世界の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場の規模、シェア、トレンド分析レポート
Market Size in USD Billion
CAGR :
% 
USD
1.26 Billion
USD
5.45 Billion
2024
2032
 予測期間 |
2025 –2032 |
 市場規模（基準年） |
USD 1.26 Billion |
 Market Size (Forecast Year) |
USD 5.45 Billion |
 CAGR |
% |
| Major Markets Players |
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世界の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場のセグメンテーション、材料別（GaN-On-SiC、GaN-On- Silicon、GaN-On-Diamond）、アプリケーション別（無線インフラ、電力貯蔵、衛星通信、PVインバーター、その他）、エンドユーザー別（航空宇宙および防衛、ITおよび通信、民生用電子機器、自動車、その他） - 2032年までの業界動向と予測
世界の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場の規模と成長率はどれくらいですか？
- 世界の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場規模は2024年に12億6000万米ドルと評価され、予測期間中に20.10％のCAGRで 成長し 、2032年には54億5000万米ドルに達すると予想されています。
- 窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、高出力および高周波アプリケーションへの変革的な影響により、大きな成長を遂げています。
- GaN系RF半導体は、優れた電力処理能力、効率、熱伝導性により、通信、レーダーシステム、衛星通信の分野でますます利用が広がっています。5G技術の急速な進歩と高性能通信システムへの需要の高まりが、市場拡大の大きな要因となっています。
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場の主なポイントは何ですか?
- GaN RFデバイスは信号強度とシステム性能を向上させ、5Gインフラのより広範な展開に貢献します。同様に、防衛・航空宇宙用途のレーダーシステムにおいては、高出力・高周波数で動作可能なGaNの能力が、性能と信頼性において重要な利点をもたらします。
- GaNの効率性と高出力は堅牢な衛星運用に不可欠であるため、高度な衛星通信システムへの重点が高まっており、市場の成長をさらに後押ししています。
- 北米は、5Gインフラ、防衛近代化、衛星通信プログラムへの多額の投資により、2024年に40.3%という最大の収益シェアで窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場を支配した。
- アジア太平洋地域の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、5Gの急速な導入、防衛投資、中国、日本、韓国、インドにおけるスマートシティ構想の拡大により、2025年から2032年にかけて14.3%という最も高いCAGRで成長すると予測されています。
- GaN-On-SiCセグメントは、優れた熱伝導性、高い電力密度、そして過酷な条件下でも信頼性の高いパフォーマンスを発揮する能力により、2024年には62.4%という最大の市場収益シェアで窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場を支配しました。
レポートの範囲と窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場のセグメンテーション
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属性 |
窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体の主要市場分析 |
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対象セグメント |
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対象国 |
北米
ヨーロッパ
アジア太平洋
中東およびアフリカ
南アメリカ
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主要な市場プレーヤー |
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市場機会 |
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付加価値データ情報セット |
データブリッジマーケットリサーチがまとめた市場レポートには、市場価値、成長率、セグメンテーション、地理的範囲、主要プレーヤーなどの市場シナリオに関する洞察に加えて、専門家による詳細な分析、価格設定分析、ブランドシェア分析、消費者調査、人口統計分析、サプライチェーン分析、バリューチェーン分析、原材料/消耗品の概要、ベンダー選択基準、PESTLE分析、ポーター分析、規制の枠組みも含まれています。 |
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場の主な傾向は何ですか?
「5Gインフラと防衛アプリケーションにおける急速な導入」
- 窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場における重要な加速トレンドの一つは、5G無線ネットワークと高度な防衛システムにおけるGaN技術の役割の拡大です。GaN半導体は、その卓越した電力密度、効率、そして高周波性能により、次世代通信およびレーダーアプリケーションに最適です。
- 例えば、Qorvo社やWolfspeed社などの企業は、5G基地局にGaN RFソリューションを統合する傾向が強まっており、従来のシリコンベースの技術に比べて、より広いカバレッジ、より高速なデータ伝送、そしてエネルギー効率の向上を実現しています。
- 防衛分野では、GaN RF半導体が高出力レーダー、電子戦、衛星通信システムに導入され、小型軽量化と性能向上を実現し、現代の軍事作戦に重要な利点をもたらしています。米国国防総省は、技術的優位性を維持するために、GaN技術への多額の投資を継続しています。
- さらに、GaNの高い効率と高温での動作能力の組み合わせにより、GaNは小型、軽量、エネルギー効率の高いRFシステムに最適であり、商業市場と軍事市場の両方の進化する需要を満たします。
- この傾向はRF半導体の状況を根本的に再形成しており、インフィニオンテクノロジーズAGや住友電気工業株式会社などのメーカーは、世界的な需要の高まりに対応するためにGaN製品ポートフォリオを拡大しています。
- 5Gの導入が世界的に拡大し、防衛の近代化が加速するにつれ、GaN RF半導体の採用が大幅に増加することが予想され、この技術は次世代の無線および防衛インフラの基盤として位置付けられることになる。
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場の主な推進要因は何ですか?
- 5Gネットワークの急速な展開と接続デバイスの急増により、高性能無線通信システムに対する世界的な需要が増加しており、これがGaN RF半導体の主な成長原動力となっている。
- 例えば、STマイクロエレクトロニクスは2024年3月、通信インフラ向けGaN RF製品ラインの拡充を発表し、5Gおよび衛星通信システムの性能向上を目指しています。主要企業によるこうした取り組みは、市場の成長を牽引すると期待されています。
- GaN RF半導体は、従来のシリコンベースのソリューションに比べて優れた効率、高い出力、優れた熱性能を備えているため、通信基地局、衛星通信、レーダーシステムに不可欠です。
- 防衛および航空宇宙分野では、コンパクトな設計と極限条件下での高い信頼性の恩恵を受け、次世代レーダー、電子戦、安全な通信システムにGaN RF技術を採用するケースが増えています。
- さらに、エネルギー効率の高い技術への重点が高まっていることは、GaNの消費電力とシステムサイズを削減する能力と一致しており、自動車、航空宇宙、産業用通信などの業界全体で需要をさらに押し上げています。
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場の成長を阻害する要因は何ですか?
- GaN RF半導体は、従来のシリコンやガリウムヒ素（GaAs）部品に比べて製造コストが比較的高く、技術的に複雑なため、特に価格に敏感な市場では、広く普及するための大きな課題となっています。
- 例えば、GaN技術に関連する材料費と処理費が高いため、利益率の低い通信アプリケーションや、コスト効率が依然として重要な要素である新興市場では、GaN技術の利用が制限される可能性がある。
- さらに、GaNデバイスの製造に必要な熟練した製造インフラと専門知識が限られているため、増大する需要に対応するための生産拡大が課題となっている。
- 放熱管理や高電力動作時のデバイス信頼性の確保といった技術的なハードルも、特に5Gや防衛用途の大規模展開においては依然として残っている。
- GaN製造技術の進歩と規模の経済の拡大によりコストは徐々に低下しているが、より広範な市場浸透にはこれらの障壁を克服することが依然として不可欠である。
- 研究、材料の革新、合理化された生産プロセスへの継続的な投資は、コストの課題に対処し、GaN RF半導体市場の成長の可能性を最大限に引き出すために不可欠です。
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場はどのようにセグメント化されていますか?
市場は、材質、用途、エンドユーザーに基づいて分割されています。
- 素材別
材料ベースで、窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、GaN-On-SiC、GaN-On-Silicon、GaN-On-Diamondの3つに分類されます。GaN-On-SiCセグメントは、優れた熱伝導性、高い電力密度、そして過酷な条件下でも信頼性の高い性能を発揮する能力により、2024年には62.4%という最大の市場収益シェアを獲得し、窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場を席巻しました。GaN-On-SiC基板は、効率性と熱管理が極めて重要な5Gインフラ、レーダーシステム、防衛電子機器などの高出力RFアプリケーションで広く採用されています。
GaN-On-Diamond分野は、ダイヤモンド基板の優れた熱性能と電力処理能力に牽引され、2025年から2032年にかけて最も高い成長率を達成すると予想されています。GaN-On-Diamond技術は、特に防衛・宇宙産業において、小型、高効率、高出力デバイスが不可欠な次世代RFアプリケーションで注目を集めています。
- アプリケーション別
用途別に見ると、窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、無線インフラ、電力貯蔵、衛星通信、PVインバータ、その他に分類されます。無線インフラ分野は、5Gネットワークの世界的な展開と高性能基地局およびアンテナへの需要に後押しされ、2024年には47.8%という最大の市場収益シェアを占めました。GaN RF半導体は、電力効率の向上、システムサイズの縮小、動作周波数の高速化を実現するため、次世代ネットワークへのアップグレードを目指す通信事業者に最適です。
衛星通信分野は、高速・低遅延の衛星インターネットへの需要の高まりと、低軌道（LEO）衛星群の導入拡大に牽引され、2025年から2032年にかけて最も高いCAGRを達成すると予想されています。GaN RF半導体は、商業宇宙プログラムと防衛宇宙プログラムの両方に不可欠な、小型、軽量、かつエネルギー効率の高い衛星通信システムを実現します。
- エンドユーザー別
エンドユーザー別に見ると、窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、航空宇宙・防衛、IT・通信、民生用電子機器、自動車、その他に分類されます。航空宇宙・防衛分野は、先進レーダーシステム、電子戦、セキュア通信プラットフォームへの投資増加に牽引され、2024年には39.5%という最大の市場収益シェアを獲得し、窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場を席巻しました。GaN RF半導体は優れた性能、耐久性、効率性を備えており、ミッションクリティカルな防衛用途に不可欠な存在となっています。
自動車分野は、先進運転支援システム（ADAS）、車車間通信（V2X）、そして電動化のトレンドの普及拡大に支えられ、2025年から2032年にかけて最も急速な成長を遂げると予測されています。GaN RF半導体は、効率性を向上させ、現代のコネクテッドカー向けのコンパクトな高出力RFシステムを実現します。
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場で最大のシェアを占めている地域はどこですか?
- 北米は、5Gインフラ、防衛近代化、衛星通信プログラムへの大規模な投資に牽引され、2024年には窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場で最大の収益シェア40.3%を獲得し、市場を席巻しました。この地域の強力な技術エコシステムと、高周波・高出力RF部品の需要増加が相まって、市場の成長を牽引しています。
- Wolfspeed, Inc.、Qorvo, Inc.、MACOMなどの主要業界プレーヤーの強力な存在により、北米全域でのGaN RF技術の革新と採用がさらに加速します。
- 増大する防衛予算と次世代通信ネットワークの急速な展開により、GaN RF半導体は航空宇宙、通信、防衛アプリケーションにおける技術的リーダーシップを維持するために不可欠なコンポーネントとして位置付けられています。
米国窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場の洞察
米国の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、防衛、宇宙、通信分野における米国のリーダーシップに牽引され、2024年には北米で最大の収益シェアを獲得しました。5Gネットワークの急速な展開と、高度なレーダー、衛星通信、電子戦システムへの需要の高まりが相まって、GaN RFの採用を促進しています。さらに、米国企業による戦略的取り組みと、国内半導体製造への政府による積極的な投資が、市場拡大を後押ししています。
欧州窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場インサイト
欧州の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、厳格なエネルギー効率規制、防衛支出の増加、高周波RFデバイスの需要増加を背景に、予測期間を通じて高いCAGRで成長すると予測されています。欧州では通信インフラの強化に注力しており、航空宇宙および防衛能力の進歩と相まって、GaN RFの採用が加速しています。さらに、現地での半導体生産を促進する取り組みも、民生部門と防衛部門の両方で市場の成長に貢献しています。
英国の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場の洞察
英国の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、防衛近代化、衛星通信、5G展開への投資増加を背景に、予測期間中に大幅な成長が見込まれています。小型でエネルギー効率が高く、高出力のRF部品に対する需要の高まりは、英国の通信・防衛インフラの高度化への取り組みと合致しています。GaN RF技術の宇宙・軍事プログラムへの統合は、英国における市場拡大をさらに後押ししています。
ドイツの窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場の洞察
ドイツの窒化ガリウム（GaN）高周波（RF）半導体市場は、同国が技術革新、産業オートメーション、高性能通信システムに重点を置いていることから、着実な成長が見込まれています。ドイツの高度な製造能力と、再生可能エネルギーおよび効率的な電力システムへの取り組みが相まって、太陽光発電インバータ、スマートグリッド、高周波通信ネットワークなどの用途におけるGaN RF半導体の需要が高まっています。
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場で最も急速に成長している地域はどこですか?
アジア太平洋地域の窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場は、5Gの急速な導入、防衛投資、そして中国、日本、韓国、インドにおけるスマートシティ構想の拡大に牽引され、2025年から2032年にかけて14.3%という最も高いCAGRで成長すると予測されています。この地域の製造業の強みに加え、自動車、家電、通信分野における高周波RF部品の需要増加が、GaN RFの採用を促進しています。国内半導体生産と技術革新を促進する政府の取り組みも、アジア太平洋地域全体の市場成長をさらに後押ししています。
日本における窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場の洞察
日本の窒化ガリウム（GaN）高周波（RF）半導体市場は、国内の技術進歩、エネルギー効率の高いRFシステムへの需要、そして高速通信ネットワークの拡大により、大きな勢いを見せています。GaN RF技術は、日本の防衛、宇宙、自動車分野でますます活用が進んでおり、ミッションクリティカルなアプリケーション向けに高性能、コンパクト、かつ信頼性の高いRFソリューションを提供しています。日本が研究開発とイノベーションに注力していることも、GaN RF市場の拡大を支え続けています。
中国窒化ガリウム（GaN）無線周波数（RF）半導体市場インサイト
中国の窒化ガリウム（GaN）高周波（RF）半導体市場は、急速な都市化、大規模な5G導入、そして堅調な防衛・航空宇宙計画に牽引され、2024年にはアジア太平洋地域（APAC）で最大の収益シェアを占めると予測されています。中国は国内半導体製造への積極的な投資に加え、通信・軍事用途向けの高性能RFシステムの開発も進めており、GaN RF半導体の需要を牽引しています。自立と技術革新を重視する姿勢は、引き続き市場の大幅な成長を牽引しています。
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場のトップ企業はどれですか?
窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体業界は、主に次のような老舗企業によって牽引されています。
- 住友電気工業株式会社（日本）
- RTX（米国）
- STマイクロエレクトロニクス（スイス）
- 三菱電機株式会社（日本）
- インフィニオンテクノロジーズAG（ドイツ）
- ルネサス エレクトロニクス株式会社（日本）
- パナソニック株式会社（日本）
- マイクロチップ・テクノロジー社（米国）
- エーテルコム（米国）
- Qorvo社（米国）
- スカイワークス ソリューションズ社（米国）
- ウルフスピード社（米国）
- MACOM（米国）
- NXPセミコンダクターズ（オランダ）
- RFHICコーポレーション（韓国）
世界の窒化ガリウム (GaN) 無線周波数 (RF) 半導体市場の最近の動向は何ですか?
- 2024年6月、Qorvoは次世代レーダーアプリケーション向けに設計された3つの先進的なRFマルチチップモジュールの発売を発表しました。これらのモジュールは、現代のフェーズドアレイおよび多機能レーダーシステムに不可欠な、卓越した性能、コンパクトな設計、ノイズレベルの低減、そして低消費電力を実現します。この開発により、レーダー技術の効率と精度が大幅に向上することが期待されます。
- 2024年6月、テキサス・インスツルメンツはデルタ・エレクトロニクスと提携し、電気自動車向け高性能電源システムの進化に重点を置く共同イノベーション・ラボを設立しました。この提携は、デルタのEV電源ソリューションにおける電力密度と全体的な効率性の向上を目指しています。この取り組みは、競争の激しいEV電源市場における両社の地位を強化するものです。
- 2024年4月、GaNパワー半導体のリーディングプロバイダーであるTransphorm, Inc.は、Weltrend Semiconductor Inc.と提携し、2つの新しいGaNシステムインパッケージ（SiP）、WT7162RHUG24CとWT7162RHUG24Bを発表しました。これらは、Weltrendの高周波フライバックPWMコントローラーとTransphormのSuperGaN FETを組み合わせることで、優れた性能を発揮します。この協業により、市場における高効率電力変換ソリューションの進化が期待されます。
- 2024年3月、エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーションは、画期的なGaN電界効果トランジスタ（FET）「EPC2361」を発表しました。100Vで1mΩという市場最小のオン抵抗を誇り、放熱性に優れたQFNパッケージを採用したコンパクトな3mm×5mmのフットプリントを実現しています。このイノベーションは、様々なアプリケーションにおいて電力密度を2倍に高め、効率を向上させることが期待されます。
- アナログ・デバイセズは2023年2月、無線設計者の開発リスクを軽減し、市場投入までの時間を短縮する統合型オープン無線ユニット（O-RU）リファレンス設計プラットフォームを発表しました。このプラットフォームは、マクロセルとスモールセルの両方の無線ユニットに対応した包括的なハードウェアとソフトウェアのソリューションを提供します。このプラットフォームは、高度な無線インフラの世界的な導入を効率化することが期待されています。
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目次
1 INTRODUCTION
1.1 OBJECTIVES OF THE STUDY
1.2 MARKET DEFINITION
1.3 OVERVIEW OF GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET
1.4 CURRENCY AND PRICING
1.5 LIMITATION
1.6 MARKETS COVERED
2 MARKET SEGMENTATION
2.1 KEY TAKEAWAYS
2.2 ARRIVING AT THE GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET
2.2.1 VENDOR POSITIONING GRID
2.2.2 TECHNOLOGY LIFE LINE CURVE
2.2.3 MARKET GUIDE
2.2.4 COMPANY MARKET SHARE ANALYSIS
2.2.5 MULTIVARIATE MODELLING
2.2.6 TOP TO BOTTOM ANALYSIS
2.2.7 STANDARDS OF MEASUREMENT
2.2.8 VENDOR SHARE ANALYSIS
2.2.9 DATA POINTS FROM KEY PRIMARY INTERVIEWS
2.2.10 DATA POINTS FROM KEY SECONDARY DATABASES
2.3 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET: RESEARCH SNAPSHOT
2.4 ASSUMPTIONS
3 MARKET OVERVIEW
3.1 DRIVERS
3.2 RESTRAINTS
3.3 OPPORTUNITIES
3.4 CHALLENGES
4 EXECUTIVE SUMMARY
5 PREMIUM INSIGHT
5.1 PORTERS FIVE FORCES
5.2 REGULATORY STANDARDS
5.3 TECHNOLOGICAL TRENDS
5.4 PATENT ANALYSIS
5.5 CASE STUDY
5.6 VALUE CHAIN ANALYSIS
5.7 PRICING ANALYSIS
6 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY DEVICE TYPE
6.1 OVERVIEW
6.2 GAN POWER AMPLIFIERS
6.3 GAN RF FILTERS
6.4 GAN RF SWITCHES
6.5 GAN RF TRANSISTORS
6.6 OTHERS
7 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY MATERIAL
7.1 OVERVIEW
7.2 GAN ON SI
7.3 GAN ON SIC
7.4 OTHERS (GAN ON DIAMOND)
8 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY TYPE
8.1 OVERVIEW
8.2 DISCRETE POWER
8.3 INTEGRATED POWER
9 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY WAFER SIZE
9.1 OVERVIEW
9.2 2-INCH
9.3 3-INCH
9.4 4-INCH
9.5 6-INCH
9.6 OTHERS
10 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY END USE
10.1 OVERVIEW
10.2 SATELLITE COMMUNICATION
10.2.1 BY DEVICE TYPE
10.2.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.2.1.2. GAN RF FILTERS
10.2.1.3. GAN RF SWITCHES
10.2.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.2.1.5. OTHERS
10.3 AEROSPACE & DEFENSE
10.3.1 BY DEVICE TYPE
10.3.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.3.1.2. GAN RF FILTERS
10.3.1.3. GAN RF SWITCHES
10.3.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.3.1.5. OTHERS
10.4 TELECOMMUNICATIONS
10.4.1 BY DEVICE TYPE
10.4.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.4.1.2. GAN RF FILTERS
10.4.1.3. GAN RF SWITCHES
10.4.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.4.1.5. OTHERS
10.5 CONSUMER DEVICES
10.5.1 BY DEVICE TYPE
10.5.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.5.1.2. GAN RF FILTERS
10.5.1.3. GAN RF SWITCHES
10.5.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.5.1.5. OTHERS
10.6 COMMUNITY ANTENNA TELEVISION (CATV) AND WIRED BROADBAND
10.6.1 BY DEVICE TYPE
10.6.1.1. GAN POWER AMPLIFIERS
10.6.1.2. GAN RF FILTERS
10.6.1.3. GAN RF SWITCHES
10.6.1.4. GAN RF TRANSISTORS
10.6.1.5. OTHERS
10.7 OTHERS
11 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY GEOGRAPHY
11.1 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, (ALL SEGMENTATION PROVIDED ABOVE IS REPRESENTED IN THIS CHAPTER BY COUNTRY)
11.1.1 NORTH AMERICA
11.1.1.1. U.S.
11.1.1.2. CANADA
11.1.1.3. MEXICO
11.1.2 EUROPE
11.1.2.1. GERMANY
11.1.2.2. FRANCE
11.1.2.3. U.K.
11.1.2.4. ITALY
11.1.2.5. SPAIN
11.1.2.6. RUSSIA
11.1.2.7. TURKEY
11.1.2.8. BELGIUM
11.1.2.9. NETHERLANDS
11.1.2.10. NORWAY
11.1.2.11. FINLAND
11.1.2.12. SWITZERLAND
11.1.2.13. DENMARK
11.1.2.14. SWEDEN
11.1.2.15. POLAND
11.1.2.16. REST OF EUROPE
11.1.3 ASIA PACIFIC
11.1.3.1. JAPAN
11.1.3.2. CHINA
11.1.3.3. SOUTH KOREA
11.1.3.4. INDIA
11.1.3.5. AUSTRALIA
11.1.3.6. NEW ZEALAND
11.1.3.7. SINGAPORE
11.1.3.8. THAILAND
11.1.3.9. MALAYSIA
11.1.3.10. INDONESIA
11.1.3.11. PHILIPPINES
11.1.3.12. TAIWAN
11.1.3.13. VIETNAM
11.1.3.14. REST OF ASIA PACIFIC
11.1.4 SOUTH AMERICA
11.1.4.1. BRAZIL
11.1.4.2. ARGENTINA
11.1.4.3. REST OF SOUTH AMERICA
11.1.5 MIDDLE EAST AND AFRICA
11.1.5.1. SOUTH AFRICA
11.1.5.2. EGYPT
11.1.5.3. SAUDI ARABIA
11.1.5.4. U.A.E
11.1.5.5. OMAN
11.1.5.6. BAHRAIN
11.1.5.7. ISRAEL
11.1.5.8. KUWAIT
11.1.5.9. QATAR
11.1.5.10. REST OF MIDDLE EAST AND AFRICA
11.1.6 KEY PRIMARY INSIGHTS: BY MAJOR COUNTRIES
12 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET,COMPANY LANDSCAPE
12.1 COMPANY SHARE ANALYSIS: GLOBAL
12.2 COMPANY SHARE ANALYSIS: NORTH AMERICA
12.3 COMPANY SHARE ANALYSIS: EUROPE
12.4 COMPANY SHARE ANALYSIS: ASIA PACIFIC
12.5 MERGERS & ACQUISITIONS
12.6 NEW PRODUCT DEVELOPMENT AND APPROVALS
12.7 EXPANSIONS
12.8 REGULATORY CHANGES
12.9 PARTNERSHIP AND OTHER STRATEGIC DEVELOPMENTS
13 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, SWOT & DBMR ANALYSIS
14 GLOBAL GALLIUM NITRIDE (GAN) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, COMPANY PROFILE
14.1 AMPLEON (ACQUIRED BY AURORA OPTOELECTRONICS CO)
14.1.1 COMPANY SNAPSHOT
14.1.2 REVENUE ANALYSIS
14.1.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.1.4 RECENT DEVELOPMENT
14.2 RFHIC CORPORATION
14.2.1 COMPANY SNAPSHOT
14.2.2 REVENUE ANALYSIS
14.2.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.2.4 RECENT DEVELOPMENT
14.3 TRANSPHORM INC(ACQUIRED BY RENESAS ELECTRONICS CORPORATION)
14.3.1 COMPANY SNAPSHOT
14.3.2 REVENUE ANALYSIS
14.3.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.3.4 RECENT DEVELOPMENT
14.4 ANALOG DEVICES, INC.
14.4.1 COMPANY SNAPSHOT
14.4.2 REVENUE ANALYSIS
14.4.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.4.4 RECENT DEVELOPMENT
14.5 MACOM
14.5.1 COMPANY SNAPSHOT
14.5.2 REVENUE ANALYSIS
14.5.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.5.4 RECENT DEVELOPMENT
14.6 QORVO, INC
14.6.1 COMPANY SNAPSHOT
14.6.2 REVENUE ANALYSIS
14.6.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.6.4 RECENT DEVELOPMENT
14.7 WIN SEMICONDUCTORS
14.7.1 COMPANY SNAPSHOT
14.7.2 REVENUE ANALYSIS
14.7.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.7.4 RECENT DEVELOPMENT
14.8 NXP SEMICONDUCTORS
14.8.1 COMPANY SNAPSHOT
14.8.2 REVENUE ANALYSIS
14.8.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.8.4 RECENT DEVELOPMENT
14.9 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
14.9.1 COMPANY SNAPSHOT
14.9.2 REVENUE ANALYSIS
14.9.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.9.4 RECENT DEVELOPMENT
14.1 MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
14.10.1 COMPANY SNAPSHOT
14.10.2 REVENUE ANALYSIS
14.10.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.10.4 RECENT DEVELOPMENT
14.11 AGNIT SEMICONDUCTORS PRIVATE LIMITED
14.11.1 COMPANY SNAPSHOT
14.11.2 REVENUE ANALYSIS
14.11.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.11.4 RECENT DEVELOPMENT
14.12 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD
14.12.1 COMPANY SNAPSHOT
14.12.2 REVENUE ANALYSIS
14.12.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.12.4 RECENT DEVELOPMENT
14.13 INFINEON TECHNOLOGIES AG
14.13.1 COMPANY SNAPSHOT
14.13.2 REVENUE ANALYSIS
14.13.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.13.4 RECENT DEVELOPMENT
14.14 TAGORE TECHNOLOGY
14.14.1 COMPANY SNAPSHOT
14.14.2 REVENUE ANALYSIS
14.14.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.14.4 RECENT DEVELOPMENT
14.15 AETHERCOMM (A PART OF FRONTGRADE TECHNOLOGIES)
14.15.1 COMPANY SNAPSHOT
14.15.2 REVENUE ANALYSIS
14.15.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.15.4 RECENT DEVELOPMENT
14.16 FLEXITALLIC GROUP (INTEGRA TECHNOLOGIES INC.)
14.16.1 COMPANY SNAPSHOT
14.16.2 REVENUE ANALYSIS
14.16.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.16.4 RECENT DEVELOPMENT
14.17 RTX
14.17.1 COMPANY SNAPSHOT
14.17.2 REVENUE ANALYSIS
14.17.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.17.4 RECENT DEVELOPMENT
14.18 MERCURY SYSTEMS, INC
14.18.1 COMPANY SNAPSHOT
14.18.2 REVENUE ANALYSIS
14.18.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.18.4 RECENT DEVELOPMENT
14.19 TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION
14.19.1 COMPANY SNAPSHOT
14.19.2 REVENUE ANALYSIS
14.19.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.19.4 RECENT DEVELOPMENT
14.2 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
14.20.1 COMPANY SNAPSHOT
14.20.2 REVENUE ANALYSIS
14.20.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.20.4 RECENT DEVELOPMENT
14.21 EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION.
14.21.1 COMPANY SNAPSHOT
14.21.2 REVENUE ANALYSIS
14.21.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.21.4 RECENT DEVELOPMENT
14.22 FUJITSU
14.22.1 COMPANY SNAPSHOT
14.22.2 REVENUE ANALYSIS
14.22.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.22.4 RECENT DEVELOPMENT
14.23 HONG KONG RESISTORS MANUFACTORY
14.23.1 COMPANY SNAPSHOT
14.23.2 REVENUE ANALYSIS
14.23.3 PRODUCT PORTFOLIO
14.23.4 RECENT DEVELOPMENT
NOTE: THE COMPANIES PROFILED IS NOT EXHAUSTIVE LIST AND IS AS PER OUR PREVIOUS CLIENT REQUIREMENT. WE PROFILE MORE THAN 100 COMPANIES IN OUR STUDY AND HENCE THE LIST OF COMPANIES CAN BE MODIFIED OR REPLACED ON REQUEST
15 CONCLUSION
16 QUESTIONNAIRE
17 RELATED REPORTS
18 ABOUT DATA BRIDGE MARKET RESEARCH
調査方法
データ収集と基準年分析は、大規模なサンプル サイズのデータ収集モジュールを使用して行われます。この段階では、さまざまなソースと戦略を通じて市場情報または関連データを取得します。過去に取得したすべてのデータを事前に調査および計画することも含まれます。また、さまざまな情報ソース間で見られる情報の不一致の調査も含まれます。市場データは、市場統計モデルと一貫性モデルを使用して分析および推定されます。また、市場シェア分析と主要トレンド分析は、市場レポートの主要な成功要因です。詳細については、アナリストへの電話をリクエストするか、お問い合わせをドロップダウンしてください。
DBMR 調査チームが使用する主要な調査方法は、データ マイニング、データ変数が市場に与える影響の分析、および一次 (業界の専門家) 検証を含むデータ三角測量です。データ モデルには、ベンダー ポジショニング グリッド、市場タイムライン分析、市場概要とガイド、企業ポジショニング グリッド、特許分析、価格分析、企業市場シェア分析、測定基準、グローバルと地域、ベンダー シェア分析が含まれます。調査方法について詳しくは、お問い合わせフォームから当社の業界専門家にご相談ください。
カスタマイズ可能
Data Bridge Market Research は、高度な形成的調査のリーダーです。当社は、既存および新規のお客様に、お客様の目標に合致し、それに適したデータと分析を提供することに誇りを持っています。レポートは、対象ブランドの価格動向分析、追加国の市場理解 (国のリストをお問い合わせください)、臨床試験結果データ、文献レビュー、リファービッシュ市場および製品ベース分析を含めるようにカスタマイズできます。対象競合他社の市場分析は、技術ベースの分析から市場ポートフォリオ戦略まで分析できます。必要な競合他社のデータを、必要な形式とデータ スタイルでいくつでも追加できます。当社のアナリスト チームは、粗い生の Excel ファイル ピボット テーブル (ファクト ブック) でデータを提供したり、レポートで利用可能なデータ セットからプレゼンテーションを作成するお手伝いをしたりすることもできます。
