O mercado de semicondutores de potência SiC (Carbeto de Silício) está na vanguarda do avanço tecnológico. Os dispositivos SiC oferecem alta eficiência e desempenho superior em comparação aos semicondutores de silício tradicionais. Eles encontram aplicações em eletrônica de potência, veículos elétricos, sistemas de energia renovável e acionamentos industriais. Os principais recursos do SiC incluem baixa perda de energia, tolerância a altas temperaturas e tamanho e peso reduzidos. Estes avanços permitem dispositivos mais compactos e energeticamente eficientes, impulsionando inovações em vários setores, ao mesmo tempo que contribuem para os esforços de sustentabilidade, reduzindo o consumo de energia e as emissões de carbono.
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A Data Bridge Market Research analisa que o Mercado global de semicondutores Sic Power que foi de USD 11.06.682 mil em 2022 e deverá atingir um valor de USD 7.030.515,23 mil até 2030, com um CAGR de 26,0% durante o período de previsão de 2023-2030. Os semicondutores SiC (carboneto de silício) desempenham um papel fundamental na redução do tamanho e peso dos sistemas eletrônicos. Sua eficiência energética superior e tolerância a altas temperaturas os tornam essenciais em aplicações aeroespaciais, automotivas e industriais, permitindo componentes eletrônicos mais compactos e leves, mas altamente funcionais, contribuindo para melhorar o desempenho geral do sistema.
Principais conclusões do estudo
Espera-se que a Indústria 4.0 impulsione a taxa de crescimento do mercado
O cenário da automação industrial está evoluindo rapidamente com a Indústria 4.0. Esta transformação exige uma eletrônica de potência mais eficiente e confiável. Os semicondutores SiC (Carbeto de Silício) são cada vez mais favorecidos neste contexto devido às suas capacidades de alto desempenho. Eles permitem velocidades de comutação mais rápidas, redução da geração de calor e maior eficiência energética, alinhando-se aos requisitos dos modernos sistemas de automação industrial. À medida que as indústrias procuram aumentar a produtividade, reduzir o tempo de inatividade e otimizar o consumo de energia, a procura por semicondutores SiC continua a crescer como um componente fundamental da eletrónica de potência avançada na automação.
Escopo do relatório e segmentação de mercado
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Métrica de relatório
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Detalhes
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Período de previsão
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2023 a 2030
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Ano base
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2022
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Anos históricos
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2021 (personalizável para 2015-2020)
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Unidades Quantitativas
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Receita em milhares de dólares, volumes em unidades, preços em dólares
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Segmentos cobertos
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Tipo (MOSFETS, módulos híbridos, diodos de barreira Schottky (SBDS), IGBT, transistor de junção bipolar (BJT), diodo de pino, FET de junção (JFET) e outros), faixa de tensão (301-900 V, 901-1700 V, acima 1701 V), tamanho do wafer (6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas, acima de 6 polegadas), tipo de wafer (wafers epitaxiais de SiC, wafers de SiC em branco), aplicação (veículos elétricos (EV), energia fotovoltaica, fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, Infraestrutura de carregamento de veículos elétricos, dispositivos de RF e outros), vertical (automotivo, serviços públicos e energia, industrial, transporte, TI e telecomunicações, eletrônicos de consumo, aeroespacial e defesa, comercial e outros).
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Países abrangidos
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EUA, Canadá e México na América do Norte, Alemanha, França, Reino Unido, Holanda, Suíça, Bélgica, Rússia, Itália, Espanha, Turquia, Resto da Europa na Europa, China, Japão, Índia, Coreia do Sul, Singapura, Malásia, Austrália, Tailândia, Indonésia, Filipinas, Resto da Ásia-Pacífico (APAC) na Ásia-Pacífico (APAC), Arábia Saudita, Emirados Árabes Unidos, África do Sul, Egito, Israel, Resto do Oriente Médio e África (MEA) como parte do Oriente Médio e África (MEA), Brasil, Argentina e Resto da América do Sul como parte da América do Sul
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Participantes do mercado cobertos
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WOLFSPEED, INC. (EUA), STMicroelectronics (Suíça), ROHM CO., LTD. (Japão), Fuji Electric Co., Ltd. (Japão), Mitsubishi Electric Corporation (Japão), Texas Instruments Incorporated (EUA), Infineon Technologies AG (Alemanha), Semikron Danfoss (Alemanha), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. . (China), Renesas Electronics Corporation (Japão), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japão), Microchip Technology Inc. (EUA), Semiconductor Components Industries, LLC (EUA), NXP Semiconductors (Holanda), UnitedSiC (EUA), (EUA), Littlefuse, Inc. (EUA), Allegro MicroSystems, Inc. (EUA), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
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Pontos de dados abordados no relatório
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Além dos insights sobre cenários de mercado, como valor de mercado, taxa de crescimento, segmentação, cobertura geográfica e grandes players, os relatórios de mercado com curadoria da Data Bridge Market Research também incluem análises especializadas aprofundadas, produção geograficamente representada pela empresa e capacidade, layouts de rede de distribuidores e parceiros, análise detalhada e atualizada de tendências de preços e análise de déficit da cadeia de suprimentos e demanda.
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Análise do segmento:
O mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado com base no tipo, faixa de tensão, tamanho do wafer, tipo de wafer, aplicação e vertical.
- Com base no tipo, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado emMOSFETS, módulos híbridos, diodos de barreira schottky (SBDS), IGBT, transistor de junção bipolar (BJT), diodo de pino, junção FET (JFET) e outros.
- Com base na faixa de tensão, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em 301-900 V, 901-1700 V e acima de 1701 V.
- Com base no tamanho do wafer, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em 6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas e acima de 6 polegadas.
- Com base no tipo de wafer, o mercado global de semicondutores de potência de SiC é segmentado em wafers epitaxiais de SiC e wafers de SiC em branco.
- Com base na aplicação, o mercado global de semicondutores de energia sic é segmentado em veículos elétricos (EV), fotovoltaicos, fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, infraestrutura de carregamento de EV, dispositivos de RF, entre outros.
- Com base na vertical, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em automotivo, serviços públicos e energia, industrial, transporte, TI e telecomunicações, eletrônicos de consumo, aeroespacial e defesa, comercial, entre outros.
Jogadores principais
A Data Bridge Market Research reconhece as seguintes empresas como os principais players globais do mercado de semicondutores de potência SiC no mercado global de semicondutores de potência SiC são WOLFSPEED, INC. (Japão), Fuji Electric Co., Ltd. (Japão), Mitsubishi Electric Corporation (Japão), Texas Instruments Incorporated (EUA), Infineon Technologies AG (Alemanha), Semikron Danfoss (Alemanha), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. .(China).
Desenvolvimentos de mercado
- Em dezembro de 2022, STMicroelectronics e Soitec, conhecidas por seus materiais semicondutores inovadores, revelaram uma parceria ampliada com foco em substratos de carboneto de silício (SiC). A ST planeja qualificar a tecnologia de substrato SiC da Soitec nos próximos 18 meses. O objetivo desta colaboração é que a ST adote a tecnologia SmartSiC da Soitec para sua próxima produção de substrato de 200 mm, que apoiará a fabricação de seus dispositivos e módulos. Espera-se que esta parceria melhore o desempenho financeiro da ST e contribua para o crescimento do mercado global de semicondutores de potência SiC no médio prazo.
- Em julho de 2022, a Semikron Danfoss e a ROHM Semiconductor, com sede em Kyoto, compartilharam uma colaboração de uma década focada na integração de carboneto de silício (SiC) em módulos de potência. Os MOSFETs SiC de 4ª geração de última geração da ROHM receberam recentemente qualificação completa nos módulos eMPack da SEMIKRON projetados para aplicações automotivas. Esta parceria de sucesso permitiu que ambas as empresas atendessem efetivamente à demanda global de clientes em todo o mundo. Não só contribuiu para melhorar o desempenho financeiro, mas também influenciou positivamente a expansão do mercado global de semicondutores de potência SiC.
Análise Regional
Geograficamente, os países cobertos no principal relatório global do mercado de semicondutores de energia SiC são EUA, Canadá e México na América do Norte, Alemanha, França, Reino Unido, Holanda, Suíça, Bélgica, Rússia, Itália, Espanha, Turquia, Resto da Europa na Europa, China, Japão, Índia, Coreia do Sul, Singapura, Malásia, Austrália, Tailândia, Indonésia, Filipinas, Resto da Ásia-Pacífico (APAC) na Ásia-Pacífico (APAC), Arábia Saudita, Emirados Árabes Unidos, África do Sul, Egito, Israel, Resto do Oriente Médio e África (MEA) como parte do Oriente Médio e África (MEA), Brasil, Argentina e Resto da América do Sul como parte da América do Sul.
De acordo com a análise da pesquisa de mercado da Data Bridge:
Ásia-Pacífico espera-se que domine o mercado global de semicondutores de energia SiC durante o período de previsão 2023-2030
Em 2023, a região Ásia-Pacífico está preparada para afirmar o seu domínio no mercado global de semicondutores de potência SiC, impulsionada pela crescente procura destes semicondutores avançados. Prevê-se que o apetite da região por módulos de energia e dispositivos associados sirva como um catalisador de crescimento significativo. Este aumento reflete a procura robusta de semicondutores de potência SiC em vários setores e aplicações, sublinhando o papel fundamental da Ásia-Pacífico na orientação da trajetória do mercado.
Para obter informações mais detalhadas sobre o relatório global do mercado de semicondutores de potência SiC, clique aqui – https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-sic-power-semiconductor-market
