Der Markt für diskrete IGBT-Halbleiter wird im Prognosezeitraum von 2020 bis 2027 voraussichtlich um beachtliche 10,80 % wachsen. Grund hierfür ist die steigende Nachfrage nach energieeffizienten und stromsparenden Geräten, die vor allem die Marktwachstumsrate antreibt.
Darüber hinaus werden die zunehmende Modernisierung sowie die schnelle Urbanisierung und Industrialisierung lukrative Möglichkeiten für das Wachstum des Marktes für diskrete IGBT-Halbleiter schaffen.
Marktszenario für diskrete IGBT-Halbleiter
Laut Data Bridge Market Research wächst der Markt für diskrete IGBT-Halbleiter aufgrund der zunehmenden Verbreitung drahtloser und tragbarer Elektronikprodukte . Auch die steigende Nachfrage nach Antrieben für die Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien und das starke Wachstum der Automobilindustrie dürften die Nachfrage nach diskreten IGBT-Halbleitern im Prognosezeitraum 2020 bis 2027 ankurbeln. Die hohen Kosten diskreter Halbleiter und die zunehmende Fokussierung auf integrierte Schaltkreise werden das Wachstum des Marktes für diskrete IGBT-Halbleiter im genannten Prognosezeitraum jedoch hemmen.
Die Frage ist nun, auf welche anderen Regionen der Markt für diskrete IGBT-Halbleiter abzielt. Data Bridge Market Research geht davon aus, dass in Nordamerika aufgrund der zunehmenden Entwicklung KI-basierter Halbleiter und der konstanten Nachfrage der Automobilindustrie in der Region ein starkes Wachstum zu erwarten ist.
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Marktentwicklung für diskrete IGBT-Halbleiter
- Im Dezember 2019 brachte Toshiba den „GT20N135SRA“ auf den Markt, einen diskreten 1350-V-IGBT speziell für Spannungsresonanzkreise in IH-Reiskochern, IH-Tischkochern, Mikrowellenherden und anderen Haushaltsgeräten. Mit der Markteinführung erweitert das Unternehmen sein Produktportfolio.
Marktumfang für diskrete IGBT-Halbleiter
Der Markt für diskrete IGBT-Halbleiter ist nach Ländern unterteilt in die USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Brasilien, Argentinien und den Rest von Südamerika als Teil von Südamerika, Deutschland, Italien, Großbritannien, Frankreich, Spanien, die Niederlande, Belgien, die Schweiz, die Türkei, Russland, den Rest von Europa in Europa, Japan, China, Indien, Südkorea, Australien, Singapur, Malaysia, Thailand, Indonesien, die Philippinen, den Rest von Asien-Pazifik (APAC) im Asien-Pazifik-Raum (APAC), Saudi-Arabien, die Vereinigten Arabischen Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, den Rest des Nahen Ostens und Afrikas (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA).
- Die länderspezifische Analyse des Marktes für diskrete IGBT-Halbleiter wird detailliert analysiert und weiter segmentiert. Der Markt für diskrete IGBT-Halbleiter wird nach Typ in diskrete und modulare IGBT-Halbleiter unterteilt. Die Nennleistung des Marktes wird in Hochleistungs-, Mittelleistungs- und Niedrigleistungshalbleiter unterteilt. Der Markt für diskrete IGBT-Halbleiter wird zudem nach Endverbraucher in die Branchen Automobil , Unterhaltungselektronik, Kommunikation , Industrie und andere Endverbraucher unterteilt.
- Diskrete Halbleiter sind Halbleiter, die speziell für die Ausführung kleiner elektronischer Funktionen entwickelt wurden. Sie weisen die physikalischen Merkmale integrierter Schaltkreise auf, erfüllen aber in der Regel nur kleine Funktionen und finden breite Anwendung in Branchen wie der Elektronik, Kommunikation und Industrie.
Weitere Informationen zur Studie finden Sie unter https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-igbt-discrete-semiconductor-market
Wichtige Hinweise zu den Branchentrends und Prognosen für den Markt für diskrete IGBT-Halbleiter bis 2027
- Marktgröße
- Neue Absatzmengen vermarkten
- Marktersatzverkaufsmengen
- Marktinstallierte Basis
- Markt nach Marken
- Marktverfahrensvolumina
- Marktproduktpreisanalyse
- Marktkostenanalyse der Pflege
- Marktanteile in verschiedenen Regionen
- Aktuelle Entwicklungen für Marktkonkurrenten
- Marktkommende Anwendungen
- Studie zu Marktinnovatoren
Wichtige Marktkonkurrenten, die im Bericht behandelt werden
- Infineon Technologies AG
- Semiconductor Components Industries, LLC,
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION
- NXP Semiconductors
- Eaton Corporation Plc
- STMicroelectronics
- Mouser Electronics, Inc
- Vishay Intertechnology, Inc
- Nexperia BV
- ROHM CO., LTD
- Central Semiconductor Corp
- Diodes Incorporated
- ABB
- Mitsubishi Electric Corporation
- Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd
- Fuji Electric Co., Ltd
- Murata Manufacturing Co., Ltd
- Taiwan Semiconductor
- IXYS Corporation
- Renesas Electronics Corporation
Oben sind die wichtigsten Akteure aufgeführt, die im Bericht behandelt werden. Um mehr über die Unternehmen für diskrete IGBT-Halbleiter zu erfahren und eine vollständige Liste zu erhalten , kontaktieren Sie uns unter https://www.databridgemarketresearch.com/toc/?dbmr=global-igbt-discrete-semiconductor-market
Forschungsmethodik des globalen Marktes für diskrete IGBT-Halbleiter
Die Datenerhebung und Basisjahresanalyse erfolgt mithilfe von Datenerfassungsmodulen mit großen Stichproben. Die Marktdaten werden mithilfe marktstatistischer und kohärenter Modelle analysiert und prognostiziert. Marktanteilsanalysen und Schlüsseltrendanalysen sind ebenfalls wichtige Erfolgsfaktoren im Marktbericht. Um mehr zu erfahren, fordern Sie bitte einen Analystenanruf an oder senden Sie Ihre Anfrage per E-Mail.
Die wichtigste Forschungsmethode des DBMR-Forschungsteams ist die Datentriangulation. Diese umfasst Data Mining, die Analyse der Auswirkungen von Datenvariablen auf den Markt und die primäre Validierung durch Branchenexperten. Darüber hinaus umfassen die Datenmodelle ein Vendor Positioning Grid, eine Marktzeitlinienanalyse, einen Marktüberblick und -leitfaden, ein Company Positioning Grid, eine Unternehmensmarktanteilsanalyse, Messstandards, eine Top-to-Bottom-Analyse und eine Vendor-Share-Analyse. Um mehr über die Forschungsmethodik zu erfahren, kontaktieren Sie unsere Branchenexperten.
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