SiC(실리콘카바이드) 전력반도체는 주로 산업용으로 사용된다. 전기 자동차 (EV). SiC 장치는 효율성과 성능을 향상시키기 위해 EV의 전력 전자 장치에 사용됩니다. 높은 열 전도성과 넓은 밴드갭 덕분에 SiC 전력 반도체는 더 높은 온도와 전압에서 작동할 수 있어 전기 구동계의 전력 손실을 줄이고 에너지 변환 효율을 높일 수 있습니다. SiC 전력반도체는 주행거리를 늘리고 충전 속도를 높이는 등 전기차 성능을 향상시키는 핵심 기술이다. 이러한 혁신은 지속 가능하고 효율적인 운송 솔루션을 촉진합니다.
Data Bridge 시장 조사에 따르면 글로벌 Sic 전력 반도체 시장 2023~2030년 예측 기간 동안 CAGR 26.0%로 성장해 2030년까지 USD 7,030,515.23천 달러에 이를 것으로 예상됩니다.
"재생에너지 통합에 대한 강조가 높아지면서 시장 성장이 촉진됩니다"
글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 특히 태양광 및 풍력 발전 시스템과 같은 응용 분야에서 재생 에너지원에 대한 관심이 높아지면서 성장하고 있습니다. SiC 전력 반도체는 전력 변환 효율을 향상하고 재생 에너지를 그리드에 원활하게 통합하는 기능으로 인해 수요가 높습니다. 지속 가능한 에너지 솔루션에 대한 강조가 커지면서 SiC 전력 반도체는 세계 시장의 주요 동인으로 자리매김하고 있으며, SiC 전력 반도체의 광범위한 채택은 전력 시스템의 발전에 기여하고 보다 깨끗하고 효율적인 에너지 인프라로의 전환을 지원합니다.
무엇이 성장을 방해하는가 세계의 SiC 전력반도체 시장?
“제한된 생산 능력”
제한된 생산 능력은 글로벌 SiC 전력 반도체 시장에서 중요한 제약으로 작용합니다. 제조 능력이 부족하면 SiC 전력 반도체에 대한 증가하는 수요를 충족하는 업계의 능력이 제한됩니다. 이는 시장의 확장 잠재력을 방해하고 공급 부족으로 이어질 수 있으며 SiC 전력 반도체 부문의 전반적인 성장 궤적에 영향을 미칠 수 있습니다.
세분화: 글로벌 SiC 전력 반도체 시장
글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 유형, 전압 범위, 웨이퍼 크기, 웨이퍼 유형, 애플리케이션 및 업종을 기준으로 분류됩니다.
- 유형에 따라 전 세계 SiC 전력 반도체 시장은 MOSFET, 하이브리드 모듈, 쇼트키 배리어 다이오드(SBDS), IGBT, 양극 접합 트랜지스터(BJT), 핀 다이오드, 접합 FET(JFET) 등으로 분류됩니다.
- 전압 범위를 기준으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 301-900v, 901-1700v 및 1701v 이상으로 분류됩니다.
- 전세계 SiC 전력 반도체 시장은 웨이퍼 크기를 기준으로 6인치, 4인치, 2인치, 6인치 이상으로 분류됩니다.
- 전세계 SiC 전력 반도체 시장은 웨이퍼 유형에 따라 SiC 에피택셜 웨이퍼와 블랭크 SiC 웨이퍼로 분류됩니다.
- 응용 분야를 기준으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 전기 자동차(EV), 광전지, 전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, EV 충전 인프라, RF 장치 등
- 수직을 기준으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 자동차, 유틸리티 및 에너지, 산업, 운송, IT 및 통신, 가전 제품, 항공 우주 및 방위, 상업 등으로 분류됩니다.
지역 통찰력: 아시아 태평양 지역이 글로벌 SiC 전력 반도체 시장을 지배할 것으로 예상됩니다.
아시아 태평양 지역은 이러한 고급 부품에 대한 강력한 수요에 힘입어 글로벌 SiC 전력 반도체 시장을 지배할 것으로 예상됩니다. SiC 전력 반도체에 대한 수요 급증은 이 지역의 전력 모듈 및 관련 장치에 대한 수요 증가로 보완됩니다. 이러한 이중 수요 역동성은 아시아 태평양 지역을 지배적인 세력으로 자리매김하고 있으며, 효율적이고 고성능 전자 장치에 대한 증가하는 요구 사항을 충족하는 데 SiC 전력 반도체가 수행하는 중추적인 역할에 의해 시장 성장이 촉진됩니다.
연구 방문에 대해 더 자세히 알고 싶으시면, https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-sic-power-semiconductor-market
글로벌 SiC 전력 반도체 시장의 최근 발전
- 2022년 12월, STMicroelectronics와 Soitec은 실리콘 카바이드(SiC) 기판에 대한 협력 확대를 발표했습니다. 지난 18개월 동안 ST는 향후 200mm 기판 제조를 위해 Soitec의 SiC 기판 기술, 특히 SmartSiC를 인증했습니다. 이번 전략적 파트너십의 목표는 ST의 반도체 장치 및 모듈 제조를 강화하고 글로벌 SiC 전력 반도체 시장의 성장에 기여하는 것입니다.
- 2022년 7월, Semikron Danfoss와 ROHM Semiconductor는 10년이 넘는 협력을 통해 ROHM의 최신 4세대 SiC MOSFET을 SEMIKRON의 자동차 애플리케이션용 eMPack 모듈에 통합함으로써 획기적인 성과를 달성했습니다. 이 성공적인 파트너십은 두 회사의 재무에 긍정적인 영향을 미쳤을 뿐만 아니라 SiC 전력 반도체에 대한 전 세계 수요를 충족하고 시장 성장을 촉진하는 데 중요한 역할을 했습니다.
에서 활동하는 저명한 핵심 플레이어 글로벌 SiC 전력반도체 시장:
- WOLFSPEED, INC.(미국)
- ST마이크로일렉트로닉스(프랑스)
- 주식회사 로옴 (일본)
- Fuji Electric Co., Ltd.(일본)
- 미쓰비시전기(일본)
- 텍사스 인스트루먼트(미국)
- 인피니언 테크놀로지스 AG(독일)
- 세미크론 댄포스(독일)
- Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (중국)
- 르네사스 일렉트로닉스(일본)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION(일본)
- 마이크로칩 테크놀로지(미국)
- Semiconductor Components Industries, LLC(미국)
- NXP 반도체(네덜란드)
- 유나이티드SiC(미국)
- 세미큐(미국)
- Littlefuse, Inc.(미국)
- Allegro MicroSystems, Inc.(미국)
- Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.(일본)
- GeneSiC Semiconductor Inc.(미국)
위는 보고서에서 다루는 주요 플레이어이며, 더 많은 전체 목록에 대해 알아야 합니다. 글로벌 SiC 전력반도체 시장 기업 연락하다, https://www.databridgemarketresearch.com/contact
연구 방법론: 글로벌 SiC 전력 반도체 시장
데이터 수집 및 기준 연도 분석은 표본 크기가 큰 데이터 수집 모듈을 사용하여 수행됩니다. 시장 데이터는 시장 통계 및 일관된 모델을 사용하여 분석되고 추정됩니다. 또한 시장점유율 분석과 주요 동향 분석이 시장보고서의 주요 성공요인이다. DBMR 연구팀이 사용하는 핵심 연구 방법론은 데이터 마이닝, 데이터 변수가 시장에 미치는 영향 분석, 1차(업계 전문가) 검증을 포함하는 데이터 삼각측량이다. 이 외에도 데이터 모델에는 공급업체 포지셔닝 그리드, 시장 타임라인 분석, 시장 개요 및 가이드, 회사 포지셔닝 그리드, 회사 시장 점유율 분석, 측정 표준, 글로벌 대 지역 및 공급업체 점유율 분석이 포함됩니다. 추가 문의사항이 있는 경우 분석가에게 전화를 요청하시기 바랍니다.
