SiC (Siliziumkarbid) Leistungshalbleiter werden hauptsächlich eingesetzt in elektrische Fahrzeuge (Elektrofahrzeuge). SiC-Bauelemente werden in der Leistungselektronik von Elektrofahrzeugen eingesetzt, um Effizienz und Leistung zu verbessern. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und große Bandlücke ermöglichen es SiC-Leistungshalbleitern, bei höheren Temperaturen und Spannungen zu arbeiten, was zu geringeren Leistungsverlusten und einer höheren Energieumwandlungseffizienz in elektrischen Antriebssträngen führt. SiC-Leistungshalbleiter verbessern die Reichweite und beschleunigen Ladevorgänge und sind eine entscheidende Technologie zur Weiterentwicklung der Leistungsfähigkeit von Elektrofahrzeugen. Diese Innovation fördert nachhaltige und effiziente Transportlösungen.
Laut Data Bridge Market Research Analysen der Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter wird voraussichtlich bis 2030 einen Wert von 7.030.515,23 Tausend USD erreichen, bei einer CAGR von 26,0 % während des Prognosezeitraums 2023–2030.
„Steigende Betonung der Integration erneuerbarer Energien fördert das Marktwachstum“
Der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter wird durch die zunehmende Fokussierung auf erneuerbare Energiequellen vorangetrieben, insbesondere in Anwendungen wie Solar- und Windkraftanlagen. SiC-Leistungshalbleiter sind aufgrund ihrer Fähigkeit, die Effizienz der Stromumwandlung zu steigern und so die nahtlose Integration erneuerbarer Energien in das Netz zu ermöglichen, sehr gefragt. Diese wachsende Betonung nachhaltiger Energielösungen macht SiC-Leistungshalbleiter zu einem wichtigen Treiber auf dem globalen Markt. Ihre weitverbreitete Einführung trägt zu Fortschritten in Energiesystemen bei und unterstützt den Übergang zu einer saubereren und effizienteren Energieinfrastruktur.
Was hemmt das Wachstum von globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter?
„Begrenzte Produktionskapazität“
Die begrenzte Produktionskapazität stellt eine erhebliche Einschränkung auf dem globalen Markt für SiC-Leistungshalbleiter dar. Unzureichende Fertigungskapazitäten schränken die Fähigkeit der Branche ein, die wachsende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern zu decken. Dies behindert das Expansionspotenzial des Marktes und kann zu Lieferengpässen führen, die sich auf die allgemeine Wachstumskurve des SiC-Leistungshalbleitersektors auswirken.
Segmentierung: Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter
Der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter ist nach Typ, Spannungsbereich, Wafergröße, Wafertyp, Anwendung und Branche segmentiert.
- Auf der Grundlage des Typs ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in MOSFETs, Hybridmodule, Schottky-Barrieredioden (SBDS), IGBT, Bipolartransistor (BJT), Pindiode, Junction-FET (JFET) und andere unterteilt.
- Auf der Grundlage des Spannungsbereichs ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in 301-900 V, 901-1700 V und über 1701 V unterteilt.
- Auf der Grundlage der Wafergröße ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in 6 Zoll, 4 Zoll, 2 Zoll und über 6 Zoll unterteilt
- Auf der Grundlage des Wafertyps ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in SiC-Epitaxie-Wafer und leere SiC-Wafer unterteilt.
- Auf der Grundlage der Anwendung ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in Elektrofahrzeuge (EV) segmentiert, Photovoltaik, Stromversorgungen, industrielle Motorantriebe, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, HF-Geräte und mehr
- Auf vertikaler Basis ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in die Branchen Automobil, Versorgungsunternehmen und Energie, Industrie, Transport, IT und Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gewerbe und andere unterteilt.
Regionale Einblicke: Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich den globalen Markt für SiC-Leistungshalbleiter dominieren
Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich den globalen Markt für SiC-Leistungshalbleiter dominieren, angetrieben von der starken Nachfrage nach diesen fortschrittlichen Komponenten. Der sprunghaft gestiegene Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern wird durch eine erhöhte Nachfrage nach Leistungsmodulen und verwandten Geräten in der Region ergänzt. Diese doppelte Nachfragedynamik positioniert den asiatisch-pazifischen Raum als dominierende Kraft, wobei das Wachstum des Marktes durch die zentrale Rolle der SiC-Leistungshalbleiter bei der Erfüllung der steigenden Anforderungen an effiziente und leistungsstarke elektronische Geräte vorangetrieben wird.
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Jüngste Entwicklungen auf dem globalen Markt für SiC-Leistungshalbleiter
- Im Dezember 2022 gaben STMicroelectronics und Soitec eine erweiterte Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-Substraten (SiC) bekannt. In den letzten 18 Monaten qualifizierte ST die SiC-Substrattechnologie von Soitec, insbesondere SmartSiC, für die zukünftige Herstellung von 200-mm-Substraten. Diese strategische Partnerschaft zielte darauf ab, die Herstellung von Halbleiterbauelementen und -modulen von ST zu verbessern und zum Wachstum des globalen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter beizutragen
- Im Juli 2022 erreichten Semikron Danfoss und ROHM Semiconductor nach über einem Jahrzehnt der Zusammenarbeit einen Meilenstein, indem sie ROHMs neueste SiC-MOSFETs der 4. Generation in SEMIKRONs eMPack-Module für Automobilanwendungen integrierten. Diese erfolgreiche Partnerschaft hat sich nicht nur positiv auf die Finanzen beider Unternehmen ausgewirkt, sondern auch eine entscheidende Rolle bei der Deckung der weltweiten Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern gespielt und das Wachstum des Marktes gefördert.
Die wichtigsten Akteure im Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter:
- WOLFSPEED, INC. (USA)
- STMicroelectronics (Frankreich)
- ROHM CO., LTD. (Japan)
- Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)
- Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
- Texas Instruments Incorporated (USA)
- Infineon Technologies AG (Deutschland)
- Semikron Danfoss (Deutschland)
- Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China)
- Renesas Electronics Corporation (Japan)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan)
- Microchip Technology Inc. (USA)
- Semiconductor Components Industries, LLC (USA)
- NXP Semiconductors (Niederlande)
- UnitedSiC (USA)
- SemiQ Inc. (USA)
- Littlefuse, Inc. (USA)
- Allegro MicroSystems, Inc. (USA)
- Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japan)
- GeneSiC Semiconductor Inc. (USA)
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Forschungsmethodik: Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter
Die Datenerfassung und die Basisjahresanalyse werden mithilfe von Datenerfassungsmodulen mit großen Stichprobengrößen durchgeführt. Die Marktdaten werden mithilfe von marktstatistischen und kohärenten Modellen analysiert und geschätzt. Darüber hinaus sind Marktanteilsanalyse und Schlüsseltrendanalyse die wichtigsten Erfolgsfaktoren im Marktbericht. Die wichtigste Forschungsmethode, die das DBMR-Forschungsteam verwendet, ist die Datentriangulation, die Data Mining, Analyse der Auswirkungen von Datenvariablen auf den Markt und primäre (Branchenexperten-)Validierung umfasst. Abgesehen davon umfassen die Datenmodelle ein Lieferantenpositionierungsraster, eine Marktzeitlinienanalyse, einen Marktüberblick und -leitfaden, ein Firmenpositionierungsraster, eine Firmenmarktanteilsanalyse, Messstandards, globale vs. regionale und Lieferantenanteilsanalyse. Bitte fordern Sie bei weiteren Fragen einen Analystenanruf an.
