Globaler Marktbericht zu Größe, Anteil und Trends von Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) – Branchenüberblick und Prognose bis 2032

Globale Marktgröße für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)

• Der globale Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) hatte im Jahr 2024 ein Volumen von 9,16 Milliarden US-Dollar und dürfte bis 2032 21,93 Milliarden US-Dollar erreichen , was einem CAGR von 11,52 % im Prognosezeitraum entspricht.
• Die Expansion des Marktes wird vor allem durch die steigende Nachfrage nach energieeffizienten elektronischen Geräten und den zunehmenden Einsatz von Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und Hochspannungs-Industrieanwendungen vorangetrieben.
• Darüber hinaus fördern Fortschritte in der Leistungshalbleitertechnologie und die Bemühungen um eine nachhaltige Energieinfrastruktur die branchenübergreifende Einführung von IGBTs, wodurch diese zu einer wichtigen Komponente moderner Energiemanagementsysteme werden und erheblich zum Marktwachstum beitragen.

Globale Marktanalyse für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)

• Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs), die die hohe Effizienz und die Schnellschalteigenschaften von MOSFETs mit der Hochstrom- und Niedrigsättigungsspannungsfähigkeit von Bipolartransistoren kombinieren, werden aufgrund ihrer Rolle bei der Verbesserung der Energieeffizienz und Systemleistung zu entscheidenden Komponenten in der Leistungselektronik in den Bereichen Automobil, Industrie und erneuerbare Energien.
• Die steigende Nachfrage nach IGBTs ist größtenteils auf die weltweite Verlagerung hin zu Elektrofahrzeugen (EVs), den Ausbau erneuerbarer Energieanlagen wie Solar- und Windenergie sowie den Bedarf an effizientem Energiemanagement in der industriellen Automatisierung und Unterhaltungselektronik zurückzuführen.
• Europa dominierte den globalen IGBT-Markt mit dem größten Umsatzanteil von 34,6 % im Jahr 2024, unterstützt durch die schnelle Industrialisierung, staatliche Subventionen für Elektrofahrzeuge und die Präsenz großer Halbleiterhersteller in Ländern wie China, Japan und Südkorea, die alle zu einer Massenproduktion und einem Massenverbrauch von IGBTs beitrugen.
• Der asiatisch-pazifische Raum wird im Prognosezeitraum voraussichtlich die am schnellsten wachsende Region auf dem IGBT-Markt sein, angetrieben durch strenge Umweltvorschriften, eine starke Verbreitung von Elektrofahrzeugen und laufende Investitionen in die Infrastruktur für grüne Energie.
• Das Segment IGBT-Module dominierte den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 62,4 % im Jahr 2024, was auf seine kompakte Integration, höhere Effizienz und weit verbreitete Anwendung in Hochleistungs-Industriesystemen und Elektrofahrzeugen zurückzuführen ist.

Berichtsumfang und globale Marktsegmentierung für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)    

Globale Markttrends für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)

Verbesserte Effizienz durch KI-gesteuertes Energiemanagement

• Ein bedeutender und sich beschleunigender Trend auf dem globalen Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektronik (IGBT) ist die Integration künstlicher Intelligenz (KI) in Leistungselektroniksysteme. Dies ermöglicht ein intelligenteres, adaptiveres und energieeffizienteres Energiemanagement für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und die industrielle Automatisierung. Diese technologische Konvergenz verbessert die Systemleistung, Zuverlässigkeit und die Möglichkeiten zur vorausschauenden Wartung erheblich.
  • Beispielsweise nutzen KI-gestützte Antriebsstrangsteuerungen in Elektrofahrzeugen Echtzeitdaten und Algorithmen des maschinellen Lernens, um die Leistung von IGBTs in Wechselrichtern und Motorantrieben dynamisch zu optimieren. Dadurch werden Energieverluste reduziert und die Batterielebensdauer verlängert. In ähnlicher Weise wird KI in Solarwechselrichtern eingesetzt, um die Energieproduktion vorherzusagen und die Stromumwandlung in Echtzeit anzupassen, was die allgemeine Netzstabilität verbessert.
• Die KI-Integration in IGBT-Module ermöglicht prädiktive Diagnosen durch kontinuierliche Überwachung von Temperatur, Stromstärke und Spannung. So lassen sich Leistungseinbußen oder potenzielle Fehler frühzeitig erkennen. Unternehmen wie Infineon und STMicroelectronics integrieren intelligente Funktionen in ihre IGBT-Lösungen, die Datenanalyse und thermische Modellierung unterstützen und so die Systemverfügbarkeit verbessern und die Wartungskosten senken.
• Die Verschmelzung von KI mit Leistungselektronik ermöglicht zudem adaptive Schaltstrategien und selbstoptimierende Steuerungen, bei denen IGBT-Module ihren Betrieb automatisch an Lastanforderungen oder Umgebungsbedingungen anpassen können, wodurch die Energieeffizienz in einer Vielzahl von Anwendungen verbessert wird.
• Dieser Trend zu KI-gestützten, selbstregulierenden IGBT-Systemen definiert die Standards für das Energiemanagement in Sektoren wie Transport, Industrieautomation und Netzinfrastruktur neu. Hersteller wie Fuji Electric und ON Semiconductor investieren in KI-kompatible Halbleiterdesigns, um der wachsenden Nachfrage nach intelligenten Energielösungen gerecht zu werden.
• Da Energiesysteme immer komplexer und dezentraler werden, steigt die Nachfrage nach KI-integrierten IGBT-Lösungen rasant. Sowohl Industrie- als auch Schwellenländer legen Wert auf intelligente Energieinfrastrukturen. Die Rolle von IGBTs als Kernkomponenten intelligenter Energiesysteme dürfte im Prognosezeitraum deutlich zunehmen.

Globale Marktdynamik für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)

Treiber

 Steigende Nachfrage durch Elektrifizierungs- und Energieeffizienzziele

• Der weltweit zunehmende Fokus auf Energieeffizienz, CO2-Reduktion und Elektrifizierung in zahlreichen Sektoren ist ein Hauptgrund für die steigende Nachfrage nach IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors). Da die Industrie von mechanischen auf elektrische Systeme umstellt und Regierungen auf sauberere Energie drängen, werden IGBTs zu unverzichtbaren Komponenten in elektronischen Hochleistungssystemen.

  • So stellte die Infineon Technologies AG im Mai 2024 ihre IGBT7-Technologie der nächsten Generation vor, die für Elektrofahrzeuge und Industrieantriebe optimiert ist und geringere Leistungsverluste sowie ein verbessertes Wärmeverhalten bietet. Innovationen wie diese unterstützen den schnellen Ausbau der Elektromobilität und intelligenter Energieinfrastruktur.
• Die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen, Anlagen für erneuerbare Energien (Solar- und Windenergie) und die industrielle Automatisierung beschleunigen die Einführung von IGBT-Modulen aufgrund ihrer effizienten Steuerung von Hochspannung und -strom. In Elektrofahrzeugen dienen IGBTs als kritische Elemente in Wechselrichtern und Bordladegeräten, während sie in Solaranlagen eine effiziente DC-AC-Umwandlung für die Netzkompatibilität ermöglichen.
• Darüber hinaus verstärken steigende Investitionen in die Modernisierung von Stromnetzen und Industrieanlagen – insbesondere in Schwellenländern – den Bedarf an robusten und skalierbaren Energiemanagementlösungen, bei denen IGBTs eine entscheidende Rolle spielen.
• Die Fähigkeit von IGBTs, Schaltverluste zu reduzieren, kompakte Systemdesigns zu ermöglichen und unter Hochbelastungen zuverlässige Leistung zu bieten, macht sie für unternehmenskritische Anwendungen unverzichtbar. Angesichts des steigenden Strombedarfs und der weltweit strengeren Effizienzstandards steht dem IGBT-Markt ein anhaltendes, robustes Wachstum in den Bereichen Automobil, Energie und Industrie bevor.

Einschränkung/Herausforderung

Komplexes Wärmemanagement und hohe Anschaffungskosten

• Eine der größten Herausforderungen für den globalen Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist das Wärmemanagement und die relativ hohen Anschaffungskosten moderner IGBT-Module. IGBTs arbeiten unter hohen Spannungen und Strömen, was zu einer erheblichen Wärmeentwicklung führt, die effizient abgeführt werden muss, um langfristige Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.
  • Beispielsweise erfordern Hochleistungsanwendungen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Antrieben anspruchsvolle thermische Lösungen – wie Kühlkörper, Flüssigkeitskühlsysteme und Wärmeleitmaterialien –, die die Komplexität und Kosten des Gesamtsystems erhöhen können. Eine unzureichende Wärmeableitung kann insbesondere in anspruchsvollen Umgebungen zu thermischer Belastung, verminderter Effizienz oder sogar zum Geräteausfall führen.
• Darüber hinaus können die Anschaffungskosten von Hochleistungs-IGBT-Modulen, insbesondere für Elektrofahrzeuge oder die Schwerindustrie, für kleine und mittlere Unternehmen oder in kostensensiblen Regionen eine Markteintrittshürde darstellen. Diese Module verfügen oft über erweiterte Funktionen wie schnelles Schalten, höhere Nennspannungen und eine robuste Verpackung, die zu ihrem höheren Preis beitragen.
• Schwellenländer, die beispielsweise intelligente Stromnetze implementieren oder den Verkehr elektrifizieren möchten, könnten mit den erforderlichen Anfangsinvestitionen für IGBT-basierte Systeme im Vergleich zu günstigeren, weniger effizienten Alternativen zu kämpfen haben. Zwar rechtfertigen langfristige Energieeinsparungen und die Systemleistung die Investition, doch die anfänglichen Kosten bleiben ein zentrales Problem.
• Diese Probleme müssen durch Innovationen im IGBT-Gehäuse (z. B. auf Siliziumkarbid-Basis), integrierte Wärmesensoren und kostengünstigere Fertigungsprozesse gelöst werden. Darüber hinaus sind branchenweite Bemühungen, Systementwickler über bewährte Verfahren für das thermische Design zu informieren und die langfristigen Kostenvorteile IGBT-basierter Lösungen zu fördern, unerlässlich, um Akzeptanzbarrieren zu überwinden.
• Mit zunehmender Marktreife wird die Entwicklung standardisierter, kompakter und thermisch optimierter IGBT-Lösungen – zusammen mit kontinuierlichen Preissenkungen – entscheidend zu einer breiteren Akzeptanz in der Automobil-, Industrie- und Energiebranche beitragen.

Globaler Marktumfang für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)

Der Markt ist nach Typ, Nennleistung und Anwendung segmentiert.

• Nach Typ

Der IGBT-Markt ist nach Typ in diskrete IGBTs und IGBT-Module unterteilt. Das Segment IGBT-Module dominierte den Markt mit dem größten Umsatzanteil von 62,4 % im Jahr 2024, was auf die kompakte Integration, die höhere Effizienz und die breite Anwendung in Hochleistungs-Industriesystemen und Elektrofahrzeugen zurückzuführen ist. IGBT-Module werden bevorzugt, da sie hohe Spannungen und Ströme mit geringeren Schaltverlusten verarbeiten können. Dies macht sie ideal für erneuerbare Energiesysteme, Motorantriebe und Elektrofahrzeugantriebe. Ihr modularer Aufbau vereinfacht zudem die Installation und das Wärmemanagement, was die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen erhöht.

Das Segment diskreter IGBTs wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 18,9 % verzeichnen. Dies ist auf die zunehmende Verbreitung in Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Leistung wie Wechselrichtern, USV-Systemen und Unterhaltungselektronik zurückzuführen. Diskrete IGBTs sind kostengünstig und bieten Designflexibilität für kompakte Systeme, bei denen Platz, Leistung und Erschwinglichkeit entscheidend sind.

• Nach Leistungsbewertung

Basierend auf der Nennleistung ist der Markt in Hochleistungs-, Mittelleistungs- und Niedrigleistungs-IGBTs unterteilt. Das Hochleistungssegment hatte im Jahr 2024 mit 48,1 % den größten Marktanteil, was auf den zunehmenden Einsatz von IGBTs in erneuerbaren Energieprojekten im Versorgungsmaßstab, HGÜ-Systemen und Hochgeschwindigkeitsbahnanwendungen zurückzuführen ist. Diese IGBTs sind in Szenarien unverzichtbar, in denen die Handhabung von Hochspannung und Stromstärke entscheidend ist und Leistung unter extremer thermischer und elektrischer Belastung erforderlich ist.

Das Segment der mittleren Leistung wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 19,6 % am schnellsten wachsen. Dies ist auf die zunehmende Integration in Industrieantriebe, Elektrofahrzeugantriebe und mittelgroße Solarwechselrichter zurückzuführen. Diese Anwendungen erfordern zuverlässige Schaltfunktionen mit einem ausgewogenen Verhältnis von Kosteneffizienz und Leistung. Mit der weltweit zunehmenden industriellen Automatisierung und der zunehmenden Verbreitung von Elektrofahrzeugen werden IGBTs mittlerer Leistung zur bevorzugten Wahl für Hersteller, die skalierbare und robuste Stromversorgungslösungen anstreben.

• Nach Anwendung

Der IGBT-Markt ist nach Anwendung in die Bereiche Energie & Strom, Unterhaltungselektronik, Wechselrichter & USV, Elektrofahrzeuge, Industriesysteme und Sonstiges unterteilt. Das Segment Elektrofahrzeuge hielt im Jahr 2024 mit 36,7 % den größten Umsatzanteil, angetrieben durch den globalen Übergang zur Elektromobilität und die wichtige Rolle von IGBTs bei der Steuerung von Elektrofahrzeugantrieben, Ladesystemen und regenerativem Bremsen. Da staatliche Fördermittel für Elektrofahrzeuge gewährt werden und Automobilhersteller ihre Produktion ausweiten, steigt die Nachfrage nach IGBTs in Automobilqualität weiter an.

Das Segment Wechselrichter & USV wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 21,3 % verzeichnen. Grund hierfür ist die zunehmende Abhängigkeit von unterbrechungsfreien Stromversorgungen und die steigende Nachfrage nach Wechselrichtern für Solar- und Windenergie. Diese Systeme erfordern eine effiziente Energieumwandlung, die IGBTs mit minimalem Energieverlust und hoher Schaltfrequenz ermöglichen. Die zunehmende Nutzung von Backup- und netzunabhängigen Stromversorgungssystemen in Gewerbe und Privathaushalten fördert das Wachstum dieses Segments zusätzlich.

Globale Marktanalyse für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)

• Europa dominierte den globalen Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) mit dem größten Umsatzanteil von 34,6 % im Jahr 2024, getrieben durch die schnelle Industrialisierung, den Ausbau der Produktion von Elektrofahrzeugen (EV) und umfangreiche Investitionen in die Infrastruktur für erneuerbare Energien in Ländern wie China, Japan und Südkorea.
• Die starke Produktionsbasis der Region sowie die staatliche Unterstützung energieeffizienter Technologien und Elektrifizierungsinitiativen haben zu einer hohen Akzeptanz von IGBTs in Sektoren wie Transport, Stromerzeugung und industrieller Automatisierung geführt.
• Darüber hinaus tragen die Präsenz wichtiger Halbleiterhersteller und die wachsende Nachfrage nach leistungsstarker Leistungselektronik in Schwellenländern erheblich zum Marktwachstum bei. Die steigende Nachfrage der Verbraucher nach Elektrofahrzeugen sowie die führende Rolle der Region beim Ausbau der Solar- und Windenergiekapazitäten machen den asiatisch-pazifischen Raum weiterhin zum wichtigsten Zentrum für IGBT-Innovation, -Produktion und -Einsatz.

Einblicke in den US-IGBT-Markt

Der US-amerikanische IGBT-Markt erzielte 2024 mit 38 % den größten Umsatzanteil innerhalb Nordamerikas, angetrieben durch die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energieprojekten und industrieller Automatisierung. Der Schwerpunkt des Landes auf saubere Energiepolitik und technologische Fortschritte in der Leistungselektronik kurbeln die Nachfrage nach hocheffizienten IGBT-Modulen an. Steigende Investitionen in intelligente Stromnetze, EV-Infrastruktur und fortschrittliche Fertigungsprozesse sind ebenfalls wichtige Wachstumstreiber. Darüber hinaus beschleunigen die starke Präsenz wichtiger Halbleiterunternehmen und Forschungs- und Entwicklungsinitiativen für IGBTs auf Siliziumkarbidbasis (SiC) die Marktexpansion in den USA.

Einblicke in den europäischen IGBT-Markt

Der europäische IGBT-Markt wird im Prognosezeitraum voraussichtlich mit einer robusten jährlichen Wachstumsrate wachsen, unterstützt durch strenge Umweltvorschriften und den Übergang zu nachhaltigen Energiesystemen. Länder wie Deutschland, Frankreich und Großbritannien verzeichnen eine starke Nachfrage nach IGBTs in Anlagen für erneuerbare Energien, Elektromobilität und industrielle Automatisierung. Der zunehmende Fokus auf die Reduzierung von CO2-Emissionen und die Steigerung der Energieeffizienz in Produktionsanlagen treibt die Einführung fortschrittlicher Leistungshalbleiter voran. Europas Engagement für Innovation und der Ausbau der Smart-Grid-Infrastruktur stärken die langfristigen Marktaussichten zusätzlich.

Einblicke in den britischen IGBT-Markt

Der britische IGBT-Markt wird im Prognosezeitraum voraussichtlich mit einer deutlichen jährlichen Wachstumsrate wachsen, angetrieben durch die zunehmende Bedeutung von Elektrofahrzeugen und der Integration erneuerbarer Energien im Land. Die unterstützende Politik der Regierung zur Förderung emissionsfreier Transportmittel und energieeffizienter Industrielösungen treibt Investitionen in die IGBT-Technologie voran. Darüber hinaus steigern der wachsende Fertigungssektor und die Entwicklung intelligenter Infrastrukturen in Großbritannien die Nachfrage nach Leistungselektronik, die die Betriebseffizienz steigert und Energieverluste reduziert. IGBTs werden dadurch zu einer wichtigen Komponente in verschiedenen Anwendungen.

IGBT-Markteinblick in Deutschland

Der deutsche IGBT-Markt wird voraussichtlich ein deutliches Wachstum verzeichnen, angetrieben durch die führende Rolle Deutschlands in den Bereichen Industrieautomation, Elektromobilität und erneuerbare Energien. Deutschlands fortschrittliches Fertigungsökosystem, starke Forschungs- und Entwicklungskapazitäten sowie der Fokus auf Nachhaltigkeit tragen zur steigenden Akzeptanz leistungsstarker IGBT-Module bei. Die deutsche Ausrichtung auf Industrie 4.0 und die Umstellung auf saubere Energiequellen erfordern effiziente Leistungshalbleiter und positionieren IGBTs als Schlüsselfaktor für intelligente und umweltfreundliche Technologien im gewerblichen und privaten Bereich.

Einblicke in den IGBT-Markt im asiatisch-pazifischen Raum

Der IGBT-Markt im asiatisch-pazifischen Raum wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 22,5 % wachsen. Dies ist auf die rasante Industrialisierung, Urbanisierung und Elektrifizierung in China, Japan, Südkorea und Indien zurückzuführen. Die Dominanz der Region in der Produktion von Elektrofahrzeugen, der Nutzung erneuerbarer Energien und der Herstellung von Unterhaltungselektronik treibt die Nachfrage nach fortschrittlichen IGBT-Modulen an. Staatliche Anreize zur Unterstützung der Entwicklung intelligenter Stromnetze und der Energiewende beschleunigen das Wachstum zusätzlich. Die Präsenz großer Halbleiterhersteller und wachsender lokaler Lieferketten machen den asiatisch-pazifischen Raum zudem zum globalen Zentrum für IGBT-Innovation und -Produktion.

Einblicke in den japanischen IGBT-Markt

Der japanische IGBT-Markt gewinnt an Dynamik, da das Land großen Wert auf Energieeffizienz, Automatisierung und Elektrofahrzeugtechnologie legt. Die führende Rolle des Landes in der Halbleiterforschung und Präzisionsfertigung unterstützt kontinuierliche Verbesserungen bei der Leistung und Zuverlässigkeit von IGBTs. Die zunehmende Integration von IGBTs in Industriemaschinen, Automobilelektronik und erneuerbare Energien treibt das Marktwachstum voran. Japans alternde Bevölkerung steigert indirekt auch die Nachfrage nach Automatisierung und energieeffizienten Lösungen und verstärkt so die Einführung der IGBT-Technologie im privaten und gewerblichen Bereich.

Einblicke in den chinesischen IGBT-Markt

China hatte 2024 den größten Umsatzanteil am IGBT-Markt im asiatisch-pazifischen Raum, angetrieben durch umfangreiche Investitionen in Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und intelligente Fertigung. Als weltweit größter Markt für Elektrofahrzeuge und führender Anbieter von Solar- und Windkraftanlagen ist Chinas Nachfrage nach leistungsstarken und kostengünstigen IGBT-Modulen weiterhin stark. Die aggressiven Bemühungen der Regierung um Elektrifizierung und CO2-Neutralität treiben das kontinuierliche Marktwachstum voran. Darüber hinaus sorgen Chinas robustes Ökosystem in der Halbleiterfertigung und steigende Investitionen in Forschung und Entwicklung für nachhaltige Innovation und ein Wachstum der Produktionskapazitäten im IGBT-Sektor.

Globaler Marktanteil von Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)

Die IGBT-Branche (Insulated Gate Bipolar Transistor) wird hauptsächlich von etablierten Unternehmen angeführt, darunter:

• Infineon Technologies AG (Deutschland)

• ABB Ltd (Schweiz)

• Danfoss Group (Dänemark)

• Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)

• Hitachi, Ltd. (Japan)

• Toshiba Corporation (Japan)

• ROHM CO., LTD (Japan)

• Littelfuse, Inc. (USA)

• StarPower Semiconductor Ltd. (China)

• Renesas Electronics Corporation (Japan)

• ON Semiconductor Corporation (USA)

• STMicroelectronics (Schweiz)

• IPG Photonics Corporation (USA)

• Texas Instruments Incorporated (USA)

• Analog Devices Inc. (USA)

• Microchip Technology Inc. (USA)

• Alpha & Omega Semiconductor (USA)

• SEMIKRON (Deutschland)

Was sind die jüngsten Entwicklungen auf dem globalen Markt für Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)?

• Im April 2023 kündigte die Infineon Technologies AG, ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, eine strategische Erweiterung ihrer IGBT-Fertigungskapazitäten in Malaysia an, um der steigenden Nachfrage aus den Bereichen Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien gerecht zu werden. Diese Initiative unterstreicht Infineons Engagement, leistungsstarke Leistungshalbleiter zu liefern, die auf die regionalen Marktbedürfnisse zugeschnitten sind, und stärkt gleichzeitig seine Führungsposition im schnell wachsenden globalen IGBT-Markt.
• Im März 2023 brachte die ON Semiconductor Corporation mit Hauptsitz in den USA ihr neuestes Hochleistungs-IGBT-Modul auf den Markt, das speziell für industrielle Motorantriebe und Elektrofahrzeuganwendungen entwickelt wurde. Das neue Modul bietet verbesserte Effizienz und Wärmeleistung und unterstreicht das Engagement von ON Semiconductor, die Leistungselektroniktechnologie voranzutreiben, um nachhaltiges industrielles Wachstum und Elektromobilität zu unterstützen.
• Im März 2023 setzte die Toshiba Corporation in Japan erfolgreich ein Smart-Grid-Pilotprojekt um. Dabei nutzte sie ihre fortschrittlichen IGBT-Module, um die Energieverteilung zu optimieren und Stromverluste zu reduzieren. Dieses Projekt zeigt, dass Toshiba sich auf die Nutzung modernster IGBT-Technologie zur Steigerung der Energieeffizienz und zur Unterstützung der Entwicklung einer widerstandsfähigen, nachhaltigen städtischen Infrastruktur konzentriert.
• Im Februar 2023 gab ABB Ltd, ein führender Anbieter von Energie- und Automatisierungstechnologien, eine strategische Partnerschaft mit einem führenden europäischen Unternehmen für erneuerbare Energien zur Lieferung hocheffizienter IGBT-Module für Wechselrichter von Windkraftanlagen bekannt. Diese Zusammenarbeit zielt darauf ab, die Netzintegration erneuerbarer Energien zu verbessern und unterstreicht ABBs Engagement für Innovation und nachhaltige Energielösungen im IGBT-Markt.
• Im Januar 2023 stellte die Danfoss-Gruppe auf der Hannover Messe ihre IGBT-Leistungsmodule der nächsten Generation vor. Diese für Elektrofahrzeuge und die Industrieautomation entwickelten Module bieten verbesserte Schaltgeschwindigkeiten und verbesserte Wärmemanagementfunktionen. Die Markteinführung von Danfoss spiegelt den Fokus des Unternehmens auf die Verbesserung der Leistung und Zuverlässigkeit von Leistungshalbleiterkomponenten für den globalen Markt wider.

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