Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter sind Halbleiter, die Kohlenstoff und Silizium enthalten und bei sehr hohen Spannungen und Temperaturen arbeiten. Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter eignen sich zur Herstellung eines robusten und sehr harten Materials. Sie finden Anwendung in verschiedenen Bereichen wie Telekommunikation, Energie und Strom, Automobilindustrie, erneuerbarer Energieerzeugung und vielen weiteren. Ihre höhere maximale Wärmeleitfähigkeit erweitert ihr Anwendungsspektrum. Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter gelten als Hochfrequenz-Leistungsbauelemente und werden hauptsächlich in der drahtlosen Kommunikation eingesetzt. SiC-Halbleiter bieten im Vergleich zu Siliziumhalbleitern die zehnfache Durchschlagsfeldstärke, die dreifache Wärmeleitfähigkeit und die dreifache Bandlücke. SiC-Halbleiter haben sich aufgrund ihrer hohen Leistung und Effizienz am Markt etabliert. Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter arbeiten bei hohen Spannungen und Strömen, bieten einen niedrigen Durchlasswiderstand und sind zudem auch bei hohen Temperaturen effizient. Die Kombination mit Siliziumkarbid hat sich daher als die bessere und optimale Halbleiterwahl erwiesen.
Vollständigen Bericht abrufen unter https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-silicon-carbide-power-semiconductors-market
Data Bridge Market Research analysiert, dass der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter voraussichtlich von 1.950.156.000 USD im Jahr 2023 auf 11.508.292,90 Tausend USD im Jahr 2031 anwachsen wird, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 25,1 % im Prognosezeitraum von 2024 bis 2031 entspricht. Strengere Vorschriften und die Forderung der Verbraucher nach einem geringeren Energieverbrauch werden das Marktwachstum vorantreiben.
Wichtigste Ergebnisse der Studie
Steigende Nutzung von Elektrofahrzeugen
Die zunehmende Nutzung von Elektrofahrzeugen ist ein wichtiger Wachstumsfaktor für den globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter. Die überlegene Effizienz, die thermische Leistung und die Schnellladefähigkeit von Siliziumkarbid werden genutzt, um den Anforderungen der wachsenden Elektrofahrzeug-Szene gerecht zu werden. Darüber hinaus tragen Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter zur Entwicklung schnellerer Ladelösungen für Elektrofahrzeuge bei und gehen damit auf eine der wichtigsten Sorgen der Verbraucher hinsichtlich der Praktikabilität von Elektrofahrzeugen ein. Daher gehen alle Organisationen gemeinsam von einem zunehmenden Trend zu Elektrofahrzeugen im Automobilsektor aus. Es wird erwartet, dass dieser Trend eine Schlüsselrolle für das Wachstum globaler Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter spielt und das Marktwachstum vorantreibt.
Berichtsumfang und Marktsegmentierung
Berichtsmetrik
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Details
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Prognosezeitraum
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2024 bis 2031
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Basisjahr
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2023
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Historische Jahre
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2022 (Anpassbar auf 2016–2021)
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Quantitative Einheiten
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Umsatz in Tausend USD
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Abgedeckte Segmente
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Typ (MOSFETS, Schottky-Barrieredioden (SBDs), Bipolar Junction Transistor (BJT), Hybridmodule, SiC Bare Die, PIN-Diode, Junction-FET und andere), Wafertyp (SiC-Epitaxie-Wafer und leere SiC-Wafer), Spannungsbereich (301 V bis 900 V, 901 V bis 1700 V, 1701 V und mehr und weniger als 300 V), Wafergröße (2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll, 6 Zoll und 8 und 12 Zoll), Anwendung ( Elektrofahrzeuge (EV), Wechselrichter, Stromversorgungen, Photovoltaik, HF-Geräte, industrielle Motorantriebe und andere), Vertikal (Automobil und Transport, Rechenzentren, Industrie, Erneuerbare Energien/Netze, Unterhaltungselektronik , Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Medizin und andere)
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Abgedeckte Länder
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USA, Kanada und Mexiko, Deutschland, Großbritannien, Frankreich, Italien, Niederlande, Spanien, Russland, Schweiz, Türkei, Belgien, Polen, Schweden, Dänemark, Norwegen, Finnland, Restliches Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Australien, Taiwan, Singapur, Thailand, Indonesien, Malaysia, Philippinen, Neuseeland, Vietnam, Restlicher Asien-Pazifik-Raum, Brasilien, Argentinien, Restliches Südamerika, Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Israel, Südafrika, Ägypten, Katar, Kuwait, Bahrain, Oman und Restlicher Naher Osten und Afrika
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Abgedeckte Marktteilnehmer
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Infineon Technologies AG (Deutschland), STMicroelectronics (Schweiz), WOLFSPEED, INC. (USA), Renesas Electronics Corporation (Japan), Semiconductor Components Industries, LLC (USA), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), ROHM CO., LTD. (Japan), Qorvo, Inc (USA), Nexperia (Niederlande), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION (USA), Allegro MicroSystems, Inc. (USA), GeneSiC Semiconductor Inc. (USA), Fuji Electric Co., Ltd (Japan), Vishay Intertechnology, Inc. (USA), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc. (USA), Texas Instruments Incorporated. (USA), Microchip Technology Inc. (USA), Semikron Danfoss (Deutschland), WeEn Semiconductors (China), Solitron Devices, Inc. (USA), SemiQ Inc. (USA), Xiamen Powerway Advanced Material (China), MaxPower Semiconductor (Taiwan) und andere
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Im Bericht behandelte Datenpunkte
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Neben den Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und wichtige Akteure enthalten die von Data Bridge Market Research kuratierten Marktberichte auch eingehende Expertenanalysen, geografisch dargestellte Produktion und Kapazität nach Unternehmen, Netzwerklayouts von Distributoren und Partnern, detaillierte und aktualisierte Preistrendanalysen und Defizitanalysen der Lieferkette und der Nachfrage
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Segmentanalyse
Der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ist in sechs wichtige Segmente unterteilt, die auf Typ, Wafertyp, Spannungsbereich, Wafergröße, Anwendung und Vertikale basieren.
- Der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ist nach Typ in MOSFETs, Schottky-Barrieredioden (SBDs), Bipolar Junction Transistor (BJT), Hybridmodule, SiC-Bare-Die, Pin-Diode, Junction-FET und andere unterteilt.
Im Jahr 2024 wird das MOSFET-Segment voraussichtlich den globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter dominieren
Im Jahr 2024 wird das MOSFET-Segment aufgrund seiner hohen Effizienz, schnellen Schaltgeschwindigkeiten und seines geringen Einschaltwiderstands voraussichtlich mit einem Marktanteil von 28,28 % den Markt dominieren.
- Auf der Grundlage des Wafertyps ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in SiC-Epitaxie-Wafer und leere SiC-Wafer unterteilt
Im Jahr 2024 wird das Segment der epitaktischen SiC-Wafer voraussichtlich den globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter dominieren
Im Jahr 2024 wird das Segment der epitaktischen SiC-Wafer aufgrund seiner überlegenen elektrischen Eigenschaften und Effizienz voraussichtlich den Markt mit einem Marktanteil von 55,19 % dominieren.
- Basierend auf dem Spannungsbereich ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in 301 V bis 900 V, 901 V bis 1700 V, 1701 V und mehr sowie weniger als 300 V unterteilt. Im Jahr 2024 wird erwartet, dass das Segment 301 V bis 900 V den Markt mit einem Marktanteil von 44,68 % dominieren wird.
- Der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ist nach Wafergröße in die Größen 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll sowie 8 und 12 Zoll unterteilt. Im Jahr 2024 wird erwartet, dass das 2-Zoll-, 3-Zoll- und 4-Zoll-Segment mit einem Marktanteil von 43,65 % den Markt dominieren wird.
- Der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ist nach Anwendung in Elektrofahrzeuge (EV), Wechselrichter, Stromversorgungen, Photovoltaik, HF-Geräte, industrielle Motorantriebe und weitere segmentiert. Im Jahr 2024 wird das Segment Elektrofahrzeuge (EV) voraussichtlich mit einem Marktanteil von 33,53 % den Markt dominieren.
- Der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ist vertikal in die Bereiche Automobil und Transport, Rechenzentren, Industrie, erneuerbare Energien/Netze, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Medizin und andere unterteilt. Im Jahr 2024 wird das Segment Automobil und Transport voraussichtlich mit einem Marktanteil von 28,38 % den Markt dominieren.
Hauptakteure
Data Bridge Market Research analysiert Infineon Technologies AG (Deutschland), STMicroelectronics (Schweiz), WOLFSPEED INC. (USA), Renesas Electronics Corporation (Japan) und Semiconductor Components Industries LLC. (USA) als die wichtigsten Unternehmen auf dem globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter.
Marktentwicklungen
- Im Januar 2024 gab STMicroelectronics den langfristigen Vertrag mit Li Auto über die Lieferung von SiC-Bauelementen bekannt. Im Rahmen dieses Vertrags erhält Li Auto SiC-MOSFETs von STMicroelectronics (ST), um seine Ambitionen im Bereich Hochvolt-Elektrofahrzeuge (BEV) in verschiedenen Marktsegmenten zu unterstützen. Diese Entwicklung kann die Präsenz des Unternehmens in China stärken.
- Im August 2023 gab STMicroelectronics die Unterzeichnung eines Vertrags zur Lieferung von Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs (SiC) an BorgWarner Inc. bekannt. STMicroelectronics wird die neuesten 750-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Chips der dritten Generation für BorgWarners exklusives Leistungsmodul auf der Viper-Plattform liefern. Mehrere aktuelle und zukünftige Volvo-Elektrofahrzeuge sind mit Traktionswechselrichterplattformen von BorgWarner ausgestattet, die dieses Leistungsmodul verwenden. Dieser Vertrag kann die Präsenz des Unternehmens im Automobilmarkt ausbauen.
- Im Juli 2023 gab WOLFSPEED, INC. bekannt, dass das Unternehmen einen Liefervertrag mit Renesas Electronics Corporation über eine zehnjährige Lieferverpflichtung für blanke und epitaktische Siliziumkarbid-Wafer unterzeichnet hat. Wolfspeeds Versorgung mit hochwertigen Siliziumkarbid-Wafern ermöglicht es Renesas, ab 2025 in größerem Maßstab mit der Produktion von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern zu beginnen.
- Im Dezember 2022 gab die Renesas Electronics Corporation bekannt, dass sie von der Global Semiconductor Alliance (GSA) mit dem diesjährigen „Outstanding Asia-Pacific Semiconductor Company Award“ ausgezeichnet wurde. Diese Auszeichnung und Anerkennung stärkte das Image des Unternehmens auf dem Markt und wirkte sich positiv auf das Wachstum des globalen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter aus.
- Im November 2022 unterzeichnete die Infineon Technologies AG eine unverbindliche Absichtserklärung für eine mehrjährige Lieferkooperation für Siliziumkarbid (SiC)-Halbleiter. Infineon würde Fertigungskapazitäten reservieren und in der zweiten Hälfte des Jahrzehnts CoolSiC-„Bare-Die“-Chips an die direkten Tier-1-Lieferanten von Stellantis liefern. Das potenzielle Beschaffungsvolumen und die Kapazitätsreservierung haben einen Wert von deutlich über einer Milliarde Euro. Diese Entwicklung trug zum finanziellen Wachstum des Unternehmens bei und wirkte sich positiv auf das Wachstum des globalen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter aus.
Regionale Analyse
Geografisch ist der Markt in die USA, Kanada und Mexiko, Deutschland, Großbritannien, Frankreich, Italien, die Niederlande, Spanien, Russland, die Schweiz, die Türkei, Belgien, Polen, Schweden, Dänemark, Norwegen, Finnland, das übrige Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Australien, Taiwan, Singapur, Thailand, Indonesien, Malaysia, die Philippinen, Neuseeland, Vietnam, den übrigen asiatisch-pazifischen Raum, Brasilien, Argentinien, den übrigen Südamerika, Saudi-Arabien, die Vereinigten Arabischen Emirate, Israel, Südafrika, Ägypten, Katar, Kuwait, Bahrain, Oman sowie den übrigen Nahen Osten und Afrika unterteilt.
Laut Marktforschungsanalyse von Data Bridge :
Nordamerika ist die dominierende Region auf dem globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Aufgrund der fortschrittlichen technologischen Infrastruktur, der starken Investitionen in Forschung und Entwicklung und der starken Präsenz wichtiger Marktteilnehmer in der Region dürfte die Region Nordamerika den Markt dominieren.
Der asiatisch-pazifische Raum ist die am schnellsten wachsende Region auf dem globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Aufgrund der zunehmenden Nutzung von Elektrofahrzeugen dürfte der asiatisch-pazifische Raum die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt sein.
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