Asia-Pacific SiC Power Semiconductor Market – Industry Trends and Forecast to 2030

Analyse du marché et taille des semi-conducteurs de puissance SiC Asie-Pacifique

Les semi-conducteurs de puissance SiC sont les semi-conducteurs les plus répandus et sont considérés comme le meilleur choix pour l'électronique. Ces semi-conducteurs de puissance SiC sont appliqués dans des secteurs domestiques, commerciaux et industriels et dans divers autres domaines. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont disponibles dans deux types de dispositifs, tels que les dispositifs discrets SiC et SiC nue die. En raison des progrès technologiques, la prévalence des dispositifs discrets SiC a augmenté plus rapidement. La propriété importante du semi-conducteur de puissance SiC est de hautes propriétés conductrices thermiques ainsi que d'autres qui utilisent efficacement l'électricité. Les semi-conducteurs d'énergie SiC sont utilisés dans les télécommunications, l'énergie et l'énergie, la production d'énergie renouvelable et plusieurs autres endroits. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont utilisés dans l'électronique de puissance qui gagne la prévalence parmi les individus. La demande de semi-conducteurs de puissance SiC sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique augmente à un rythme plus élevé. Pour cela, divers acteurs du marché introduisent de nouveaux produits et forment un partenariat pour développer leur activité sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC Asie-Pacifique.

Data Bridge Market Research analyse que le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique devrait atteindre USD 4 058 305,08 000 d'ici 2030, avec un TCAC de 25,9 % au cours de la période de prévision. Le rapport sur le marché des semi-conducteurs de puissance de SiC en Asie-Pacifique porte également sur l'analyse des prix, l'analyse des brevets et les progrès technologiques.

Définition du marché

Le semi-conducteur de puissance SiC désigne le type de semi-conducteur qui contient du carbone et du silicium et fonctionne à très haute tension et température. Les semi-conducteurs de puissance SiC peuvent être utilisés pour produire un matériau solide et très dur. Les semi-conducteurs d'énergie SiC peuvent être mis en œuvre dans divers secteurs tels que les télécommunications, l'énergie et l'énergie, l'automobile, la production d'énergie renouvelable et dans différents autres domaines. Ils sont essentiellement considérés en raison de propriétés conductrices thermiques maximales plus élevées qui ont élargi la zone d'application. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont des dispositifs considérés comme des dispositifs de puissance à haute fréquence qui sont principalement applicables dans les communications sans fil. Le semi-conducteur SiC offre dix fois la résistance au champ de panne diélectrique, trois fois la conductivité thermique et trois fois le bandgap par rapport à un semi-conducteur en silicium. Le semi-conducteur SiC a repris le marché en raison de ses hautes performances et de son efficacité. Le semi-conducteur de puissance SiC permet de travailler à haute tension et à courant et offre une faible résistance en plus d'être efficace à haute température. La combinaison de carbure de silicium s'est donc révélée être un meilleur choix de semi-conducteurs.

Dynamique du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique

Cette section traite de la compréhension des facteurs du marché, des avantages, des possibilités, des restrictions et des défis. Tout cela est examiné en détail ci-dessous :

Conducteurs

• Avent des semi-conducteurs de puissance SiC

Il existe des propriétés très utiles de SiC en tant que matériau semi-conducteur. Dans les applications telles que les onduleurs, les moteurs et les chargeurs de batterie, les dispositifs de carbure de silicium (SiC) offrent de nombreux avantages, tels que l'amélioration de la densité de puissance, la réduction des besoins de refroidissement et la réduction du coût global du système. Ces avantages suffisent à faire des semi-conducteurs de puissance SiC à un stade très efficace.

L'énergie perdue par SiC pendant la phase de récupération inverse n'est que de 1% de l'énergie perdue par le silicium, ce qui crée une énorme différence dans l'efficacité du matériau. L'absence virtuelle d'un courant de queue permet une mise en marche plus rapide et réduit les pertes. Comme il y a moins d'énergie à dissiper, un appareil SiC peut basculer à des fréquences plus élevées et améliorer son efficacité. Plus efficace, de petite taille et plus faible poids deSiCpar rapport à d'autres matériaux peuvent créer une solution plus élevée ou une conception plus petite avec des exigences de refroidissement réduites. Ainsi, l'avènement des semi-conducteurs de puissance SiC est un facteur important qui devrait stimuler la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique.

• La pénétration croissante des véhicules électroniques

Le monde change si vite et il se tourne vers les énergies renouvelables. Tous les secteurs, les acteurs du marché et les instituts gouvernementaux se concentrent davantage sur la construction d'infrastructures de véhicules électriques et génèrent une demande accrue de véhicules électriques.

Selon les informations de l'Agence internationale de l'énergie (AIE), 16,5 millions de voitures électriques étaient sur la route en 2021, un tripling en seulement trois ans, et c'est un grand nombre par rapport à 2020. Les ventes de voitures électriques ont augmenté et doublé en Chine, ont continué d'augmenter en Europe et ont repris aux États-Unis en 2021. Ces données montrent qu'il y a une augmentation considérable de la pénétration des véhicules électriques sur le marché, ce qui peut avoir une incidence positive sur l'environnement ainsi que sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie et dans le Pacifique. SiC est très efficace à haute tension, permettant des temps de charge de batterie rapides qui sont comparables au remplissage du réservoir des véhicules conventionnels. L'électronique au carbure de silicium permet une surtension dans les systèmes d'entraînement à 800 volts, ouvrant la voie à des EV plus légers avec une plus grande portée.

Possibilités

• Partenariat stratégique et acquisition par les fabricants SiC

Divers organismes et acteurs du marché créent des partenariats et des acquisitions stratégiques. Ce partenariat crée un énorme impact positif sur la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie et dans le Pacifique. Cette collaboration se traduit par une coopération, devenant une voie peu coûteuse pour que de nouveaux concurrents acquièrent la technologie et l'accès au marché.

Une coentreprise implique deux ou plusieurs entreprises qui mettent en commun leurs ressources et leur expertise pour atteindre un objectif particulier. Il existe de nombreuses organisations qui collaborent entre elles et créent un impact positif sur la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique.

Restriction/Défi

• Problèmes liés à la fabrication de Wafer SiC

Un wafer SiC est un matériau semi-conducteur qui a d'excellentes propriétés électriques et thermiques. C'est un semi-conducteur haute performance qui est idéal pour une grande variété d'applications. En plus de sa haute résistance thermique, il dispose également d'un très haut niveau de dureté. Les fabricants de wafer SiC doivent relever de nombreux défis en matière de fabrication. Les principaux défauts qui peuvent survenir pendant la fabrication des substrats SiC sont les défauts d'empilement cristallin, les microtuyaux, les fosses, les rayures, les taches et les particules de surface. Ces facteurs nuisent à la performance des dispositifs SiC qui ont été détectés plus fréquemment sur des plaquettes de 150 mm que sur des plaquettes de 100 mm. C'est parce que SiC est le troisième matériau composite le plus dur au monde et est également très fragile, et sa production pose des défis complexes liés à la durée du cycle, au coût et aux performances de tri. Il est efficace de prévoir que même le passage à des wafers de 200 mm entraînera des problèmes importants. En fait, il sera nécessaire de garantir la même qualité du substrat, face à une densité inévitablement plus élevée de défauts.

Après COVID-19 Impact sur le marché des semi-conducteurs de puissance de SiC en Asie-Pacifique

L'industrie des semi-conducteurs électriques SiC a noté une diminution progressive de la demande en raison du verrouillage et des lois gouvernementales COVID-19, à mesure que les installations et les services de fabrication étaient fermés. Même le développement privé et public a été annulé. En outre, l'arrêt de la chaîne d'approvisionnement, en particulier des matières premières utilisées dans le processus de fabrication des semi-conducteurs de puissance SiC, a également affecté l'industrie. Les réglementations gouvernementales strictes pour les différentes industries et les restrictions sur le commerce et les transports ont été parmi les principaux facteurs qui ont entraîné une diminution de la croissance du marché des semi-conducteurs électriques SiC dans le monde en 2020 et au cours des deux premiers trimestres de 2021. La production de semi-conducteurs de puissance de SiC ayant ralenti en raison des restrictions imposées par les gouvernements du monde entier, la production n'a pas répondu à la demande au cours des trois premiers trimestres de 2020. De plus, on a constaté une forte demande/exigence pour les produits semi-conducteurs de puissance SiC dans l'industrie automobile et de défense, dans le secteur médical et dans les applications hydrauliques. La reprise de la production de l'industrie pétrolière et gazière et de l'automobile a encore alimenté la demande croissante de semi-conducteurs électriques SiC à travers le monde. Ainsi, cela a non seulement entraîné une hausse de la demande, mais aussi augmenté le coût du produit.

Faits nouveaux

• En décembre 2022, STMicroelectronics et Soitec (Euronext Paris), dans la conception et la fabrication de matériaux semi-conducteurs innovants, ont annoncé la prochaine étape de leur coopération sur les substrats de carbure de silicium (SiC), avec la qualification de la technologie de substrat SiC de Soitec par ST prévue pour les 18 prochains mois. L'objectif de cette coopération est l'adoption par ST de la technologie SmartSiC de Soitec pour sa future fabrication de substrats de 200mm, alimentant ses appareils et modules de fabrication, avec une production en volume prévue à mi-parcours. Cette collaboration aidera l'entreprise à stimuler ses finances ainsi que la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance SiC Asie-Pacifique.
• En juillet 2022, Semikron Danfoss et la société de Kyoto ROHM Semiconductor collaborent depuis plus de dix ans à la mise en place de modules d'alimentation intérieure en carbure de silicium (SiC). Récemment, la 4e génération de MOSFET SiC de ROHM a été entièrement qualifiée dans les modules eMPack de SEMIKRON pour l'utilisation automobile. Par conséquent, les deux entreprises répondent aux besoins des clients du monde entier. Cette collaboration a amélioré les finances de l'entreprise et a eu un impact positif sur la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique.

Étendue du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique

Le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique est segmenté en fonction du type, de la plage de tension, de la taille des wafers, du type de wafer, de l'application et de la verticale. La croissance de ces segments vous aidera à analyser les segments de faible croissance dans les industries et à fournir aux utilisateurs une vue d'ensemble et des perspectives de marché précieuses pour les aider à prendre des décisions stratégiques pour identifier les applications principales du marché.

Par type

• MOTS
• Modules hybrides
• Diodes de barrière scotky
• IGBT
• Transistor de jonction bipolaire (BJT)
• Diode d'épingle
• Junction FET (JFET)
• Autres

Sur la base du type, le marché des semi-conducteurs de puissance SiC Asie-Pacifique est segmenté en MOSFETS, modules hybrides, diodes de barrière de Schottky (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), Pin Diode, Junction FET (JFET) et autres.

Par plage de tension

• 301-900 V
• 901-1700 V
• Au-dessus de 1701 V

Sur la base de la plage de tension, le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique est segmenté en 301-900 V, 901-1700 V et au-dessus de 1701 V.

Selon la taille de la cuve

• 6 pouces
• 4 pouces
• 2 pouces
• Au-dessus de 6 pouces

Sur la base de la taille des wafers, le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique est segmenté en 6 pouces, 4 pouces, 2 pouces et plus de 6 pouces.

Par type de Wafer

• Gaufrettes épitaxiales SiC
• Gaufrettes blanches en SiC

Sur la base du type wafer, le marché des semi-conducteurs de puissance SiC de l'Asie-Pacifique est segmenté en wafers épitaxiaux SiC et wafers blancs SiC.

Par demande

• Véhicules électriques (EV)
• Photovoltaïque
• Alimentation électrique
• Moteurs industriels
• Infrastructure de tarification des véhicules électriques
• Dispositifs RF
• Autres

Sur la base de cette application, le marché des semi-conducteurs d'énergie sic d'Asie-Pacifique est segmenté en véhicules électriques (EV), photovoltaïques, alimentation électrique, moteurs industriels, infrastructures de recharge d'EV, dispositifs RF, etc.

Par verticale

• Automobile
• Services publics et énergie
• Industrielle
• Transports
• Informatique et télécommunications
• Électronique grand public
• Aéronautique et défense
• Commerce
• Autres

Sur la base de la verticale, le marché des semi-conducteurs de puissance SiC Asie-Pacifique est segmenté en automobile, services publics et énergie, industriel, transport, informatique et télécommunications, électronique grand public, aérospatiale et défense, commercial, etc.

Asie-Pacifique SiC Marché des semi-conducteurs de puissance Analyse régionale/Insights

Le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie et dans le Pacifique est analysé et la taille du marché est présentée par région, type, plage de tension, taille des wafers, type des wafers, application et verticale, comme indiqué ci-dessus.

Les pays couverts par le rapport sur le marché des semi-conducteurs d'énergie SiC en Asie et dans le Pacifique sont le Japon, la Chine, la Corée du Sud, l'Inde, l'Australie et la Nouvelle-Zélande, Hong Kong, Taïwan, Singapour, la Thaïlande, l'Indonésie, la Malaisie, les Philippines, le Vietnam et le reste de l'Asie-Pacifique.

En 2023, la Chine devrait dominer le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie et dans le Pacifique en raison de la taille de son marché intérieur de l'électronique et de son statut de base de production pour des industries entières devrait jouer un rôle moteur dans la croissance du marché.

La section régionale du rapport présente également les facteurs qui influent sur le marché et les changements dans la réglementation du marché qui influent sur les tendances actuelles et futures du marché. Des points de données comme l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces du porteur, des études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario du marché pour chaque pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques Asie-Pacifique et les difficultés qu'elles rencontrent en raison de la concurrence importante ou rare des marques locales et nationales, de l'impact des tarifs intérieurs et des itinéraires commerciaux sont prises en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données de la région.

Le paysage concurrentiel et les semi-conducteurs de puissance SiC Asie-Pacifique

Asia-Pacific SiC Power semi-conducteur Paysage concurrentiel du marché fournit des détails par le concurrent. Les détails inclus sont l'aperçu de l'entreprise, les finances de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives du marché, la présence de l'Asie-Pacifique, les sites et installations de production, les capacités de production, les points forts et les faiblesses de l'entreprise, le lancement de produits, la largeur et l'étendue du produit et la domination de l'application. Les données ci-dessus fournies ne sont liées qu'à l'orientation des entreprises liées au marché des semi-conducteurs de puissance SiC Asie-Pacifique.

WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (une filiale du groupe Hitachi) et GeneSiC Semiconductor Inc., entre autres.

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