Os semicondutores de potência SiC (Carbeto de Silício) são usados principalmente em Veículos elétricos (EV). Dispositivos SiC são empregados na eletrônica de potência dos VEs para aumentar a eficiência e o desempenho. Sua alta condutividade térmica e amplo bandgap permitem que os semicondutores de potência SiC operem em temperaturas e tensões mais altas, resultando em perdas de energia reduzidas e maior eficiência de conversão de energia em sistemas de transmissão elétricos. Os semicondutores de potência SiC melhoram a autonomia e agilizam os processos de carregamento, servindo como uma tecnologia crítica para o avanço das capacidades dos veículos elétricos. Esta inovação promove soluções de transporte sustentáveis e eficientes.
De acordo com a Data Bridge Market Research analisa o Mercado global de semicondutores Sic Power deverá atingir um valor de US$ 7.030.515,23 mil até 2030, com um CAGR de 26,0% durante o período de previsão 2023-2030.
“A crescente ênfase na integração de energias renováveis impulsiona o crescimento do mercado”
O mercado global de semicondutores de energia SiC é impulsionado por um foco crescente em fontes de energia renováveis, particularmente em aplicações como sistemas de energia solar e eólica. Os semicondutores de potência SiC são muito procurados devido à sua capacidade de aumentar a eficiência de conversão de energia, facilitando a integração perfeita de energia renovável na rede. Esta ênfase crescente em soluções energéticas sustentáveis posiciona os semicondutores de potência SiC como um motor-chave no mercado global, com a sua adoção generalizada contribuindo para avanços nos sistemas de energia e apoiando a transição para infraestruturas energéticas mais limpas e eficientes.
O que restringe o crescimento mercado global de semicondutores de potência SiC?
“Capacidade de produção limitada”
A capacidade limitada de produção representa uma restrição significativa no mercado global de semicondutores de potência SiC. Capacidades de fabricação insuficientes restringem a capacidade da indústria de atender à crescente demanda por semicondutores de potência SiC. Isto prejudica o potencial de expansão do mercado e pode levar à escassez de oferta, afetando a trajetória global de crescimento do setor de semicondutores de potência SiC.
Segmentação: Mercado Global de Semicondutores de Energia SiC
O mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado com base no tipo, faixa de tensão, tamanho do wafer, tipo de wafer, aplicação e vertical.
- Com base no tipo, o mercado global de semicondutores de potência SiC em MOSFETS, módulos híbridos, diodos de barreira schottky (SBDS), IGBT, transistor de junção bipolar (BJT), diodo de pino, junção FET (JFET) e outros
- Com base na faixa de tensão, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em 301-900 v, 901-1700 v e acima de 1701 v
- Com base no tamanho do wafer, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em 6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas e acima de 6 polegadas
- Com base no tipo de wafer, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em wafers epitaxiais de SiC e wafers de SiC em branco
- Com base na aplicação, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em veículos elétricos (EV), energia fotovoltaica, fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, infraestrutura de carregamento de veículos elétricos, dispositivos de RF e outros
- Com base na vertical, o mercado global de semicondutores de energia SiC é segmentado em automotivo, serviços públicos e energia, industrial, transporte, TI e telecomunicações, eletrônicos de consumo, aeroespacial e defesa, comercial, entre outros
Insights regionais: Espera-se que a Ásia-Pacífico domine o mercado global de semicondutores de energia SiC
Espera-se que a Ásia-Pacífico domine o mercado global de semicondutores de energia SiC, impulsionado pela forte demanda por esses componentes avançados. O aumento na necessidade de semicondutores de potência SiC é complementado por uma maior demanda por módulos de potência e dispositivos relacionados na região. Esta dinâmica de dupla procura posiciona a Ásia-Pacífico como uma força dominante, com o crescimento do mercado impulsionado pelo papel fundamental desempenhado pelos semicondutores de potência SiC no cumprimento dos crescentes requisitos para dispositivos electrónicos eficientes e de alto desempenho.
Para saber mais sobre a visita de estudo, https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-sic-power-semiconductor-market
Desenvolvimentos recentes no mercado global de semicondutores de energia SiC
- Em dezembro de 2022, STMicroelectronics e Soitec anunciaram uma colaboração estendida em substratos de carboneto de silício (SiC). Nos últimos 18 meses, a ST qualificou a tecnologia de substrato SiC da Soitec, especialmente seu SmartSiC, para futura fabricação de substrato de 200 mm. Esta parceria estratégica teve como objetivo aprimorar a fabricação de dispositivos e módulos semicondutores da ST, contribuindo para o crescimento do mercado global de semicondutores de potência SiC
- Em julho de 2022, Semikron Danfoss e ROHM Semiconductor, com mais de uma década de colaboração, alcançaram um marco ao integrar os mais recentes MOSFETs SiC de 4ª geração da ROHM nos módulos eMPack da SEMIKRON para aplicações automotivas. Esta parceria de sucesso não só teve um impacto positivo nas finanças de ambas as empresas, mas também desempenhou um papel crucial no atendimento da demanda mundial por semicondutores de potência SiC, promovendo o crescimento do mercado.
Os principais atores proeminentes que operam no Mercado global de semicondutores de energia SiC:
- WOLFSPEED, INC.
- STMicroelectronics (França)
- ROHM CO., LTD. (Japão)
- (Japão)
- Mitsubishi Electric Corporation (Japão)
- Texas Instruments Incorporated (EUA)
- Infineon Technologies AG (Alemanha)
- Semikron Danfoss (Alemanha)
- Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.
- Renesas Electronics Corporation (Japão)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japão)
- (EUA)
- Semiconductor Components Industries, LLC (EUA)
- NXP Semiconductors (Holanda)
- UnitedSiC (EUA)
- (EUA)
- (EUA)
- Allegro MicroSystems, Inc.
- Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japão)
- GeneSiC Semiconductor Inc.
Acima estão os principais atores abordados no relatório, para saber mais e uma lista exaustiva de empresas globais do mercado de semicondutores de potência SiC contato, https://www.databridgemarketresearch.com/contact
Metodologia de Pesquisa: Mercado Global de Semicondutores de Potência SiC
A coleta de dados e a análise do ano base são feitas usando módulos de coleta de dados com amostras grandes. Os dados de mercado são analisados e estimados utilizando modelos estatísticos e coerentes de mercado. Além disso, a análise da participação de mercado e a análise das principais tendências são os principais fatores de sucesso no relatório de mercado. A principal metodologia de pesquisa usada pela equipe de pesquisa do DBMR é a triangulação de dados que envolve mineração de dados, análise do impacto das variáveis de dados no mercado e validação primária (especialista do setor). Além disso, os modelos de dados incluem grade de posicionamento de fornecedores, análise de linha de tempo de mercado, visão geral e guia de mercado, grade de posicionamento de empresas, análise de participação de mercado da empresa, padrões de medição, análise global vs regional e de participação de fornecedores. Solicite a ligação do analista em caso de dúvidas adicionais.
