全球極紫外光刻市場規模、份額及趨勢分析報告－產業概況及至2032年預測

極紫外光刻市場分析

由於對先進半導體元件的需求不斷增長以及向更小製程節點的過渡，全球極紫外 (EUV) 微影市場正經歷強勁成長。 EUV 微影是一項尖端技術，能夠以奈米級精度生產晶片，這對於人工智慧(AI)、5G 和高效能運算等應用至關重要。半導體產業的關鍵參與者，特別是整合元件製造商 (IDM) 和代工廠，正在採用 EUV 微影技術來提高晶片密度、性能和能源效率。此外，包括光源、光學元件和掩模在內的 EUV 設備的持續進步，正在推動創新並提高系統吞吐量和可靠性。

極紫外光刻市場規模

2024年全球極紫外光刻市場規模為65.2億美元，預計到2032年將達到142.6億美元，在2025年至2032年的預測期內，複合年增長率（CAGR）為9.20%。除了市場價值、成長率、市場區隔、地理覆蓋範圍和主要參與者等市場概況外，Data Bridge Market Research發布的市場報告還包括深入的專家分析、按地域劃分的公司生產和產能、分銷商和合作夥伴的網絡佈局、詳細且最新的價格趨勢分析以及供應鏈和需求缺口分析。

極紫外光微影技術發展趨勢

“對針對人工智慧和5G優化的晶片的需求不斷增長”

EUV微影市場正向高數值孔徑（NA）系統轉型，因此能夠生產3奈米以下的半導體節點。對人工智慧、5G和高效能運算優化晶片的需求不斷增長，推動了市場發展。代工廠和設備供應商之間的戰略合作正在加速EUV系統的應用。為提高光源效率和掩模缺陷控制，研發投入也持續進行。由於中國大陸、台灣和韓國半導體製造設施的不斷擴張，亞太地區正在經歷快速的EUV系統應用。

報告範圍及極紫外光刻市場細分         

極紫外光微影市場定義

EUV微影市場專注於利用波長13.5奈米的極紫外光進行先進半導體製造。 EUV技術對於生產7奈米以下節點的超緊湊、高能效晶片至關重要，這些晶片能夠支援高效能運算、人工智慧和5G應用。該市場的特點是能夠實現更高的精度、降低製程複雜性並支援更高的半導體電晶體密度。領先的代工廠和整合裝置製造商（IDM）對EUV系統的日益普及正在推動該市場的顯著成長。

極紫外光微影市場動態

司機  

• 向7奈米以下節點過渡

全球半導體產業向7奈米以下製程節點的轉型是推動極紫外光刻技術發展的關鍵因素。這些較小的製程節點能夠提供更高的電晶體密度、更優異的效能和更低的功耗。 EUV系統能夠實現此類先進製程節點所需的精確圖案化，使其成為現代晶片製造不可或缺的工具。人工智慧、5G和資料中心等領域的應用進一步推動了EUV系統的需求。台積電和三星等代工廠正在引領EUV系統的應用，以保持競爭力。

• 半導體製造廠投資不斷成長

全球對半導體製造廠（晶圓廠）的大規模投資正在推動對極紫外光微影（EUV）系統的需求。美國和歐洲等地區的政府正在推出補貼政策以促進國內晶片生產，為EUV技術的應用創造了機會。這些晶圓廠優先採用先進的光刻解決方案，以生產關鍵應用的高性能半導體。此外，無晶圓廠公司與英特爾和格羅方德等代工廠的合作也進一步加劇了EUV系統的需求。

機會

• 高數值孔徑極紫外光刻系統技術開發

高數值孔徑（NA）極紫外光刻（EUV）系統的開發蘊藏著巨大的成長機會。這些系統旨在以更高的精度和效率實現更小的製程節點，從而克服目前EUV技術的限制。高NA系統預計將對3nm以下和2nm以下製程的製造至關重要。 ASML等領先的設備供應商正大力投資高NA研發，為下一波半導體技術進步浪潮做好準備。

• 人工智慧驅動晶片的需求

人工智慧 (AI) 在各行業的快速應用推動了對採用極紫外光刻技術製造的先進晶片的需求。 AI 應用需要電晶體密度更高、架構更優化的半導體，而 EUV 系統恰好能夠滿足這些需求。這種需求涵蓋自動駕駛汽車、醫療保健和工業自動化等眾多產業。隨著 AI 應用的加速發展，採用 EUV 系統的代工廠將獲得競爭優勢。

限制/挑戰

• EUV微影技術的技術複雜性

EUV微影技術面臨許多技術挑戰，包括光源功率限制、掩模缺陷和套刻精度等。這些問題使生產流程複雜化，並增加了製造商的營運成本。此外，無塵室環境和真空系統的要求也增加了複雜性。應對這些挑戰需要持續的研發投入，從而延緩了小型製造商採用EUV系統的進程。

• EUV設備供應有限

極紫外光微影設備供應商（例如ASML）產能有限，這是一個主要限制因素。市場對這些系統的需求遠超供應，導致製造商交貨週期過長，部署延遲。這種瓶頸影響了代工廠擴大生產規模和滿足市場對先進晶片需求的能力。尤其是在大型半導體公司的競爭下，規模較小的廠商很難取得極紫外光微影系統。

本市場報告詳細介紹了近期新發展動態、貿易法規、進出口分析、生產分析、價值鏈優化、市場份額、國內外市場參與者的影響、新興收入來源的機會分析、市場法規變化、戰略市場增長分析、市場規模、各品類市場增長、應用領域及主導地位、產品認證、產品發布、地域擴張以及市場技術創新。如需了解更多市場信息，請聯繫 Data Bridge Market Research 獲取分析師簡報，我們的團隊將協助您做出明智的市場決策，實現市場成長。

全球極紫外光微影市場範圍

根據設備和最終用戶，市場可分為兩大主要細分市場。這些細分市場的成長將有助於您分析行業中成長緩慢的領域，並為用戶提供有價值的市場概覽和市場洞察，從而幫助他們制定策略決策，確定核心市場應用。

裝置

• 光源
• 光學
• 面具
• 其他的

最終用戶

• 整合裝置製造商 (IDM)
• 鑄造廠

全球極紫外光刻市場區域分析

如上所述，對市場進行分析，並按國家、設備和最終用戶提供市場規模洞察和趨勢。

市場涵蓋的國家包括：美國、加拿大、墨西哥、德國、法國、英國、荷蘭、瑞士、比利時、俄羅斯、義大利、西班牙、土耳其、歐洲其他地區、中國、日本、印度、韓國、新加坡、馬來西亞、澳洲、泰國、印尼、菲律賓、亞太其他地區、沙烏地阿拉伯、阿聯酋、南非、埃及、以色列、中東和非洲其他地區、巴西、阿根廷以及南美洲其他地區。

北美在2025年EUV光刻市場的領先地位將得益於對半導體製造設施的大量投資以及政府為加強國內生產而推出的激勵措施。英特爾和IBM等公司正透過採用EUV技術生產7奈米以下和3奈米以下節點的晶片來推動創新。該地區在高效能運算和人工智慧應用領域的領先地位確保了對先進晶片的強勁需求。此外，與ASML等領先的EUV設備供應商的合作也促進了技術的快速普及。

亞太地區是全球極紫外線（EUV）微影市場成長最快的地區。這一快速成長主要歸功於台灣和韓國等國家和地區眾多領先半導體製造商的強大實力。台積電和三星等公司在採用EUV光刻技術以滿足全球日益增長的先進半導體需求方面發揮了關鍵作用。

報告的國別部分還提供了影響各個市場的因素以及國內市場監管變化，這些因素和變化會影響市場的當前和未來趨勢。下游和上游價值鏈分析、技術趨勢和波特五力分析、案例研究等數據點是預測各國市場前景的基礎。此外，在進行國別數據預測分析時，還會考慮全球品牌的市場佔有率和可用性，以及它們因本地品牌競爭激烈或稀缺而面臨的挑戰，以及國內關稅和貿易路線的影響。

全球極紫外光微影市場佔有率

市場競爭格局部分按競爭對手提供詳細信息，包括公司概況、財務狀況、收入、市場潛力、研發投入、新市場拓展計劃、全球佈局、生產基地及設施、產能、公司優勢與劣勢、產品發布、產品線寬度與廣度以及應用領域優勢。以上數據僅與各公司在市場上的業務重點相關。

極紫外光刻市場的主要領導者包括：

• ASML Holding NV（荷蘭）
• 佳能株式會社（日本）
• 尼康株式會社（日本）
• 卡爾蔡司股份公司（德國）
• 凸版印刷光掩模株式會社（美國）
• 三星電子有限公司（韓國）
• 台灣積體電路製造股份有限公司（TSMC）（台灣）
• 英特爾公司（美國）
• GlobalFoundries（美國）

極紫外光微影市場最新發展

• 2021年3月，三星正加緊生產EUV光刻機，以期與全球最大的晶圓代工廠台積電競爭。與傳統微影機不同，EUV微影機透過減少建構更精細電路所需的光刻工序，優化了晶片製造流程，迫使各大晶片製造商競相爭奪這項技術。
• 2022年6月，ASML與Mad Science共同推出了一項新的科技教育計畫。 ASML青少年學院計畫將為布雷恩波特-埃因霍溫地區的全部271所小學提供科技課程。這意味著Mad Science每年將透過課程向約6萬名兒童傳授科技知識。 ASML青少年學院將於9月在50所小學啟動。

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