Global Silicon Carbide Power Semiconductors Market
Tamanho do mercado em biliões de dólares
CAGR :
%
USD
2.43 Billion
USD
14.63 Billion
2024
2032
| 2025 –2032 | |
| USD 2.43 Billion | |
| USD 14.63 Billion | |
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Segmentação do Mercado Global de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício por Formato (SFF e SFP; SFP+ e SFP28; QSFP, QSFP+, QSFP14 e QSFP28; CFP, CFP2 e CFP4; XFP; CXP), Taxa de Dados (Menos de 10 GBPS, 10 GBPS a 40 GBPS, 41 GBPS a 100 GBPS e Mais de 100 GBPS), Distância (Menos de 1 km, 1 a 10 km, 11 a 100 km e Mais de 100 km), Comprimento de Onda (Banda de 850 nm, Banda de 1310 nm, Banda de 1550 nm e Outras), Conector (Conector LC, Conector SC, Conector MPO e RJ-45), Aplicação (Telecomunicações, Data Center e Empresas) - Tendências e Previsões do Setor até 2032
Tamanho do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício
- O mercado global de semicondutores de potência de carbeto de silício foi avaliado em US$ 2,43 bilhões em 2024 e deverá atingir US$ 14,63 bilhões até 2032 , com uma taxa de crescimento anual composta (CAGR) de 25,10% durante o período de previsão.
- O crescimento do mercado é impulsionado principalmente pela crescente demanda por eletrônica de potência com eficiência energética em aplicações como veículos elétricos, sistemas de energia renovável e automação industrial.
- Os avanços tecnológicos e o aumento do investimento em pesquisa de semicondutores de banda larga estão acelerando ainda mais a adoção de dispositivos de potência de carboneto de silício em aplicações de alto desempenho e alta tensão.
Análise de mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício
- O mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício está apresentando forte crescimento devido à crescente tendência em direção a soluções eficientes de gerenciamento de energia.
- Os fabricantes estão focando na otimização do desempenho dos dispositivos para atender à crescente demanda em aplicações de alta tensão e alta temperatura.
- A América do Norte domina o mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício, com a maior participação na receita, de 38,7% em 2024, impulsionada pela forte demanda dos setores automotivo e industrial, bem como pela crescente adoção de veículos elétricos (VEs) e sistemas de energia renovável.
- A região Ásia-Pacífico deverá apresentar a maior taxa de crescimento no mercado global de semicondutores de potência de carbeto de silício, impulsionada pela rápida industrialização, aumento da produção de veículos elétricos, expansão de projetos de energia renovável e políticas governamentais favoráveis em países como China, Índia, Japão e Coreia do Sul.
- O segmento SFP+ e SFP28 detém a maior participação na receita de mercado em 2024, impulsionado por sua ampla adoção em sistemas de transmissão de dados de alta velocidade e compatibilidade com infraestruturas de rede existentes. Esses formatos oferecem um equilíbrio entre desempenho, eficiência energética e escalabilidade, tornando-os a escolha preferida para data centers e redes de telecomunicações.
Escopo do relatório e segmentação do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício
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Atributos |
Análises de mercado essenciais para semicondutores de potência de carboneto de silício |
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Segmentos abrangidos |
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Países abrangidos |
América do Norte
Europa
Ásia-Pacífico
Oriente Médio e África
Ámérica do Sul
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Principais participantes do mercado |
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Oportunidades de mercado |
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Conjuntos de informações de dados de valor agregado |
Além das informações sobre cenários de mercado, como valor de mercado, taxa de crescimento, segmentação, cobertura geográfica e principais participantes, os relatórios de mercado elaborados pela Data Bridge Market Research também incluem análises aprofundadas de especialistas, produção e capacidade das empresas representadas geograficamente, layouts de rede de distribuidores e parceiros, análises detalhadas e atualizadas das tendências de preços e análises de déficits na cadeia de suprimentos e demanda. |
Tendências do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício
“Integração de dispositivos de carboneto de silício na mobilidade elétrica”
- A transição para a mobilidade elétrica está influenciando significativamente a demanda por semicondutores de potência de carboneto de silício em sistemas veiculares modernos.
- Esses semicondutores oferecem condutividade térmica aprimorada, comutação mais rápida e menor perda de energia, tornando-os ideais para conversão de energia eficiente.
- As montadoras estão utilizando carboneto de silício em inversores, sistemas de transmissão e carregadores de bordo para melhorar o desempenho e aumentar a autonomia.
- Por exemplo, a BYD integra componentes de carboneto de silício em seus veículos elétricos para melhorar a eficiência energética e prolongar a vida útil da bateria.
- Essa tendência também está se expandindo para o transporte comercial, impulsionada pelo desenvolvimento de infraestrutura de recarga rápida e por incentivos governamentais que promovem a mobilidade limpa.
Dinâmica do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício
Motorista
“A crescente demanda por eletrônica de potência com eficiência energética em aplicações de alto desempenho”
- A demanda por eletrônica de potência de alto desempenho e com eficiência energética está impulsionando o crescimento do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício.
- Indústrias como a de veículos elétricos, energias renováveis e automação industrial estão adotando o carboneto de silício para obter maior eficiência e confiabilidade.
- Os dispositivos de carbeto de silício oferecem velocidades de comutação mais rápidas, menores perdas de condução e podem operar em temperaturas mais altas do que os dispositivos de silício tradicionais.
- Por exemplo, os fabricantes de veículos elétricos utilizam inversores e carregadores à base de carboneto de silício para aumentar a eficiência do sistema de propulsão e ampliar a autonomia.
- Esses semicondutores também ajudam a reduzir as perdas de energia em sistemas de energia solar e eólica, apoiando os esforços globais para diminuir as emissões de carbono.
Restrição/Desafio
“Altos custos de produção e processos de fabricação complexos”
- Os elevados custos de produção e os processos de fabricação complexos representam desafios significativos para o mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício.
- A produção de wafers de carbeto de silício requer técnicas avançadas de crescimento de cristais a temperaturas muito elevadas, o que leva a um aumento no consumo de energia e nos custos de equipamentos.
- A necessidade de matérias-primas de alta qualidade e de um corte preciso dos wafers aumenta ainda mais o custo e a complexidade do processo.
- Por exemplo, a disponibilidade limitada de wafers de carbeto de silício de grande diâmetro restringe a produção em massa e resulta em maior desperdício de material.
- Esses fatores tornam os dispositivos de carbeto de silício mais caros do que os de silício tradicional, limitando sua adoção em aplicações sensíveis a preços até que a eficiência de fabricação melhore.
Escopo do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício
O mercado é segmentado com base no formato, taxa de dados, distância, comprimento de onda, conector e aplicação.
- Por fator de forma
Com base no formato, o mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício é segmentado em SFF e SFP; SFP+ e SFP28; QSFP, QSFP+, QSFP14 e QSFP28; CFP, CFP2 e CFP4; XFP; e CXP. O segmento SFP+ e SFP28 detém a maior participação na receita de mercado em 2024, impulsionado por sua ampla adoção em sistemas de transmissão de dados de alta velocidade e compatibilidade com as infraestruturas de rede existentes. Esses formatos oferecem um equilíbrio entre desempenho, eficiência energética e escalabilidade, tornando-os a escolha preferida para data centers e redes de telecomunicações.
A família CFP deverá apresentar a taxa de crescimento mais rápida entre 2025 e 2032, devido ao seu suporte para taxas de dados muito altas e transmissão de longa distância, particularmente em aplicações empresariais e de telecomunicações de grande escala.
- Por taxa de dados
Com base na taxa de dados, o mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício é segmentado em menos de 10 Gbps, de 10 Gbps a 40 Gbps, de 41 Gbps a 100 Gbps e mais de 100 Gbps. O segmento de 10 Gbps a 40 Gbps representou a maior participação na receita em 2024, impulsionado pela crescente demanda por comunicação de alta velocidade em data centers e redes corporativas. Essa faixa equilibra custo e desempenho, permitindo uma transmissão eficiente para a maioria das aplicações.
Prevê-se que o segmento acima de 100 Gbps apresente a taxa de crescimento mais rápida entre 2025 e 2032, impulsionado pela crescente implantação de redes de ultra-alta velocidade que suportam 5G, computação em nuvem e cargas de trabalho de IA.
- Por distância
Com base na distância, o mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício é segmentado em menos de 1 km, de 1 a 10 km, de 11 a 100 km e mais de 100 km. O segmento de menos de 1 km detinha a maior participação de mercado em 2024, visto que essa faixa de distância é típica para aplicações de curto alcance em data centers e redes corporativas.
Prevê-se que o segmento de 11 a 100 km apresente a taxa de crescimento mais rápida entre 2025 e 2032, devido à crescente demanda por redes metropolitanas e regionais que requerem transmissão óptica de média a longa distância com componentes semicondutores de potência de carboneto de silício, os quais oferecem alta eficiência e benefícios de gerenciamento térmico.
- Por comprimento de onda
Com base no comprimento de onda, o mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício é segmentado em bandas de 850 nm, 1310 nm, 1550 nm e outras. O segmento da banda de 850 nm dominou o mercado em 2024, em grande parte devido ao seu uso em comunicação óptica de curto alcance e por ser um componente de baixo custo.
A faixa de 1550 nm deverá apresentar a taxa de crescimento mais rápida entre 2025 e 2032, impulsionada por sua adequação para redes de comunicação de longa distância e alta capacidade, apoiada pela crescente implantação de dispositivos de potência baseados em carboneto de silício, que aumentam a eficiência da transmissão.
- Por conector
Com base no tipo de conector, o mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício é segmentado em conectores LC, conectores SC, conectores MPO e RJ-45. O segmento de conectores LC detinha a maior participação na receita em 2024, devido ao seu design compacto e ampla adoção em redes de fibra óptica.
O segmento de conectores MPO deverá apresentar a taxa de crescimento mais rápida entre 2025 e 2032, impulsionado pela demanda por conexões multifibra de alta densidade em data centers e infraestrutura de telecomunicações que suportam a integração de semicondutores de carboneto de silício.
- Por meio de aplicação
Com base na aplicação, o mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício é segmentado em telecomunicações, data centers e empresas. O segmento de data centers representou a maior participação na receita de mercado em 2024, impulsionado pela crescente necessidade de dispositivos de energia de alto desempenho e eficiência energética para suportar computação em nuvem, big data e operações de IA.
Prevê-se que o segmento de telecomunicações apresente a taxa de crescimento mais rápida entre 2025 e 2032, impulsionado pela expansão da infraestrutura 5G e por projetos de cidades inteligentes que exigem componentes semicondutores de potência confiáveis e de alta velocidade.
Análise Regional do Mercado de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício
- A América do Norte domina o mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício, com a maior participação na receita, de 38,7% em 2024, impulsionada pela forte demanda dos setores automotivo e industrial, bem como pela crescente adoção de veículos elétricos (VEs) e sistemas de energia renovável.
- Consumidores e indústrias da região priorizam a eficiência energética, o alto desempenho e a confiabilidade oferecidos pelos semicondutores de potência de carboneto de silício para aplicações de conversão de energia e controle de motores.
- Essa ampla adoção é ainda mais sustentada por robustos investimentos em P&D, capacidades avançadas de fabricação e iniciativas governamentais que promovem energia limpa e eletrificação, estabelecendo a América do Norte como um mercado-chave para dispositivos de potência de SiC nos segmentos automotivo, industrial e de energia.
Análise do Mercado de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício nos EUA
O mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício (SiC) dos EUA detinha a maior participação de receita na América do Norte em 2024, com 80%, impulsionado pelo rápido crescimento de veículos elétricos, pela crescente adoção de eletrônica de potência com eficiência energética e pela forte presença de fabricantes líderes de semicondutores. O foco do país na redução das emissões de carbono e no aumento da estabilidade da rede elétrica alimenta a demanda por dispositivos de SiC em inversores, carregadores e fontes de alimentação. Além disso, os incentivos governamentais que apoiam a adoção de veículos elétricos e a infraestrutura de energia limpa aceleram ainda mais a expansão do mercado.
Análise do Mercado Europeu de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício
O mercado europeu de semicondutores de potência de carbeto de silício deverá apresentar o crescimento mais rápido entre 2025 e 2032, impulsionado por regulamentações rigorosas de eficiência energética, pela crescente adoção de veículos elétricos e por investimentos em projetos de energia renovável. A indústria automotiva da região está em transição para a eletrificação, aumentando a demanda por dispositivos semicondutores de potência de carbeto de silício de alto desempenho. Os governos europeus também estão apoiando ativamente iniciativas de energia limpa, incentivando a integração da tecnologia de semicondutores de potência de carbeto de silício em aplicações industriais e energéticas.
Análise do Mercado de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício no Reino Unido
O mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício do Reino Unido deverá apresentar o crescimento mais rápido entre 2025 e 2032, impulsionado pela crescente penetração de veículos elétricos, pela modernização das redes inteligentes e pela adoção cada vez maior de equipamentos industriais energeticamente eficientes. O compromisso do Reino Unido com a neutralidade de carbono e os avanços na pesquisa de semicondutores contribuem para o aumento da demanda por componentes de potência de carbeto de silício. Além disso, o forte apoio governamental e as políticas favoráveis incentivam os investimentos no desenvolvimento da tecnologia de semicondutores de potência de carbeto de silício.
Análise do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício na Alemanha
O mercado alemão de semicondutores de potência de carbeto de silício deverá apresentar o crescimento mais rápido entre 2025 e 2032, impulsionado pelo forte setor automotivo do país, pela liderança em energias renováveis e pelo foco em iniciativas da Indústria 4.0. A demanda por dispositivos de potência energeticamente eficientes e tolerantes a altas temperaturas está aumentando nos segmentos automotivo, industrial e de energia. A base de manufatura consolidada da Alemanha e a ênfase em tecnologias sustentáveis estão impulsionando a adoção de semicondutores de potência de carbeto de silício em veículos elétricos, conversores de potência e acionamentos industriais.
Análise do Mercado de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício na Região Ásia-Pacífico
O mercado de semicondutores de potência de carbeto de silício na região Ásia-Pacífico deverá apresentar o crescimento mais rápido entre 2025 e 2032, impulsionado pela rápida industrialização, pelo aumento da produção de veículos elétricos e pela expansão das instalações de energia renovável em países como China, Japão, Coreia do Sul e Índia. A região está se consolidando como um importante polo de fabricação de dispositivos semicondutores, beneficiando-se de incentivos governamentais e avanços tecnológicos. O crescente foco em eletrônicos com eficiência energética e a demanda crescente dos setores automotivo e industrial são os principais fatores de crescimento.
Análise do Mercado Japonês de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício
O mercado japonês de semicondutores de potência de carbeto de silício deverá apresentar o crescimento mais rápido entre 2025 e 2032, impulsionado pela avançada indústria automotiva do país, pela forte ênfase na conservação de energia e pela alta expertise tecnológica. A adoção de dispositivos semicondutores de potência de carbeto de silício é impulsionada pela crescente implantação de veículos elétricos e híbridos, bem como por aplicações em redes inteligentes. O envelhecimento da população japonesa e a demanda por soluções de eletrônica de potência confiáveis e compactas também contribuem para o crescimento do mercado nos setores automotivo e industrial.
Análise do Mercado de Semicondutores de Potência de Carboneto de Silício na China
Em 2024, a China detinha a maior participação na receita do mercado na região Ásia-Pacífico, impulsionada pelo seu mercado de veículos elétricos em expansão, rápido crescimento industrial e investimentos substanciais em infraestrutura de energia renovável. A China abriga diversas indústrias importantes e se beneficia de políticas governamentais que promovem a produção nacional de semicondutores e tecnologias de eficiência energética. O impulso do país em direção a cidades inteligentes e à eletrificação está impulsionando a adoção de semicondutores de potência de carbeto de silício em diversas aplicações.
Participação de mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício
O setor de semicondutores de potência de carboneto de silício é liderado principalmente por empresas consolidadas, incluindo:
- Infineon Technologies AG (Alemanha)
- STMicroelectronics (Suíça)
- WOLFSPEED, INC. (EUA)
- Renesas Electronics Corporation (Japão)
- Indústrias de Componentes Semicondutores, LLC (EUA)
- Mitsubishi Electric Corporation (Japão)
- ROHM CO., LTD. (Japão)
- Qorvo, Inc (EUA)
- Nexperia (Países Baixos)
- TOSHIBA CORPORATION (Japão)
- Allegro MicroSystems, Inc. (EUA)
- GeneSiC Semiconductor Inc. (EUA)
- Fuji Electric Co., Ltd (Japão)
- Vishay Intertechnology, Inc. (EUA)
- Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japão)
- Littelfuse, Inc. (EUA)
- Texas Instruments Incorporated (EUA)
- Microchip Technology Inc. (EUA)
- Semikron Danfoss (Alemanha)
- WeEn Semicondutores (China)
- Solitron Devices, Inc. (EUA)
- SemiQ Inc. (EUA)
- Xiamen Powerway Advanced Material (China)
- MaxPower Semiconductor (China)
Últimos desenvolvimentos no mercado global de semicondutores de potência de carboneto de silício
- Em dezembro de 2022, a STMicroelectronics anunciou uma colaboração com a Soitec para qualificar a tecnologia SmartSiC da Soitec para sua futura fabricação de substratos de carbeto de silício de 200 mm. Essa parceria visa viabilizar a produção em larga escala a médio prazo, fortalecendo a capacidade produtiva da STMicroelectronics e impulsionando o crescimento do mercado global de semicondutores de potência de carbeto de silício.
- Em novembro de 2022, a Infineon Technologies assinou um Memorando de Entendimento não vinculativo para uma cooperação plurianual de fornecimento com os fornecedores diretos de Nível 1 da Stellantis. O acordo, avaliado em mais de 1 bilhão de euros, prevê o fornecimento de chips CoolSiC na segunda metade da década, fortalecendo a posição da Infineon no mercado e contribuindo significativamente para a expansão do mercado global de semicondutores de potência de carbeto de silício.
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Índice
1 INTRODUCTION
1.1 OBJECTIVES OF THE STUDY
1.2 MARKET DEFINITION
1.3 OVERVIEW OF GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET
1.4 CURRENCY AND PRICING
1.5 LIMITATION
1.6 MARKETS COVERED
2 MARKET SEGMENTATION
2.1 KEY TAKEAWAYS
2.2 ARRIVING AT THE GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET
2.2.1 VENDOR POSITIONING GRID
2.2.2 TECHNOLOGY LIFE LINE CURVE
2.2.3 MARKET GUIDE
2.2.4 COMPANY POSITIONING GRID
2.2.5 COMAPANY MARKET SHARE ANALYSIS
2.2.6 MULTIVARIATE MODELLING
2.2.7 TOP TO BOTTOM ANALYSIS
2.2.8 STANDARDS OF MEASUREMENT
2.2.9 VENDOR SHARE ANALYSIS
2.2.10 DATA POINTS FROM KEY PRIMARY INTERVIEWS
2.2.11 DATA POINTS FROM KEY SECONDARY DATABASES
2.3 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET: RESEARCH SNAPSHOT
2.4 ASSUMPTIONS
3 MARKET OVERVIEW
3.1 DRIVERS
3.2 RESTRAINTS
3.3 OPPORTUNITIES
3.4 CHALLENGES
4 EXECUTIVE SUMMARY
5 PREMIUM INSIGHT
5.1 PORTERS FIVE FORCES
5.2 REGULATORY STANDARDS
5.3 TECHNOLOGICAL TRENDS
5.4 PATENT ANALYSIS
5.5 CASE STUDY
5.6 VALUE CHAIN ANALYSIS
5.7 COMPANY COMPARITIVE ANALYSIS
5.8 PRICING ANALYSIS
6 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, BY TYPE
6.1 OVERVIEW
6.2 MOSFETS
6.3 HYBRID MODULES
6.4 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
6.5 SCHOTTKY BARRIER DIODES (SBDS)
6.6 SIC BARE DIE
6.7 PIN DIODE
6.8 JUNCTION FET (JFET)
6.9 OTHERS
7 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, BY VOLTAGE RANGE
7.1 OVERVIEW
7.2 LESS THAN 300 V
7.3 301 V TO 900 V
7.4 901 V TO 1700 V
7.5 1701 V & ABOVE
8 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, BY WAFER SIZE
8.1 OVERVIEW
8.2 2 INCH
8.3 4 INCH
8.4 6 INCH & ABOVE
9 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, BY WAFER TYPE
9.1 OVERVIEW
9.2 SIC EPITAXIAL WAFERS
9.3 BLANK SIC WAFERS
10 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, BY APPLICATION
10.1 OVERVIEW
10.2 POWER SUPPLIES
10.2.1 BY TYPE
10.2.1.1. MOSFETS
10.2.1.2. HYBRID MODULES
10.2.1.3. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
10.2.1.4. SCHOTTKY BARRIER DIODES (SBDS)
10.2.1.5. SIC BARE DIE
10.2.1.6. PIN DIODE
10.2.1.7. JUNCTION FET (JFET)
10.2.1.8. OTHERS
10.3 INDUSTRIAL MOTOR DRIVES
10.3.1 BY TYPE
10.3.1.1. MOSFETS
10.3.1.2. HYBRID MODULES
10.3.1.3. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
10.3.1.4. SCHOTTKY BARRIER DIODES (SBDS)
10.3.1.5. SIC BARE DIE
10.3.1.6. PIN DIODE
10.3.1.7. JUNCTION FET (JFET)
10.3.1.8. OTHERS
10.4 ELECTRIC VEHICLES (EV)
10.4.1 BY TYPE
10.4.1.1. MOSFETS
10.4.1.2. HYBRID MODULES
10.4.1.3. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
10.4.1.4. SCHOTTKY BARRIER DIODES (SBDS)
10.4.1.5. SIC BARE DIE
10.4.1.6. PIN DIODE
10.4.1.7. JUNCTION FET (JFET)
10.4.1.8. OTHERS
10.5 INVERTERS
10.5.1 BY TYPE
10.5.1.1. MOSFETS
10.5.1.2. HYBRID MODULES
10.5.1.3. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
10.5.1.4. SCHOTTKY BARRIER DIODES (SBDS)
10.5.1.5. SIC BARE DIE
10.5.1.6. PIN DIODE
10.5.1.7. JUNCTION FET (JFET)
10.5.1.8. OTHERS
10.6 RF DEVICES
10.6.1 BY TYPE
10.6.1.1. MOSFETS
10.6.1.2. HYBRID MODULES
10.6.1.3. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
10.6.1.4. SCHOTTKY BARRIER DIODES (SBDS)
10.6.1.5. SIC BARE DIE
10.6.1.6. PIN DIODE
10.6.1.7. JUNCTION FET (JFET)
10.6.1.8. OTHERS
10.7 PHOTOVOLTAICS
10.7.1 BY TYPE
10.7.1.1. MOSFETS
10.7.1.2. HYBRID MODULES
10.7.1.3. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
10.7.1.4. SCHOTTKY BARRIER DIODES (SBDS)
10.7.1.5. SIC BARE DIE
10.7.1.6. PIN DIODE
10.7.1.7. JUNCTION FET (JFET)
10.7.1.8. OTHERS
10.8 OTHERS
11 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, BY VERTICAL
11.1 OVERVIEW
11.2 RENEWABLES / GRIDS
11.2.1 SOLAR INVERTERS
11.2.2 AUXILIARY POWER SUPPLY (APS)
11.2.3 ENERGY STORAGE SYSTEMS
11.3 AEROSPACE & DEFENSE
11.3.1 FLIGHT ACTUATORS
11.3.2 PROPULSION DRIVE
11.3.3 E-FUSE TECHNOLOGY
11.3.4 POWER DISTRIBUTION
11.3.5 TRACTION DRIVE
11.4 AUTOMOTIVE & TRANSPORTATION
11.4.1 DC FAST CHARGING
11.4.2 ON-BOARD CHARGERS (OBCS)
11.4.3 ON-BOARD DC-DC CONVERSION
11.4.4 OTHERS
11.5 DATA CENTERS
11.5.1 POWER SUPPLY UNITS (PSU)
11.5.2 POWER FACTOR CORRECTION (PFC)
11.5.3 DC-DC CONVERSION
11.5.4 BACKUP POWER
11.5.5 TELECOM/5G POWER SUPPLIES
11.5.6 OTHERS
11.6 INDUSTRIAL
11.6.1 SEMICONDUCTOR CAPITAL EQUIPMENT
11.6.2 INDUCTION HEATING
11.6.3 WELDING / PLASMA CUTTING
11.6.4 UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
11.6.5 ROBOTICS
11.7 MEDICAL
11.7.1 AC-DC CONVERSION
11.7.2 DC-DC CONVERSION
11.7.3 OTHERS
11.8 CONSUMER ELECTRONICS
11.9 OTHERS
12 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, BY GEOGRAPHY
GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, (ALL SEGMENTATION PROVIDED ABOVE IS REPRESENTED IN THIS CHAPTER BY COUNTRY)
12.1 NORTH AMERICA
12.1.1 U.S.
12.1.2 CANADA
12.1.3 MEXICO
12.2 EUROPE
12.2.1 GERMANY
12.2.2 FRANCE
12.2.3 U.K.
12.2.4 ITALY
12.2.5 SPAIN
12.2.6 RUSSIA
12.2.7 TURKEY
12.2.8 BELGIUM
12.2.9 NETHERLANDS
12.2.10 NORWAY
12.2.11 FINLAND
12.2.12 SWITZERLAND
12.2.13 DENMARK
12.2.14 SWEDEN
12.2.15 POLAND
12.2.16 REST OF EUROPE
12.3 ASIA PACIFIC
12.3.1 JAPAN
12.3.2 CHINA
12.3.3 SOUTH KOREA
12.3.4 INDIA
12.3.5 AUSTRALIA
12.3.6 NEW ZEALAND
12.3.7 SINGAPORE
12.3.8 THAILAND
12.3.9 MALAYSIA
12.3.10 INDONESIA
12.3.11 PHILIPPINES
12.3.12 TAIWAN
12.3.13 VIETNAM
12.3.14 REST OF ASIA PACIFIC
12.4 SOUTH AMERICA
12.4.1 BRAZIL
12.4.2 ARGENTINA
12.4.3 REST OF SOUTH AMERICA
12.5 MIDDLE EAST AND AFRICA
12.5.1 SOUTH AFRICA
12.5.2 EGYPT
12.5.3 SAUDI ARABIA
12.5.4 U.A.E
12.5.5 OMAN
12.5.6 BAHRAIN
12.5.7 ISRAEL
12.5.8 KUWAIT
12.5.9 QATAR
12.5.10 REST OF MIDDLE EAST AND AFRICA
12.6 KEY PRIMARY INSIGHTS: BY MAJOR COUNTRIES
13 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET,COMPANY LANDSCAPE
13.1 COMPANY SHARE ANALYSIS: GLOBAL
13.2 COMPANY SHARE ANALYSIS: NORTH AMERICA
13.3 COMPANY SHARE ANALYSIS: EUROPE
13.4 COMPANY SHARE ANALYSIS: ASIA PACIFIC
13.5 MERGERS & ACQUISITIONS
13.6 NEW PRODUCT DEVELOPMENT AND APPROVALS
13.7 EXPANSIONS
13.8 REGULATORY CHANGES
13.9 PARTNERSHIP AND OTHER STRATEGIC DEVELOPMENTS
14 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, SWOT & DBMR ANALYSIS
15 GLOBAL SILICON CARBIDE POWER SEMICONDUCTORS MARKET, COMPANY PROFILE
15.1 ROHM CO., LTD
15.1.1 COMPANY SNAPSHOT
15.1.2 REVENUE ANALYSIS
15.1.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.1.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.1.5 RECENT DEVELOPMENT
15.2 DANFOSS
15.2.1 COMPANY SNAPSHOT
15.2.2 REVENUE ANALYSIS
15.2.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.2.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.2.5 RECENT DEVELOPMENT
15.3 MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
15.3.1 COMPANY SNAPSHOT
15.3.2 REVENUE ANALYSIS
15.3.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.3.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.3.5 RECENT DEVELOPMENT
15.4 STMICROELECTRONICS
15.4.1 COMPANY SNAPSHOT
15.4.2 REVENUE ANALYSIS
15.4.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.4.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.4.5 RECENT DEVELOPMENT
15.5 INFINEON TECHNOLOGIES AG
15.5.1 COMPANY SNAPSHOT
15.5.2 REVENUE ANALYSIS
15.5.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.5.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.5.5 RECENT DEVELOPMENT
15.6 WOLFSPEED, INC.
15.6.1 COMPANY SNAPSHOT
15.6.2 REVENUE ANALYSIS
15.6.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.6.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.6.5 RECENT DEVELOPMENT
15.7 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
15.7.1 COMPANY SNAPSHOT
15.7.2 REVENUE ANALYSIS
15.7.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.7.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.7.5 RECENT DEVELOPMENT
15.8 ALLEGRO MICROSYSTEMS, INC
15.8.1 COMPANY SNAPSHOT
15.8.2 REVENUE ANALYSIS
15.8.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.8.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.8.5 RECENT DEVELOPMENT
15.9 FUJI ELECTRIC CO., LTD
15.9.1 COMPANY SNAPSHOT
15.9.2 REVENUE ANALYSIS
15.9.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.9.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.9.5 RECENT DEVELOPMENT
15.1 GENESIC SEMICONDUCTOR INC. (A PART OF NAVITAS SEMICONDUCTOR)
15.10.1 COMPANY SNAPSHOT
15.10.2 REVENUE ANALYSIS
15.10.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.10.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.10.5 RECENT DEVELOPMENT
15.11 HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD
15.11.1 COMPANY SNAPSHOT
15.11.2 REVENUE ANALYSIS
15.11.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.11.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.11.5 RECENT DEVELOPMENT
15.12 LITTELFUSE, INC.
15.12.1 COMPANY SNAPSHOT
15.12.2 REVENUE ANALYSIS
15.12.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.12.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.12.5 RECENT DEVELOPMENT
15.13 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
15.13.1 COMPANY SNAPSHOT
15.13.2 REVENUE ANALYSIS
15.13.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.13.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.13.5 RECENT DEVELOPMENT
15.14 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
15.14.1 COMPANY SNAPSHOT
15.14.2 REVENUE ANALYSIS
15.14.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.14.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.14.5 RECENT DEVELOPMENT
15.15 SEMIQ INC.
15.15.1 COMPANY SNAPSHOT
15.15.2 REVENUE ANALYSIS
15.15.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.15.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.15.5 RECENT DEVELOPMENT
15.16 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
15.16.1 COMPANY SNAPSHOT
15.16.2 REVENUE ANALYSIS
15.16.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.16.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.16.5 RECENT DEVELOPMENT
15.17 TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION
15.17.1 COMPANY SNAPSHOT
15.17.2 REVENUE ANALYSIS
15.17.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.17.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.17.5 RECENT DEVELOPMENT
15.18 UNITEDSIC (A PART OF QORVO)
15.18.1 COMPANY SNAPSHOT
15.18.2 REVENUE ANALYSIS
15.18.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.18.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.18.5 RECENT DEVELOPMENT
15.19 SAMSUNG
15.19.1 COMPANY SNAPSHOT
15.19.2 REVENUE ANALYSIS
15.19.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.19.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.19.5 RECENT DEVELOPMENT
15.2 XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO. LTD.
15.20.1 COMPANY SNAPSHOT
15.20.2 REVENUE ANALYSIS
15.20.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.20.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.20.5 RECENT DEVELOPMENT
15.21 WEEN SEMICONDUCTORS
15.21.1 COMPANY SNAPSHOT
15.21.2 REVENUE ANALYSIS
15.21.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.21.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.21.5 RECENT DEVELOPMENT
15.22 TOYOTA MOTOR CORPORATION
15.22.1 COMPANY SNAPSHOT
15.22.2 REVENUE ANALYSIS
15.22.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.22.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.22.5 RECENT DEVELOPMENT
15.23 MAXPOWER SIC SEMICONDUCTOR CO., LTD
15.23.1 COMPANY SNAPSHOT
15.23.2 REVENUE ANALYSIS
15.23.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.23.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.23.5 RECENT DEVELOPMENT
15.24 NEXPERIA
15.24.1 COMPANY SNAPSHOT
15.24.2 REVENUE ANALYSIS
15.24.3 GEOGRAPHIC PRESENCE
15.24.4 PRODUCT PORTFOLIO
15.24.5 RECENT DEVELOPMENT
NOTE: THE COMPANIES PROFILED IS NOT EXHAUSTIVE LIST AND IS AS PER OUR PREVIOUS CLIENT REQUIREMENT. WE PROFILE MORE THAN 100 COMPANIES IN OUR STUDY AND HENCE THE LIST OF COMPANIES CAN BE MODIFIED OR REPLACED ON REQUEST
16 CONCLUSION
17 QUESTIONNAIRE
18 RELATED REPORTS
19 ABOUT DATA BRIDGE MARKET RESEARCH
Metodologia de Investigação
A recolha de dados e a análise do ano base são feitas através de módulos de recolha de dados com amostras grandes. A etapa inclui a obtenção de informações de mercado ou dados relacionados através de diversas fontes e estratégias. Inclui examinar e planear antecipadamente todos os dados adquiridos no passado. Da mesma forma, envolve o exame de inconsistências de informação observadas em diferentes fontes de informação. Os dados de mercado são analisados e estimados utilizando modelos estatísticos e coerentes de mercado. Além disso, a análise da quota de mercado e a análise das principais tendências são os principais fatores de sucesso no relatório de mercado. Para saber mais, solicite uma chamada de analista ou abra a sua consulta.
A principal metodologia de investigação utilizada pela equipa de investigação do DBMR é a triangulação de dados que envolve a mineração de dados, a análise do impacto das variáveis de dados no mercado e a validação primária (especialista do setor). Os modelos de dados incluem grelha de posicionamento de fornecedores, análise da linha de tempo do mercado, visão geral e guia de mercado, grelha de posicionamento da empresa, análise de patentes, análise de preços, análise da quota de mercado da empresa, normas de medição, análise global versus regional e de participação dos fornecedores. Para saber mais sobre a metodologia de investigação, faça uma consulta para falar com os nossos especialistas do setor.
Personalização disponível
A Data Bridge Market Research é líder em investigação formativa avançada. Orgulhamo-nos de servir os nossos clientes novos e existentes com dados e análises que correspondem e atendem aos seus objetivos. O relatório pode ser personalizado para incluir análise de tendências de preços de marcas-alvo, compreensão do mercado para países adicionais (solicite a lista de países), dados de resultados de ensaios clínicos, revisão de literatura, mercado remodelado e análise de base de produtos . A análise de mercado dos concorrentes-alvo pode ser analisada desde análises baseadas em tecnologia até estratégias de carteira de mercado. Podemos adicionar quantos concorrentes necessitar de dados no formato e estilo de dados que procura. A nossa equipa de analistas também pode fornecer dados em tabelas dinâmicas de ficheiros Excel em bruto (livro de factos) ou pode ajudá-lo a criar apresentações a partir dos conjuntos de dados disponíveis no relatório.
