O mercado de semicondutores de potência SiC (carboneto de silício) está na vanguarda do avanço tecnológico. Os dispositivos SiC oferecem uma elevada eficiência e um desempenho superior em comparação com os semicondutores de silício tradicionais. Encontram aplicações em eletrónica de potência, veículos elétricos , sistemas de energia renovável e acionamentos industriais. As principais características do SiC incluem a baixa perda de potência, a tolerância a altas temperaturas e o tamanho e peso reduzidos. Estes avanços permitem dispositivos mais compactos e com maior eficiência energética, impulsionando inovações em vários setores e contribuindo para os esforços de sustentabilidade ao reduzir o consumo de energia e as emissões de carbono.
Aceda ao relatório completo em https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-sic-power-semiconductor-market
A Data Bridge Market Research analisa que o mercado global de semicondutores de potência SIC era de 11.06.682 milhares de dólares em 2022 e deverá atingir um valor de 7.030.515,23 milhares de dólares até 2030, com um CAGR de 26,0% durante o período previsto de 2023-2030. Os semicondutores de SiC (carboneto de silício) desempenham um papel fundamental na redução do tamanho e do peso dos sistemas eletrónicos. A sua superior eficiência energética e tolerância a altas temperaturas tornam-nos essenciais em aplicações aeroespaciais, automóveis e industriais, permitindo componentes eletrónicos mais compactos e leves, mas altamente funcionais, contribuindo para melhorar o desempenho global do sistema.
Principais conclusões do estudo
A indústria 4.0 deverá impulsionar o ritmo de crescimento do mercado
O panorama da automação industrial está a evoluir rapidamente com a Indústria 4.0. Esta transformação exige uma eletrónica de potência mais eficiente e fiável. Os semicondutores de SiC (carboneto de silício) são cada vez mais favorecidos neste contexto devido às suas capacidades de alto desempenho. Permitem velocidades de comutação mais rápidas, uma redução da geração de calor e uma maior eficiência energética, alinhando com os requisitos dos modernos sistemas de automação industrial. À medida que as indústrias procuram aumentar a produtividade, reduzir o tempo de inatividade e otimizar a utilização de energia, a procura por semicondutores de SiC continua a crescer como um componente fundamental da eletrónica de potência avançada em automação.
Âmbito do Relatório e Segmentação de Mercado
Métrica de Reporte
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Detalhes
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Período de previsão
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2023 a 2030
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Ano base
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2022
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Anos Históricos
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2021 (personalizável para 2015-2020)
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Unidades quantitativas
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Receita em mil dólares americanos, volumes em unidades, preços em dólares americanos
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Segmentos abrangidos
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Tipo (MOSFETS, módulos híbridos, díodos de barreira Schottky (SBDS), IGBT, transístor de junção bipolar (BJT), díodo de pinos, FET de junção (JFET) e outros), gama de tensão (301-900 V, 901-1700 V, acima de 1701 V), tamanho do wafer (6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas, acima de 6 polegadas), tipo de wafer (wafers epitaxiais de SiC, wafers de SiC em branco), aplicação (veículos elétricos (VE), energia fotovoltaica, fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, infraestruturas de carregamento de VE, dispositivos de RF e outros), vertical (automóvel, serviços públicos e energia, industrial, transportes, TI e telecomunicações, eletrónica de consumo , aeroespacial e defesa, comercial e outros).
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Países abrangidos
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EUA, Canadá e México na América do Norte, Alemanha, França, Reino Unido, Holanda, Suíça, Bélgica, Rússia, Itália, Espanha, Turquia, Resto da Europa na Europa, China, Japão, Índia, Coreia do Sul, Singapura, Malásia, Austrália, Tailândia, Indonésia, Filipinas, Resto da Ásia-Pacífico (APAC) na Ásia-Pacífico (APAC), Arábia Saudita, Emirados Árabes Unidos, África do Sul, Egito, Israel, Resto do Médio Oriente e África (MEA) como parte do Médio Oriente e África (MEA), Brasil, Argentina e Resto da América do Sul como parte da América do Sul
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Participantes do mercado abrangidos
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WOLFSPEED, INC. (EUA), STMicroelectronics (Suíça), ROHM CO., LTD. (Japão), Fuji Electric Co., Ltd. (Japão), Mitsubishi Electric Corporation (Japão), Texas Instruments Incorporated (EUA), Infineon Technologies AG (Alemanha), Semikron Danfoss (Alemanha), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China), Renesas Electronics Corporation (Japão), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japão), Microchip Technology Inc. (EUA), Semiconductor Components Industries, LLC (EUA), NXP Semiconductors (Holanda), UnitedSiC (EUA), SemiQ Inc. (EUA), Littlefuse, Inc. (EUA), Allegro MicroSystems, Inc. (EUA), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (uma subsidiária do Hitachi Group) (Japão), GeneSiC Semiconductor Inc. (EUA)
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Pontos de dados abordados no relatório
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Para além dos insights sobre os cenários de mercado, tais como o valor de mercado, a taxa de crescimento, a segmentação, a cobertura geográfica e os principais participantes, os relatórios de mercado selecionados pela Data Bridge Market Research incluem também análises aprofundadas de especialistas, produção e capacidade das empresas representadas geograficamente, layouts de rede de distribuidores e parceiros, análises detalhadas e atualizadas das tendências de preços e análises de défice da cadeia de abastecimento e da procura.
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Análise de Segmentos:
O mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado com base no tipo, gama de tensão, tamanho do wafer, tipo de wafer, aplicação e vertical.
- Com base no tipo, o mercado global de semicondutores de potência SiC está segmentado em MOSFETS, módulos híbridos, díodos de barreira Schottky (SBDS), IGBT, transístor de junção bipolar (BJT), díodo de pino, FET de junção (JFET) e outros.
- Com base na gama de tensão, o mercado global de semicondutores de potência SiC está segmentado em 301-900 V, 901-1700 V e acima de 1701 V.
- Com base no tamanho do wafer, o mercado global de semicondutores de potência de SiC está segmentado em 6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas e acima de 6 polegadas.
- Com base no tipo de wafer, o mercado global de semicondutores de potência de SiC está segmentado em wafers epitaxiais de SiC e wafers de SiC em branco.
- Com base na aplicação, o mercado global de semicondutores de potência sic está segmentado em veículos elétricos (VE), energia fotovoltaica, fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, infraestruturas de carregamento de VE, dispositivos de RF e outros.
- Com base no segmento vertical, o mercado global de semicondutores de potência SiC está segmentado em automóvel, serviços públicos e energia, industrial, transportes, TI e telecomunicações, eletrónica de consumo, aeroespacial e defesa, comercial e outros.
Principais jogadores
A Data Bridge Market Research reconhece as seguintes empresas como os principais participantes do mercado global de semicondutores de potência SiC: WOLFSPEED, INC. (EUA), STMicroelectronics (Suíça), ROHM CO., LTD. (Japão), Fuji Electric Co., Ltd. (Japão), Mitsubishi Electric Corporation (Japão), Texas Instruments Incorporated (EUA), Infineon Technologies AG (Alemanha), Semikron Danfoss (Alemanha), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China).
Desenvolvimentos de mercado
- Em dezembro de 2022, a STMicroelectronics e a Soitec, conhecidas pelos seus materiais semicondutores inovadores, revelaram uma parceria alargada focada em substratos de carboneto de silício (SiC). A ST está a planear qualificar a tecnologia de substrato de SiC da Soitec nos próximos 18 meses. O objetivo desta colaboração é que a ST adote a tecnologia SmartSiC da Soitec para a sua próxima produção de substrato de 200 mm, que irá suportar o fabrico de dispositivos e módulos. Espera-se que esta parceria melhore o desempenho financeiro da ST e contribua para o crescimento do mercado global de semicondutores de potência SiC a médio prazo.
- Em julho de 2022, a Semikron Danfoss e a ROHM Semiconductor, sediada em Quioto, partilharam uma colaboração de uma década focada na integração de carboneto de silício (SiC) em módulos de energia. Os MOSFET SiC de quarta geração de última geração da ROHM receberam recentemente a qualificação completa dentro dos módulos eMPack da SEMIKRON concebidos para aplicações automóveis. Esta parceria de sucesso permitiu que ambas as empresas atendessem eficazmente à procura global de clientes em todo o mundo. Isto não só contribuiu para melhorar o desempenho financeiro como também influenciou positivamente a expansão do mercado global de semicondutores de potência SiC.
Análise Regional
Geograficamente, os países abrangidos pelo principal relatório do mercado global de semicondutores de energia SiC são EUA, Canadá e México na América do Norte, Alemanha, França, Reino Unido, Holanda, Suíça, Bélgica, Rússia, Itália, Espanha, Turquia, Resto da Europa na Europa, China, Japão, Índia, Coreia do Sul, Singapura, Malásia, Austrália, Tailândia, Indonésia, Filipinas, Resto da Ásia-Pacífico (APAC) na Ásia-Pacífico (APAC), Arábia Saudita, Emirados Árabes Unidos, África do Sul, Egito, Israel, Resto do Médio Oriente e África (MEA) como parte do Médio Oriente e África (MEA), Brasil, Argentina e Resto da América do Sul como parte da América do Sul.
De acordo com a análise de pesquisa de mercado da Data Bridge:
Prevê-se que a região Ásia-Pacífico domine o mercado global de semicondutores de energia SiC durante o período previsto de 2023 a 2030
Em 2023, a região Ásia-Pacífico está pronta para afirmar o seu domínio no mercado global de semicondutores de energia SiC, impulsionada pela crescente procura destes semicondutores avançados. Espera-se que o apetite da região por módulos de energia e dispositivos associados sirva como um catalisador de crescimento significativo. Este aumento reflete a forte procura de semicondutores de energia de SiC em vários setores e aplicações, destacando o papel fundamental da Ásia-Pacífico na condução da trajetória do mercado.
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