Marktbericht zu globalem magnetoresistivem RAM: Größe, Marktanteil und Trendanalyse – Branchenüberblick und Prognose bis 2032

Marktgröße für magnetoresistive RAMs

• Der globale Markt für magnetoresistive RAMs hatte im Jahr 2024 einen Wert von 2,60 Milliarden US-Dollar und wird voraussichtlich bis 2032 auf 61,52 Milliarden US-Dollar  anwachsen  , was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 48,51 % im Prognosezeitraum entspricht.
• Das Marktwachstum wird maßgeblich durch die steigende Nachfrage nach schnellen, nichtflüchtigen Speicherlösungen in den Bereichen Unterhaltungselektronik, Automobilindustrie und Industrieanwendungen angetrieben.
• Die zunehmende Verbreitung von IoT-Geräten, Edge-Computing-Systemen und KI-gesteuerten Rechenzentren verstärkt den Bedarf an energieeffizienten Speichertechnologien wie MRAM zusätzlich.

Marktanalyse für magnetoresistive RAMs

• Der Markt für magnetoresistive RAMs verzeichnet ein rasantes Wachstum aufgrund seiner überlegenen Ausdauer, des geringen Stromverbrauchs und des schnellen Datenzugriffs im Vergleich zu herkömmlichen Flash- und DRAM-Technologien.
• Unternehmen setzen zunehmend auf MRAM für eingebettete Systeme, Wearables und Steuergeräte in der Automobilindustrie, wo Langlebigkeit und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.
• Nordamerika dominierte 2024 den Markt für magnetoresistiven RAM (MRAM) mit dem größten Umsatzanteil. Dies ist auf die starke Präsenz wichtiger Halbleiterhersteller und die zunehmende Verbreitung von MRAM in industriellen und automobilen Anwendungen zurückzuführen.
• Die Region Asien-Pazifik dürfte die höchste Wachstumsrate auf dem globalen Markt für magnetoresistive RAMs verzeichnen , angetrieben durch expandierende Elektronikfertigungszentren, staatliche Unterstützung für die Halbleiterentwicklung und die steigende Nachfrage nach KI-gestützten Anwendungen in Ländern wie China, Japan und Südkorea.
• Das STT-MRAM-Segment erzielte 2024 den größten Marktanteil, was auf seine überlegene Skalierbarkeit, Energieeffizienz und Kompatibilität mit modernen CMOS-Fertigungsprozessen zurückzuführen ist. Dank seiner Fähigkeit, höhere Schreibgeschwindigkeiten und längere Lebensdauer zu ermöglichen, ist es die bevorzugte Wahl für eingebettete Speicherlösungen in Industrie-, Automobil- und Konsumgüteranwendungen. Die Nachfrage nach STT-MRAM steigt kontinuierlich, da Hersteller verstärkt auf die Entwicklung hochdichter, energieeffizienter Speicher für Computerarchitekturen der nächsten Generation setzen.

Berichtsumfang und Marktsegmentierung für magnetoresistive RAMs       

Markttrends für magnetoresistive RAMs

„Fortschritte bei der Entwicklung von MRAM durch Spin-Transfer-Torque (STT)-Technologie“

•  Der anhaltende Trend hin zur Spin-Transfer-Torque-Technologie (STT) revolutioniert den Markt für magnetoresistive RAMs (MRAM) durch höhere Schreibgeschwindigkeiten, längere Lebensdauer und geringeren Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen Speichertypen. Diese Innovation ermöglicht es MRAM, als universelle Speicherlösung die Lücke zwischen DRAM und Flash-Speicher zu schließen und Nichtflüchtigkeit mit geringer Latenz zu kombinieren. Die kontinuierliche Miniaturisierung magnetischer Tunnelkontakte (MTJs) und Fortschritte bei spintronischen Materialien verbessern die kommerzielle Rentabilität und Speicherdichte von MRAM zusätzlich.
•  Die zunehmende Verbreitung von STT-MRAM in der Unterhaltungselektronik der nächsten Generation und in industriellen Systemen unterstreicht seine Skalierbarkeit und Effizienz. Die Fähigkeit, Datensicherheit bei DRAM-ähnlicher Leistung zu gewährleisten, macht es zu einer attraktiven Option für eingebettete und eigenständige Anwendungen in den Bereichen Computing und IoT. Darüber hinaus unterstützt seine Fähigkeit, hohe Lese-/Schreibzyklen zu bewältigen, seinen wachsenden Einsatz in Fahrzeugsteuerungen, Wearables und KI-gesteuerten Geräten, die energieeffiziente Speicher benötigen.
•  Die Kompatibilität von STT-MRAM mit Standard-CMOS-Fertigungsprozessen beschleunigt dessen Integration in die Massenproduktion, senkt die Herstellungskosten und verbessert die Ausbeute. Dieser Trend wird zusätzlich durch Kooperationen zwischen Halbleiterherstellern und Materialwissenschaftlern unterstützt, die sich auf die Verbesserung von MRAM konzentrieren. Infolgedessen erweitern globale Halbleiterhersteller ihre Produktionskapazitäten kontinuierlich, um die Nachfrage von eingebetteten Speicheranwendungen in fortschrittlichen System-on-Chip (SoC)-Architekturen zu decken.
•  So kündigte Everspin Technologies beispielsweise 2024 eine Kooperation mit GlobalFoundries an, um die Produktion seiner 28-nm-STT-MRAM-Chips für den Einsatz in der Automobil- und Industriebranche auszuweiten und die Datenspeicherung sowie die Schreibbeständigkeit unter extremen Bedingungen deutlich zu verbessern. Ziel der Initiative war es außerdem, die Latenz zu reduzieren und die Skalierbarkeit für Anwendungen im Edge-Computing und in sensorgesteuerten Systemen zu erhöhen. Diese Zusammenarbeit verdeutlicht den strategischen Fokus der Branche auf die Entwicklung von MRAM der nächsten Generation, das herkömmliche Speicher in Hochleistungssystemen ersetzen kann.
•  Während STT-MRAM zunehmend an kommerzieller Bedeutung gewinnt, erfordern anhaltende Herausforderungen in Bezug auf Skalierung, thermische Stabilität und Schreibfehlerraten kontinuierliche Forschung und Materialoptimierung, um die Dynamik der Technologie im breiteren Ökosystem der Halbleiterspeicher aufrechtzuerhalten. Hersteller müssen sich auf die Verbesserung der magnetischen Anisotropie und der Spinpolarisationseffizienz konzentrieren, um Speichermodule mit höherer Dichte zu ermöglichen. Darüber hinaus bleibt die Gewährleistung einer stabilen Leistung unter verschiedenen Umgebungsbedingungen eine zentrale technische Priorität für Entwickler.

Marktdynamik von magnetoresistiven RAMs

Treiber

„Steigende Nachfrage nach nichtflüchtigen Speichern in Automobil- und Industrieanwendungen“

•  Der rasante Anstieg vernetzter Fahrzeuge, fortschrittlicher Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und industrieller Automatisierung hat den Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher, der Daten auch ohne Stromversorgung speichert, deutlich erhöht. MRAM bietet hohe Geschwindigkeit, geringe Latenz und außergewöhnliche Langlebigkeit und ist daher ideal für raue Betriebsumgebungen geeignet. Zudem ermöglicht es schnellere Startzeiten und verbesserte Fehlertoleranz – unerlässlich für kritische eingebettete Steuerungssysteme in der modernen Automobil- und Industrieelektronik.
•  Die Automobil- und Industriebranche setzt zunehmend auf MRAM als Ersatz für herkömmliche Flash- und SRAM-Speicher. Grund dafür sind die hohe Langlebigkeit und die Fähigkeit, auch unter extremen Temperaturen und hoher Belastung zuverlässig zu arbeiten. Dieser Wandel gewährleistet die Datenspeicherung in Echtzeit, schnellere Systemstarts und eine erhöhte Systemzuverlässigkeit und reduziert das Risiko von Datenbeschädigung. Die Unempfindlichkeit der Technologie gegenüber magnetischen Störungen und Strahlung macht sie zudem zu einer bevorzugten Lösung für Elektronik in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich.
•  Hersteller investieren zunehmend in MRAM-basierte Lösungen, um die Leistung in unternehmenskritischen Anwendungen wie vorausschauender Wartung, Robotik und autonomen Systemen zu verbessern. Dieser Trend entspricht der wachsenden Nachfrage nach Speichertechnologien, die Edge Computing und KI-Workloads unterstützen. Die Kombination aus Langlebigkeit und Datenstabilität von MRAM ermöglicht es industriellen Systemen der nächsten Generation zudem, kontinuierliche Datenprotokollierung und adaptives Lernen ohne häufige Wartung durchzuführen.
•  Beispielsweise führte Infineon Technologies im Jahr 2023 MRAM-basierte Mikrocontroller für Steuergeräte in der Automobilindustrie ein. Diese verbesserten den Echtzeit-Datenzugriff und reduzierten den Stromverbrauch, was die Effizienz und Leistung der Fahrzeuge steigerte. Diese Markteinführung markierte einen wichtigen Schritt hin zur Integration von MRAM in eingebettete Systeme und bot eine höhere Leistung als EEPROM und Flash-Speicher. Die Mikrocontroller zeigten zudem eine hohe Zuverlässigkeit unter Temperaturschwankungen und Vibrationsbelastung – entscheidende Faktoren für den langfristigen Einsatz in Automobilen.
•  Während die Nachfrage aus Industrie und Automobilbranche das Marktwachstum vorantreibt, bleiben kosteneffiziente Skalierbarkeit und optimierte Schreibeffizienz entscheidende Faktoren für eine langfristige Akzeptanz. Um dem zu begegnen, konzentrieren sich die Hersteller auf die Entwicklung hybrider Speicherarchitekturen, die MRAM mit anderen Technologien kombinieren. Kooperationen mit Auftragsfertigern und Materiallieferanten laufen ebenfalls, um die Produktionskosten zu senken und die Gleichmäßigkeit der Wafer zu verbessern.

Zurückhaltung/Herausforderung

„Hohe Herstellungskosten und Integrationskomplexität bei der MRAM-Produktion“

•  Die Herstellung von MRAM umfasst komplexe Mehrschichtabscheidungs- und Präzisionsfertigungsprozesse, was im Vergleich zu herkömmlichen Flash- und DRAM-Technologien zu höheren Kosten führt. Diese Kostenbarrieren schränken die Verfügbarkeit für Einsteiger-Unterhaltungselektronik und kleinere Hersteller ein. Die präzise Ausrichtung der Magnetschichten und Tunnelbarrieren erfordert zudem fortschrittliche Sputtertechniken, was die Investitionskosten und die betriebliche Komplexität weiter erhöht.
•  Integrationsschwierigkeiten mit bestehenden Halbleiterarchitekturen erschweren den Einsatz von MRAM zusätzlich, insbesondere in großflächigen Systemen, wo Kompatibilität und Leistungsoptimierung entscheidend sind. Hersteller müssen daher erhebliche Investitionen in Designanpassung und Tests tätigen, um eine reibungslose Funktionalität zu gewährleisten. Darüber hinaus führt das Fehlen standardisierter Integrationsprotokolle zwischen den Halbleiterherstellern zu längeren Entwicklungszyklen und höheren Prototypenkosten.
•  Die begrenzte Verfügbarkeit spezialisierter Produktionsanlagen und die hohe Abhängigkeit von fortschrittlichen Lithographietechnologien behindern die großflächige Kommerzialisierung. Dies erhöht zudem die Preisvolatilität von MRAM-Komponenten entlang globaler Lieferketten. Darüber hinaus erschwert die notwendige strenge Qualitätskontrolle bei der Wafer-Fertigung und dem Tempern neuen Marktteilnehmern den Zugang zu wettbewerbsfähigen Preisen und Ausbeuten.
•  Beispielsweise berichteten 2024 mehrere Speicherhersteller in Japan und Südkorea von Verzögerungen in der MRAM-Produktion aufgrund hoher Materialkosten und begrenzter Fertigungskapazitäten, was die Markteinführung im Bereich der Mittelklasse-Elektronik verlangsamte. Der Mangel an hochreinen Magnetmaterialien und Sputtertargets verschärfte die Lieferkettenprobleme zusätzlich. Diese Faktoren führten insgesamt zu Verzögerungen in der Massenproduktion und beeinflussten die Preisstrategien in verschiedenen Produktkategorien.
•  Obwohl MRAM großes Potenzial als universeller Speicher besitzt, sind die Beseitigung von Kostenineffizienzen und die Verbesserung der Fertigungsausbeute weiterhin entscheidend für die Erzielung von Skaleneffekten und eine nachhaltige Marktdurchdringung. Kontinuierliche Investitionen in Forschungspartnerschaften und fortschrittliche Fertigungsinfrastruktur sind der Schlüssel zur Bewältigung dieser Herausforderungen. Die Entwicklung von Wafer-Werkzeugen der nächsten Generation und Automatisierungslösungen wird ebenfalls eine entscheidende Rolle dabei spielen, MRAM erschwinglicher zu machen und seine weltweite Akzeptanz zu fördern.

Marktübersicht für magnetoresistive RAMs

Der Markt ist nach Produkt und Anwendung segmentiert.

• Nebenprodukt

Basierend auf dem Produkttyp ist der Markt für magnetoresistives RAM (MRAM) in Spin-Transfer-Torque (STT)-MRAM und Toggle-MRAM unterteilt. Das STT-MRAM-Segment erzielte 2024 den größten Marktanteil, was auf seine überlegene Skalierbarkeit, Energieeffizienz und Kompatibilität mit modernen CMOS-Fertigungsprozessen zurückzuführen ist. Dank seiner Fähigkeit, höhere Schreibgeschwindigkeiten und längere Lebensdauer zu ermöglichen, ist es die bevorzugte Wahl für eingebettete Speicherlösungen in Industrie-, Automobil- und Konsumgüteranwendungen. Die Nachfrage nach STT-MRAM steigt kontinuierlich, da Hersteller den Fokus auf die Entwicklung hochdichter, energieeffizienter Speicher für Computerarchitekturen der nächsten Generation legen.

Für den Markt für Toggle-MRAM wird von 2025 bis 2032 ein stetiges Wachstum erwartet, gestützt durch seine bewährte Zuverlässigkeit und etablierte Anwendung in der Luft- und Raumfahrt, der Verteidigungsindustrie und in industriellen Steuerungssystemen. Toggle-MRAM ist bekannt für seine Robustheit und Beständigkeit gegenüber Strahlung und extremen Temperaturen und bleibt daher eine bewährte Wahl für unternehmenskritische Anwendungen, die eine langfristige Datenspeicherung erfordern. Obwohl neuere Technologien auf den Markt kommen, behält Toggle-MRAM in Nischenanwendungen, in denen Langlebigkeit und Datensicherheit von größter Bedeutung sind, weiterhin seine Relevanz.

• Auf Antrag

Basierend auf den Anwendungsbereichen ist der Markt für magnetoresistiven RAM (MRAM) in die Segmente Luft- und Raumfahrt/Verteidigung, Automobilindustrie, Robotik, Unterhaltungselektronik und Unternehmensspeicher unterteilt. Das Segment Unterhaltungselektronik erzielte 2024 den größten Marktanteil, was auf die zunehmende Integration von MRAM in Smartphones, Wearables und Smart Devices für schnelleren Datenzugriff und energieeffiziente Leistung zurückzuführen ist. Die steigende Nachfrage nach schnellem, nichtflüchtigem Speicher in kompakter Elektronik treibt die Verbreitung von MRAM in diesem Sektor weiterhin voran.

Der Automobilsektor dürfte von 2025 bis 2032 das schnellste Wachstum verzeichnen, angetrieben durch die rasante Verbreitung von Elektrofahrzeugen, autonomen Systemen und fortschrittlichen Fahrerassistenzsystemen. Die Fähigkeit von MRAM, Daten ohne Stromversorgung zu speichern und unter extremen Umgebungsbedingungen zuverlässig zu funktionieren, macht es ideal für Fahrzeugsteuerungssysteme und die Echtzeit-Datenverarbeitung. Darüber hinaus wird erwartet, dass die steigende Nachfrage nach langlebigen, leistungsstarken Speicherlösungen in ADAS- und Infotainmentsystemen die Verbreitung von MRAM in der Automobilindustrie weiter beschleunigen wird.

Regionale Analyse des Marktes für magnetoresistive RAMs

•  Nordamerika dominierte 2024 den Markt für magnetoresistiven RAM (MRAM) mit dem größten Umsatzanteil. Dies ist auf die starke Präsenz wichtiger Halbleiterhersteller und die zunehmende Verbreitung von MRAM in industriellen und automobilen Anwendungen zurückzuführen.
•  Die technologischen Fortschritte der Region und die erheblichen Investitionen in Forschung und Entwicklung haben die Kommerzialisierung von MRAM-Technologien in verschiedenen Endverbraucherbranchen beschleunigt.
•  Die hohe Nachfrage nach nichtflüchtigen Hochgeschwindigkeitsspeicherlösungen in Rechenzentren, autonomen Fahrzeugen und Luft- und Raumfahrtsystemen treibt das Marktwachstum weiter an und etabliert Nordamerika als führendes Zentrum für MRAM-Innovation und -Produktion.

Einblick in den US-Markt für magnetoresistive RAMs

Der US-amerikanische Markt für magnetoresistives RAM (MRAM) erzielte 2024 den größten Umsatzanteil in Nordamerika. Treiber dieser Entwicklung waren die robuste Halbleiterinfrastruktur und die frühzeitige Einführung von Speichertechnologien der nächsten Generation. Die steigende Nachfrage nach MRAM in den Bereichen Verteidigung, Automobil und Industrie fördert die umfassende Integration in eingebettete Systeme und Mikrocontroller. Darüber hinaus treiben die Präsenz führender Hersteller wie Everspin Technologies und Avalanche Technology sowie die Kooperationen zwischen Halbleiterherstellern und Forschungseinrichtungen die Weiterentwicklung von MRAM in den USA voran. Der zunehmende Einsatz von MRAM in KI-gestützten Computern und IoT-Geräten dürfte das Marktpotenzial landesweit weiter steigern.

Einblick in den europäischen Markt für magnetoresistive RAMs

Der europäische Markt für magnetoresistive RAMs (MRAM) wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 ein deutliches Wachstum verzeichnen. Treiber dieser Entwicklung sind starke Trends in der industriellen Automatisierung und der zunehmende Fokus auf energieeffiziente Speichertechnologien. Europäische Länder setzen MRAM aufgrund seiner Zuverlässigkeit und Strahlungsresistenz vermehrt in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich ein. Initiativen zur Förderung der digitalen Transformation und intelligenten Fertigung tragen zudem zur Verbreitung von MRAM in der Robotik und Automobilelektronik bei. Der wachsende Fokus auf nachhaltige Elektronikfertigung stärkt die Position der Region in der Entwicklung fortschrittlicher Speichertechnologien zusätzlich.

Einblick in den britischen Markt für magnetoresistive RAMs

Der britische Markt für magnetoresistive RAMs (MRAM) wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 ein starkes Wachstum verzeichnen, gestützt durch steigende Investitionen in Halbleiterforschung und -innovation. Der zunehmende Fokus des Landes auf Datensicherheit, künstliche Intelligenz und Verteidigungstechnologien treibt die Nachfrage nach MRAM-Lösungen mit hoher Ausdauer und schnellen Zugriffsgeschwindigkeiten an. Kooperationen zwischen Universitäten, Technologie-Startups und globalen Halbleiterherstellern beschleunigen die Produktentwicklung zusätzlich. Darüber hinaus schreitet die Integration von MRAM in Unternehmensspeicher- und Industriesysteme im Zuge der digitalen Infrastrukturentwicklung des Landes rasant voran.

Einblick in den deutschen Markt für magnetoresistive RAMs

Der deutsche Markt für magnetoresistive RAMs (MRAM) wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 das schnellste Wachstum verzeichnen, angetrieben durch Fortschritte in der Automobilelektronik und der industriellen Automatisierung. Die starke Ingenieurs- und Fertigungsbasis des Landes, gepaart mit dem Fokus auf Innovation und Industrie 4.0, fördert die rasche Verbreitung von MRAM in eingebetteten Systemen und Robotik. Deutsche Automobilhersteller setzen MRAM zunehmend ein, um die Zuverlässigkeit und Leistung der Fahrzeugcomputer zu verbessern. Darüber hinaus dürfte die staatliche Förderung der Halbleiterunabhängigkeit und von Forschungs- und Entwicklungsinitiativen den Einsatz der MRAM-Technologie in verschiedenen Industriezweigen weiter stärken.

Einblick in den Markt für magnetoresistive RAMs im asiatisch-pazifischen Raum

Der Markt für magnetoresistive RAMs (MRAM) im asiatisch-pazifischen Raum wird voraussichtlich von 2025 bis 2032 das schnellste Wachstum verzeichnen. Treiber dieses Wachstums sind die großflächige Halbleiterfertigung und die zunehmende Verbreitung in der Unterhaltungselektronik. Länder wie China, Japan und Südkorea sind weltweit führend in der Produktion und Forschung von Speichertechnologien und positionieren die Region damit als wichtiges Innovationszentrum für MRAM. Die rasche Industrialisierung, die starke staatliche Förderung der digitalen Transformation und die zunehmende Integration von MRAM in Automobil- und Unternehmensspeicheranwendungen beschleunigen das regionale Wachstum. Die steigende Nachfrage nach effizienten, energieeffizienten Speicherlösungen für IoT- und Mobilgeräte erhöht das Marktpotenzial zusätzlich.

Einblick in den japanischen Markt für magnetoresistive RAMs

Der japanische Markt für magnetoresistive RAMs (MRAM) wird aufgrund seiner etablierten Halbleiterindustrie und des frühen Fokus auf MRAM-Innovationen voraussichtlich von 2025 bis 2032 ein signifikantes Wachstum verzeichnen. Japanische Unternehmen integrieren MRAM aktiv in Automobilelektronik, Robotik und Konsumgeräte, um Geschwindigkeit und Energieeffizienz zu verbessern. Die ausgeprägte Technologiekultur des Landes und der Fokus auf miniaturisierte, leistungsstarke Elektronik sind wesentliche Wachstumstreiber. Darüber hinaus fördern Kooperationen zwischen inländischen Chipherstellern und globalen Technologieanbietern die Kommerzialisierung von MRAM und die Produktionskapazitäten für Großserien.

Einblick in den chinesischen Markt für magnetoresistive RAMs

Der chinesische Markt für magnetoresistive RAMs (MRAM) hatte 2024 den größten Anteil im asiatisch-pazifischen Raum. Dies ist auf die wachsende Halbleiterfertigungskapazität und staatliche Initiativen zur Förderung der Eigenversorgung mit Chips zurückzuführen. Die zunehmende Verbreitung von MRAM in der Industrieautomation, der Unterhaltungselektronik und der Datenspeicherung stärkt Chinas Position auf dem globalen Speichermarkt. Chinesische Unternehmen investieren massiv in die MRAM-Fertigung und -Forschung, um die Importabhängigkeit zu reduzieren. Darüber hinaus treibt die rasante Entwicklung von 5G, KI und Cloud-Computing-Infrastruktur den großflächigen Einsatz von MRAM in Chinas Hightech-Branchen voran.

Marktanteil von magnetoresistiven RAMs

Die Branche der magnetoresistiven RAMs wird hauptsächlich von etablierten Unternehmen angeführt, darunter:

•  Toshiba Corporation (Japan)
•  NVE Corporation (USA)
•  Everspin Technologies Inc. (USA)
•  Avalanche Technology Inc. (USA)
•  Spin Memory, Inc. (USA)
•  Honeywell International Inc. (USA)
•  Samsung Electronics Co. Ltd (Südkorea)
•  Numem Inc. (USA)
•  Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwan)

Neueste Entwicklungen auf dem globalen Markt für magnetoresistive RAMs

• Im Dezember 2022 kündigte die Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation den Bau einer neuen Produktionsanlage für Leistungshalbleiter in ihrem Werk Himeji in der Präfektur Hyōgo, Japan, an. Die Anlage, deren Produktion im Frühjahr 2025 aufgenommen werden soll, zielt darauf ab, die Fertigungskapazitäten von Toshiba zu stärken und den Beitrag des Unternehmens zur Halbleiterlieferkette auszubauen.
• Im September 2022 kooperierte Avalanche Technology mit United Microelectronics Corporation (UMC), um P-SRAM-Speicherbausteine ​​auf Basis der 22-nm-Prozesstechnologie von UMC auf den Markt zu bringen. Diese Entwicklung bietet höhere Speicherdichte, längere Lebensdauer und verbesserte Energieeffizienz und stärkt Avalanches führende Position im Bereich der STT-MRAM-Innovationen der nächsten Generation.
• Im Jahr 2022 präsentierte Samsung Electronics eine bahnbrechende Anwendung von magnetoresistivem Direktzugriffsspeicher (MRAM), die Datenverarbeitungssysteme revolutionieren wird. Diese Initiative, durchgeführt vom Samsung Advanced Institute of Technology in Zusammenarbeit mit dem Foundry Business und dem Semiconductor R&D Center, fördert die Entwicklung von KI-Chips und stärkt Samsungs Position im Bereich intelligenter Speichertechnologien.
• Im Mai 2022 stellte Everspin Technologies die EMxxLX xSPI MRAM-Lösung für das industrielle IoT und eingebettete Systeme vor. Als Alternative zu SPI NOR/NAND-Flashspeicher konzipiert, liefert sie Datenraten von bis zu 400 MB/s und bietet damit einen leistungsstarken, nichtflüchtigen Speicher, der sich ideal für unternehmenskritische Anwendungen eignet.
• Im Januar 2022 präsentierte Samsung Electronics das weltweit erste In-Memory-Computing-System auf Basis der MRAM-Technologie. Die in Zusammenarbeit mit dem Samsung Advanced Institute of Technology und dessen Halbleiterabteilungen entwickelte Innovation integriert Speicher- und Verarbeitungsfunktionen, ermöglicht schnellere KI-Berechnungen und verbessert die Wettbewerbsfähigkeit auf dem Markt.

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