碳化矽功率半導體是指含有碳和矽並在極高電壓和溫度下工作的半導體類型。碳化矽功率半導體可用於生產一種強度高且非常堅硬的材料。碳化矽功率半導體可用於電信、能源和電力、汽車、再生能源發電等各個領域以及其他不同領域。它們被認為具有更高的最大導熱性能，從而擴大了應用範圍。碳化矽功率半導體是一種被視為高頻功率元件的設備，主要應用於無線通訊。與矽半導體相比，SiC 半導體的介電擊穿場強是其十倍，熱導率是其三倍，帶隙是其三倍。 SiC半導體因其高性能和高效率而佔領了市場。碳化矽功率半導體在高電壓和高電流下工作，並且具有低導通電阻以及高溫效率。因此，碳化矽的組合被證明是一種更好、更優化的半導體選擇。
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Data Bridge Market Research 分析，全球碳化矽功率半導體市場預計將從 2023 年的 1,950,156.00 千美元增至 2031 年的 11,508,292.90 千美元，在 2024 年至 2031 年增長率的預測期內，複合年增長率為 25.1%。更嚴格的法規和消費者對降低能耗的需求將推動市場成長。
研究的主要發現
電動車使用率不斷上升
電動車使用量的不斷增長成為全球碳化矽功率半導體市場的重要驅動因素，利用碳化矽的卓越效率、熱性能和快速充電功能來滿足蓬勃發展的電動車的需求。此外，碳化矽功率半導體有助於開發電動車更快的充電解決方案，解決了消費者對電動車實用性的主要擔憂之一。因此，各機構一致認為，汽車產業電子化趨勢將持續增強。預計將在全球碳化矽功率半導體的成長中發揮關鍵作用並推動市場成長。
報告範圍和市場細分
報告指標
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細節
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預測期
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2024年至2031年
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基準年
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2023
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歷史歲月
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2022（可自訂為 2016 - 2021）
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定量單位
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收入（千美元）
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涵蓋的領域
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類型（MOSFET、蕭特基勢壘二極體 (SBD)、雙極接面電晶體 (BJT)、混合模組、SiC 晶片、PIN 二極體、結晶場效電晶體 (FET) 等）、晶圓型態（SiC 外延晶圓和空白 SiC 晶圓）、電壓範圍（301 V 1900 至 V100 至 V100 至 V100 至 V170 19019000 190702以上300 V）、晶圓尺寸（2 英寸、3 英寸和 4 英寸、6 英寸以及 8 英寸和 12 英寸）、應用（電動汽車(EV)、逆變器、電源、光伏、射頻設備、工業電機驅動器等）、垂直領域（汽車和運輸、數據中心、工業、可再生能源/電網、消費、航空航太和國防、醫療等）
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覆蓋國家
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美國、加拿大、墨西哥、德國、英國、法國、義大利、荷蘭、西班牙、俄羅斯、瑞士、土耳其、比利時、波蘭、瑞典、丹麥、挪威、芬蘭、歐洲其他地區、中國、日本、印度、韓國、澳洲、台灣、新加坡、泰國、印尼、馬來西亞、菲律賓、紐西蘭、越南、亞太其他地區、巴西、阿根廷、其他地區、阿拉伯、阿聯酋
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涵蓋的市場參與者
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英飛凌科技股份公司（德國）、義法半導體（瑞士）、WOLFSPEED, INC.（美國）、瑞薩電子株式會社（日本）、Semiconductor Components Industries, LLC（美國）、三菱電機株式會社（日本）、羅姆株式會社（日本）、Qoreria, Incgro（Axoreria）、Agakeria） Inc.（美國）、GeneSiC Semiconductor Inc.（美國）、富士電機株式會社（日本）、Vishay Intertechnology, Inc.（美國）、日立功率半導體設備有限公司、Littelfuse, Inc.（美國）、德州儀器公司。 （美國）、Microchip Technology Inc.（美國）、Semikron Danfoss（德國）、WeEn Semiconductors（中國）、Solitron Devices, Inc.（美國）、SemiQ Inc.（美國）、廈門博威新材料（中國）、MaxPower Semiconductor（台灣）等
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報告涵蓋的數據點
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除了對市場價值、成長率、細分、地理覆蓋範圍和主要參與者等市場情景的洞察之外，Data Bridge Market Research 策劃的市場報告還包括深入的專家分析、按地理位置代表的公司生產和產能、分銷商和合作夥伴的網絡佈局、詳細和更新的價格趨勢分析以及供應鏈和需求的缺口分析
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細分分析
全球碳化矽功率半導體市場根據類型、晶圓類型、電壓範圍、晶圓尺寸、應用和垂直細分為六個顯著的細分市場。
- 根據類型，全球碳化矽功率半導體市場細分為 MOSFET、肖特基勢壘二極體 (SBD)、雙極接面電晶體 (BJT)、混合模組、SiC 晶片、PIN 二極體、結型場效電晶體 (FET) 等
預計 2024 年 MOSFET 領域將主導全球碳化矽功率半導體市場
到 2024 年，MOSFET 領域預計將佔據市場主導地位，市場佔有率達到 28.28%，因為它們具有高效率、快速開關速度和低導通電阻的特性。
- 根據晶圓類型，全球碳化矽功率半導體市場分為碳化矽外延晶圓和碳化矽空白晶圓
預計 2024 年 SiC 外延片將主導全球碳化矽功率半導體市場
到 2024 年，SiC 外延片預計將憑藉其優異的電氣性能和效率佔據市場主導地位，市佔率達到 55.19%。
- 根據電壓範圍，全球碳化矽功率半導體市場細分為 301 V 至 900 V、901 V 至 1700 V、1701 V 及以上及 300 V 以下。預計 2024 年，301 V 至 900 V 部分將佔據市場主導地位，市佔率為 44.68%
- 根據晶圓尺寸，全球碳化矽功率半導體市場分為2英吋、3英吋、4英吋、6英吋以及8英吋和12英吋。預計 2024 年 2 吋、3 吋和 4 吋市場將佔據主導地位，市佔率為 43.65%
- 根據應用，全球碳化矽功率半導體市場細分為電動車（EV）、逆變器、電源、光伏、射頻設備、工業馬達驅動器等。到 2024 年，電動車 (EV) 領域預計將佔據市場主導地位，市場份額達到 33.53%
- 在垂直基礎上，全球碳化矽功率半導體市場細分為汽車和運輸、資料中心、工業、再生能源/電網、消費性電子、航空航太和國防、醫療等。 2024 年，汽車和運輸領域預計將佔據市場主導地位，市場佔有率為 28.38%
主要參與者
Data Bridge Market Research 分析了英飛凌科技股份公司（德國）、義法半導體（瑞士）、WOLFSPEED INC.（美國）、瑞薩電子株式會社（日本）和半導體元件工業有限責任公司。 （美國）是全球碳化矽功率半導體市場的主要營運公司。
市場發展
- 2024年1月，義法半導體宣布與理想汽車達成長期SiC裝置供應協議。透過這筆交易，理想汽車將獲得意法半導體 (ST) 的 SiC MOSFET，以支援其在多個細分市場的高壓電池電動車 (BEV) 目標。這項發展可以增強該公司在中國的影響力
- 2023年8月，意法半導體宣布與博格華納公司簽署碳化矽（SiC）功率MOSFET供應合同，意法半導體宣布與博格華納公司簽署碳化矽（SiC）功率MOSFET供應合同，意法半導體將為博格華納基於Viper平台打造的專屬功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET管芯。沃爾沃現有和即將推出的多款電動轎車均配備了博格華納製造的牽引逆變器平台，該平台採用了該電源模組。此次交易可以擴大該公司在汽車市場的影響力
- 2023年7月，WOLFSPEED, INC.宣布與瑞薩電子株式會社簽署了為期10年的碳化矽晶片和外延片供應承諾。 Wolfspeed 提供的優質碳化矽晶圓將使瑞薩電子能夠從 2025 年開始大規模生產碳化矽功率半導體。
- 2022年12月，瑞薩電子株式會社宣布榮獲全球半導體聯盟（GSA）頒發的本年度「亞太傑出半導體公司獎」。此獎項和認可提升了公司在市場上的形象，並對全球SiC功率半導體市場的成長產生了積極影響。
- 2022年11月，英飛凌科技股份公司簽署了一份不具約束力的諒解備忘錄，旨在開展碳化矽（SiC）半導體的多年期供應合作。英飛凌將保留製造能力，並在未來五年向 Stellantis 的直接一級供應商供應 CoolSiC「裸片」晶片。潛在採購量和產能儲備價值遠超過10億歐元。這一發展幫助該公司實現了財務成長，並對全球 SiC 功率半導體市場的成長產生了積極影響
區域分析
依地理劃分，市場分為美國、加拿大、墨西哥、德國、英國、法國、義大利、荷蘭、西班牙、俄羅斯、瑞士、土耳其、比利時、波蘭、瑞典、丹麥、挪威、芬蘭、歐洲其他地區、中國、日本、印度、韓國、澳洲、澳洲、新加坡、泰國、印尼、馬來西亞、菲律賓、紐西蘭、越南、亞太地區其他地區、巴西、阿根廷、其他國家、南非、
根據 Data Bridge 市場研究分析：
北美是全球碳化矽功率半導體市場的主導地區
北美地區預計將佔據市場主導地位，因為其擁有先進的技術基礎設施、強勁的研發投入以及該地區主要市場參與者的顯著影響力。
亞太地區是全球碳化矽功率半導體市場成長最快的地區
由於電子汽車使用量的不斷增長，亞太地區預計將成為市場成長最快的地區。
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