Los semiconductores de potencia de carburo de silicio son un tipo de semiconductor que contiene carbono y silicio y opera a muy altos voltajes y temperaturas. Permiten producir un material resistente y muy duro. Se pueden implementar en diversos sectores, como telecomunicaciones, energía, automoción, generación de energías renovables y otras áreas. Su alta conductividad térmica máxima ha ampliado su campo de aplicación. Los semiconductores de potencia de carburo de silicio son dispositivos de alta frecuencia, principalmente aplicables en comunicaciones inalámbricas. El semiconductor de SiC ofrece una intensidad de campo de ruptura dieléctrica diez veces superior, una conductividad térmica tres veces superior y una banda prohibida tres veces superior a la de los semiconductores de silicio. El semiconductor de SiC ha conquistado el mercado gracias a su alto rendimiento y eficiencia. Los semiconductores de potencia de carburo de silicio funcionan a altos voltajes y corrientes, ofrecen baja resistencia de encendido y son eficientes a altas temperaturas. Por lo tanto, la combinación de carburo de silicio ha demostrado ser la mejor opción de semiconductor.
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Data Bridge Market Research analiza el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio, que se espera que alcance los USD 11.508.292,90 mil en 2031, frente a los USD 1.950.156 mil de 2023, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 25,1 % entre 2024 y 2031. El aumento de las regulaciones y la demanda de los consumidores de un menor consumo energético impulsarán el crecimiento del mercado.
Principales hallazgos del estudio
Aumento del uso de vehículos electrónicos
El creciente uso de vehículos eléctricos es un factor clave para el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio, al aprovechar su superior eficiencia, rendimiento térmico y capacidad de carga rápida para satisfacer la creciente demanda de vehículos eléctricos (VE). Además, los semiconductores de potencia de carburo de silicio contribuyen al desarrollo de soluciones de carga más rápida para VE, abordando una de las principales preocupaciones de los consumidores respecto a la practicidad de los vehículos eléctricos. Por lo tanto, todas las organizaciones sugieren una tendencia creciente hacia el uso de vehículos eléctricos en el sector automotriz. Se espera que estos desempeñen un papel clave en el crecimiento global de los semiconductores de potencia de carburo de silicio e impulsen el crecimiento del mercado.
Alcance del informe y segmentación del mercado
Métrica del informe
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Detalles
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Período de pronóstico
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2024 a 2031
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Año base
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2023
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Años históricos
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2022 (personalizable para 2016-2021)
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Unidades cuantitativas
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Ingresos en miles de USD
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Segmentos cubiertos
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Tipo (MOSFETS, diodos de barrera Schottky (SBD), transistores de unión bipolar (BJT), módulos híbridos, matriz desnuda de SiC, diodos pin, transistores de efecto de campo de unión y otros), tipo de oblea (obleas epitaxiales de SiC y obleas de SiC en blanco), rango de voltaje (301 V a 900 V, 901 V a 1700 V, 1701 V y superior, y menos de 300 V), tamaño de oblea (2 pulgadas, 3 pulgadas y 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 y 12 pulgadas), aplicación ( vehículos eléctricos (VE), inversores, fuentes de alimentación, energía fotovoltaica, dispositivos de radiofrecuencia, variadores de motores industriales y otros), vertical (automoción y transporte, centros de datos, industria, energías renovables/redes, electrónica de consumo , aeroespacial y defensa, medicina y otros)
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Países cubiertos
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EE. UU., Canadá y México, Alemania, Reino Unido, Francia, Italia, Países Bajos, España, Rusia, Suiza, Turquía, Bélgica, Polonia, Suecia, Dinamarca, Noruega, Finlandia, Resto de Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Australia, Taiwán, Singapur, Tailandia, Indonesia, Malasia, Filipinas, Nueva Zelanda, Vietnam, Resto de Asia-Pacífico, Brasil, Argentina, Resto de Sudamérica, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Israel, Sudáfrica, Egipto, Catar, Kuwait, Baréin, Omán y Resto de Oriente Medio y África.
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Actores del mercado cubiertos
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Infineon Technologies AG (Alemania), STMicroelectronics (Suiza), WOLFSPEED, INC. (EE. UU.), Renesas Electronics Corporation (Japón), Semiconductor Components Industries, LLC (EE. UU.), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), ROHM CO., LTD. (Japón), Qorvo, Inc (EE. UU.), Nexperia (Países Bajos), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION (EE. UU.), Allegro MicroSystems, Inc. (EE. UU.), GeneSiC Semiconductor Inc. (EE. UU.), Fuji Electric Co., Ltd (Japón), Vishay Intertechnology, Inc. (EE. UU.), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc. (EE. UU.), Texas Instruments Incorporated. (EE. UU.), Microchip Technology Inc. (EE. UU.), Semikron Danfoss (Alemania), WeEn Semiconductors (China), Solitron Devices, Inc. (EE. UU.), SemiQ Inc. (EE. UU.), Xiamen Powerway Advanced Material (China), MaxPower Semiconductor (Taiwán), entre otros.
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Puntos de datos cubiertos en el informe
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Además de los conocimientos sobre escenarios de mercado como el valor de mercado, la tasa de crecimiento, la segmentación, la cobertura geográfica y los principales actores, los informes de mercado seleccionados por Data Bridge Market Research también incluyen un análisis profundo de expertos, producción y capacidad por empresa representadas geográficamente, diseños de red de distribuidores y socios, análisis detallado y actualizado de tendencias de precios y análisis de déficit de la cadena de suministro y la demanda.
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Análisis de segmentos
El mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio está segmentado en seis segmentos notables que se basan en el tipo, el tipo de oblea, el rango de voltaje, el tamaño de la oblea, la aplicación y la vertical.
- Según el tipo, el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio está segmentado en MOSFETS, diodos de barrera Schottky (SBD), transistores de unión bipolar (BJT), módulos híbridos, matriz desnuda de SiC, diodos pin, FET de unión y otros.
En 2024, se espera que el segmento MOSFETS domine el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio.
Se espera que en 2024, el segmento MOSFET domine el mercado con una participación de mercado del 28,28% debido a su alta eficiencia, rápidas velocidades de conmutación y baja resistencia de encendido.
- Sobre la base del tipo de oblea, el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en obleas epitaxiales de SiC y obleas de SiC en blanco.
Se espera que en 2024, el segmento de obleas epitaxiales de SiC domine el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio.
Se espera que en 2024, el segmento de obleas epitaxiales de SiC domine el mercado con una participación de mercado del 55,19 % debido a sus propiedades eléctricas y eficiencia superiores.
- Sobre la base del rango de voltaje, el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en 301 V a 900 V, 901 V a 1700 V, 1701 V y más, y menos de 300 V. En 2024, se espera que el segmento de 301 V a 900 V domine el mercado con una participación de mercado del 44,68%.
- Según el tamaño de la oblea, el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en 2, 3 y 4 pulgadas, 6 y 8 y 12 pulgadas. En 2024, se espera que el segmento de 2, 3 y 4 pulgadas domine el mercado con una cuota de mercado del 43,65 %.
- Según su aplicación, el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en vehículos eléctricos (VE), inversores, fuentes de alimentación, sistemas fotovoltaicos, dispositivos de radiofrecuencia (RF), variadores de frecuencia para motores industriales, entre otros. En 2024, se prevé que el segmento de vehículos eléctricos (VE) domine el mercado con una cuota de mercado del 33,53 %.
- Por sector vertical, el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en automoción y transporte, centros de datos, industria, energías renovables/redes eléctricas, electrónica de consumo, aeroespacial y defensa, medicina, entre otros. En 2024, se prevé que el segmento de automoción y transporte domine el mercado con una cuota de mercado del 28,38 %.
Actores principales
Data Bridge Market Research analiza a Infineon Technologies AG (Alemania), STMicroelectronics (Suiza), WOLFSPEED INC. (EE. UU.), Renesas Electronics Corporation (Japón) y Semiconductor Components Industries LLC. (EE. UU.) como las principales empresas que operan en el mercado global de semiconductores de potencia de carburo de silicio.
Desarrollos del mercado
- En enero de 2024, STMicroelectronics anunció un acuerdo a largo plazo con Li Auto para el suministro de dispositivos de SiC. Gracias a este acuerdo, Li Auto recibirá MOSFET de SiC de STMicroelectronics (ST) para impulsar sus proyectos de vehículos eléctricos de batería de alto voltaje (VEB) en diversos segmentos del mercado. Este desarrollo podría fortalecer la presencia de la compañía en China.
- En agosto de 2023, STMicroelectronics anunció la firma de un contrato para suministrar MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) a BorgWarner Inc. STMicroelectronics suministrará los dados MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de tercera generación de 750 V más recientes para el módulo de potencia exclusivo de BorgWarner, construido sobre la plataforma Viper. Varios Volvo Cars, tanto actuales como futuros, están equipados con plataformas de inversor de tracción fabricadas por BorgWarner, que emplean este módulo de potencia. Este acuerdo permitirá ampliar la presencia de la compañía en el mercado automotriz.
- En julio de 2023, WOLFSPEED, INC. anunció la firma de un acuerdo de suministro con Renesas Electronics Corporation para el suministro de obleas desnudas y epitaxiales de carburo de silicio durante 10 años. El suministro de obleas premium de carburo de silicio por parte de Wolfspeed permitirá a Renesas comenzar a producir semiconductores de potencia de carburo de silicio a mayor escala a partir de 2025.
- En diciembre de 2022, Renesas Electronics Corporation anunció que había recibido el premio "Empresa de Semiconductores Destacada de Asia-Pacífico" de la Global Semiconductor Alliance (GSA). Este premio y reconocimiento mejoró la imagen de la empresa en el mercado y tuvo un impacto positivo en el crecimiento del mercado global de semiconductores de potencia de SiC.
- En noviembre de 2022, Infineon Technologies AG firmó un memorando de entendimiento no vinculante para una cooperación plurianual en el suministro de semiconductores de carburo de silicio (SiC). Infineon reservaría capacidad de fabricación y suministraría chips CoolSiC de matriz desnuda durante la segunda mitad de la década a los proveedores directos de primer nivel de Stellantis. El volumen potencial de abastecimiento y la reserva de capacidad superan con creces los mil millones de euros. Este avance impulsó el crecimiento de la empresa y tuvo un impacto positivo en el crecimiento del mercado global de semiconductores de potencia de SiC.
Análisis regional
Según la geografía, el mercado está segmentado en EE. UU., Canadá y México, Alemania, Reino Unido, Francia, Italia, Países Bajos, España, Rusia, Suiza, Turquía, Bélgica, Polonia, Suecia, Dinamarca, Noruega, Finlandia, resto de Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Australia, Taiwán, Singapur, Tailandia, Indonesia, Malasia, Filipinas, Nueva Zelanda, Vietnam, resto de Asia-Pacífico, Brasil, Argentina, resto de Sudamérica, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Israel, Sudáfrica, Egipto, Qatar, Kuwait, Baréin, Omán y resto de Medio Oriente y África.
Según el análisis de investigación de mercado de Data Bridge :
América del Norte es la región dominante en el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio.
Se espera que la región de América del Norte domine el mercado debido a su infraestructura tecnológica avanzada, su sólida inversión en investigación y desarrollo y una presencia significativa de actores clave del mercado en la región.
Asia-Pacífico es la región de más rápido crecimiento en el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio.
Se espera que la región Asia-Pacífico sea la de más rápido crecimiento en el mercado debido al creciente uso de vehículos electrónicos.
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