سوق أشباه الموصلات الكهربائية SiC في أوروبا – اتجاهات الصناعة والتوقعات حتى عام 2030

تحليل وحجم سوق أشباه الموصلات الكهربائية SiC في أوروبا

أشباه موصلات الطاقة SiC هي أشباه الموصلات الأكثر انتشارًا وتعتبر الخيار الأفضل للإلكترونيات. يتم تطبيق أشباه موصلات الطاقة SiC هذه في القطاعات المنزلية والتجارية والصناعية والعديد من المجالات الأخرى. تتوفر أشباه موصلات الطاقة SiC في نوعين من الأجهزة، مثل أجهزة SiC المنفصلة وSiC bare die. بسبب التقدم التكنولوجي، كان انتشار أجهزة SiC المنفصلة يتزايد بشكل أسرع. الخاصية المهمة لأشباه موصلات الطاقة SiC هي خصائص التوصيل الحراري العالية جنبًا إلى جنب مع العديد من الخصائص الأخرى التي تستخدم الكهرباء بكفاءة. تُستخدم أشباه موصلات الطاقة SiC في الاتصالات السلكية واللاسلكية والطاقة وتوليد الطاقة المتجددة والعديد من الأماكن الأخرى. تُستخدم أشباه موصلات الطاقة SiC في إلكترونيات الطاقة وتكتسب انتشارًا بين الأفراد. يتزايد الطلب على أشباه موصلات الطاقة SiC في سوق أشباه موصلات الطاقة SiC في أوروبا بمعدل أعلى. لهذا، يقدم العديد من اللاعبين في السوق منتجات جديدة ويشكلون شراكة لتوسيع أعمالهم في سوق أشباه موصلات الطاقة SiC في أوروبا.

تحلل شركة Data Bridge Market Research أن سوق أشباه الموصلات الكهربائية المصنوعة من كربيد السيليكون في أوروبا من المتوقع أن تصل قيمتها إلى 1,099,688.01 ألف دولار أمريكي بحلول عام 2030، بمعدل نمو سنوي مركب يبلغ 26.5% خلال الفترة المتوقعة. يغطي تقرير سوق أشباه الموصلات الكهربائية المصنوعة من كربيد السيليكون في أوروبا أيضًا تحليل الأسعار وتحليل براءات الاختراع والتقدم التكنولوجي بشكل شامل.

تعريف السوق

يشير مصطلح أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون إلى نوع أشباه الموصلات التي تحتوي على الكربون والسيليكون وتعمل عند جهد ودرجة حرارة مرتفعين للغاية. يمكن استخدام أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون في إنتاج مواد قوية وصلبة للغاية. يمكن استخدام أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون في قطاعات مختلفة مثل الاتصالات والطاقة والكهرباء والسيارات وتوليد الطاقة المتجددة وفي مجالات أخرى مختلفة. يتم اعتبارها بشكل أساسي بسبب خصائص التوصيل الحراري القصوى الأعلى التي وسعت مجال التطبيق. أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون هي أجهزة تعتبر أجهزة طاقة عالية التردد قابلة للتطبيق بشكل أساسي في الاتصالات اللاسلكية. توفر أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون قوة مجال انهيار عازلة أكبر بعشر مرات، وثلاثة أضعاف التوصيل الحراري، وثلاثة أضعاف فجوة النطاق مقارنة بأشباه الموصلات المصنوعة من السيليكون. استحوذت أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون على السوق بسبب أدائها العالي وكفاءتها. توفر أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون العمل عند جهد وتيار عاليين وتوفر مقاومة منخفضة بالإضافة إلى كونها فعالة في درجات الحرارة العالية. وقد ثبت أن تركيبة كربيد السيليكون هي الخيار الأفضل والأمثل لأشباه الموصلات.

ديناميكيات سوق أشباه الموصلات للطاقة SiC في أوروبا

يتناول هذا القسم فهم محركات السوق والمزايا والفرص والقيود والتحديات. وسيتم مناقشة كل هذا بالتفصيل أدناه:

السائقين

• ظهور أشباه الموصلات للطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون

تتمتع مادة كربيد السيليكون بخصائص مفيدة للغاية باعتبارها مادة شبه موصلة. ففي التطبيقات مثل العاكسات ومحركات المحركات وشواحن البطاريات، توفر أجهزة كربيد السيليكون العديد من المزايا، مثل تحسين كثافة الطاقة وتقليل متطلبات التبريد وتقليل التكلفة الإجمالية للنظام. وهذه المزايا كافية لجعل أشباه موصلات الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون في مرحلة الكفاءة العالية.

إن الطاقة المفقودة بواسطة SiC أثناء مرحلة الاسترداد العكسي هي 1% فقط من الطاقة المفقودة بواسطة السيليكون مما يخلق فرقًا كبيرًا في كفاءة المادة. إن الغياب الافتراضي للتيار الذيلي يسمح بإيقاف تشغيل أسرع، ويقلل الخسائر. نظرًا لوجود طاقة أقل لتبديدها، فإن جهاز SiC قادر على التبديل عند ترددات أعلى وتحسين الكفاءة. يمكن أن يؤدي الحجم الأصغر والوزن الأقل لـ SiC مقارنة بالمواد الأخرى إلى إنشاء حل أعلى تصنيفًا أو تصميم أصغر مع متطلبات تبريد أقل. وبالتالي، فإن ظهور أشباه الموصلات للطاقة SiC هو عامل رئيسي متوقع أن يدفع نمو سوق أشباه الموصلات للطاقة SiC في أوروبا.

• انتشار متزايد للسيارات الإلكترونية

يتغير العالم بسرعة كبيرة، ويتجه نحو الطاقة المتجددة. وتركز كافة القطاعات والجهات الفاعلة في السوق والمؤسسات الحكومية بشكل أكبر على بناء البنية الأساسية للسيارات الكهربائية وتوليد المزيد من الطلب على السيارات الكهربائية.

وفقًا للمعلومات الواردة من وكالة الطاقة الدولية (IEA)، كان هناك 16.5 مليون سيارة كهربائية على الطريق في عام 2021، وهو ما يمثل ثلاثة أضعاف في ثلاث سنوات فقط، وهذا رقم كبير مقارنة بعام 2020. زادت مبيعات السيارات الكهربائية وتضاعفت في الصين، واستمرت في الزيادة في أوروبا، وانتعشت في الولايات المتحدة في عام 2021. تُظهر هذه البيانات أن هناك زيادة هائلة في انتشار السيارات الكهربائية في السوق، مما قد يؤثر بشكل إيجابي على البيئة وكذلك سوق أشباه الموصلات الكهربائية SiC في أوروبا. يتميز SiC بكفاءة عالية عند الفولتية العالية، مما يتيح أوقات شحن سريعة للبطارية قابلة للمقارنة بملء خزان المركبات التقليدية. تعمل إلكترونيات الطاقة من كربيد السيليكون على تمكين زيادة في أنظمة القيادة بجهد 800 فولت، مما يمهد الطريق للسيارات الكهربائية الأخف وزناً ذات المدى الأكبر.

فرصة

• الشراكة الاستراتيجية والاستحواذ من قبل مصنعي SiC

هناك العديد من المنظمات والجهات الفاعلة في السوق التي تعمل على إنشاء شراكات واستحواذات استراتيجية. تخلق هذه الشراكة تأثيرًا إيجابيًا كبيرًا على نمو سوق أشباه الموصلات الكهربائية SiC في أوروبا. يؤدي هذا التعاون إلى التعاون، ليصبح طريقًا منخفض التكلفة للمنافسين الجدد للحصول على التكنولوجيا والوصول إلى السوق.

 يتضمن المشروع المشترك قيام شركتين أو أكثر بتجميع مواردهما وخبراتهما لتحقيق هدف معين. هناك العديد من المنظمات التي تتعاون مع بعضها البعض وتخلق تأثيرًا إيجابيًا على نمو سوق أشباه الموصلات الكهربائية المصنوعة من كربيد السيليكون في أوروبا.

ضبط النفس/التحدي

• القضايا المتعلقة بتصنيع رقاقة SiC

A SiC wafer is a semiconductor material that has excellent electrical and thermal properties. It is a high-performance semiconductor that is ideal for a wide variety of applications. In addition to its high thermal resistance, it also features a very high level of hardness. There is a lot of fabrication challenge faced by SiC wafer manufacturers. The main defects that can occur during the manufacturing of SiC substrates are crystalline stacking faults, micro pipes, pits, scratches, stains, and surface particles. These factors are adversely affecting the performance of SiC devices which have been detected more frequently on 150-mm wafers than on 100-mm wafers. This is because SiC is the third-hardest composite material in the world and is also very fragile, and its production poses complex challenges related to cycle time, cost, and dicing performance. It is effective to predict that even switching to 200-mm wafers will entail significant issues. In fact, it will be necessary to guarantee the same quality of the substrate, facing an inevitably higher density of defects.

Post-COVID-19 Impact on Europe SiC Power Semiconductor Market

The SiC power semiconductor industry noted a gradual decrease in demand due to the lockdown and COVID-19 governmental laws, as manufacturing facilities and services were closed. Even private and public development was called off. Moreover, the industry was also affected by the halt of the supply chain, especially of raw materials used in the manufacturing process of SiC power semiconductors. Stringent government regulations for different industries and restrictions on trade & transportation were some of the top factors that caused a dent in the growth of the market for SiC power semiconductors around the world in 2020 and in the first two quarters of 2021. As the SiC power semiconductor production slowed down owing to the restrictions by governments across the globe, the production was not meeting the demand in the first three quarters of 2020. Moreover, high demand/requirement for SiC power semiconductor products in the automotive and defense industry, in the medical sector, and in hydraulics applications has been witnessed. The resumption of production of the oil and gas industry and automotive; further fuelled the rising demand for SiC power semiconductors across the globe. Thus, this not only led to a hike in demand but also increased the cost of the product.

Recent Developments

• In December 2022, STMicroelectronics and Soitec (Euronext Paris), in designing and manufacturing innovative semiconductor materials, announced the next stage of their cooperation on Silicon Carbide (SiC) substrates, with the qualification of Soitec's SiC substrate technology by ST planned over the next 18 months. The goal of this cooperation is the adoption by ST of Soitec's SmartSiC technology for its future 200mm substrate manufacturing, feeding its devices and modules manufacturing business, with volume production expected in the midterm. This collaboration will help the company to boost its financials as well as the growth of the Europe SiC power semiconductor market.
• In July 2022, Semikron Danfoss and the Kyoto-based company ROHM Semiconductor have been collaborating for more than ten years with regard to the implementation of silicon carbide (SiC) inside power modules. Recently, ROHM's latest 4th generation of SiC MOSFETs has been fully qualified in SEMIKRON's eMPack modules for automotive use. Hence, both companies serve worldwide customers' needs. This collaboration enhanced the company's financials and made a positive impact on the growth of the Europe SiC power semiconductor market.

Europe SiC Power Semiconductor Market Scope

The Europe SiC power semiconductor market is segmented on the basis of type, voltage range, wafer size, wafer type, application, and vertical. The growth amongst these segments will help you analyze meager growth segments in the industries and provide the users with a valuable market overview and market insights to help them make strategic decisions for identifying core market applications.

By Type

• MOSFETS
• Hybrid Modules
• Schottky Barrier Diodes (SBDS)
• IGBT
• Bipolar Junction Transistor (BJT)
• Pin Diode
• Junction FET (JFET)
• Others

On the basis of type, the Europe SiC power semiconductor market is segmented into MOSFETS, Hybrid Modules, Schottky Barrier Diodes (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), Pin Diode, Junction FET (JFET) and others.

By Voltage Range

• 301-900 V
• 901-1700 V
• Above 1701 V

On the basis of voltage range, the Europe SiC power semiconductor market is segmented into 301-900 V, 901-1700 V, and above 1701 V.

By Wafer Size

• 6 Inch
• 4 Inch
• 2 Inch
• Above 6 Inch

On the basis of wafer size, the Europe SiC power semiconductor market is segmented into 6 Inch, 4 Inch, 2 Inch, and above 6 Inch.

By Wafer Type

• SiC epitaxial wafers
• Blank SiC wafers

On the basis of the wafer type, the Europe SiC power semiconductor market is segmented into SiC epitaxial wafers and blank SiC wafers.

By Application

• Electric Vehicles (EV)
• Photovoltaics
• Power supplies
• Industrial motor drives
• EV charging infrastructure
• RF Devices
• Others

On the basis of the application, the Europe sic power semiconductor market is segmented into electric vehicles (EV), photovoltaics, power supplies, industrial motor drives, EV charging infrastructure, RF devices, and others.

By Vertical

• Automotive
• Utilities and energy
• Industrial
• Transportation
• IT and telecommunication
• Consumer electronics
• Aerospace and defense
• Commercial
• Others

On the basis of the vertical, the Europe SiC power semiconductor market is segmented into automotive, utilities and energy, industrial, transportation, IT and telecommunication, consumer electronics, aerospace and defense, commercial, and others.

Europe SiC Power Semiconductor Market Regional Analysis/Insights

The Europe SiC power semiconductor market is analyzed, and market size insights and trends are provided by region, type, voltage range, wafer size, wafer type, application, and vertical as referenced above.

The countries covered in the Europe SiC power semiconductor market report are Germany, U.K., Italy, France, Spain, Switzerland, Netherlands, Belgium, Russia, Turkey, Poland, Sweden, Denmark,  Rest of Europe.

In 2023, Germany is expected to dominate the Europe SiC power semiconductor market due to the high demand for SiC power semiconductor-related products. Additionally, the high demand for power modules and related devices is expected to act as a driving factor for the market's growth.

The region section of the report also provides individual market-impacting factors and changes in market regulation that impact the current and future trends of the market. Data points like downstream and upstream value chain analysis, technical trends, and porter's five forces analysis, case studies are some of the pointers used to forecast the market scenario for individual countries. Also, the presence and availability of Europe brands and their challenges faced due to large or scarce competition from local and domestic brands, the impact of domestic tariffs, and trade routes are considered while providing forecast analysis of the region data.

Competitive Landscape and Europe SiC Power Semiconductor Market Share Analysis

Europe SiC power semiconductor market competitive landscape provides details by the competitor. Details included are company overview, company financials, revenue generated, market potential, investment in research and development, new market initiatives, Europe presence, production sites and facilities, production capacities, company strengths and weaknesses, product launch, product width and breadth, and application dominance. The above data points provided are only related to the companies' focus related to the Europe SiC power semiconductor market.

Some of the major players operating in the Europe SiC power semiconductor market are WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss, Renesas Electronics Corporation, TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (A Subsidiary of Hitachi Group), and GeneSiC Semiconductor Inc. among others.

SKU-53300