Global Gan And Sic Power Semiconductor Market
市场规模(十亿美元)
CAGR :
%
USD
775.18 Million
USD
6,342.86 Million
2024
2032
| 2025 –2032 | |
| USD 775.18 Million | |
| USD 6,342.86 Million | |
|
|
|
|
全球 GaN 和 SiC 功率半導體市場,按產品(SiC 功率模組、GaN 功率模組、分離式 SiC 和分離式 GaN)、應用(電源、工業馬達驅動器、H/EV、PV 逆變器、牽引和其他)劃分——行業趨勢和預測至 2032 年。
氮化鎵和碳化矽功率半導體市場規模
- 2024年全球氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體市場規模為7.7518億美元 ,預計 2032年將達到63.4286億美元,預測期內 複合年增長率(CAGR)為30.05% 。
- 市場成長的主要驅動力是:對節能型電力電子產品的需求不斷增長、電動車的快速普及以及太陽能和風能等再生能源系統的擴張。
- 消費者和工業界對永續性的日益關注,以及高頻高溫半導體技術的進步,正進一步推動OEM和售後市場通路的市場需求。
氮化鎵和碳化矽功率半導體市場分析
- 隨著各產業在先進電子系統中優先考慮能源效率、高功率密度和熱管理,GaN 和 SiC 功率半導體市場正經歷強勁成長。
- 電動車和再生能源領域日益增長的需求正促使製造商在高效、耐用和高頻半導體解決方案方面進行創新。
- 北美在氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體市場佔據主導地位,預計到2024年將佔據33%的市場份額,這主要得益於其成熟的汽車產業、對再生能源的大量投資以及強大的半導體製造能力。
- 預計亞太地區將在預測期內成為成長最快的地區,這主要得益於中國、日本和韓國等國家快速的城市化進程、電動車普及率的提高以及對電力電子產品需求的增長。
- 2024年,碳化矽功率模組細分市場佔據了最大的市場份額,達到45%,這主要得益於其在高功率密度應用領域(例如電動車、再生能源系統和工業設備)的卓越效率。
報告範圍及氮化鎵和碳化矽功率半導體市場細分
|
屬性 |
氮化鎵和碳化矽功率半導體關鍵市場洞察 |
|
涵蓋的領域 |
|
|
覆蓋國家/地區 |
北美洲
歐洲
亞太
中東和非洲
南美洲
|
|
主要市場參與者 |
|
|
市場機遇 |
|
|
加值資料資訊集 |
除了對市場狀況(如市場價值、成長率、細分、地理覆蓋範圍和主要參與者)的洞察之外,Data Bridge Market Research 精心編制的市場報告還包括深入的專家分析、按地域劃分的公司生產和產能、分銷商和合作夥伴的網絡佈局、詳細和最新的價格趨勢分析以及供應鏈和需求的缺口分析。 |
氮化鎵和碳化矽功率半導體市場趨勢
“寬禁帶半導體在提高能源效率方面的應用日益廣泛”
- 與傳統的矽基半導體相比,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體由於具有更高的能量效率和更低的功率損耗,正日益受到青睞。
- 這些寬頻隙材料能夠實現更高的工作溫度、更快的開關速度和更低的能量損耗,使其成為高效能應用的理想選擇。
- 在電動車(EV)中,SiC功率模組因其能夠承受高電壓和高溫而備受青睞,從而提高了逆變器和車載充電器的效率。
- 由於氮化鎵功率模組具有高開關速度和緊湊設計等優點,它們在電信和消費性電子領域,尤其是在快速充電器和5G基礎設施方面,正獲得越來越多的應用。
- 例如,英飛凌科技和納維達半導體等公司正在將氮化鎵和碳化矽解決方案整合到電動車充電系統和再生能源逆變器中,以提高性能並降低能耗。
- 汽車製造商正越來越多地將碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體作為標準組件應用於混合動力汽車和電動車(H/EV)中,以優化動力系統效率並延長續航里程。
- 再生能源應用,例如光伏逆變器和風力渦輪機轉換器,正在採用碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN),因為它們能夠最大限度地提高能量輸出並最大限度地減少功率損耗。
氮化鎵和碳化矽功率半導體市場動態
司機
“對電動車和再生能源的需求激增”
- 全球對電動和混合動力汽車日益增長的需求推動了氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體的應用,這些半導體為逆變器、充電器和直流-直流轉換器等電動車組件提供了高效率和良好的散熱管理。
- 太陽能和風能等再生能源系統的擴張,增加了對高效功率轉換解決方案的需求,而碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體在光伏逆變器和儲能係統中展現出卓越的性能。
- 這些半導體能夠減少能量損耗,並實現緊湊輕巧的設計,有助於提高車輛的燃油效率,並降低工業應用中的營運成本。
- 各國政府為促進清潔能源和電氣化而推出的各項措施和激勵措施,尤其是在北美、歐洲和亞太地區,正在加速碳化矽和氮化鎵技術的應用。
- 例如,西門子能源和維斯塔斯已在太陽能和風能係統中部署了碳化矽和氮化鎵半導體,以提高電力轉換效率和可靠性。
- 5G技術和工業自動化的興起進一步推動了對氮化鎵半導體的需求,氮化鎵半導體在電信基礎設施等高頻應用領域表現出色。
克制/挑戰
“生產成本高昂,製造流程複雜”
- SiC和GaN功率半導體的生產涉及先進材料和複雜的製造技術,因此與矽基半導體相比,其製造成本更高。
- 專業設備、嚴格的品質控制以及有限的規模經濟都會增加啟動和營運成本,從而影響產品定價和市場競爭力。
- 高品質SiC和GaN基板的供應有限,導致供應鏈受限,並可能對生產規模化造成乾擾。
- 例如,碳化矽基板比矽片更昂貴且生產難度更高,而氮化鎵則需要複雜的外延生長工藝,從而增加了成本。
- 設計和整合GaN和SiC裝置所需的技術專長是一項障礙,因為從矽基技術過渡到SiC技術需要專門的知識和技能。
- 這些挑戰可能會阻礙成本敏感型市場對氮化鎵和碳化矽半導體的應用,並限制其規模化生產,尤其是在消費性電子和低利潤產業。
氮化鎵和碳化矽功率半導體市場範圍
市場按產品和應用進行細分。
- 副產品
根據產品類型,GaN和SiC功率半導體市場可細分為SiC功率模組、GaN功率模組、分離式SiC和分離式GaN。 2024年,SiC功率模組佔據了最大的市場份額,達到45%,這主要得益於其在高功率密度應用(例如電動車、再生能源系統和工業設備)中的卓越效率。 SiC功率模組因其高導熱性、低開關損耗以及能夠在高電壓和高溫下工作而備受青睞,使其成為電動車逆變器和光伏逆變器等嚴苛環境的理想選擇。
預計從2025年到2032年,分離式氮化鎵(GaN)裝置市場將以約30%的複合年增長率(CAGR)實現最快成長。這一成長主要得益於消費性電子、電信以及中低功率應用(例如快速充電器和資料中心)領域對GaN元件需求的不斷增長。分離式GaN元件具有高開關速度和緊湊設計,為高頻應用提供了高效且經濟的解決方案。
- 透過申請
根據應用領域,GaN和SiC功率半導體市場可細分為電源、工業馬達驅動、混合動力/電動車(H/EV)、光伏逆變器、牽引和其他應用。受消費性電子、資料中心和工業應用領域對高效電源管理系統需求的不斷增長的推動,電源領域預計將在2025年佔據最大的市場份額。 GaN和SiC半導體能夠實現緊湊、輕巧且節能的電源,從而支持全球對永續發展和降低能耗的追求。
預計在2025年至2032年間,混合動力/電動車(H/EV)細分市場將呈現最快的複合年增長率,這主要得益於電動車的快速普及以及對高效能電力電子產品的需求。碳化矽(SiC)功率模組因其能夠承受高電壓和高溫而被廣泛應用於電動車逆變器和車載充電器中;而氮化鎵(GaN)裝置則因其快速開關能力而在直流-直流轉換器中日益受到關注,這有助於延長續航里程並縮短充電時間。
氮化鎵和碳化矽功率半導體市場區域分析
- 北美在氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體市場佔據主導地位,預計到2024年將佔據33%的市場份額,這主要得益於其成熟的汽車產業、對再生能源的大量投資以及強大的半導體製造能力。
- 預計亞太地區將在預測期內成為成長最快的地區,這主要得益於中國、日本和韓國等國家快速的城市化進程、電動車普及率的提高以及對電力電子產品需求的增長。
美國氮化鎵和碳化矽功率半導體市場洞察
預計美國將成為北美氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體市場成長最快的地區,這主要得益於數位內容的不斷增長、多媒體串流媒體的蓬勃發展以及智慧家居生態系統的擴張。消費者日益尋求可靠且可擴展的儲存解決方案,以存放其不斷增長的數位媒體庫,包括高解析度媒體和個人資料。家庭媒體儲存需求的成長,加上智慧家庭應用的進步以及混合雲端儲存解決方案的出現,進一步推動了市場發展。此外,對資料隱私和安全的擔憂也促使用戶選擇本地部署的NAS解決方案作為公有雲儲存的替代方案,以更好地掌控自己的資料。
歐洲氮化鎵和碳化矽功率半導體市場洞察
預計在預測期內,歐洲氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 功率半導體市場將以顯著的複合年增長率 (CAGR) 成長。這一增長主要受 GDPR 等嚴格的資料隱私法規的推動,這些法規促使市場對安全本地儲存系統的需求不斷增長。歐洲消費者優先考慮能夠增強資料控制權的解決方案。此外,該地區城市化進程加快,對連網設備的需求日益增長,也促進了 NAS 系統在住宅、商業和多戶住宅等應用領域的普及。
英國氮化鎵和碳化矽功率半導體市場洞察
英國氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 功率半導體市場預計在預測期內將以顯著的複合年增長率 (CAGR) 成長。這一成長主要受安全、集中式資料儲存需求不斷增長的推動,尤其是在 4K 視訊和高解析度影像等數位內容量持續攀升的情況下。遠距辦公和居家辦公的日益普及也加速了對 NAS 解決方案的需求,因為 NAS 解決方案為資料儲存、安全性和協作提供了可靠的平台。英國對數位內容創作和消費的積極擁抱,以及對強大數據備份解決方案的需求,預計將繼續刺激市場成長。
德國氮化鎵和碳化矽功率半導體市場洞察
受數位安全意識的提升以及對技術先進、注重隱私保護的解決方案的需求推動,德國氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 功率半導體市場預計將以可觀的複合年增長率 (CAGR) 增長。德國完善的基礎設施,以及對創新和永續發展的重視,促進了網路附加儲存 (NAS) 技術的普及,尤其是在資料保護至關重要的住宅和商業建築領域。消費者對安全本地儲存解決方案的信任是重要的驅動因素,這與當地消費者的期望相符。
亞太地區氮化鎵和碳化矽功率半導體市場洞察
亞太地區的氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體市場預計將以最快的複合年增長率成長,這主要得益於中國、日本和印度等國家不斷加快的城市化進程、可支配收入的增加以及技術的飛速發展。該地區對智慧家庭的日益青睞,以及政府推動數位化措施的支持,正在加速NAS解決方案的普及。隨著亞太地區逐漸成為NAS組件和系統的製造中心,這些設備的價格優勢和普及程度正在不斷提高,惠及更廣泛的消費族群。智慧型手機和平板電腦在新興經濟體的日益普及,也進一步推動了對高效能資料儲存和管理解決方案的需求。
日本氮化鎵和碳化矽功率半導體市場洞察
由於日本的高科技文化、快速的城市化進程以及對資料安全的高度重視,日本的氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體市場正蓬勃發展。智慧家庭和互聯建築的日益普及推動了NAS(網路附加儲存)技術的應用,這些應用需要集中且易於存取的資料儲存。 NAS設備與其他物聯網設備(例如家庭安防攝影機和智慧家電)的整合也促進了市場成長。此外,日本人口老化也可能刺激住宅和商業領域對使用者友善、安全的資料管理解決方案的需求。
中國氮化鎵和碳化矽功率半導體市場洞察
中國氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)功率半導體市場在亞太地區佔據了相當大的市場份額,這主要歸功於中國不斷壯大的中產階級、快速的城市化進程以及較高的技術普及率。中國是全球最大的智慧家庭設備市場之一,消費級NAS在住宅、商業和租賃物業的應用也日益普及。智慧城市建設的推進、價格適中的NAS產品的供應以及強大的本土製造商,都是推動中國市場發展的關鍵因素,尤其是在媒體和電子商務等內容密集型行業。
氮化鎵和碳化矽功率半導體市場份額
氮化鎵和碳化矽功率半導體產業主要由一些成熟企業引領,其中包括:
- 阿爾法和歐米茄半導體(美國)
- 富士電機株式會社(日本)
- 英飛凌科技股份公司(德國)
- Littelfuse公司(美國)
- 三菱電機株式會社(日本)
- 瑞薩電子株式會社(日本)
- 羅姆半導體(日本)
- 三建電機株式會社(日本)
- 意法半導體(瑞士/法國)
- IQE PLC(英國)
- Transphorm 公司(美國)
- 聖戈班(法國)
- GeneSiC半導體公司(美國)
- 達科半導體有限公司(台灣)
- AGC株式會社(日本)
全球氮化鎵和碳化矽功率半導體市場最新發展動態
- 2023年10月,Navitas Semiconductor在中國電源協會年會(CPSSC 2023)上發表了GaNSafe™,這是目前全球安全性最高的氮化鎵(GaN)功率半導體。這新一代GaN平台可提升電動車(EV)、再生能源和消費性電子產品等應用的安全性和效率。 GaNSafe™整合了高速短路保護、靜電放電(ESD)屏蔽和可編程開關功能,確保在高功率環境下也能穩定運作。此次發布進一步鞏固了Navitas在高性能功率半導體市場的領先地位。
- 2023年3月,英飛凌科技股份公司以8.3億美元完成了對加拿大氮化鎵(GaN)技術領導者GaN Systems Inc.的收購。這項策略性措施強化了英飛凌的GaN產品組合,提升了其在汽車、工業和再生能源應用領域的能力。此次收購加速了高效能電源解決方案的創新,鞏固了英飛凌在全球電源系統領域的領先地位。 GaN Systems擁有200多位員工和豐富的GaN電源轉換解決方案產品組合,進一步拓展了英飛凌的市場覆蓋範圍。
- 2023年6月,Qorvo公司推出了QPB3810,這是一款基於氮化鎵(GaN)的功率放大器模組,專為5G大規模MIMO(mMIMO)應用而設計。這款48V、8瓦的擴大機覆蓋3.4-3.8GHz頻段,整合了偏壓控制功能,可優化高速、高容量無線通訊系統的效率和性能。出廠預設的偏置控制器可實現溫度自動調節優化,支援快速TDD切換。此次發布進一步鞏固了Qorvo在5G基礎設施解決方案領域的領先地位。
- 2023年3月,英飛凌科技股份公司宣布以8.3億美元收購加拿大氮化鎵(GaN)技術領導者GaN Systems Inc.。此舉將增強英飛凌的氮化鎵產品組合,鞏固其在全球電源系統領域的領先地位。 GaN Systems總部位於加拿大渥太華,擁有200多名員工和豐富的基於氮化鎵的功率轉換解決方案產品組合。此次收購將加速高效能電源解決方案的創新,為行動充電、資料中心、家用太陽能逆變器和電動車等領域的應用提供支援。
- 2022年4月,羅姆半導體(ROHM Semiconductor)與台達電子(Delta Electronics)達成策略合作,共同開發與量產氮化鎵(GaN)功率元件。此次合作將台達在電源技術方面的專長與羅姆先進的半導體製造流程結合,打造出專為電源系統優化的600V GaN功率裝置。羅姆先前已建立起150V GaN HEMT的量產體系,進一步拓展了其面向物聯網通訊與工業應用的EcoGaN™產品線。此次合作進一步鞏固了兩家公司對高效能電源解決方案和全球市場拓展的承諾。
SKU-
Get online access to the report on the World's First Market Intelligence Cloud
- Interactive Data Analysis Dashboard
- Company Analysis Dashboard for high growth potential opportunities
- Research Analyst Access for customization & queries
- Competitor Analysis with Interactive dashboard
- Latest News, Updates & Trend analysis
- Harness the Power of Benchmark Analysis for Comprehensive Competitor Tracking
目录
1 INTRODUCTION
1.1 OBJECTIVES OF THE STUDY
1.2 MARKET DEFINITION
1.3 OVERVIEW OF GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET
1.4 CURRENCY AND PRICING
1.5 LIMITATION
1.6 MARKETS COVERED
2 MARKET SEGMENTATION
2.1 KEY TAKEAWAYS
2.2 ARRIVING AT THE GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET SIZE
2.2.1 VENDOR POSITIONING GRID
2.2.2 TECHNOLOGY LIFE LINE CURVE
2.2.3 MARKET GUIDE
2.2.4 COMPANY POSITIONING GRID
2.2.5 MULTIVARIATE MODELLING
2.2.6 STANDARDS OF MEASUREMENT
2.2.7 TOP TO BOTTOM ANALYSIS
2.2.8 VENDOR SHARE ANALYSIS
2.2.9 DATA POINTS FROM KEY PRIMARY INTERVIEWS
2.2.10 DATA POINTS FROM KEY SECONDARY DATABASES
2.3 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET: RESEARCH SNAPSHOT
2.4 ASSUMPTIONS
3 MARKET OVERVIEW
3.1 DRIVERS
3.2 RESTRAINTS
3.3 OPPORTUNITIES
3.4 CHALLENGES
4 EXECUTIVE SUMMARY
5 PREMIUM INSIGHTS
6 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET,BY MATERIAL
6.1 OVERVIEW
6.2 SILICON CARBIDE
6.3 GAN
7 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET,BY SEMICONDUCTOR DEVICE TYPE
7.1 OVERVIEW
7.2 MOSFETS
7.3 GATE DRIVERS
7.4 BJTS
7.5 POWER MODULES
7.6 OTHERS
8 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET,BY VOLTAGE RANGE
8.1 OVERVIEW
8.2 LESS THAN 500V
8.3 501V TO 1000V
8.4 ABOVE 1000V
9 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET,BY WAFER SIZE
9.1 OVERVIEW
9.2 2 INCH
9.3 4 INCH
9.4 6 INCH
9.5 8 INCH
9.6 OTHERS
10 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET,BY APPLICATION
10.1 OVERVIEW
10.2 CONVERTERS
10.2.1 MOSFETS
10.2.2 GATE DRIVERS
10.2.3 BJTS
10.2.4 POWER MODULES
10.2.5 OTHERS
10.3 RADARS
10.3.1 MOSFETS
10.3.2 GATE DRIVERS
10.3.3 BJTS
10.3.4 POWER MODULES
10.3.5 OTHERS
10.4 SATELLITE
10.4.1 MOSFETS
10.4.2 GATE DRIVERS
10.4.3 BJTS
10.4.4 POWER MODULES
10.4.5 OTHERS
10.5 ELECTRIC VEHICLES
10.5.1 MOSFETS
10.5.2 GATE DRIVERS
10.5.3 BJTS
10.5.4 POWER MODULES
10.5.5 OTHERS
10.6 MEDICAL DEVICES
10.6.1 MOSFETS
10.6.2 GATE DRIVERS
10.6.3 BJTS
10.6.4 POWER MODULES
10.6.5 OTHERS
10.7 SMARTPHONES
10.7.1 MOSFETS
10.7.2 GATE DRIVERS
10.7.3 BJTS
10.7.4 POWER MODULES
10.7.5 OTHERS
10.8 OTHERS
11 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET,BY END USE
11.1 OVERVIEW
11.2 AUTOMOTIVE
11.3 CONSUMER EELCTRONICS
11.4 HEALTHCARE
11.5 AEROSPACE & DEFENSE
11.6 ENERGY & POWER
11.7 OTHERS
12 GLOBAL POWER SEMICONDUCTOR MARKET, BY REGION
12.1 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET, (ALL SEGMENTATION PROVIDED ABOVE IS REPRESENTED IN THIS CHAPTER BY COUNTRY)
12.1.1 NORTH AMERICA
12.1.1.1. U.S.
12.1.1.2. CANADA
12.1.1.3. MEXICO
12.1.2 EUROPE
12.1.2.1. GERMANY
12.1.2.2. FRANCE
12.1.2.3. U.K.
12.1.2.4. ITALY
12.1.2.5. SPAIN
12.1.2.6. RUSSIA
12.1.2.7. TURKEY
12.1.2.8. BELGIUM
12.1.2.9. NETHERLANDS
12.1.2.10. SWITZERLAND
12.1.2.11. REST OF EUROPE
12.1.3 ASIA-PACIFIC
12.1.3.1. JAPAN
12.1.3.2. CHINA
12.1.3.3. SOUTH KOREA
12.1.3.4. TAIWAN
12.1.3.5. INDIA
12.1.3.6. AUSTRALIA
12.1.3.7. SINGAPORE
12.1.3.8. THAILAND
12.1.3.9. MALAYSIA
12.1.3.10. INDONESIA
12.1.3.11. PHILIPPINES
12.1.3.12. REST OF ASIA-PACIFIC
12.1.4 SOUTH AMERICA
12.1.4.1. BRAZIL
12.1.4.2. ARGENTINA
12.1.4.3. REST OF SOUTH AMERICA
12.1.5 MIDDLE EAST AND AFRICA
12.1.5.1. SOUTH AFRICA
12.1.5.2. UAE
12.1.5.3. SAUDI ARABIA
12.1.5.4. EGYPT
12.1.5.5. ISRAEL
12.1.5.6. REST OF MIDDLE EAST AND AFRICA
12.1.6 KEY PRIMARY INSIGHTS: BY MAJOR COUNTRIES
13 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET,COMPANY LANDSCAPE
13.1 COMPANY SHARE ANALYSIS: GLOBAL
13.2 COMPANY SHARE ANALYSIS: NORTH AMERICA
13.3 COMPANY SHARE ANALYSIS: EUROPE
13.4 COMPANY SHARE ANALYSIS: ASIA-PACIFIC
13.5 MERGERS & ACQUISITIONS
13.6 NEW PRODUCT DEVELOPMENT & APPROVALS
13.7 EXPANSIONS
13.8 REGULATORY CHANGES
13.9 PARTNERSHIP AND OTHER STRATEGIC DEVELOPMENTS
14 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET, SWOT AND DBMR ANALYSIS
15 GLOBAL GAN & SIC POWER SEMICONDUCTOR MARKET, COMPANY PROFILE
15.1 INFINEON TECHNOLOGIES AG
15.1.1 COMPANY OVERVIEW
15.1.2 REVENUE ANALYSIS
15.1.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.1.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.1.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.2 TEXAS INSTRUMENTS INC.
15.2.1 COMPANY OVERVIEW
15.2.2 REVENUE ANALYSIS
15.2.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.2.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.2.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.3 FUJI ELECTRIC CO., LTD.
15.3.1 COMPANY OVERVIEW
15.3.2 REVENUE ANALYSIS
15.3.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.3.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.3.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.4 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
15.4.1 COMPANY OVERVIEW
15.4.2 REVENUE ANALYSIS
15.4.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.4.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.4.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.5 QUALCOMM INC
15.5.1 COMPANY OVERVIEW
15.5.2 REVENUE ANALYSIS
15.5.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.5.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.5.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.6 SEMIKRON INTERNATIONAL GMBH,
15.6.1 COMPANY OVERVIEW
15.6.2 REVENUE ANALYSIS
15.6.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.6.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.6.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.7 HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD
15.7.1 COMPANY OVERVIEW
15.7.2 REVENUE ANALYSIS
15.7.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.7.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.7.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.8 MICROCHIP TECHNOLOGY
15.8.1 COMPANY OVERVIEW
15.8.2 REVENUE ANALYSIS
15.8.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.8.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.8.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.9 RENESAS ELECTRONICS
15.9.1 COMPANY OVERVIEW
15.9.2 REVENUE ANALYSIS
15.9.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.9.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.9.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.1 QORVO
15.10.1 COMPANY OVERVIEW
15.10.2 REVENUE ANALYSIS
15.10.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.10.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.10.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.11 VISHAY INTERTECHNOLOGY
15.11.1 COMPANY OVERVIEW
15.11.2 REVENUE ANALYSIS
15.11.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.11.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.11.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.12 NEXPERIA
15.12.1 COMPANY OVERVIEW
15.12.2 REVENUE ANALYSIS
15.12.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.12.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.12.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.13 SPTS TECHNOLOGIES LTD.
15.13.1 COMPANY OVERVIEW
15.13.2 REVENUE ANALYSIS
15.13.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.13.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.13.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.14 TOSHIBA
15.14.1 COMPANY OVERVIEW
15.14.2 REVENUE ANALYSIS
15.14.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.14.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.14.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.15 BROADCOM LIMITED
15.15.1 COMPANY OVERVIEW
15.15.2 REVENUE ANALYSIS
15.15.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.15.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.15.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.16 LITTELFUSE, INC.
15.16.1 COMPANY OVERVIEW
15.16.2 REVENUE ANALYSIS
15.16.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.16.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.16.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.17 ON SEMICONDUCTOR
15.17.1 COMPANY OVERVIEW
15.17.2 REVENUE ANALYSIS
15.17.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.17.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.17.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.18 SEMIKRON
15.18.1 COMPANY OVERVIEW
15.18.2 REVENUE ANALYSIS
15.18.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.18.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.18.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.19 ST MICROELECTRONICS
15.19.1 COMPANY OVERVIEW
15.19.2 REVENUE ANALYSIS
15.19.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.19.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.19.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.2 ROHM SEMICONDUCTOR - ROHM CO., LTD.
15.20.1 COMPANY OVERVIEW
15.20.2 REVENUE ANALYSIS
15.20.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.20.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.20.5 RECENT DEVELOPMENTS
15.21 PROTERIAL
15.21.1 COMPANY OVERVIEW
15.21.2 REVENUE ANALYSIS
15.21.3 PRODUCT PORTFOLIO
15.21.4 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.21.5 RECENT DEVELOPMENTS
NOTE: THE COMPANIES PROFILED IS NOT EXHAUSTIVE LIST AND IS AS PER OUR PREVIOUS CLIENT REQUIREMENT. WE PROFILE MORE THAN 100 COMPANIES IN OUR STUDY AND HENCE THE LIST OF COMPANIES CAN BE MODIFIED OR REPLACED ON REQUEST
16 CONCLUSION
17 QUESTIONNAIRE
18 RELATED REPORTS
19 ABOUT DATA BRIDGE MARKET RESEARCH
研究方法
数据收集和基准年分析是使用具有大样本量的数据收集模块完成的。该阶段包括通过各种来源和策略获取市场信息或相关数据。它包括提前检查和规划从过去获得的所有数据。它同样包括检查不同信息源中出现的信息不一致。使用市场统计和连贯模型分析和估计市场数据。此外,市场份额分析和关键趋势分析是市场报告中的主要成功因素。要了解更多信息,请请求分析师致电或下拉您的询问。
DBMR 研究团队使用的关键研究方法是数据三角测量,其中包括数据挖掘、数据变量对市场影响的分析和主要(行业专家)验证。数据模型包括供应商定位网格、市场时间线分析、市场概览和指南、公司定位网格、专利分析、定价分析、公司市场份额分析、测量标准、全球与区域和供应商份额分析。要了解有关研究方法的更多信息,请向我们的行业专家咨询。
可定制
Data Bridge Market Research 是高级形成性研究领域的领导者。我们为向现有和新客户提供符合其目标的数据和分析而感到自豪。报告可定制,包括目标品牌的价格趋势分析、了解其他国家的市场(索取国家列表)、临床试验结果数据、文献综述、翻新市场和产品基础分析。目标竞争对手的市场分析可以从基于技术的分析到市场组合策略进行分析。我们可以按照您所需的格式和数据样式添加您需要的任意数量的竞争对手数据。我们的分析师团队还可以为您提供原始 Excel 文件数据透视表(事实手册)中的数据,或者可以帮助您根据报告中的数据集创建演示文稿。
