Press Release

Jan, 04 2024

全球智慧型手機的高滲透率預計將推動全球砷化鎵(GaAs)射頻(RF)半導體市場的成長

全球智慧型手機的高普及率是推動市場成長的關鍵因素。隨著行動通訊技術的不斷進步,對高效能射頻半導體的需求可能會持續存在。市場對多樣化應用的彈性和適應性,加上持續的技術進步,使得 GaAs RF 半導體成為不斷擴展的無線通訊和連接領域中不可或缺的組成部分。

訪問完整報告 @  https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-gallium-arsenide-gaas-radio-frequency-rf-semiconductor-market

Data Bridge Market Research 分析稱,全球砷化鎵 (Gaas) 射頻 (RF) 半導體市場預計將從 2023 年的 2,145,959.10 千美元增至 2031 年的 3,707,723.02 千美元,在 2024 年的 3,707,723.02 美元

研究的主要發現

砷化鎵(Gaas)射頻(RF)半導體市場

網路和通訊技術的進步  

網路和通訊技術進步的關鍵進展領域之一是5G技術的演進。 GaAs射頻半導體在5G網路的開發和部署中發揮著至關重要的作用,提供高速、低延遲的通訊能力。此外,衛星通訊系統的發展一直是推動 GaAs RF 半導體進步的關鍵因素,隨著對更快、更可靠的無線通訊的需求不斷增長,GaAs RF 半導體預計將在塑造全球通訊技術的未來方面繼續發揮關鍵作用。

報告範圍和市場細分

報告指標

細節

預測期

2024年至2031年

基準年

2023

歷史歲月

2022(可自訂為2016-2021)

定量單位

收入(千美元)

涵蓋的領域

裝置(功率放大器、低雜訊放大器、濾波器和雙工器、射頻混頻器、開關等)、頻率(超高頻 (UHF) 和甚高頻 (VHF))、工作電壓(高達 5 V、5.1 至 20 V 及高於 20 V)、晶圓尺寸(4 吋、6 吋、3 吋、航太)、終端機(VUSL)、電聯機、衛星通訊、航空設備、電聯電視機 (和有線寬頻等)   

覆蓋國家

美國、加拿大、墨西哥、德國、法國、英國、義大利、土耳其、西班牙、荷蘭、俄羅斯、比利時、瑞士、波蘭、瑞典、丹麥、挪威、芬蘭、歐洲其他地區、中國、日本、韓國、台灣、紐西蘭、印度、澳洲、新加坡、馬來西亞、泰國、菲律賓、印尼、越南、亞太其他地區、巴西、阿根廷、南美洲其他地區、沙烏地阿拉伯、阿聯酋其他地區

涵蓋的市場參與者

穩懋半導體(台灣)、恩智浦半導體(荷蘭)、Qorvo 公司(美國)、MACOM 公司(美國)、博通公司(美國)、村田製作所(日本)、住友電工株式會社(日本)、是德科技(美國)、同和電子材料聯合體社(同株式會社(同株式會社(同系) (Frei)(日本)。 Materials GmbH(德國)、廈門博威新材料有限公司(中國)、三菱電機株式會社(日本)、德州儀器公司(美國)、相干公司(美國)、Advanced Wireless Semiconductor Company(美國)、先導稀土股份有限公司(中國)、Skycro Solutions 公司(美國)、Analogs Devices 公司(美國)有限公司(美國)Skyworks Solutions 公司(美國)、Analogs LLC(美國)、IQE PLC(英國)、英飛凌科技股份公司(德國)等

報告涵蓋的數據點

除了對市場價值、成長率、細分、地理覆蓋範圍和主要參與者等市場情景的洞察之外,Data Bridge Market Research 策劃的市場報告還包括深入的專家分析、按地理位置表示的公司生產和產能、分銷商和合作夥伴的網絡佈局、詳細和更新的價格趨勢分析以及供應鏈和需求的缺口分析。

細分分析:

全球砷化鎵 (GaAs) 射頻 (RF) 半導體市場根據設備、頻率、工作電壓、晶圓尺寸和最終用途分為五個顯著的部分。

  • 根據設備類型,市場細分為功率放大器、低雜訊放大器、濾波器和雙工器、射頻混頻器、開關等

預計到 2024 年,功率放大器領域將主導全球砷化鎵 (GaAs) 射頻 (RF) 半導體市場

2024 年,功率放大器部分預計將成長,市場佔有率達到 38.18%,因為它們對於提高訊號強度和保證高頻應用的有效傳輸至關重要。

  • 根據頻率,市場分為超高頻(UHF)和甚高頻(VHF)

預計 2024 年超高頻 (UHF) 領域將主導全球砷化鎵 (GaAs) 射頻 (RF) 半導體市場

到 2024 年,超高頻 (UHF) 領域預計將成長,市佔率達到 62.55%,這得益於其在包括 5G 網路在內的先進通訊系統中的關鍵作用。

  • 根據工作電壓,市場細分為高達 5 V、5.1 至 20 V 和 20 V 以上。 2024 年,高達 5 V 的市場預計將成長,市佔率為 54.34%
  • 根據晶圓尺寸,市場細分為4吋、6吋、3吋、2吋和其他。預計 2024 年 4 吋市場將成長,市佔率將達到 38.07%
  • 根據最終用途,市場細分為電信、消費設備、航空航太、國防和衛星通訊、汽車、社區天線電視 (CATV) 和有線寬頻等。 2024 年,電信領域預計將成長,市佔率達到 33.85%

主要參與者

Data Bridge Market Research 分析了 Skyworks Solutions, Inc.(美國)、Qorvo, Inc(美國)、WIN Semiconductors(台灣)、Broadcom(美國)和 Murata Manufacturing Co., Ltd.(日本)作為全球砷化鎵 (GaAs) 射頻 (RF) 半導體市場的主要市場參與者。

砷化鎵(Gaas)射頻(RF)半導體市場

市場開發

  • 2023年11月,穩懋半導體因在ESG實務中與利害關係人保持透明度,榮獲台灣企業永續金獎。這有助於公司加強與利害關係人的關係
  • 2023年11月,Rengo株式會社收購了印度著名瓦楞包裝製造商Velvin Containers Private Limited 30%的股份。透過此次股權投資,該公司將在 Rengo 的所有權下更名為 Velvin Rengo Containers Private Limited。預計 Rengo 在 Velvin Containers 的股份將為 Rengo 集團在日本國內和國際的實體之間產生協同效應。此舉符合 Rengo 的全球策略,使公司能夠利用印度蓬勃發展的瓦楞包裝市場,進一步加強其海外影響力
  • 2023年8月,Advanced Wireless Semiconductor Company的GaAs代工業務較上季成長9.8%。儘管同比增長 51.1%,但專注於軍事和其他領域的 IDM Transcom
  • 2022 年 5 月,Qorvo 公司推出了突破性的 RF 產品組合,其中包括 Wi-Fi 6E 前端模組、開關和分立 GaAs pHEMT。該技術適用於無線、汽車遠端資訊處理、NAD、LTE、5G通訊、國防雷達、衛星和通訊系統等多種應用。這套高效能解決方案簡化了全球設計人員的射頻複雜性。這有助於公司擴大產品組合併提高品牌知名度
  • 2021 年 10 月,村田製作所擴大了與 Resonant Inc. 的合作夥伴關係,專注於在更多頻段融入 Resonant 的 XBAR 技術的射頻濾波器設計。此舉標誌著 XBAR 技術大規模推向市場邁出了重要一步,並有望解決下一代網路面臨的挑戰。這有利於公司滿足先進無線網路對寬頻、高頻射頻市場日益增長的需求

區域分析

從地理上看,全球砷化鎵 (GaAs) 射頻 (RF)半導體市場報告涵蓋的國家包括美國、加拿大、墨西哥、德國、法國、英國、義大利、土耳其、西班牙、荷蘭、俄羅斯、比利時、瑞士、波蘭、瑞典、丹麥、挪威、芬蘭和歐洲其他地區、中國、日本、韓國、台灣、紐西蘭、印度、澳洲、新加坡、馬來西亞、泰國、菲律賓、印尼、越南、亞太地區其他地區、巴西、阿根廷、南美洲其他地區、以色列、馬來西亞、其他地區、歐洲、英國、歐洲地區、歐洲、英國、歐洲地區和其他地區、歐洲南部國家。

根據 Data Bridge 市場研究分析:

亞太地區是全球砷化鎵 (GaAs) 射頻 (RF) 半導體市場中占主導地位且成長最快的地區

由於亞太地區廣泛採用 5G 技術且對電子產品的需求不斷增長,預計該地區將主導全球砷化鎵 (GaAs) 射頻 (RF) 半導體市場。作為半導體生產中心,韓國和中國等國家提供了主要的生產貢獻,推動了市場的擴張。此外,該地區對技術創新和持續基礎設施發展的策略重點進一步鞏固了其在 GaAs RF 半導體產業的領導地位。

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