グローバルワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場規模、シェア、トレンド分析レポート – 業界概要と2032年までの予測

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グローバルワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場規模、シェア、トレンド分析レポート – 業界概要と2032年までの予測

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Report
  • Jun 2021
  • Global
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グローバルワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場規模、シェア、トレンド分析レポート

Market Size in USD Billion

CAGR :  % Diagram

Chart Image USD 3.63 Billion USD 11.84 Billion 2024 2032
Diagram 予測期間
2025 –2032
Diagram 市場規模(基準年)
USD 3.63 Billion
Diagram Market Size (Forecast Year)
USD 11.84 Billion
Diagram CAGR
%
Diagram Major Markets Players
  • Qorvo Inc.
  • United Silicon Carbide Inc.
  • GaN Systems
  • STMicroelectronics
  • ROHM CO. LTD.

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場:材質別(ダイヤモンド基板、炭化ケイ素(SIC)、酸化亜鉛、窒化ガリウム(GAN)、その他)、用途別(再生可能エネルギー、自動車、無停電電源装置、産業用モーター駆動装置、力率改善装置、その他)、最終用途産業別(自動車、エネルギー・公益事業、産業、航空宇宙・防衛、その他) - 2032年までの業界動向と予測

 ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場規模

  • 世界のワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場規模は2024年に36億3000万米ドルと評価され、予測期間中に15.92%のCAGRで成長し、2032年には118億4000万米ドル に達すると予想されています 。 
  • 市場の堅調な成長は、主に電気自動車 (EV)、再生可能エネルギーシステム、高効率電力変換技術の採用増加によって推進されており、炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) などの WBG デバイスは、効率、サイズ、熱管理の点で従来のシリコンベースの半導体を上回っています。
  • さらに、カーボンニュートラルとエネルギー効率の義務化を求める世界的な動きの高まりにより、メーカーはEV充電器、太陽光発電インバータ、データセンター、産業用モータードライブなど、WBGベースのパワーエレクトロニクスへの投資を促しており、需要がさらに高まっています。

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場分析

  • シリコンカーバイド (SiC) や窒化ガリウム (GaN) コンポーネントなどのワイドバンドギャップ (WBG) パワー半導体デバイスは、高度なパワーエレクトロニクスの重要な実現要因となりつつあり、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業オートメーションなどの幅広いアプリケーションにわたって効率、熱性能、スイッチング速度の向上を推進しています。
  • 電気自動車、再生可能エネルギーインフラ、そしてデジタル化された産業プロセスの普及拡大により、WBGパワー半導体デバイスの需要が大幅に増加しています。これらのデバイスは、次世代の電力変換・管理ソリューションに不可欠な、より高い電力密度と優れたエネルギー効率を実現します。
  • 北米は2024年に33.01%という最大の収益シェアを獲得し、世界市場をリードする地位を確立しています。このリーダーシップは、電気自動車(EV)、再生可能エネルギーの統合、そして産業オートメーションの急速な普及によって推進されています。よりクリーンなエネルギー源への移行とエネルギー効率の高い技術への注目の高まりにより、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のトランジスタやダイオードなどのWBGパワー半導体デバイスの需要が高まっています。 
  • アジア太平洋地域は、中国、日本、インド、韓国などの国々における工業化の加速、可処分所得の増加、都市人口の増加に牽引され、2025年から2032年にかけて18.77%という最も高いCAGRを記録すると予想されています。この地域の政府は、スマートシティ構想や再生可能エネルギー目標を通じて、デジタル化とグリーンエネルギーを積極的に推進しており、WBGパワー半導体の需要が大幅に増加しています。
  • シリコンカーバイド(SiC)セグメントは、優れた熱伝導性、高い破壊電界、およびパワーエレクトロニクスアプリケーションにおける優れた効率により、2024年に最大の収益シェアで市場を支配します。

レポートの範囲とワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場のセグメンテーション

属性

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイスの主要な市場洞察

対象セグメント

  • 材質別 (ダイヤモンド基板、炭化ケイ素(SIC)、酸化亜鉛、窒化ガリウム(GAN)、その他)
  • 用途別 (再生可能エネルギー、自動車、無停電電源装置、産業用モータードライブ、力率改善装置、その他)
  • 最終用途産業別 (自動車、エネルギー・公益事業、工業、航空宇宙・防衛、その他)

対象国

北米

  • 私たち
  • カナダ
  • メキシコ

ヨーロッパ

  • ドイツ
  • フランス
  • 英国
  • オランダ
  • スイス
  • ベルギー
  • ロシア
  • イタリア
  • スペイン
  • 七面鳥
  • その他のヨーロッパ

アジア太平洋

  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • シンガポール
  • マレーシア
  • オーストラリア
  • タイ
  • インドネシア
  • フィリピン
  • その他のアジア太平洋地域

中東およびアフリカ

  • サウジアラビア
  • アラブ首長国連邦
  • 南アフリカ
  • エジプト
  • イスラエル
  • その他の中東およびアフリカ

南アメリカ

  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • 南アメリカのその他の地域

主要な市場プレーヤー

  • Qorvo, Inc.(米国)
  • ユナイテッド・シリコン・カーバイド社(米国)
  • GaNシステムズ(カナダ)
  • STマイクロエレクトロニクス(スイス)
  • ローム株式会社(日本)
  • トランスフォーム社(米国)
  • Cree Inc.(米国)
  • インフィニオンテクノロジーズAG(ドイツ)
  • セラミックフォーラム株式会社(日本)
  • KEMET(米国)
  • キーサイト・テクノロジーズ(米国)
  • AKHAN Semiconductor Inc.(米国)
  • アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター(米国)
  • リードホルムシステムズ(米国)
  • テキサス・インスツルメンツ社(米国)
  • 株式会社東芝(日本)
  • エクサガン(フランス)
  • セミコンダクター・コンポーネント・インダストリーズ(オン・セミコンダクター)(米国)
  • マイクロチップ・テクノロジー社(米国)
  • 日立製作所(日本)

市場機会

  • 自動車および再生可能エネルギー分野での採用拡大
  • 都市化と工業化が進む新興市場

付加価値データ情報セット

データブリッジマーケットリサーチがまとめた市場レポートには、市場価値、成長率、セグメンテーション、地理的範囲、主要プレーヤーなどの市場シナリオに関する洞察に加えて、専門家による詳細な分析、価格設定分析、ブランドシェア分析、消費者調査、人口統計分析、サプライチェーン分析、バリューチェーン分析、原材料/消耗品の概要、ベンダー選択基準、PESTLE分析、ポーター分析、規制の枠組みも含まれています。

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場動向

急速なデジタル化とスマートホームの統合による需要の増加

  • 住宅部門と商業部門全体で加速するデジタル変革は、ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場にとって重要な推進力となっています。これらのデバイスにより、スマートホームやスマートビルにおける高度な接続性、リモートアクセス、自動化機能が実現されるからです。
  • たとえば、テクノロジーリーダーによる IoT 対応スマートホーム エコシステムへの投資の増加により、アクセス制御、エネルギー管理、セキュリティ システムへの WBG パワー半導体の統合が促進されています。
  • 集中型プラットフォームを通じて複数の家庭用機器をシームレスに接続および制御することを求める消費者が増えるにつれ、WBG パワー半導体デバイスは従来のシリコンベースのコンポーネントよりも優れたパフォーマンスとエネルギー効率を提供します。
  • この傾向は、スマートホームの導入率が上昇し続ける北米やヨーロッパなどの技術先進地域で特に顕著です。

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場の動向

ドライバ

「ワイドバンドギャップ材料の技術進歩が市場の成長を促進」

  • ワイドバンドギャップ半導体は従来のシリコンデバイスに比べて、より高い熱伝導率、効率、スイッチング速度を提供するため、炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) などの材料の継続的な革新が市場を牽引しています。
  • 業界関係者は、デバイスのパフォーマンスを向上させ、製造コストを削減するために研究開発に多額の投資を行っており、これにより電気自動車、再生可能エネルギー、産業オートメーションにおける WBG 半導体の用途がさらに拡大すると予想されています。
  • WBG デバイスの優れた特性により、より小型、軽量、かつ耐久性に優れた電子部品を実現できるため、パワーエレクトロニクスや高周波アプリケーションでの使用に最適です。

抑制/挑戦

製造コストと材料コストが高い

  • ワイドバンドギャップ半導体デバイスは、その優れた性能にもかかわらず、炭化ケイ素や窒化ガリウムなどの原材料の高コストや、複雑でコストのかかる製造プロセスに関連する課題に現在直面しています。
  • これらのコスト要因は、特にコスト効率が最大の懸念事項である価格に敏感な市場やアプリケーションでは、採用を制限する可能性があります。
  • さらに、特殊な製造設備とプロセスが必要であるため、高品質の WBG デバイスを大規模に生産できるメーカーの数が制限され、サプライ チェーンの安定性と価格に影響を及ぼします。

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場の展望

ワイドバンドギャップ (WBG) パワー半導体デバイス市場は、タイプ、アプリケーション、エンドユーザーに基づいて分類されています。

  • 素材別

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場は、材料別にダイヤモンド基板、炭化ケイ素(SiC)、酸化亜鉛、窒化ガリウム(GaN)、その他に分類されます。炭化ケイ素(SiC)セグメントは、優れた熱伝導性、高い破壊電界、そしてパワーエレクトロニクス用途における優れた効率性により、2024年には最大の収益シェアを獲得し、市場を席巻するでしょう。SiCデバイスは、高電圧・高温環境における堅牢性と効率性から、自動車分野や再生可能エネルギー分野でますます人気が高まっています。

窒化ガリウム(GaN)分野は、小型・高周波パワーデバイスを可能にするGaN技術の急速な進歩に牽引され、2025年から2032年にかけて最も高いCAGRを達成すると予想されています。急速充電器、データセンター、5GインフラにおけるGaNの応用は、パワー半導体市場におけるその重要性の高まりを浮き彫りにしています。

  • アプリケーション別

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場は、用途別に、再生可能エネルギー、自動車、無停電電源装置(UPS)、産業用モータードライブ、力率改善(PFC)、その他に分類されます。再生可能エネルギー分野は、効率的な電力変換と管理を必要とする太陽光発電システムと風力発電システムの普及により、2024年には最大の市場収益シェアを占めます。WBG半導体は、再生可能エネルギーシステムに不可欠なインバーターとコンバーターの効率と信頼性の向上を実現します。

自動車分野は、電気自動車(EV)やハイブリッドEVを含む車両の電動化に牽引され、2025年から2032年にかけて最も高い成長率を記録すると予想されています。WBGデバイス、特にSiCは、高い効率、軽量化、そして熱管理の利点から、電気自動車のインバーター、オンボードチャージャー、パワートレイン用途で好まれています。

  • 最終用途産業別

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場は、最終用途産業別に、自動車、エネルギー・公益事業、産業、航空宇宙・防衛、その他に分類されています。自動車業界の電気自動車への移行が進む中、自動車業界セグメントは2024年の市場収益を牽引するでしょう。WBGパワー半導体の採用は、メーカーがEVのエネルギー効率、航続距離、そして性能を向上させるのに役立ちます。エネルギー・公益事業セグメントも重要であり、スマートグリッド、エネルギー貯蔵システム、再生可能エネルギーインフラへの投資増加が需要を牽引しています。産業セクターは、効率的なモーター駆動装置や電源装置にWBGデバイスを活用することで、着実に成長すると予測されています。

航空宇宙および防衛分野では、航空機システムや防衛アプリケーションにおける信頼性が高く、軽量でエネルギー効率に優れたパワーエレクトロニクスの需要が高まっています。

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場の地域分析

  • 北米は2024年に33.01%という最大の収益シェアを獲得し、世界市場をリードする地位を確立しています。このリーダーシップは、電気自動車(EV)、再生可能エネルギーの統合、そして産業オートメーションの急速な普及によって推進されています。よりクリーンなエネルギー源への移行とエネルギー効率の高い技術への注目の高まりにより、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のトランジスタやダイオードなどのWBGパワー半導体デバイスの需要が高まっています。
  • 米国は、EV普及、再生可能エネルギー、エネルギー貯蔵プロジェクトに対する強力な政府インセンティブの恩恵を受け、この地域における最大の貢献国です。同国の強力な研究開発エコシステムと大手半導体メーカーの存在は、WBG技術のイノベーションと商業化を加速させています。さらに、北米におけるスマートグリッドの近代化と高性能産業機器への関心の高まりも、市場の成長に大きく貢献しています。
  • エネルギー効率の高い電子機器に対する消費者の需要とデジタル インフラストラクチャへの投資の増加により、住宅、商業、産業の各分野での WBG デバイス アプリケーションの拡大がさらに促進されます。

米国ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場インサイト

米国では、WBGパワー半導体市場が2024年に北米全体の収益シェアの74.22%を占めました。この成長は自動車分野の急速な電動化に牽引されており、複数の大手自動車メーカーが高度なパワーデバイスを必要とするEVポートフォリオを拡大しています。クリーンエネルギー車への税額控除やインフラ投資といった政府の政策も、普及を後押ししています。さらに、GaNおよびSiCデバイスの進歩は、航空宇宙、軍事、産業用途におけるパワーエレクトロニクスの効率と耐久性の向上を可能にしています。スマートホームオートメーションとIoT統合の拡大も、効率的な電力制御デバイスの需要を促進しています。米国は、半導体メーカー、自動車OEM、研究機関間の広範な連携の恩恵を受けており、イノベーションサイクルの加速を促進しています。  

欧州ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場インサイト

欧州市場は、持続可能性とエネルギー効率に重点が置かれ、着実な成長が見込まれています。排出削減目標やエネルギー消費基準など、欧州の厳格な環境規制により、産業界はより環境に優しい電力ソリューションとしてWBG半導体デバイスの採用を迫られています。ドイツ、フランス、英国などの国々がこの地域をリードしており、都市化の進展とデジタルトランスフォーメーションが、スマートグリッド、電気輸送、産業オートメーションへの導入を後押ししています。風力や太陽光などの再生可能エネルギー源の普及拡大と、エネルギー効率の高いインフラに対する政府の補助金も、WBGデバイスの需要をさらに押し上げています。欧州の消費者と産業界は、特に高電力密度と熱安定性が求められる用途において、SiCおよびGaNパワー半導体の信頼性と長寿命を高く評価しています。

英国ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場インサイト

英国市場は、ホームオートメーション、セキュリティ、そしてエネルギー効率の向上というトレンドの高まりによって牽引されています。電気自動車インフラやスマートシティプロジェクトへの投資も、需要の拡大に貢献しています。安全性と利便性への関心の高まりから、住宅部門と商業部門の両方において、エネルギー効率が高く信頼性の高いWBGベースのパワーエレクトロニクスの導入が促進されています。また、英国ではeコマースと小売部門が発達しており、WBGパワー半導体を搭載した革新的なスマートデバイスの普及が促進されています。  

ドイツワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場インサイト

ドイツでは、電動モビリティと産業のデジタル化を推進する国として、自動車産業が重要な牽引役となっています。再生可能エネルギーへの移行と二酸化炭素排出量の削減を目指す政府の「エネルギー転換(Energiewende)」イニシアチブが、市場拡大を支えています。ドイツの消費者とメーカーは、エネルギー効率が高く環境に優しい半導体ソリューションへの需要が高まっており、これは同国の強力な持続可能性アジェンダにも合致しています。WBGデバイスのホームオートメーションやスマート製造システムへの統合は拡大しており、データのプライバシーとセキュリティへの高い関心が高まっています。  

アジア太平洋地域におけるワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場の洞察

アジア太平洋地域は、中国、日本、インド、韓国などの国々における工業化の加速、可処分所得の増加、都市人口の増加に牽引され、2025年から2032年の間に18.77%という最も高い年平均成長率(CAGR)を記録すると予想されています。この地域の政府は、スマートシティ構想や再生可能エネルギー目標を通じて、デジタル化とグリーンエネルギーを積極的に推進しており、WBGパワー半導体の需要が大幅に増加しています。また、この地域は半導体部品の世界的な製造拠点でもあり、コスト削減と国内市場および輸出市場における供給力の向上に貢献しています。電気自動車の製造とインフラの拡大、そしてスマートホームへの消費者の関心の高まりが、市場浸透をさらに加速させています。  

日本ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場インサイト

日本のハイテク産業の発展、人口の高齢化、そして都市の高密度化は、エネルギー効率が高く使いやすいWBG半導体デバイスへの強い需要を生み出しています。これらのデバイスは、スマート照明や防犯カメラといったIoTプラットフォームやホームオートメーションシステムとの統合が市場の成長を牽引しています。日本のメーカーはイノベーションと精度への注力により、自動車、民生用電子機器、産業用アプリケーションにおけるGaNおよびSiC技術の採用を促進しています。  

中国ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場インサイト

中国は、急速な都市化、中流階級人口の拡大、スマートホームや電気自動車技術の普及拡大により、アジア太平洋地域(APAC)で最大の市場シェアを占めています。スマートシティ、再生可能エネルギープロジェクト、半導体の自給自足を支援する政府プログラムは、市場の成長に大きく影響しています。コスト効率の高いWBGパワー半導体デバイスを生産する国内メーカーが多数存在するため、これらのソリューションはより幅広い消費者層に提供されています。中国では、EV、再生可能エネルギーインフラ、デジタル産業機器の大規模な導入が、引き続き大きな需要を牽引しています。

ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイスの市場シェア

ワイドバンドギャップ (WBG) パワー半導体デバイス業界は、主に次のような老舗企業によって牽引されています。

  • Qorvo, Inc.(米国)
  • ユナイテッド・シリコン・カーバイド社(米国)
  • GaNシステムズ(カナダ)
  • STマイクロエレクトロニクス(スイス)
  • ローム株式会社(日本)
  • トランスフォーム社(米国)
  • Cree Inc.(米国)
  • インフィニオンテクノロジーズAG(ドイツ)
  • セラミックフォーラム株式会社(日本)
  • KEMET(米国)
  • キーサイト・テクノロジーズ(米国)
  • AKHAN Semiconductor Inc.(米国)
  • アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター(米国)
  • リードホルムシステムズ(米国)
  • テキサス・インスツルメンツ社(米国)
  • 株式会社東芝(日本)
  • エクサガン(フランス)
  • セミコンダクター・コンポーネント・インダストリーズ(オン・セミコンダクター)(米国)
  • マイクロチップ・テクノロジー社(米国)
  • 日立製作所(日本)

世界のワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場の最新動向

  • インフィニオンテクノロジーズAGは、2024年4月、電気自動車および再生可能エネルギー分野における世界的な需要の急増に対応するため、マレーシアのクリム工場におけるSiC(シリコンカーバイド)生産能力の拡大を発表しました。この戦略的動きは、高効率ワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの安定供給を確保することで、クリーンエネルギーとeモビリティへの加速する移行を支援するというインフィニオンのコミットメントを強化するものです。
  • STマイクロエレクトロニクスは2024年3月、高出力産業用および車載用アプリケーションをターゲットとした第3世代1200V SiC MOSFETを発表しました。これらの新デバイスは、エネルギー効率とシステムの小型化を向上させ、SiC WBG分野におけるSTのリーダーシップをさらに強化します。この発表は、EV充電器、太陽光発電インバータ、モーター駆動装置における電力効率の高いソリューションへの需要の高まりに対応します。
  • 2024年2月、ローム株式会社は、小型・高効率電源ユニット向けに設計されたゲートドライバ内蔵の次世代GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを発表しました。これらのデバイスは高周波スイッチングに最適化されており、データセンターや通信電源システムなどのアプリケーションをサポートし、ロームのWBG製品ポートフォリオをさらに拡充します。
  • 2024年1月、トランスフォーム社は車載グレードGaN FETの量産開始を発表しました。これは、電気自動車におけるGaNベースのワイドバンドギャップデバイスの普及に向けた大きな一歩となります。これらのデバイスはAEC-Q101規格に準拠しており、EVオンボードチャージャーやDC-DCコンバータ向けに設計されており、高い電力密度と熱性能を備えています。
  • 2023年12月、Qorvo, Inc.は5G基地局および航空宇宙アプリケーション向けにカスタマイズされたGaNベースのパワートランジスタの新製品ラインを発表しました。これらの製品は優れた周波数特性と電力効率を備え、高信頼性通信システムにおける高まる性能ニーズへの対応を目指しています。この動きは、QorvoがWBG半導体製品を高度なRFおよび電力市場へ拡大するという戦略的注力姿勢を浮き彫りにしています。


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Data Bridge Market Research は、高度な形成的調査のリーダーです。当社は、既存および新規のお客様に、お客様の目標に合致し、それに適したデータと分析を提供することに誇りを持っています。レポートは、対象ブランドの価格動向分析、追加国の市場理解 (国のリストをお問い合わせください)、臨床試験結果データ、文献レビュー、リファービッシュ市場および製品ベース分析を含めるようにカスタマイズできます。対象競合他社の市場分析は、技術ベースの分析から市場ポートフォリオ戦略まで分析できます。必要な競合他社のデータを、必要な形式とデータ スタイルでいくつでも追加できます。当社のアナリスト チームは、粗い生の Excel ファイル ピボット テーブル (ファクト ブック) でデータを提供したり、レポートで利用可能なデータ セットからプレゼンテーションを作成するお手伝いをしたりすることもできます。

Frequently Asked Questions

市場は ワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場:材質別(ダイヤモンド基板、炭化ケイ素(SIC)、酸化亜鉛、窒化ガリウム(GAN)、その他)、用途別(再生可能エネルギー、自動車、無停電電源装置、産業用モーター駆動装置、力率改善装置、その他)、最終用途産業別(自動車、エネルギー・公益事業、産業、航空宇宙・防衛、その他) - 2032年までの業界動向と予測 に基づいて分類されます。
グローバルワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場の規模は2024年にUSD 3.63 USD Billionと推定されました。
グローバルワイドバンドギャップ(WBG)パワー半導体デバイス市場は2025年から2032年の予測期間にCAGR 15.92%で成長すると見込まれています。
市場で活動している主要プレーヤーは Qorvo Inc., United Silicon Carbide Inc., GaN Systems, STMicroelectronics, ROHM CO. LTD. です。
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