Силовые полупроводники SiC (карбид кремния) в основном используются в электрические транспортные средства (электромобили). Устройства SiC используются в силовой электронике электромобилей для повышения эффективности и производительности. Их высокая теплопроводность и широкая запрещенная зона позволяют силовым полупроводникам SiC работать при более высоких температурах и напряжениях, что приводит к снижению потерь мощности и повышению эффективности преобразования энергии в электрических трансмиссиях. Силовые полупроводники SiC увеличивают запас хода и ускоряют процессы зарядки, выступая в качестве важной технологии для расширения возможностей электромобилей. Это нововведение способствует созданию устойчивых и эффективных транспортных решений.
По данным Data Bridge Market Research, анализируется Глобальный рынок полупроводников Sic Power ожидается, что к 2030 году его стоимость достигнет 7 030 515,23 тысяч долларов США при среднегодовом темпе роста 26,0% в течение прогнозируемого периода 2023-2030 годов.
«Растущий акцент на интеграции возобновляемых источников энергии способствует росту рынка»
Мировой рынок силовых полупроводников SiC стимулируется растущим вниманием к возобновляемым источникам энергии, особенно в таких приложениях, как солнечные и ветроэнергетические системы. Силовые полупроводники SiC пользуются большим спросом из-за их способности повышать эффективность преобразования энергии, способствуя плавной интеграции возобновляемых источников энергии в сеть. Растущий акцент на устойчивых энергетических решениях делает силовые полупроводники SiC ключевым фактором на мировом рынке, а их широкое распространение способствует развитию энергетических систем и поддерживает переход к более чистой и эффективной энергетической инфраструктуре.
Что сдерживает рост Мировой рынок силовых полупроводников SiC?
«Ограниченная производственная мощность»
Ограниченные производственные мощности являются существенным ограничением на мировом рынке силовых полупроводников SiC. Недостаточные производственные возможности ограничивают способность отрасли удовлетворить растущий спрос на силовые полупроводники SiC. Это ограничивает потенциал расширения рынка и может привести к дефициту поставок, влияя на общую траекторию роста сектора силовых полупроводников SiC.
Сегментация: мировой рынок силовых полупроводников SiC
Мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован по типу, диапазону напряжения, размеру пластины, типу пластины, применению и вертикали.
- В зависимости от типа мировой рынок силовых полупроводников SiC включает МОП-транзисторы, гибридные модули, диоды с барьером Шоттки (SBDS), IGBT, биполярный переходной транзистор (BJT), штыревой диод, переходный полевой транзистор (JFET) и другие.
- В зависимости от диапазона напряжения мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на 301–900 В, 901–1700 В и выше 1701 В.
- В зависимости от размера пластин мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на 6 дюймов, 4 дюйма, 2 дюйма и выше 6 дюймов.
- В зависимости от типа пластин мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на эпитаксиальные пластины SiC и чистые пластины SiC.
- В зависимости от применения мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на электромобили (EV), фотовольтаика, источники питания, промышленные приводы, инфраструктура зарядки электромобилей, радиочастотные устройства и т. д.
- По вертикали мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на автомобилестроение, коммунальное хозяйство и энергетику, промышленность, транспорт, ИТ и телекоммуникации, бытовую электронику, аэрокосмическую и оборонную, коммерческую и другие отрасли.
Региональный взгляд: Ожидается, что Азиатско-Тихоокеанский регион будет доминировать на мировом рынке силовых полупроводников SiC.
Ожидается, что Азиатско-Тихоокеанский регион будет доминировать на мировом рынке силовых полупроводников SiC, что обусловлено устойчивым спросом на эти передовые компоненты. Рост потребности в силовых полупроводниках SiC дополняется повышенным спросом на силовые модули и соответствующие устройства в регионе. Такая динамика двойного спроса делает Азиатско-Тихоокеанский регион доминирующей силой, а рост рынка обусловлен ключевой ролью силовых полупроводников SiC в удовлетворении растущих требований к эффективным и высокопроизводительным электронным устройствам.
Чтобы узнать больше об учебном визите, https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-sic-power-semiconductor-market
Последние события на мировом рынке силовых полупроводников SiC
- В декабре 2022 года STMicroelectronics и Soitec объявили о расширенном сотрудничестве в области подложек из карбида кремния (SiC). За последние 18 месяцев ST аттестовала технологию подложек Soitec SiC, в частности SmartSiC, для будущего производства подложек толщиной 200 мм. Это стратегическое партнерство направлено на расширение производства полупроводниковых приборов и модулей ST, способствуя росту мирового рынка силовых полупроводников SiC.
- В июле 2022 года компании Semikron Danfoss и ROHM Semiconductor, благодаря более чем десятилетнему сотрудничеству, достигли важной вехи, интегрировав новейшие SiC MOSFET 4-го поколения ROHM в модули SEMIKRON eMPack для автомобильных приложений. Это успешное партнерство не только положительно повлияло на финансовые показатели обеих компаний, но и сыграло решающую роль в удовлетворении мирового спроса на силовые полупроводники SiC, способствуя росту рынка.
Выдающиеся ключевые игроки, работающие в Мировой рынок силовых полупроводников SiC:
- ВОЛЬФСПИД, ИНК. (США)
- STMicroelectronics (Франция)
- РОМ КО., ООО. (Япония)
- Fuji Electric Co., Ltd. (Япония)
- Mitsubishi Electric Corporation (Япония)
- Техас Инструментс Инкорпорейтед (США)
- Infineon Technologies AG (Германия)
- Семикрон Данфосс (Германия)
- Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (Китай)
- Renesas Electronics Corporation (Япония)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Япония)
- Microchip Technology Inc. (США)
- Semiconductor Components Industries, LLC (США)
- NXP Semiconductors (Нидерланды)
- ЮнайтедСиК (США)
- SemiQ Inc. (США)
- Littlefuse, Inc. (США)
- Аллегро МикроСистемс, Инк. (США)
- Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Япония)
- GeneSiC Semiconductor Inc. (США)
Выше приведены ключевые игроки, охваченные в отчете, чтобы узнать больше и исчерпывающий список компании мирового рынка силовых полупроводников SiC контакт, https://www.databridgemarketresearch.com/contact
Методология исследования: Мировой рынок силовых полупроводников SiC
Сбор данных и анализ базового года выполняются с использованием модулей сбора данных с большими размерами выборки. Рыночные данные анализируются и оцениваются с использованием рыночных статистических и последовательных моделей. Кроме того, анализ доли рынка и анализ ключевых тенденций являются основными факторами успеха в отчете о рынке. Ключевой методологией исследования, используемой исследовательской группой DBMR, является триангуляция данных, которая включает в себя интеллектуальный анализ данных, анализ влияния переменных данных на рынок и первичную (отраслевыми экспертами) проверку. Помимо этого, модели данных включают в себя сетку позиционирования поставщиков, анализ временной шкалы рынка, обзор и руководство рынка, сетку позиционирования компании, анализ доли компании на рынке, стандарты измерения, глобальный и региональный анализ и анализ доли поставщиков. Пожалуйста, запросите звонок аналитика в случае дальнейшего запроса.
