Além disso, a região hospeda vários desenvolvedores líderes de cristais e substratos de óxido de gálio, acelerando as atividades de comercialização. A Novel Crystal Technology do Japão continua sendo uma das pioneiras globais na produção comercial de substratos β-Ga2O3, apoiando a liderança tecnológica regional.

Visão do mercado de materiais de óxido de gálio do Japão

O mercado de materiais de óxido de gálio do Japão está testemunhando um crescimento consistente devido a investimentos contínuos em tecnologias semicondutoras de banda larga, crescimento avançado de cristais e pesquisa eletrônica de energia. Empresas japonesas e institutos de pesquisa são líderes globais no desenvolvimento de substratos β-Ga2O3, fabricação de wafers epitaxiais e comercialização de semicondutores de última geração. Além disso, iniciativas de semicondutores apoiadas pelo governo e uma forte colaboração entre a academia e a indústria continuam a acelerar a inovação. Novel Crystal Technology é reconhecida globalmente para a fabricação comercial de substrato de óxido de gálio e continua expandindo as capacidades de produção para aplicações de semicondutores de potência.

China Gálio Materiais de Óxido Visão do Mercado

O mercado de materiais de óxido de gálio da China está crescendo rapidamente, impulsionado pela expansão da fabricação doméstica de semicondutores, aumentando os investimentos em tecnologias de semicondutores de potência, e forte apoio do governo para a localização de semicondutores. A crescente produção de veículos elétricos, equipamentos de energia renovável e eletrônicos de energia industrial está aumentando significativamente a demanda por materiais de banda larga. Além disso, o domínio da China na produção global de gálio fornece um fornecimento estável de matéria-prima para a fabricação de óxido de gálio. De acordo com o U.S. Geological Survey (USGS), a China continua a ser o maior produtor mundial de gálio primário, reforçando sua posição estratégica na cadeia de valor do óxido de gálio.

Informações sobre o mercado de materiais de óxido de gálio do Reino Unido

O mercado de materiais de óxido de gálio do Reino Unido está experimentando crescimento constante, apoiado pelo aumento dos investimentos em pesquisa de semicondutores compostos, inovação avançada de materiais e desenvolvimento de eletrônica de energia. Universidades e organizações de pesquisa estão ativamente investigando óxido de gálio para dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de próxima geração. Além disso, o apoio do governo através da Estratégia Nacional de Semicondutores do Reino Unido está a reforçar as capacidades de I&D de semicondutores e a incentivar a colaboração entre a academia e a indústria. Estas iniciativas estão posicionando o Reino Unido como um centro de inovação emergente para materiais semicondutores avançados.

Germany Gallium Oxide Materials Market Insight

O mercado de materiais de óxido de gálio da Alemanha está se expandindo constantemente devido à forte indústria eletrônica de energia do país, infraestrutura avançada de pesquisa de semicondutores e crescente foco em tecnologias industriais eficientes em termos energéticos. Os institutos de pesquisa alemães e as empresas de semicondutores estão desenvolvendo ativamente dispositivos semicondutores de banda larga para mobilidade elétrica e sistemas de energia renovável. Investimentos contínuos no âmbito da European Chips Act e programas de pesquisa colaborativa estão acelerando ainda mais a inovação em óxido de gálio. Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF) continua avançando pesquisas sobre materiais semicondutores de larga banda de última geração, apoiando a liderança da Alemanha em inovação de semicondutores.

Quais são as principais empresas no mercado de materiais de óxido de gálio

A indústria de materiais de óxido de gálio é liderada principalmente por empresas bem estabelecidas, incluindo:

• Nova Tecnologia Cristal, Inc.. (Japão)
• Kyma Technologies(EUA)
• FLOSFIA, Inc.(Japão)
• AGC Inc.(Japão)
• Mitsubishi Electric Corporation(Japão)
• ROHM Co., Ltd (Japão)
• Taiyo Nippon Sanso Corporation (Japão)
• JX Advanced Metals Corporation (Japão)
• Torex Semiconductor Ltd. (Japão)
• CORPORAÇÃO ELÉTRICA DA YASKAWA (Japão)
• SHINDENGEN ELECTRICING CO., LTD. (Japão)
• Sojitz Machinery Corporation (Japão)
• CBC Co., Ltd. (Japão)
• Iwatani Corporation (Japão)
• AIXTRON SE (Alemanha)
• Veeco Instruments Inc. (EUA)
• Oxford Instruments plc (U.K.)
• CreaTec Fischer & Co. GmbH (Alemanha)
• Ferrotec Holdings Corporation (Japão)

Quais são as últimas evoluções no mercado de materiais de óxido de gálio

• Em agosto de 2025, a Kyma Technologies e a Novel Crystal Technology anunciaram uma colaboração estratégica para desenvolver wafers epitaxiais comerciais de 150 mm de óxido de gálio (Ga2O3) para eletrônica de potência de última geração. A parceria combina a expertise em substratos β-Ga2O3 da Novel Crystal Technology com as capacidades de crescimento epitaxial da Kyma para acelerar a comercialização de epiwafers de alta qualidade para veículos elétricos, sistemas de energia renovável, aplicações aeroespaciais e industriais, fortalecendo a cadeia global de fornecimento de óxido de gálio
• Em abril de 2025, a Novel Crystal Technology anunciou o desenvolvimento do transistor de óxido de gálio de maior desempenho mundial, obtendo melhorias significativas no desempenho do dispositivo para aplicações de potência de alta tensão. O avanço aumenta a viabilidade comercial de semicondutores β-Ga2O3 e apoia sua adoção em veículos elétricos, sistemas de energia industrial, infraestrutura de energia renovável e tecnologias de conversão de energia de próxima geração.
• Em março de 2024, a Novel Crystal Technology anunciou um avanço na tecnologia de crescimento de cristais β-Ga2O3, permitindo a produção de substratos de óxido de gálio de maior qualidade com maior uniformidade de cristal. O desenvolvimento é esperado para aumentar o rendimento da wafer, melhorar a confiabilidade do dispositivo e apoiar a fabricação em larga escala de semicondutores de potência de óxido de gálio para aplicações comerciais.
• Em março de 2022, a Novel Crystal Technology, em colaboração com Taiyo Nippon Sanso, Tokyo University of Agriculture and Technology, e NEDO, demonstrou com sucesso a primeira deposição epitaxial mundial de β-Ga2O3 em uma wafer de 6 polegadas usando o método HVPE. O avanço permite a produção de wafers de óxido de gálio de grande diâmetro e baixo custo e representa um marco significativo na comercialização de dispositivos de potência de alta tensão para veículos elétricos e sistemas de energia industrial.
• Em dezembro de 2021, a Novel Crystal Technology anunciou o primeiro díodo de barreira Schottky da ampere-class 1200 V, demonstrando uma operação estável de alta corrente com tecnologia β-Ga2O3 de banda larga. A conquista marcou um grande passo para a comercialização prática de dispositivos de energia de óxido de gálio para conversão de energia de alta eficiência, veículos elétricos, sistemas de energia renovável e eletrônicos industriais.

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