Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium sont des semi-conducteurs contenant du carbone et du silicium, fonctionnant à très haute tension et à très haute température. Ils permettent de produire un matériau robuste et très dur. Ils peuvent être utilisés dans divers secteurs tels que les télécommunications, l'énergie, l'automobile, la production d'énergie renouvelable, et bien d'autres. Leurs propriétés de conductivité thermique maximale élevée ont élargi leur champ d'application. Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium sont des dispositifs de puissance haute fréquence, principalement utilisés dans les communications sans fil. Les semi-conducteurs SiC offrent une intensité de champ de claquage diélectrique dix fois supérieure, une conductivité thermique trois fois supérieure et une bande interdite trois fois supérieure à celle des semi-conducteurs en silicium. Le semi-conducteur SiC a conquis le marché grâce à ses performances et son rendement élevés. Fonctionnant à haute tension et à courant élevé, ils offrent une faible résistance à l'état passant et sont efficaces à haute température. L'association du carbure de silicium s'est donc avérée être un choix de semi-conducteur optimal.
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Data Bridge Market Research analyse le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium qui devrait atteindre 11 508 292,90 milliers USD d'ici 2031, contre 1 950 156,00 milliers USD en 2023, avec un TCAC de 25,1 % au cours de la période de prévision de 2024 à 2031. Des réglementations plus strictes et la demande des consommateurs pour une consommation d'énergie réduite stimuleront la croissance du marché.
Principales conclusions de l'étude
Utilisation croissante des véhicules électroniques
L'essor des véhicules électriques constitue un moteur important pour le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium. Grâce à son rendement supérieur, ses performances thermiques et sa capacité de charge rapide, ce matériau répond aux besoins croissants des véhicules électriques. De plus, ces semi-conducteurs contribuent au développement de solutions de charge plus rapides pour les véhicules électriques, répondant ainsi à l'une des principales préoccupations des consommateurs concernant la praticité des véhicules électriques. Par conséquent, toutes les organisations s'accordent à dire que les véhicules électriques sont de plus en plus présents dans le secteur automobile. Ce secteur devrait jouer un rôle clé dans la croissance mondiale des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium et stimuler la croissance du marché.
Portée du rapport et segmentation du marché
Rapport métrique
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Détails
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Période de prévision
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2024 à 2031
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Année de base
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2023
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Années historiques
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2022 (personnalisable de 2016 à 2021)
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Unités quantitatives
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Chiffre d'affaires en milliers de dollars américains
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Segments couverts
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Type (MOSFET, diodes Schottky (SBD), transistor bipolaire à jonction (BJT), modules hybrides, matrice nue SiC, diode PIN, FET à jonction et autres), type de plaquette (plaquettes épitaxiales SiC et plaquettes SiC vierges), plage de tension (301 V à 900 V, 901 V à 1 700 V, 1 701 V et plus, et moins de 300 V), taille de plaquette (2 pouces, 3 pouces et 4 pouces, 6 pouces et 8 et 12 pouces), application ( véhicule électrique (VE), onduleurs, alimentations électriques, photovoltaïque, dispositifs RF, entraînements de moteurs industriels et autres), vertical (automobile et transport, centres de données, industrie, énergies renouvelables/réseaux, électronique grand public , aérospatiale et défense, médical et autres)
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Pays couverts
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États-Unis, Canada et Mexique, Allemagne, Royaume-Uni, France, Italie, Pays-Bas, Espagne, Russie, Suisse, Turquie, Belgique, Pologne, Suède, Danemark, Norvège, Finlande, reste de l'Europe, Chine, Japon, Inde, Corée du Sud, Australie, Taïwan, Singapour, Thaïlande, Indonésie, Malaisie, Philippines, Nouvelle-Zélande, Vietnam, reste de l'Asie-Pacifique, Brésil, Argentine, reste de l'Amérique du Sud, Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Israël, Afrique du Sud, Égypte, Qatar, Koweït, Bahreïn, Oman et reste du Moyen-Orient et de l'Afrique
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Acteurs du marché couverts
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Infineon Technologies AG (Allemagne), STMicroelectronics (Suisse), WOLFSPEED, INC. (États-Unis), Renesas Electronics Corporation (Japon), Semiconductor Components Industries, LLC (États-Unis), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), ROHM CO., LTD. (Japon), Qorvo, Inc (États-Unis), Nexperia (Pays-Bas), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION (États-Unis), Allegro MicroSystems, Inc. (États-Unis), GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis), Fuji Electric Co., Ltd (Japon), Vishay Intertechnology, Inc. (États-Unis), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc. (États-Unis), Texas Instruments Incorporated. (États-Unis), Microchip Technology Inc. (États-Unis), Semikron Danfoss (Allemagne), WeEn Semiconductors (Chine), Solitron Devices, Inc. (États-Unis), SemiQ Inc. (États-Unis), Xiamen Powerway Advanced Material (Chine), MaxPower Semiconductor (Taïwan), entre autres
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Points de données couverts dans le rapport
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En plus des informations sur les scénarios de marché tels que la valeur marchande, le taux de croissance, la segmentation, la couverture géographique et les principaux acteurs, les rapports de marché organisés par Data Bridge Market Research comprennent également une analyse approfondie des experts, une production et une capacité géographiquement représentées par entreprise, des configurations de réseau de distributeurs et de partenaires, une analyse détaillée et mise à jour des tendances des prix et une analyse des déficits de la chaîne d'approvisionnement et de la demande.
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Analyse des segments
Le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est segmenté en six segments notables qui sont basés sur le type, le type de plaquette, la plage de tension, la taille de la plaquette, l'application et la verticale.
- Sur la base du type, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est segmenté en MOSFET, diodes à barrière Schottky (SBD), transistors à jonction bipolaire (BJT), modules hybrides, matrices nues SiC, diodes PIN, FET à jonction et autres.
En 2024, le segment MOSFET devrait dominer le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium
En 2024, le segment des MOSFETS devrait dominer le marché avec une part de marché de 28,28 % en raison de leur rendement élevé, de leurs vitesses de commutation rapides et de leur faible résistance à l'état passant.
- Sur la base du type de plaquette, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est segmenté en plaquettes épitaxiales SiC et plaquettes SiC vierges.
En 2024, le segment des plaquettes épitaxiales SiC devrait dominer le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium
En 2024, le segment des plaquettes épitaxiales SiC devrait dominer le marché avec une part de marché de 55,19 % en raison de ses propriétés électriques et de son efficacité supérieures.
- Sur la base de la plage de tension, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est segmenté en 301 V à 900 V, 901 V à 1700 V, 1701 V et plus et moins de 300 V. En 2024, le segment 301 V à 900 V devrait dominer le marché avec une part de marché de 44,68 %.
- En fonction de la taille des plaquettes, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est segmenté en 2 pouces, 3 pouces et 4 pouces, 6 pouces et 8 et 12 pouces. En 2024, le segment des 2 pouces, 3 pouces et 4 pouces devrait dominer le marché avec une part de marché de 43,65 %.
- En fonction des applications, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est segmenté en véhicules électriques (VE), onduleurs, alimentations, photovoltaïque, dispositifs RF, entraînements de moteurs industriels, etc. En 2024, le segment des véhicules électriques (VE) devrait dominer le marché avec une part de marché de 33,53 %.
- Sur le plan vertical, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est segmenté comme suit : automobile et transports, centres de données, industrie, énergies renouvelables/réseaux, électronique grand public, aérospatiale et défense, médical, etc. En 2024, le segment automobile et transports devrait dominer le marché avec une part de marché de 28,38 %.
Acteurs majeurs
Data Bridge Market Research analyse Infineon Technologies AG (Allemagne), STMicroelectronics (Suisse), WOLFSPEED INC. (États-Unis), Renesas Electronics Corporation (Japon) et Semiconductor Components Industries LLC. (États-Unis) comme les principales entreprises opérant sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium.
Évolution du marché
- En janvier 2024, STMicroelectronics a annoncé un accord à long terme avec Li Auto pour la fourniture de composants SiC. Grâce à cet accord, Li Auto recevra des MOSFET SiC de STMicroelectronics (ST) pour soutenir ses ambitions en matière de véhicules électriques à batterie haute tension (BEV) sur plusieurs segments de marché. Ce développement renforcera la présence de l'entreprise en Chine.
- En août 2023, STMicroelectronics a annoncé la signature d'un contrat pour la fourniture de MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à BorgWarner Inc. STMicroelectronics fournira les derniers MOSFET de puissance 750 V en carbure de silicium (SiC) de troisième génération destinés au module de puissance exclusif de BorgWarner basé sur la plateforme Viper. Plusieurs véhicules électriques Volvo, actuels et futurs, sont équipés de plateformes d'onduleurs de traction BorgWarner, qui utilisent ce module de puissance. Cet accord permettra à l'entreprise de renforcer sa présence sur le marché automobile.
- En juillet 2023, WOLFSPEED, INC. a annoncé la signature d'un contrat d'approvisionnement de 10 ans avec Renesas Electronics Corporation pour la fourniture de plaquettes nues et épitaxiales en carbure de silicium. L'approvisionnement de Wolfspeed en plaquettes de carbure de silicium de qualité supérieure permettra à Renesas de produire des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium à plus grande échelle dès 2025.
- En décembre 2022, Renesas Electronics Corporation a annoncé avoir reçu le prix « Outstanding Asia-Pacific Semiconductor Company Award » de la Global Semiconductor Alliance (GSA). Ce prix et cette reconnaissance ont amélioré l'image de l'entreprise sur le marché et ont eu un impact positif sur la croissance du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
- En novembre 2022, Infineon Technologies AG a signé un protocole d'accord non contraignant portant sur une coopération pluriannuelle en matière d'approvisionnement de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC). Infineon réserverait des capacités de production et fournirait des puces CoolSiC « bare die » aux fournisseurs directs de premier rang de Stellantis au cours de la seconde moitié de la décennie. Le volume d'approvisionnement potentiel et la réservation de capacité représentent une valeur largement supérieure à 1 milliard d'euros. Cette évolution a permis à l'entreprise d'améliorer sa situation financière et a eu un impact positif sur la croissance du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
Analyse régionale
Sur la base de la géographie, le marché est segmenté en États-Unis, Canada et Mexique, Allemagne, Royaume-Uni, France, Italie, Pays-Bas, Espagne, Russie, Suisse, Turquie, Belgique, Pologne, Suède, Danemark, Norvège, Finlande, reste de l'Europe, Chine, Japon, Inde, Corée du Sud, Australie, Taïwan, Singapour, Thaïlande, Indonésie, Malaisie, Philippines, Nouvelle-Zélande, Vietnam, reste de l'Asie-Pacifique, Brésil, Argentine, reste de l'Amérique du Sud, Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Israël, Afrique du Sud, Égypte, Qatar, Koweït, Bahreïn, Oman et reste du Moyen-Orient et de l'Afrique.
Selon l'analyse de Data Bridge Market Research :
L'Amérique du Nord est la région dominante sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium
La région Amérique du Nord devrait dominer le marché en raison de son infrastructure technologique avancée, de ses investissements importants dans la recherche et le développement et d’une présence significative d’acteurs clés du marché dans la région.
L'Asie-Pacifique est la région qui connaît la croissance la plus rapide sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium.
La région Asie-Pacifique devrait être la région connaissant la croissance la plus rapide sur le marché en raison de l'utilisation croissante des véhicules électroniques.
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