Силовые полупроводники из карбида кремния относятся к типу полупроводников, которые содержат углерод и кремний и работают при очень высоком напряжении и температуре. Силовые полупроводники из карбида кремния могут использоваться для производства прочного и очень твердого материала. Силовые полупроводники из карбида кремния могут применяться в различных секторах, таких как телекоммуникации, энергетика и электроэнергетика, автомобилестроение, возобновляемая энергетика и в различных других областях. Они считаются из-за более высоких максимальных теплопроводных свойств, которые расширили область применения. Силовые полупроводники из карбида кремния являются устройствами, которые считаются высокочастотными силовыми устройствами, которые в основном применяются в беспроводной связи. Полупроводник SiC обеспечивает в десять раз большую напряженность поля пробоя диэлектрика, в три раза большую теплопроводность и в три раза большую ширину запрещенной зоны по сравнению с кремниевыми полупроводниками. Полупроводник SiC завоевал рынок благодаря своей высокой производительности и эффективности. Силовые полупроводники из карбида кремния работают при высоком напряжении и токе и обеспечивают низкое сопротивление в открытом состоянии, а также эффективны при высоких температурах. Таким образом, комбинация карбида кремния оказалась лучшим и оптимальным выбором полупроводника.
Доступ к полному отчету по адресу https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-silicon-carbide-power-semiconductors-market
Компания Data Bridge Market Research анализирует, что, как ожидается, мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния достигнет 11 508 292,90 тыс. долларов США к 2031 году по сравнению с 1 950 156,00 тыс. долларов США в 2023 году, увеличившись с среднегодовым темпом роста 25,1% в прогнозируемый период с 2024 по 2031 год. Более строгие правила и потребительский спрос на снижение потребления энергии будут способствовать росту рынка.
Основные выводы исследования
Растущее использование электронных транспортных средств
Растущее использование электромобилей выступает в качестве существенного движущего фактора для мирового рынка силовых полупроводников из карбида кремния, используя превосходную эффективность, тепловые характеристики и возможности быстрой зарядки карбида кремния для удовлетворения потребностей растущего рынка электромобилей. Кроме того, силовые полупроводники из карбида кремния способствуют разработке решений для более быстрой зарядки электромобилей, решая одну из ключевых проблем потребителей относительно практичности электромобилей. Таким образом, все организации сообща предполагают тенденцию к росту электронных транспортных средств в автомобильном секторе. Ожидается, что это сыграет ключевую роль в росте мирового рынка силовых полупроводников из карбида кремния и будет способствовать росту рынка.
Область отчета и сегментация рынка
Отчет Метрика
|
Подробности
|
Прогнозируемый период
|
2024-2031
|
Базовый год
|
2023
|
Исторические годы
|
2022 (можно изменить на 2016–2021)
|
Количественные единицы
|
Доход в тыс. долл. США
|
Охваченные сегменты
|
Тип (MOSFET, диоды с барьером Шоттки (SBD), биполярный транзистор (BJT), гибридные модули, SiC Bare Die, Pin-диод, Junction FET и другие), тип пластины (эпитаксиальные пластины SiC и пустые пластины SiC), диапазон напряжений (от 301 В до 900 В, от 901 В до 1700 В, от 1701 В и выше и менее 300 В), размер пластины (2 дюйма, 3 дюйма и 4 дюйма, 6 дюймов и 8 и 12 дюймов), применение ( электромобили (EV), инверторы, источники питания, фотоэлектрические устройства, радиочастотные устройства, промышленные приводы двигателей и другие), вертикальный (автомобилестроение и транспорт, центры обработки данных, промышленность, возобновляемые источники энергии/сети, бытовая электроника , аэрокосмическая и оборонная промышленность, медицина и другие)
|
Страны, охваченные
|
США, Канада и Мексика, Германия, Великобритания, Франция, Италия, Нидерланды, Испания, Россия, Швейцария, Турция, Бельгия, Польша, Швеция, Дания, Норвегия, Финляндия, остальные страны Европы, Китай, Япония, Индия, Южная Корея, Австралия, Тайвань, Сингапур, Таиланд, Индонезия, Малайзия, Филиппины, Новая Зеландия, Вьетнам, остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона, Бразилия, Аргентина, остальные страны Южной Америки, Саудовская Аравия, ОАЭ, Израиль, Южная Африка, Египет, Катар, Кувейт, Бахрейн, Оман и остальные страны Ближнего Востока и Африки.
|
Охваченные участники рынка
|
Infineon Technologies AG (Германия), STMicroelectronics (Швейцария), WOLFSPEED, INC. (США), Renesas Electronics Corporation (Япония), Semiconductor Components Industries, LLC (США), Mitsubishi Electric Corporation (Япония), ROHM CO., LTD. (Япония), Qorvo, Inc (США), Nexperia (Нидерланды), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION (США), Allegro MicroSystems, Inc. (США), GeneSiC Semiconductor Inc. (США), Fuji Electric Co., Ltd (Япония), Vishay Intertechnology, Inc. (США), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc. (США), Texas Instruments Incorporated. (США), Microchip Technology Inc. (США), Semikron Danfoss (Германия), WeEn Semiconductors (Китай), Solitron Devices, Inc. (США), SemiQ Inc. (США), Xiamen Powerway Advanced Material (Китай), MaxPower Semiconductor (Тайвань) и другие
|
Данные, отраженные в отчете
|
Помимо информации о рыночных сценариях, таких как рыночная стоимость, темпы роста, сегментация, географический охват и основные игроки, рыночные отчеты, подготовленные Data Bridge Market Research, также включают в себя углубленный экспертный анализ, географически представленные данные о производстве и мощностях компаний, схемы сетей дистрибьюторов и партнеров, подробный и обновленный анализ ценовых тенденций и анализ дефицита цепочки поставок и спроса.
|
Анализ сегмента
Мировой рынок силовых полупроводников на основе карбида кремния разделен на шесть основных сегментов, которые различаются по типу, типу пластины, диапазону напряжения, размеру пластины, области применения и вертикали.
- По типу мировой рынок силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния сегментируется на МОП-транзисторы, диоды с барьером Шоттки (SBD), биполярные транзисторы (BJT), гибридные модули, кристаллы SiC, pin-диоды, полевые транзисторы и другие.
Ожидается, что в 2024 году сегмент МОП-транзисторов будет доминировать на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что в 2024 году сегмент МОП-транзисторов будет доминировать на рынке с долей рынка 28,28% благодаря их высокой эффективности, высокой скорости переключения и низкому сопротивлению открытого канала.
- В зависимости от типа пластины мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментируется на эпитаксиальные пластины SiC и чистые пластины SiC.
Ожидается, что в 2024 году сегмент эпитаксиальных пластин SiC будет доминировать на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что в 2024 году сегмент эпитаксиальных пластин SiC будет доминировать на рынке с долей рынка 55,19% благодаря своим превосходным электрическим свойствам и эффективности.
- На основе диапазона напряжений мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментируется на 301–900 В, 901–1700 В, 1701 В и выше и менее 300 В. Ожидается, что в 2024 году сегмент 301–900 В будет доминировать на рынке с долей рынка 44,68%.
- На основе размера пластины глобальный рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментируется на 2 дюйма, 3 дюйма и 4 дюйма, 6 дюймов и 8 и 12 дюймов. Ожидается, что в 2024 году сегмент 2 дюйма, 3 дюйма и 4 дюйма будет доминировать на рынке с долей рынка 43,65%.
- На основе сферы применения глобальный рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментируется на электромобили (ЭМ), инверторы, источники питания, фотоэлектрические системы, радиочастотные устройства, промышленные приводы и др. Ожидается, что в 2024 году сегмент электромобилей (ЭМ) будет доминировать на рынке с долей рынка 33,53%.
- На основе вертикали глобальный рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментируется на автомобилестроение и транспорт, центры обработки данных, промышленность, возобновляемые источники энергии/сети, бытовую электронику, аэрокосмическую и оборонную промышленность, медицину и др. Ожидается, что в 2024 году автомобильный и транспортный сегменты будут доминировать на рынке с долей рынка 28,38%.
Основные игроки
Data Bridge Market Research анализирует Infineon Technologies AG (Германия), STMicroelectronics (Швейцария), WOLFSPEED INC. (США), Renesas Electronics Corporation (Япония) и Semiconductor Components Industries LLC. (США) как основные компании, работающие на мировом рынке силовых полупроводников на основе карбида кремния.
Развитие рынка
- В январе 2024 года STMicroelectronics объявила о долгосрочном соглашении с Li Auto на поставку SiC-устройств. Благодаря этой сделке Li Auto получит SiC MOSFET от STMicroelectronics (ST) для поддержки своих амбиций в области высоковольтных аккумуляторных электромобилей (BEV) в нескольких сегментах рынка. Это развитие может усилить присутствие компании в Китае
- В августе 2023 года STMicroelectronics объявила о подписании контракта на поставку силовых МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC) для BorgWarner Inc. STMicroelectronics поставит новейшие кристаллы силовых МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC) третьего поколения на 750 В для эксклюзивного силового модуля BorgWarner, созданного на платформе Viper. Несколько существующих и будущих электромобилей Volvo Cars оснащены платформами тяговых инверторов производства BorgWarner, в которых используется этот силовой модуль. Эта сделка может расширить присутствие компании на автомобильном рынке
- В июле 2023 года компания WOLFSPEED, INC. объявила о подписании соглашения с Renesas Electronics Corporation о поставках в течение 10 лет пластин из карбида кремния без покрытия и эпитаксиальных пластин. Поставки компанией Wolfspeed пластин из карбида кремния премиум-класса позволят Renesas начать производство силовых полупроводников из карбида кремния в больших масштабах с 2025 года.
- В декабре 2022 года корпорация Renesas Electronics объявила о получении в этом году награды «Выдающаяся компания по производству полупроводников в Азиатско-Тихоокеанском регионе» от Global Semiconductor Alliance (GSA). Эта награда и признание улучшили имидж компании на рынке и оказали положительное влияние на рост мирового рынка силовых полупроводников SiC.
- В ноябре 2022 года Infineon Technologies AG подписала необязывающий Меморандум о взаимопонимании для многолетнего сотрудничества по поставкам полупроводников из карбида кремния (SiC). Infineon зарезервирует производственные мощности и поставит чипы CoolSiC «bare die» во второй половине десятилетия прямым поставщикам первого уровня Stellantis. Потенциальный объем поставок и резервирование мощностей оцениваются значительно выше 1 млрд евро. Это событие помогло компании нарастить свои финансовые показатели и положительно повлияло на рост мирового рынка силовых полупроводников SiC
Региональный анализ
По географическому признаку рынок сегментирован на США, Канаду и Мексику, Германию, Великобританию, Францию, Италию, Нидерланды, Испанию, Россию, Швейцарию, Турцию, Бельгию, Польшу, Швецию, Данию, Норвегию, Финляндию, остальную Европу, Китай, Японию, Индию, Южную Корею, Австралию, Тайвань, Сингапур, Таиланд, Индонезию, Малайзию, Филиппины, Новую Зеландию, Вьетнам, остальную часть Азиатско-Тихоокеанского региона, Бразилию, Аргентину, остальную часть Южной Америки, Саудовскую Аравию, ОАЭ, Израиль, Южную Африку, Египет, Катар, Кувейт, Бахрейн, Оман и остальную часть Ближнего Востока и Африки.
Согласно анализу Data Bridge Market Research :
Северная Америка является доминирующим регионом на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что регион Северной Америки будет доминировать на рынке благодаря своей развитой технологической инфраструктуре, значительным инвестициям в исследования и разработки, а также значительному присутствию ключевых игроков рынка в регионе.
Азиатско-Тихоокеанский регион является самым быстрорастущим регионом на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что Азиатско-Тихоокеанский регион станет самым быстрорастущим регионом на рынке из-за растущего использования электронных транспортных средств.
Для получения более подробной информации об отчете о мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния нажмите здесь – https://www.databridgemarketresearch.com/reports/global-silicon-carbide-power-semiconductors-market
