全球極紫外光刻市場規模、份額和趨勢分析報告 – 產業概況和 2032 年預測

極紫外光微影市場分析

由於對先進半導體元件的需求不斷增加以及向更小製程節點的轉變，全球極紫外（EUV）微影市場正在經歷強勁成長。 EUV 微影是一項尖端技術，能夠生產奈米級精度的晶片，這對於人工智慧(AI)、5G 和高效能運算領域的應用至關重要。半導體產業的主要參與者，尤其是整合設備製造商 (IDM) 和代工廠，正在採用 EUV 微影技術來提高晶片密度、性能和能源效率。此外，EUV 設備（包括光源、光學元件和光罩）的不斷進步正在推動創新並提高系統吞吐量和可靠性。

極紫外光刻市場規模

2024 年全球極紫外光刻市場價值為 65.2 億美元，預計到 2032 年將達到 142.6 億美元，在 2025 年至 2032 年的預測期內，複合年增長率為 9.20%。合作夥伴的網路佈局、詳細和更新的價格趨勢分析以及供應鏈和需求的缺口分析。

極紫外光刻技術的發展趨勢

“針對 AI、5G 優化的晶片需求不斷增長”

EUV 光刻市場正在朝向高數值孔徑 (NA) 系統轉變，從而實現 3nm 以下半導體節點的生產。對人工智慧、5G 和高效能運算優化的晶片的需求不斷增長，正在推動市場成長。代工廠和設備供應商之間的戰略合作正在加速 EUV 系統的採用。我們正在對提高光源效率和掩模缺陷管理的研發進行投資。由於中國大陸、台灣和韓國的半導體製造設施不斷擴大，亞太地區正經歷快速應用。

報告範圍及極紫外光刻市場細分         

極紫外光微影 市場定義

EUV 微影市場專注於使用波長 13.5 nm 的極紫外光進行先進的半導體製造。 EUV 技術對於生產 7nm 以下節點的高度緊湊且節能的晶片至關重要，可實現高效能運算、AI 和 5G 應用。該市場的特點是能夠實現卓越的精度、降低製程複雜性並支援半導體中更高的電晶體密度。領先的晶圓代工廠和整合設備製造商 (IDM) 越來越多地採用 EUV 系統，從而推動了該市場的顯著成長。

極紫外光微影市場動態

驅動程式  

• 過渡至 7nm 以下節點

全球半導體產業轉向 7 奈米以下節點的轉變是 EUV 光刻技術的關鍵驅動因素。這些較小的節點提供更高的電晶體密度、更高的效能和更低的功耗。 EUV 系統能夠實現此類先進節點所需的精確圖案化，使其成為現代晶片製造中不可或缺的一部分。人工智慧、5G和資料中心的應用進一步推動了需求。台積電和三星等晶圓代工廠正在率先採用 EUV 系統以保持競爭力。

• 半導體晶圓廠投資不斷增加

全球對半導體製造廠（fabs）的大規模投資正在推動對 EUV 系統的需求。美國和歐洲等地區的政府正在推出補貼措施來提高國內晶片產量，為 EUV 的採用創造了機會。這些晶圓廠優先採用先進的光刻解決方案來生產關鍵應用的高性能半導體。此外，與英特爾和GlobalFoundries等代工廠合作的無晶圓廠公司的崛起也增加了對EUV系統的需求。

機會

• 高數值孔徑EUV系統的技術開發

高數值孔徑（NA）EUV系統的開發代表著巨大的成長機會。這些系統旨在使更小的節點具有更高的精度和效率，從而解決當前 EUV 技術的限制。高NA系統預計對於3奈米以下和2奈米以下製造至關重要。 ASML 等領先的設備供應商正在大力投資高數值孔徑研發，為下一波半導體進步做好準備。

• 人工智慧晶片的需求

人工智慧（AI）在各個行業的快速應用正在推動對使用 EUV 光刻製造的先進晶片的需求。 AI 工作負載需要具有更高電晶體密度和最佳化架構的半導體，而 EUV 系統可以實現這一點。這項需求涵蓋自動駕駛汽車、醫療保健和工業自動化等產業。隨著人工智慧的普及，利用 EUV 系統的代工廠獲得了競爭優勢。

限制/挑戰

• EUV 微影的技術複雜性

EUV 微影面臨多項技術挑戰，包括光源功率限制、光罩缺陷和疊加精度。這些問題使生產過程變得複雜，並增加了製造商的營運成本。此外，對無塵室環境和真空系統的要求也增加了複雜性。解決這些挑戰需要持續的研發投入，從而延緩小型製造商使用 EUV 系統的可擴展性。

• EUV 設備供應有限

ASML 等 EUV 微影設備供應商的產能有限，是一大限制因素。這些系統的需求量超過供應量，導致製造商的交貨時間過長和部署延遲。這套瓶頸影響了代工廠擴大營運規模和滿足先進晶片市場需求的能力。在來自大型半導體公司的競爭中，小型企業尤其難以取得 EUV 系統的使用權。

本市場報告詳細介紹了近期發展、貿易法規、進出口分析、生產分析、價值鏈優化、市場份額、國內和本地市場參與者的影響，分析了新興收入來源方面的機會、市場法規的變化、戰略市場增長分析、市場規模、類別市場增長、應用領域和主導地位、產品審批、產品發布、地理擴展、市場技術創新。要獲取更多市場信息，請聯繫 Data Bridge Market Research 獲取分析師簡報，我們的團隊將幫助您做出明智的市場決策，實現市場成長。

全球極紫外光微影市場範圍

根據設備和最終用戶，市場分為兩個顯著的部分。這些細分市場之間的成長將幫助您分析行業中的微薄成長細分市場，並為用戶提供有價值的市場概覽和市場洞察，幫助他們做出策略決策，確定核心市場應用。

裝置

• 光源
• 光學
• 面具
• 其他的

最終用戶

• 整合設備製造商 (IDM)
• 鑄造廠

全球極紫外光微影市場區域分析

對市場進行了分析，並按上述國家、設備、最終用戶提供了市場規模見解和趨勢。

市場涵蓋的國家包括美國、加拿大、墨西哥、德國、法國、英國、荷蘭、瑞士、比利時、俄羅斯、義大利、西班牙、土耳其、歐洲其他地區、中國、日本、印度、韓國、新加坡、馬來西亞、澳洲、泰國、印尼、菲律賓、亞太其他地區、沙烏地阿拉伯、阿聯酋、南非、埃及、以色列、中東和非洲其他地區、巴西、阿根廷以及其他地區南美洲。

2025 年，北美在 EUV 光刻市場的主導地位將得益於半導體製造設施的大量投資以及政府支持的加強國內生產的激勵措施。英特爾和 IBM 等公司正在採用 EUV 進行 7 奈米以下和 3 奈米以下節點生產，從而推動創新。該地區在高效能運算和人工智慧應用方面的領導地位確保了對先進晶片的強勁需求。此外，與 ASML 等領先的 EUV 設備提供商的合作促進了技術的快速採用。

亞太地區是全球極紫外線（EUV）微影市場成長最快的地區。這種快速成長主要得益於台灣和韓國等國家領先半導體製造商的大量存在。台積電和三星等公司在採用 EUV 光刻技術以滿足全球對先進半導體日益增長的需求方面發揮了重要作用。

報告的國家部分還提供了影響單一市場的因素以及影響市場當前和未來趨勢的國內市場監管變化。下游和上游價值鏈分析、技術趨勢和波特五力分析、案例研究等數據點是用於預測各國市場情景的一些指標。此外，在對國家數據進行預測分析時，還考慮了全球品牌的存在和可用性，以及由於來自本地和國內品牌的大量或稀缺的競爭而面臨的挑戰，國內關稅和貿易路線的影響。

全球極紫外光微影市場佔有率

市場競爭格局提供了競爭對手的詳細資訊。其中包括公司概況、公司財務、收入、市場潛力、研發投資、新市場計劃、全球影響力、生產基地和設施、生產能力、公司優勢和劣勢、產品發布、產品寬度和廣度、應用主導地位。以上提供的數據點僅與公司對市場的關注有關。

在市場上運營的極紫外光刻市場領導者是：

• ASML Holding NV（荷蘭）
• 佳能公司（日本）
• 尼康公司（日本）
• 卡爾蔡司公司（德國）
• Toppan Photomasks Inc.（美國）
• 三星電子有限公司（韓國）
• 台灣半導體製造公司 (TSMC) (台灣)
• 英特爾公司（美國）
• GlobalFoundries (美國)

極紫外光微影市場的最新發展

• 2021 年 3 月，三星正在增加 EUV 掃描儀的產量，以與全球最大的代工廠台積電競爭。與傳統機器相比，EUV 掃描器透過減少建造更精細電路所需的光刻程序數量來優化晶片製造過程，迫使主要晶片製造商競爭該技術。
• 2022 年 6 月，ASML 與 Mad Science 共同推出了一項新的技術教育計畫。 ASL 青少年學院計畫將為 Brainport-Eindhoven 地區所有 271 所小學提供技術教學。這意味著瘋狂科學每年將透過課程向大約 60,000 名兒童傳授科技知識。 ASML 青少年學院將於 9 月在 50 所小學開學。

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