Global Gallium Nitride Gan Radio Frequency Rf Semiconductor Market
Taille du marché en milliards USD
TCAC :
% 
USD
1.26 Billion
USD
5.45 Billion
2024
2032
 Période de prévision |
2025 –2032 |
 Taille du marché (année de référence) |
USD 1.26 Billion |
 Taille du marché (année de prévision) |
USD 5.45 Billion |
 TCAC |
% |
| Principaux acteurs du marché |
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Segmentation du marché mondial des semi-conducteurs radiofréquences (RF) en nitrure de gallium (GaN), par matériau (GaN sur SiC, GaN sur silicium et GaN sur diamant), application (infrastructure sans fil, stockage d'énergie, communication par satellite, onduleur photovoltaïque, etc.), utilisateurs finaux (aérospatiale et défense, informatique et télécommunications, électronique grand public , automobile, etc.) - Tendances et prévisions du secteur jusqu'en 2032
Quelle est la taille et le taux de croissance du marché mondial des semi-conducteurs à radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) ?
- La taille du marché mondial des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) était évaluée à 1,26 milliard USD en 2024 et devrait atteindre 5,45 milliards USD d'ici 2032 , à un TCAC de 20,10 % au cours de la période de prévision.
- Le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) connaît une croissance significative, tirée par son impact transformateur sur les applications haute puissance et haute fréquence.
- Les semi-conducteurs RF GaN sont de plus en plus utilisés dans les télécommunications, les systèmes radar et les communications par satellite en raison de leurs excellentes capacités de gestion de la puissance, de leur rendement et de leur conductivité thermique. Les progrès rapides de la technologie 5G et la demande croissante de systèmes de communication hautes performances sont des facteurs majeurs de l'expansion du marché.
Quels sont les principaux points à retenir du marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) ?
- Les dispositifs RF GaN améliorent la puissance du signal et les performances du système, contribuant ainsi au déploiement plus large de l'infrastructure 5G. De même, dans les systèmes radar utilisés pour la défense et l'aérospatiale, la capacité du GaN à fonctionner à haute puissance et à haute fréquence offre des avantages décisifs en termes de performances et de fiabilité.
- L'accent croissant mis sur les systèmes avancés de communication par satellite soutient davantage la croissance du marché, car l'efficacité et la puissance de sortie élevée du GaN sont essentielles pour des opérations satellite robustes
- L'Amérique du Nord a dominé le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) avec la plus grande part de revenus de 40,3 % en 2024, grâce à des investissements importants dans l'infrastructure 5G, la modernisation de la défense et les programmes de communication par satellite.
- Le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) de la région Asie-Pacifique devrait connaître une croissance annuelle composée (TCAC) de 14,3 % entre 2025 et 2032, grâce au déploiement rapide de la 5G, aux investissements dans la défense et à l'expansion des initiatives de villes intelligentes en Chine, au Japon, en Corée du Sud et en Inde.
- Le segment GaN-On-SiC a dominé le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) avec la plus grande part de revenus du marché de 62,4 % en 2024, en raison de sa conductivité thermique supérieure, de sa densité de puissance élevée et de sa capacité à fournir des performances fiables dans des conditions extrêmes.
Portée du rapport et segmentation du marché des semi-conducteurs radiofréquences (RF) au nitrure de gallium (GaN)
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Attributs |
Informations clés sur le marché des semi-conducteurs radiofréquences (RF) au nitrure de gallium (GaN) |
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Segments couverts |
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Pays couverts |
Amérique du Nord
Europe
Asie-Pacifique
Moyen-Orient et Afrique
Amérique du Sud
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Acteurs clés du marché |
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Opportunités de marché |
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Ensembles d'informations de données à valeur ajoutée |
Outre les informations sur les scénarios de marché tels que la valeur marchande, le taux de croissance, la segmentation, la couverture géographique et les principaux acteurs, les rapports de marché organisés par Data Bridge Market Research comprennent également une analyse approfondie des experts, une analyse des prix, une analyse de la part de marque, une enquête auprès des consommateurs, une analyse démographique, une analyse de la chaîne d'approvisionnement, une analyse de la chaîne de valeur, un aperçu des matières premières/consommables, des critères de sélection des fournisseurs, une analyse PESTLE, une analyse Porter et un cadre réglementaire. |
Quelle est la tendance clé du marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) ?
« Adoption rapide dans les infrastructures 5G et les applications de défense »
- Une tendance significative et croissante sur le marché mondial des semi-conducteurs radiofréquences (RF) au nitrure de gallium (GaN) est le rôle croissant de la technologie GaN dans les réseaux sans fil 5G et les systèmes de défense avancés. La densité de puissance exceptionnelle, le rendement et les performances haute fréquence des semi-conducteurs GaN en font des solutions idéales pour les applications de communication et de radar de nouvelle génération.
- Par exemple, des entreprises telles que Qorvo, Inc. et Wolfspeed, Inc. intègrent de plus en plus de solutions RF GaN dans les stations de base 5G, permettant une couverture plus large, une transmission de données plus rapide et une efficacité énergétique améliorée par rapport aux technologies traditionnelles à base de silicium.
- Dans le secteur de la défense, les semi-conducteurs RF GaN sont déployés dans les radars haute puissance, la guerre électronique et les systèmes de communication par satellite. Ils offrent des performances améliorées avec un encombrement et un poids réduits, des atouts clés pour les opérations militaires modernes. Le Département de la Défense américain continue d'investir massivement dans la technologie GaN afin de maintenir sa supériorité technologique.
- De plus, la combinaison de la haute efficacité du GaN et de sa capacité à fonctionner à des températures élevées le rend idéal pour les systèmes RF compacts, légers et économes en énergie, répondant aux demandes évolutives des marchés commerciaux et militaires.
- Cette tendance remodèle fondamentalement le paysage des semi-conducteurs RF, avec des fabricants tels qu'Infineon Technologies AG et Sumitomo Electric Industries, Ltd qui élargissent leurs portefeuilles de produits GaN pour répondre à la demande mondiale croissante.
- Alors que le déploiement de la 5G s'étend à l'échelle mondiale et que la modernisation de la défense s'accélère, l'adoption des semi-conducteurs RF GaN devrait croître de manière significative, positionnant la technologie comme la pierre angulaire de l'infrastructure sans fil et de défense de nouvelle génération.
Quels sont les principaux moteurs du marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) ?
- La demande mondiale croissante de systèmes de communication sans fil hautes performances, stimulée par le déploiement rapide des réseaux 5G et la prolifération des appareils connectés, est un moteur de croissance majeur pour les semi-conducteurs RF GaN.
- Par exemple, en mars 2024, STMicroelectronics a annoncé l'élargissement de sa gamme de produits RF GaN pour les infrastructures de télécommunications, améliorant ainsi les performances des systèmes de communication 5G et par satellite. De telles initiatives, prises par des acteurs clés, devraient stimuler la croissance du marché.
- Les semi-conducteurs RF GaN offrent une efficacité supérieure, une puissance de sortie plus élevée et de meilleures performances thermiques par rapport aux solutions traditionnelles à base de silicium, ce qui les rend essentiels pour les stations de base de télécommunications, les communications par satellite et les systèmes radar.
- Les secteurs de la défense et de l'aérospatiale adoptent de plus en plus la technologie RF GaN pour les radars de nouvelle génération , la guerre électronique et les systèmes de communication sécurisés, bénéficiant de sa conception compacte et de sa grande fiabilité dans des conditions extrêmes.
- En outre, l’accent croissant mis sur les technologies économes en énergie s’aligne sur la capacité du GaN à réduire la consommation d’énergie et la taille du système, ce qui stimule davantage la demande dans des secteurs tels que l’automobile, l’aérospatiale et les communications industrielles.
Quel facteur freine la croissance du marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) ?
- Le coût de fabrication relativement élevé et la complexité technologique des semi-conducteurs RF GaN par rapport aux composants conventionnels en silicium ou en arséniure de gallium (GaAs) restent un défi majeur pour une adoption généralisée, en particulier sur les marchés sensibles aux prix.
- Par exemple, les coûts élevés des matériaux et du traitement associés à la technologie GaN peuvent limiter son accessibilité aux applications de télécommunications à faible marge ou aux marchés émergents, où la rentabilité reste un facteur critique.
- De plus, la disponibilité limitée d'infrastructures de fabrication qualifiées et de l'expertise spécialisée requise pour la fabrication de dispositifs GaN pose des défis pour l'adaptation de la production afin de répondre à la demande croissante.
- Des obstacles techniques tels que la gestion de la dissipation thermique et la garantie de la fiabilité des appareils en fonctionnement à haute puissance persistent également, en particulier dans les déploiements à grande échelle pour les applications 5G et de défense.
- Bien que les progrès des techniques de fabrication du GaN et l'augmentation des économies d'échelle réduisent progressivement les coûts, surmonter ces obstacles reste essentiel pour une pénétration plus large du marché.
- L'investissement continu dans la recherche, l'innovation matérielle et la rationalisation des processus de production seront essentiels pour relever les défis des coûts et libérer le plein potentiel de croissance du marché des semi-conducteurs RF GaN.
Comment le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) est-il segmenté ?
Le marché est segmenté en fonction du matériau, de l’application et des utilisateurs finaux.
- Par matériau
En fonction du matériau, le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) est segmenté en GaN sur SiC, GaN sur silicium et GaN sur diamant. Le segment GaN sur SiC a dominé le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) avec la plus grande part de marché (62,4 %) en 2024, grâce à sa conductivité thermique supérieure, sa densité de puissance élevée et sa capacité à fournir des performances fiables dans des conditions extrêmes. Les substrats GaN sur SiC sont largement privilégiés dans les applications RF haute puissance telles que les infrastructures 5G, les systèmes radar et l'électronique de défense, où l'efficacité et la gestion thermique sont essentielles.
Le segment GaN sur diamant devrait connaître la croissance la plus rapide entre 2025 et 2032, grâce aux performances thermiques et à la puissance exceptionnelles des substrats diamant. La technologie GaN sur diamant gagne du terrain dans les applications RF de nouvelle génération, où des composants compacts, performants et de forte puissance sont essentiels, notamment dans les secteurs de la défense et de l'espace.
- Par application
En fonction des applications, le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) est segmenté en infrastructures sans fil, stockage d'énergie, communications par satellite, onduleurs photovoltaïques et autres. Le segment des infrastructures sans fil représentait la plus grande part de chiffre d'affaires du marché, soit 47,8 % en 2024, grâce au déploiement mondial des réseaux 5G et à la demande de stations de base et d'antennes hautes performances. Les semi-conducteurs RF GaN offrent une efficacité énergétique accrue, une taille de système réduite et des fréquences de fonctionnement plus élevées, ce qui les rend idéaux pour les opérateurs télécoms qui migrent vers les réseaux de nouvelle génération.
Le secteur des communications par satellite devrait connaître le TCAC le plus élevé entre 2025 et 2032, porté par la demande croissante d'internet par satellite haut débit et à faible latence, et par le déploiement croissant de constellations de satellites en orbite basse (LEO). Les semi-conducteurs RF GaN permettent la mise en place de systèmes de communication par satellite compacts, légers et économes en énergie, essentiels aux programmes spatiaux commerciaux et militaires.
- Par les utilisateurs finaux
En fonction des utilisateurs finaux, le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) est segmenté en trois secteurs : l'aérospatiale et la défense, l'informatique et les télécommunications, l'électronique grand public, l'automobile et autres. Le segment de l'aérospatiale et de la défense a dominé le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN), avec une part de marché de 39,5 % en 2024, grâce à des investissements accrus dans les systèmes radar avancés, la guerre électronique et les plateformes de communication sécurisées. Les semi-conducteurs RF GaN offrent des performances, une durabilité et une efficacité supérieures, ce qui les rend essentiels aux applications de défense critiques.
Le secteur automobile devrait connaître la croissance la plus rapide entre 2025 et 2032, portée par l'adoption croissante des systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), la communication véhicule-à-tout (V2X) et les tendances en matière d'électrification. Les semi-conducteurs RF GaN améliorent l'efficacité et permettent la mise au point de systèmes RF compacts haute puissance pour les véhicules connectés modernes.
Quelle région détient la plus grande part du marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) ?
- L'Amérique du Nord a dominé le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN), avec une part de chiffre d'affaires de 40,3 % en 2024, grâce à des investissements importants dans les infrastructures 5G, la modernisation de la défense et les programmes de communication par satellite. Le solide écosystème technologique de la région, combiné à une demande accrue de composants RF haute fréquence et haute puissance, alimente la croissance du marché.
- La forte présence d'acteurs clés de l'industrie, notamment Wolfspeed, Inc., Qorvo, Inc. et MACOM, accélère encore l'innovation et l'adoption des technologies RF GaN en Amérique du Nord.
- L'augmentation des budgets de défense, associée au déploiement rapide des réseaux de communication de nouvelle génération, positionne les semi-conducteurs RF GaN comme des composants essentiels pour maintenir le leadership technologique dans les applications aérospatiales, de télécommunications et de défense.
Aperçu du marché américain des semi-conducteurs radiofréquences (RF) en nitrure de gallium (GaN)
Le marché américain des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) a représenté la plus grande part de chiffre d'affaires en Amérique du Nord en 2024, grâce au leadership du pays dans les secteurs de la défense, de l'espace et des télécommunications. Le déploiement rapide des réseaux 5G, combiné à la demande croissante de systèmes radar, de communication par satellite et de guerre électronique avancés, favorise l'adoption des RF au GaN. De plus, les initiatives stratégiques des entreprises américaines et les importants investissements gouvernementaux dans la fabrication nationale de semi-conducteurs renforcent l'expansion du marché.
Aperçu du marché européen des semi-conducteurs radiofréquences (RF) au nitrure de gallium (GaN)
Le marché européen des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) devrait connaître une croissance annuelle moyenne (TCAC) notable tout au long de la période de prévision, stimulé par des réglementations strictes en matière d'efficacité énergétique, l'augmentation des dépenses de défense et la demande croissante de dispositifs RF haute fréquence. L'accent mis par l'Europe sur l'amélioration des infrastructures de communication, conjugué aux avancées dans les domaines de l'aérospatiale et de la défense, stimule l'adoption des RF au GaN. De plus, les initiatives favorisant la production locale de semi-conducteurs contribuent à la croissance du marché dans les secteurs commercial et de la défense.
Aperçu du marché britannique des semi-conducteurs radiofréquences (RF) en nitrure de gallium (GaN)
Le marché britannique des semi-conducteurs radiofréquences (RF) en nitrure de gallium (GaN) devrait connaître une croissance significative au cours de la période de prévision, alimentée par l'augmentation des investissements dans la modernisation de la défense, les communications par satellite et le déploiement de la 5G. La demande croissante de composants RF compacts, économes en énergie et à haute puissance s'inscrit dans les efforts du pays pour moderniser ses infrastructures de communication et de défense. L'intégration de la technologie RF GaN aux programmes spatiaux et militaires contribue à l'expansion du marché au Royaume-Uni.
Analyse du marché allemand des semi-conducteurs radiofréquences (RF) au nitrure de gallium (GaN)
Le marché allemand des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) devrait connaître une croissance soutenue, portée par l'accent mis par le pays sur l'innovation technologique, l'automatisation industrielle et les systèmes de communication haute performance. Les capacités de fabrication avancées de l'Allemagne, combinées à son engagement en faveur des énergies renouvelables et des systèmes électriques performants, stimulent la demande de semi-conducteurs RF GaN pour des applications telles que les onduleurs photovoltaïques, les réseaux intelligents et les réseaux de communication haute fréquence.
Quelle région connaît la croissance la plus rapide sur le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) ?
Le marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) en Asie-Pacifique devrait connaître une croissance annuelle composée (TCAC) record de 14,3 % entre 2025 et 2032, portée par le déploiement rapide de la 5G, les investissements dans la défense et l'expansion des initiatives de villes intelligentes en Chine, au Japon, en Corée du Sud et en Inde. La puissance industrielle de la région, conjuguée à la demande croissante de composants RF haute fréquence dans l'automobile, l'électronique grand public et les télécommunications, favorise l'adoption de la RF au GaN. Les initiatives gouvernementales favorisant la production nationale de semi-conducteurs et l'innovation technologique stimulent encore la croissance du marché dans la région Asie-Pacifique.
Aperçu du marché japonais des semi-conducteurs radiofréquences (RF) en nitrure de gallium (GaN)
Le marché japonais des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) connaît une forte croissance grâce aux avancées technologiques du pays, à la demande de systèmes RF écoénergétiques et au développement des réseaux de communication à haut débit. La technologie RF GaN est de plus en plus utilisée dans les secteurs japonais de la défense, de l'espace et de l'automobile, offrant des solutions RF performantes, compactes et fiables pour les applications critiques. L'accent mis par le pays sur la R&D et l'innovation continue de soutenir l'expansion du marché RF GaN.
Aperçu du marché chinois des semi-conducteurs radiofréquences (RF) au nitrure de gallium (GaN)
En 2024, le marché chinois des semi-conducteurs radiofréquence (RF) au nitrure de gallium (GaN) a représenté la plus grande part de chiffre d'affaires de la région Asie-Pacifique, porté par l'urbanisation rapide du pays, le déploiement à grande échelle de la 5G et la solidité de ses programmes de défense et d'aérospatiale. Les investissements massifs de la Chine dans la fabrication nationale de semi-conducteurs, associés au développement de systèmes RF hautes performances pour les télécommunications et les applications militaires, alimentent la demande de semi-conducteurs RF GaN. L'accent mis par le pays sur l'autonomie et l'innovation technologique continue de stimuler une croissance substantielle du marché.
Quelles sont les principales entreprises du marché des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) ?
L'industrie des semi-conducteurs radiofréquences (RF) au nitrure de gallium (GaN) est principalement dirigée par des entreprises bien établies, notamment :
- Sumitomo Electric Industries, Ltd (Japon)
- RTX (États-Unis)
- STMicroelectronics (Suisse)
- Mitsubishi Electric Corporation (Japon)
- Infineon Technologies AG (Allemagne)
- Renesas Electronics Corporation (Japon)
- Panasonic Corporation (Japon)
- Microchip Technology Inc. (États-Unis)
- Aethercomm (États-Unis)
- Qorvo, Inc. (États-Unis)
- Skyworks Solutions, Inc. (États-Unis)
- Wolfspeed, Inc. (États-Unis)
- MACOM (États-Unis)
- NXP Semiconductors (Pays-Bas)
- RFHIC Corporation (Corée du Sud)
Quels sont les développements récents sur le marché mondial des semi-conducteurs radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN) ?
- En juin 2024, Qorvo a annoncé le lancement de trois modules RF multipuces avancés, conçus pour les applications radar de nouvelle génération. Ils offrent des performances exceptionnelles, une conception compacte, un niveau de bruit réduit et une consommation énergétique réduite, essentiels aux systèmes radar multi-éléments et multi-fonctions modernes. Ce développement devrait améliorer considérablement l'efficacité et la précision des technologies radar.
- En juin 2024, Texas Instruments et Delta Electronics ont collaboré pour créer un laboratoire d'innovation commun axé sur le développement de systèmes d'alimentation haute performance pour véhicules électriques. Ce partenariat vise à accroître la densité de puissance et l'efficacité globale des solutions d'alimentation pour véhicules électriques de Delta. Cette initiative vise à renforcer la position des deux entreprises sur le marché concurrentiel de l'alimentation pour véhicules électriques.
- En avril 2024, Transphorm, Inc., fournisseur leader de semi-conducteurs de puissance GaN, s'est associé à Weltrend Semiconductor Inc. pour lancer deux nouveaux systèmes en boîtier (SiP) GaN, les WT7162RHUG24C et WT7162RHUG24B, qui associent le contrôleur Flyback PWM haute fréquence de Weltrend aux FET SuperGaN de Transphorm pour des performances supérieures. Cette collaboration devrait permettre de développer des solutions de conversion de puissance à haut rendement pour le marché.
- En mars 2024, Efficient Power Conversion Corporation a dévoilé l'EPC2361, un transistor à effet de champ (FET) GaN révolutionnaire, doté de la plus faible résistance à l'état passant du marché (1 mΩ à 100 V) et d'un boîtier QFN thermiquement optimisé, dans un format compact de 3 mm x 5 mm. Cette innovation est destinée à doubler la densité de puissance et à améliorer le rendement de nombreuses applications.
- En février 2023, Analog Devices, Inc. a lancé une plateforme intégrée de conception de référence pour unités radio ouvertes (O-RU). Cette plateforme aide les concepteurs radio à réduire les risques de développement et à accélérer la mise sur le marché, en proposant une solution matérielle et logicielle complète pour les unités radio macro et small cells. Cette plateforme devrait simplifier le déploiement d'infrastructures sans fil avancées à l'échelle mondiale.
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Table des matières
1 INTRODUCTION
1.1 OBJECTIVES OF THE STUDY
1.2 MARKET DEFINITION
1.3 OVERVIEW OF GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET
1.4 CURRENCY AND PRICING
1.5 LIMITATION
1.6 MARKETS COVERED
2 MARKET SEGMENTATION
2.1 KEY TAKEAWAYS
2.2 ARRIVING AT THE GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET
2.2.1 VENDOR POSITIONING GRID
2.2.2 TECHNOLOGY LIFE LINE CURVE
2.2.3 MARKET GUIDE
2.2.4 COMPANY MARKET SHARE ANALYSIS
2.2.5 MULTIVARIATE MODELLING
2.2.6 TOP TO BOTTOM ANALYSIS
2.2.7 STANDARDS OF MEASUREMENT
2.2.8 VENDOR SHARE ANALYSIS
2.2.9 DATA POINTS FROM KEY PRIMARY INTERVIEWS
2.2.10 DATA POINTS FROM KEY SECONDARY DATABASES
2.3 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET: RESEARCH SNAPSHOT
2.4 ASSUMPTIONS
3 MARKET OVERVIEW
3.1 DRIVERS
3.2 RESTRAINTS
3.3 OPPORTUNITIES
3.4 CHALLENGES
4 EXECUTIVE SUMMARY
5 PREMIUM INSIGHT
5.1 PORTERS FIVE FORCES
5.2 REGULATORY STANDARDS
5.3 TECHNOLOGICAL TRENDS
5.4 PATENT ANALYSIS
5.5 CASE STUDY
5.6 VALUE CHAIN ANALYSIS
5.7 PRICING ANALYSIS
6 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY DEVICE TYPE
6.1 OVERVIEW
6.2 GAN POWER AMPLIFIERS
6.3 GAN RF FILTERS
6.4 GAN RF SWITCHES
6.5 GAN RF TRANSISTORS
6.6 OTHERS
7 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY MATERIAL
7.1 OVERVIEW
7.2 GAN ON SI
7.3 GAN ON SIC
7.4 OTHERS (GAN ON DIAMOND)
8 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY TYPE
8.1 OVERVIEW
8.2 DISCRETE POWER
8.3 INTEGRATED POWER
9 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY WAFER SIZE
9.1 OVERVIEW
9.2 2-INCH
9.3 3-INCH
9.4 4-INCH
9.5 6-INCH
9.6 OTHERS
10 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY END USE
10.1 OVERVIEW
10.2 SATELLITE COMMUNICATION
10.2.1 BY DEVICE TYPE
10.2.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.2.1.2. GAN RF FILTERS
10.2.1.3. GAN RF SWITCHES
10.2.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.2.1.5. OTHERS
10.3 AEROSPACE & DEFENSE
10.3.1 BY DEVICE TYPE
10.3.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.3.1.2. GAN RF FILTERS
10.3.1.3. GAN RF SWITCHES
10.3.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.3.1.5. OTHERS
10.4 TELECOMMUNICATIONS
10.4.1 BY DEVICE TYPE
10.4.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.4.1.2. GAN RF FILTERS
10.4.1.3. GAN RF SWITCHES
10.4.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.4.1.5. OTHERS
10.5 CONSUMER DEVICES
10.5.1 BY DEVICE TYPE
10.5.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.5.1.2. GAN RF FILTERS
10.5.1.3. GAN RF SWITCHES
10.5.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.5.1.5. OTHERS
10.6 COMMUNITY ANTENNA TELEVISION (CATV) AND WIRED BROADBAND
10.6.1 BY DEVICE TYPE
10.6.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.6.1.2. GAN RF FILTERS
10.6.1.3. GAN RF SWITCHES
10.6.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.6.1.5. OTHERS
10.7 OTHERS
11 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY GEOGRAPHY
11.1 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, (ALL SEGMENTATION PROVIDED ABOVE IS REPRESENTED IN THIS CHAPTER BY COUNTRY)
11.1.1 NORTH AMERICA
11.1.1.1. U.S.
11.1.1.2. CANADA
11.1.1.3. MEXICO
11.1.2 EUROPE
11.1.2.1. GERMANY
11.1.2.2. FRANCE
11.1.2.3. U.K.
11.1.2.4. ITALY
11.1.2.5. SPAIN
11.1.2.6. RUSSIA
11.1.2.7. TURKEY
11.1.2.8. BELGIUM
11.1.2.9. NETHERLANDS
11.1.2.10. NORWAY
11.1.2.11. FINLAND
11.1.2.12. SWITZERLAND
11.1.2.13. DENMARK
11.1.2.14. SWEDEN
11.1.2.15. POLAND
11.1.2.16. REST OF EUROPE
11.1.3 ASIA PACIFIC
11.1.3.1. JAPAN
11.1.3.2. CHINA
11.1.3.3. SOUTH KOREA
11.1.3.4. INDIA
11.1.3.5. AUSTRALIA
11.1.3.6. NEW ZEALAND
11.1.3.7. SINGAPORE
11.1.3.8. THAILAND
11.1.3.9. MALAYSIA
11.1.3.10. INDONESIA
11.1.3.11. PHILIPPINES
11.1.3.12. TAIWAN
11.1.3.13. VIETNAM
11.1.3.14. REST OF ASIA PACIFIC
11.1.4 SOUTH AMERICA
11.1.4.1. BRAZIL
11.1.4.2. ARGENTINA
11.1.4.3. REST OF SOUTH AMERICA
11.1.5 MIDDLE EAST AND AFRICA
11.1.5.1. SOUTH AFRICA
11.1.5.2. EGYPT
11.1.5.3. SAUDI ARABIA
11.1.5.4. U.A.E
11.1.5.5. OMAN
11.1.5.6. BAHRAIN
11.1.5.7. ISRAEL
11.1.5.8. KUWAIT
11.1.5.9. QATAR
11.1.5.10. REST OF MIDDLE EAST AND AFRICA
11.1.6 KEY PRIMARY INSIGHTS: BY MAJOR COUNTRIES
12 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET,COMPANY LANDSCAPE
12.1 COMPANY SHARE ANALYSIS: GLOBAL
12.2 COMPANY SHARE ANALYSIS: NORTH AMERICA
12.3 COMPANY SHARE ANALYSIS: EUROPE
12.4 COMPANY SHARE ANALYSIS: ASIA PACIFIC
12.5 MERGERS & ACQUISITIONS
12.6 NEW PRODUCT DEVELOPMENT AND APPROVALS
12.7 EXPANSIONS
12.8 REGULATORY CHANGES
12.9 PARTNERSHIP AND OTHER STRATEGIC DEVELOPMENTS
13 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, SWOT & DBMR ANALYSIS
14 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, COMPANY PROFILE
14.1 AMPLEON (ACQUIRED BY AURORA OPTOELECTRONICS CO)
14.1.1 COMPANY SNAPSHOT
14.1.2 REVENUE ANALYSIS
14.1.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.1.4 RECENT DEVELOPMENT
14.2 RFHIC CORPORATION
14.2.1 COMPANY SNAPSHOT
14.2.2 REVENUE ANALYSIS
14.2.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.2.4 RECENT DEVELOPMENT
14.3 TRANSPHORM INC(ACQUIRED BY RENESAS ELECTRONICS CORPORATION)
14.3.1 COMPANY SNAPSHOT
14.3.2 REVENUE ANALYSIS
14.3.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.3.4 RECENT DEVELOPMENT
14.4 ANALOG DEVICES, INC.
14.4.1 COMPANY SNAPSHOT
14.4.2 REVENUE ANALYSIS
14.4.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.4.4 RECENT DEVELOPMENT
14.5 MACOM
14.5.1 COMPANY SNAPSHOT
14.5.2 REVENUE ANALYSIS
14.5.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.5.4 RECENT DEVELOPMENT
14.6 QORVO, INC
14.6.1 COMPANY SNAPSHOT
14.6.2 REVENUE ANALYSIS
14.6.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.6.4 RECENT DEVELOPMENT
14.7 WIN SEMICONDUCTORS
14.7.1 COMPANY SNAPSHOT
14.7.2 REVENUE ANALYSIS
14.7.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.7.4 RECENT DEVELOPMENT
14.8 NXP SEMICONDUCTORS
14.8.1 COMPANY SNAPSHOT
14.8.2 REVENUE ANALYSIS
14.8.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.8.4 RECENT DEVELOPMENT
14.9 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
14.9.1 COMPANY SNAPSHOT
14.9.2 REVENUE ANALYSIS
14.9.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.9.4 RECENT DEVELOPMENT
14.1 MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
14.10.1 COMPANY SNAPSHOT
14.10.2 REVENUE ANALYSIS
14.10.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.10.4 RECENT DEVELOPMENT
14.11 AGNIT SEMICONDUCTORS PRIVATE LIMITED
14.11.1 COMPANY SNAPSHOT
14.11.2 REVENUE ANALYSIS
14.11.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.11.4 RECENT DEVELOPMENT
14.12 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD
14.12.1 COMPANY SNAPSHOT
14.12.2 REVENUE ANALYSIS
14.12.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.12.4 RECENT DEVELOPMENT
14.13 INFINEON TECHNOLOGIES AG
14.13.1 COMPANY SNAPSHOT
14.13.2 REVENUE ANALYSIS
14.13.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.13.4 RECENT DEVELOPMENT
14.14 TAGORE TECHNOLOGY
14.14.1 COMPANY SNAPSHOT
14.14.2 REVENUE ANALYSIS
14.14.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.14.4 RECENT DEVELOPMENT
14.15 AETHERCOMM (A PART OF FRONTGRADE TECHNOLOGIES)
14.15.1 COMPANY SNAPSHOT
14.15.2 REVENUE ANALYSIS
14.15.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.15.4 RECENT DEVELOPMENT
14.16 FLEXITALLIC GROUP (INTEGRA TECHNOLOGIES INC.)
14.16.1 COMPANY SNAPSHOT
14.16.2 REVENUE ANALYSIS
14.16.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.16.4 RECENT DEVELOPMENT
14.17 RTX
14.17.1 COMPANY SNAPSHOT
14.17.2 REVENUE ANALYSIS
14.17.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.17.4 RECENT DEVELOPMENT
14.18 MERCURY SYSTEMS, INC
14.18.1 COMPANY SNAPSHOT
14.18.2 REVENUE ANALYSIS
14.18.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.18.4 RECENT DEVELOPMENT
14.19 TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION
14.19.1 COMPANY SNAPSHOT
14.19.2 REVENUE ANALYSIS
14.19.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.19.4 RECENT DEVELOPMENT
14.2 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
14.20.1 COMPANY SNAPSHOT
14.20.2 REVENUE ANALYSIS
14.20.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.20.4 RECENT DEVELOPMENT
14.21 EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION.
14.21.1 COMPANY SNAPSHOT
14.21.2 REVENUE ANALYSIS
14.21.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.21.4 RECENT DEVELOPMENT
14.22 FUJITSU
14.22.1 COMPANY SNAPSHOT
14.22.2 REVENUE ANALYSIS
14.22.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.22.4 RECENT DEVELOPMENT
14.23 HONG KONG RESISTORS MANUFACTORY
14.23.1 COMPANY SNAPSHOT
14.23.2 REVENUE ANALYSIS
14.23.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.23.4 RECENT DEVELOPMENT
NOTE: THE COMPANIES PROFILED IS NOT EXHAUSTIVE LIST AND IS AS PER OUR PREVIOUS CLIENT REQUIREMENT. WE PROFILE MORE THAN 100 COMPANIES IN OUR STUDY AND HENCE THE LIST OF COMPANIES CAN BE MODIFIED OR REPLACED ON REQUEST
15 CONCLUSION
16 QUESTIONNAIRE
17 RELATED REPORTS
18 ABOUT DATA BRIDGE MARKET RESEARCH
Méthodologie de recherche
La collecte de données et l'analyse de l'année de base sont effectuées à l'aide de modules de collecte de données avec des échantillons de grande taille. L'étape consiste à obtenir des informations sur le marché ou des données connexes via diverses sources et stratégies. Elle comprend l'examen et la planification à l'avance de toutes les données acquises dans le passé. Elle englobe également l'examen des incohérences d'informations observées dans différentes sources d'informations. Les données de marché sont analysées et estimées à l'aide de modèles statistiques et cohérents de marché. De plus, l'analyse des parts de marché et l'analyse des tendances clés sont les principaux facteurs de succès du rapport de marché. Pour en savoir plus, veuillez demander un appel d'analyste ou déposer votre demande.
La méthodologie de recherche clé utilisée par l'équipe de recherche DBMR est la triangulation des données qui implique l'exploration de données, l'analyse de l'impact des variables de données sur le marché et la validation primaire (expert du secteur). Les modèles de données incluent la grille de positionnement des fournisseurs, l'analyse de la chronologie du marché, l'aperçu et le guide du marché, la grille de positionnement des entreprises, l'analyse des brevets, l'analyse des prix, l'analyse des parts de marché des entreprises, les normes de mesure, l'analyse globale par rapport à l'analyse régionale et des parts des fournisseurs. Pour en savoir plus sur la méthodologie de recherche, envoyez une demande pour parler à nos experts du secteur.
Personnalisation disponible
Data Bridge Market Research est un leader de la recherche formative avancée. Nous sommes fiers de fournir à nos clients existants et nouveaux des données et des analyses qui correspondent à leurs objectifs. Le rapport peut être personnalisé pour inclure une analyse des tendances des prix des marques cibles, une compréhension du marché pour d'autres pays (demandez la liste des pays), des données sur les résultats des essais cliniques, une revue de la littérature, une analyse du marché des produits remis à neuf et de la base de produits. L'analyse du marché des concurrents cibles peut être analysée à partir d'une analyse basée sur la technologie jusqu'à des stratégies de portefeuille de marché. Nous pouvons ajouter autant de concurrents que vous le souhaitez, dans le format et le style de données que vous recherchez. Notre équipe d'analystes peut également vous fournir des données sous forme de fichiers Excel bruts, de tableaux croisés dynamiques (Fact book) ou peut vous aider à créer des présentations à partir des ensembles de données disponibles dans le rapport.
